「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 137 138 次へ＞- To provide an etching liquid and an etching method, capable of etching a metal film composed of silver or silver alloy, and a transparent conductive film, using one liquid, at an industrially satisfactory speed.
銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液で、かつ工業的に満足できる速さでエッチングできるエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching device capable of reducing particles generated during etching process in an inductive coupling type plasma etching device, and the cleaning method of the device.
誘導結合型のプラズマエッチング装置において、エッチング処理中に発生するパーティクルを低減することができるプラズマエッチング装置及び当該装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching apparatus capable of finely and precisely etching an article to be etched while preventing variations in the dimension of etched pits, and further capable of saving time for its own maintenance, and to provide an etching method.
微細加工を精度よく行えるとともに、エッチングばらつきの発生を防止でき、さらに装置のメンテナンスに時間をとられないエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of etching a layer to be etched into a more fine pattern than in a conventional technique, a control program, a computer storage medium, and a plasma etching apparatus.
従来に比べて被エッチング層を更に微細なパターンにエッチングすることのできるプラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method of a conductor layer which enables formation of a conductor circuit with almost rectangular cross sectional contour without etching so far as a lower part of etching resist excessively.
エッチングレジストの下部にまで余計にエッチングすることがなく、略矩形状の断面形状を有する導体回路を形成することができる導体層のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a means for observing an etching state of a semiconductor substrate during a dry etching without spending many hours, and a method of reflecting an observation result thereof to the following etching conditions.
ドライエッチング途中の半導体基板のエッチング状態を時間をかけずに観測する手段を提供し、かつその観測結果を後のエッチング条件に反映する方法を提供すること。 - 特許庁 - More concretely, an upper portion is etched by dry etching so that ITO thin film may leave about 50 nm, and etching is continued by wet etching and patterned in this patterning method.
具体的には、ＩＴＯ薄膜を約５０ｎｍ残すように上部をドライエッチングによりエッチングによりエッチングし、連続してウェットエッチングによりエッチングしてパターニングを行うパターニングを方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces the amount of side etching of wet etching processing while maintaining cleanness of a chemical, and a wet etching device.
本発明は、薬液の清浄度を保ちつつ、ウエットエッチング処理のサイドエッチング量を低減させる半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an etching method which can suppress side etching and can acquire anisotropy shape, when carrying out plasma etching of the metal film containing the aluminum (Al) formed with a hard mask.
ハードマスクで形成されたアルミニウム（Ａｌ）を含有する金属膜をプラズマエッチングする場合において、サイドエッチングを抑制し異方性形状を得ることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etchant which does not produce a silver residue when etching silver or a silver alloy, and does not vary an etching rate even when the etchant is repeatedly used, and to provide an etching method.
銀又は銀合金をエッチングする際に銀残渣を発生させず、しかもエッチング液を繰り返して使用してもエッチング速度が変化しないエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry-cleaning method for efficiently removing deposits generated by etching and deposited on etching chamber inner walls for uniformizing photomask substrate etching rate.
フォトマスク基板のエッチングレートを均一にするために、エッチング処理室の内壁に付着するエッチングにより生成する堆積物を効率的に除去するドライクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method, which can shorten the time required for etching process by suppressing the deterioration of an etching rate during etching processing.
エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁 - In this etching method, an HBr gas is used as an etching gas in a process of etching an antireflection film 5 and therefore the progression of trimming is suppressed in a resist pattern 6a.
本発明のエッチング方法は、反射防止膜５をエッチングする工程において、エッチングガスとしてＨＢｒガスを用いるので、レジストパターン６ａにおけるトリミングの進行が抑制される。 - 特許庁 - The pattern of the resist 11 is recessed by a distance S by a dry etching method.
次に、ドライエッチングによってレジスト１１のパターンを距離Ｓだけ後退させる。 - 特許庁 - METHOD OF REDUCING UNNECESSARY ETCHING OF INSULATOR DUE TO INCREASE IN BORON CONCENTRATION
ボロン濃度上昇に起因する不要な絶縁体エッチングを低減する方法 - 特許庁 - PLASMA ETCHING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM
プラズマエッチング装置及び磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体 - 特許庁 - To provide an improved method of etching a porous dielectric thin film.
多孔質誘電体薄膜の改良されたエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - SUBSTRATE HOLDER, ETCHING PROCESS OF SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM
基板ホルダ及び基板のエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING THIN FILM OF MATERIAL CONTAINING POROUS SILICA ACCUMULATED ON SUBSTRATE
基板上に堆積したポーラスシリカを含有する材料の薄膜のエッチング法 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing thin SOI devices that reduces etching problems.
エッチング問題が軽減される薄いＳＯＩデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a lead frame which does not require partial etching.
部分的なエッチングを必要としないリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To form a metal mask pattern having a high resistance to etching by using a wet method.
高エッチング耐性を有する金属のマスクパターンを湿式方法で形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF ORGANIC ANTI-REFLECTION FILM AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
有機系反射防止膜のエッチング方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a method for pattern-etching an anti-reflective coating (ARC) layer of a substrate.
基板の反射防止（ＡＲＣ）層をパターンエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a through-hole in a substrate by plasma etching.
プラズマエッチングにより基板に貫通孔を形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - STRIPPING LIQUID FOR RESIST COATING, METHOD FOR ETCHING ALUMINUM PLATE, AND ALUMINUM ETCHED PLATE
レジスト被膜の剥離液、アルミニウム板のエッチング方法及びアルミニウム系エッチング板 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING IRON-NICKEL ALLOY PLATE FOR ETCHING-PROCESSING, APPRECIATING QUALITY HISTORY
品質履歴のわかるエッチング加工用Ｆｅ−Ｎｉ合金板の製造方法 - 特許庁 - EQUIPMENT AND METHOD FOR WET-CLEANING OR WET-ETCHING FLAT SUBSTRATE
平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法 - 特許庁 - To provide a method for forming a semiconductor element by etching an insulation layer.
絶縁層をエッチングして半導体素子を形成する方法が提供される。 - 特許庁 - RESIST RESIN COMPOSITION FOR GLASS ETCHING AND METHOD FOR FORMING CIRCUIT BY USING THE SAME
ガラスエッチング用レジスト樹脂組成物、およびそれを用いた回路形成方法 - 特許庁 - To provide a dynamic dry-etching apparatus and a method.
ダイナミックドライエッチング装置及びこれを用いたダイナミックドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR ELECTRODE HAVING HOMOGENEOUS ETCHING CHARACTERISTIC
均質エッチング性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法 - 特許庁 - ACID ETCHING SOLUTION FOR MAGNESIUM METAL AND/OR ALLOY AND SURFACE TREATMENT METHOD
マグネシウム金属及び／又は合金用酸エッチング溶液及び表面処理方法 - 特許庁 - METHOD FOR PREVENTING OUT GAS BY OXYGEN PLASMA IRRADIATION IN SILICON SYSTEM PLASMA ETCHING
シリコン系プラズマエッチングに於ける酸素プラズマ照射によるアウトガス防止方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING ELECTROLYTIC CAPACITOR ETCHING FOIL, AND ELECTRODE FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR
電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法、および電解コンデンサ用電極箔 - 特許庁 - METHOD FOR PROTECTING SEMICONDUCTOR SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) OXIDE FROM ETCHING
半導体シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）酸化物をエッチングから保護する方法 - 特許庁 - SELECTIVE ELECTROCHEMICAL ETCHING METHOD FOR ANALYSIS OF 2-DIMENSIONAL DOPANT DISTRIBUTION
２次元的なドーパント分布の分析のための選択的電気化学エッチング方法 - 特許庁 - To provide a method for etching a metal layer using an imprinted resist material.
インプリントレジスト材料を用いて金属層をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for etching an aluminum-based material into an aluminum thin line having a width of 30 μm.
３０μｍのアルミ細線を形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER
導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 - 特許庁 - ETCHING END POINT DETECTING DEVICE AND METHOD BY USE THEREOF
エッチング終点検出装置およびそれを用いたエッチング終点検出方法 - 特許庁 - ETCHING LIQUID FOR CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR PATTERNING CONDUCTIVE POLYMER
導電性高分子用エッチング液及び導電性高分子をパターニングする方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING PROCESSING OF MAGNETIC MATERIAL, MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
磁性体のエッチング加工方法、磁気抵抗効果膜、および磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SHADOW MASK AND APPARATUS FOR COATING ETCHING-RESISTANT LAYER FOR MANUFACTURING SHADOW MASK
シャドウマスクの製造方法およびシャドウマスク製造用耐エッチング層塗布装置 - 特許庁 - To provide a method of etching an opening having a high aspect ratio in a silicon substrate.
シリコン基板内に高アスペクト比の開口をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - The method further comprises the step of dry etching all the clad layer 14 in Fig. (b).
（ｂ）において、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４を全てドライエッチングする。 - 特許庁 - To provide an effective etching method for performing the failure analysis of LSI.
ＬＳＩの不良解析を行う上で、有効なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of dry-etching a silicon nitride film increasing the throughput.
スループットを向上できる窒化珪素膜のドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - LOW PRESSURE HARD ELECTROLYTIC AL FOIL WITH ETCHING STABILITY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
エッチング安定性に優れた低圧用硬質電解Ａｌ箔およびその製法 - 特許庁 - This wet etching method is used for manufacturing a compound semiconductor electronic device.
化合物半導体系電子デバイスの製造におけるウエットエッチング方法に係る。 - 特許庁
- 特許庁
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