「etching method」を含む例文一覧(6852)

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  • LIQUID CHEMICAL DEVICE, ETCHING DEVICE, AND METHOD OF MANAGING CONCENTRATION OF ETCHANT
    薬液装置およびエッチング装置ならびにエッチング液濃度の管理方法 - 特許庁
  • COMPOSITION FOR NANO-IMPRINT, PATTERN FORMING METHOD, ETCHING RESIST AND PERMANENT FILM
    ナノインプリント用組成物、パターン形成方法、エッチングレジストおよび永久膜 - 特許庁
  • To provide a method of etching a top electrode/ferroelectric stack film.
    上部電極/強誘電体積層膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR ETCHING INSULATING FILM BETWEEN ORGANIC LOW DIELECTRIC CONSTANT LAYERS
    有機系低誘電率層間絶縁膜のエッチング方法および装置 - 特許庁
  • DRY ETCHING PROCESS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
    ドライエッチングプロセスおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE OF LOW-ENERGY ELECTRON ACCELERATION ETCHING AND CLEANING OF SUBSTRATE
    基板の低エネルギー電子促進エッチング及びクリーニング方法及び装置 - 特許庁
  • ETCHING AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
    エッチング剤組成物およびこれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
  • ETCHING METHOD FOR FORMING ANISOTROPIC FEATURE FOR HIGH ASPECT RATIO
    高アスペクト比用途の異方性フィーチャを形成するためのエッチング方法 - 特許庁
  • COMPOUND FOR PHOTORESIST, PHOTORESIST SOLUTION, AND ETCHING METHOD USING THE PHOTORESIST SOLUTION
    フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、およびこれを用いるエッチング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING REACTIVE ION ETCHING
    反応性イオンエッチングを用いた半導体素子のコンタクトホール形成方法 - 特許庁
  • RESIN COMPOSITION, ETCHING AND PRINTING AGENT FOR TEXTILE AND TEXTILE PRINTING METHOD USING THE AGENT
    樹脂組成物、エッチング捺染剤及びそれを用いた捺染方法 - 特許庁
  • To provide a method and an apparatus for the etching manufacturing process of a panel.
    パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
  • ETCHING LIQUID, REFILLING LIQUID, AND FORMING METHOD OF CONDUCTOR PATTERN USING IT
    エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 - 特許庁
  • ETCHING SOLUTION FOR ALUMINUM THIN FILM AND METHOD FOR FORMING ALUMINUM THIN PATTERN
    アルミニウム薄膜のエッチング液およびアルミニウム薄膜パターン形成方法 - 特許庁
  • ETCHING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE, AND SUBSTRATE MANUFACTURED BY THE SAME
    透明導電基板のエッチング方法とその製造方法からなる基板 - 特許庁
  • To provide a method and apparatus of an etching fabrication process of a panel.
    パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR ANALYZING PERIPHERY OF SILICON WAFER AND ETCHING DEVICE USING THE SAME
    シリコンウェーハ周辺部の分析方法およびこれに用いるエッチング装置 - 特許庁
  • CONTROL METHOD OF PLASMA ETCHING PROCESS DEVICE AND TRIMMING AMOUNT CONTROL SYSTEM
    プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム - 特許庁
  • IMPROVED METHOD OF STRIPPING HOT MELT ETCHING RESIST FROM SEMICONDUCTOR
    半導体上からホットメルトエッチングレジストを剥離する改良された方法 - 特許庁
  • INK FOR ETCHING RESIST AND FORMATION METHOD OF RESIST PATTERN USING THE SAME
    エッチングレジスト用インクおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法 - 特許庁
  • To provide a plasma etching method for manufacturing a semiconductor and its apparatus.
    半導体製造用プラズマエッチング法およびその装置を提供する。 - 特許庁
  • FORMATION METHOD OF CAPACITOR STRUCTURE AND SILICON ETCHING LIQUID FOR USE THEREIN
    キャパシタ構造の形成方法及びこれに用いられるシリコンエッチング液 - 特許庁
  • TRIMMING METHOD, TRIMMING EQUIPMENT, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT
    トリミング方法とトリミング装置、およびエッチング加工製品の製造装置。 - 特許庁
  • ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR WAFER OUTER EDGE AND PROCESSING METHOD THEREOF SUCH AS ETCHING
    ウェハー外縁の常圧プラズマ処理装置及びエッチング等の処理方法 - 特許庁
  • DRY ETCHING APPARATUS AND METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME
    ドライエッチング装置およびそれを用いた半導体基板の処理方法 - 特許庁
  • To provide an apparatus and a method for endpoint detection for photomask etching.
    フォトマスクエッチング用の終点検出装置及び方法を提供する。 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR FABRICATING PHOTOMASK USING THE SAME
    プラズマエッチング装置及びこの装置を利用したフォトマスクの製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD FOR NIOBIUM OR TANTALUM COMPONENT BY ELECTROCHEMICAL ETCHING
    ニオブまたはタンタルの成形品を電気化学エッチングで製造する方法 - 特許庁
  • ELECTRODIALYSIS METHOD FOR REFINING SILICATE-CONTAINING POTASSIUM-HYDROXIDE ETCHING LIQUID
    珪酸塩含有水酸化カリウムエッチング液を精製する電気透析法 - 特許庁
  • LAPPING POLISHING CLOTH, AND METHOD OF LAPPING SILICON ELECTRODE FOR PLASMA ETCHING DEVICE
    ラッピング用研磨布、プラズマエッチング装置用シリコン電極のラッピング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR REFINING COPPER CHLORIDE ETCHING WASTE LIQUID AND REFINED COPPER CHLORIDE SOLUTION
    塩化銅エッチング廃液の精製方法及び精製塩化銅溶液 - 特許庁
  • ETCHANT, ROUGHENING TREATING METHOD FOR SILICON-WAFER SUBSTRATE SURFACE AND ETCHING EQUIPMENT
    エッチング液、シリコンウエハ基板面の粗面化処理方法、及びエッチング装置 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS OF SETTING GAS, ETCHING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
    ガス設定方法,ガス設定装置,エッチング装置及び基板処理システム - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING ELECTRODE FOIL FOR ELECTROLYTIC CAPACITOR AND ETCHING PIT MOTHER DIE
    電解コンデンサ用電極箔の製造方法およびエッチングピット母型 - 特許庁
  • SURFACE TREATMENT METHOD OF QUARTZ GLASS SUBSTRATE AND HYDROGEN RADICAL ETCHING APPARATUS
    石英ガラス基板の表面処理方法及び水素ラジカルエッチング装置 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURE OF EPITAXIAL WAFER
    半導体ウェーハのドライエッチング方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 - 特許庁
  • METALLIC FOIL STACKED BODY FOR ETCHING, AND METHOD OF PRODUCING ETCHED METALLIC FOIL
    エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 - 特許庁
  • METAL FOIL STACKED BODY FOR ETCHING, AND METHOD FOR PRODUCING ETCHED METAL FOIL
    エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 - 特許庁
  • The method also comprises the steps of thereafter, lightly etching the surface of an N-type GaAs buffer layer 22.
    その後、n型GaAsバッファ層22の表面を軽くエッチングする。 - 特許庁
  • ETCHING APPARATUS, AND APPARATUS AND METHOD FOR EVALUATING SUBSTRATE SURFACE
    エッチング装置、基板表面評価装置、及び基板表面評価方法 - 特許庁
  • To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film may be long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film, failure rate is high.
    従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁
  • To provide a plasma etching method capable of coping with both of excellent etching selectivity and shaping property upon etching a hole, having fine and high aspect ratio, on an oxide film.
    酸化膜に微細かつ高アスペクト比のホールをエッチングする際に、良好なエッチング選択性および形状性を両立することができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide an etching method capable of forming a large hollow or a space having a complicated configuration with high formal accuracy by etching a sacrificial layer through a very small etching opening.
    微細なエッチング開口からの犠牲層のエッチングにより、大きな中空部や複雑な構成の空間部を形状精度良好に形成できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a method of detecting the end point of etching which can detect the end point of etching with good accuracy and a device for the same and a dry etching system having this device.
    エッチング終点を精度よく検出することができるエッチング終点検出方法及びその装置、並びに同装置を有するドライエッチング装置を得ること。 - 特許庁
  • To improve an etching end point detecting pattern in degree of freedom of design and to provide an etching end point detecting method capable of accurately detecting an etching end point.
    エッチング終点検出用パターンの設計の自由度を改善するとともに、エッチングの終点を正確に検出することができるエッチング検出方法を提供すること。 - 特許庁
  • The etching method presents an effect capable of evenly etching the zinc oxide-based material, especially a zinc oxide-based material having a (000-1) crystal surface, without generating etching residues.
    酸化亜鉛系材料、とりわけ(000−1)の結晶面を有する酸化亜鉛系材料を、エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできるという効果を奏する。 - 特許庁
  • To enhance the speed for etching a sacrifice layer and to diminish the speed for etching an etching stop layer in a manufacturing method of a display device which is formed by transferring thin film transistors.
    薄膜トランジスタを転写して形成する表示装置の製造方法における犠牲層のエッチングの高速化と、エッチング停止層におけるエッチングの低速化。 - 特許庁
  • By the dry etching method, even when dry etching advances, it becomes difficult for the semiconductor substrate to be electrically charged, thus increasing the uniformity of the etching rate in the plane of the substrate.
    このドライエッチング方法によれば、ドライエッチングが進行しても半導体基板が帯電し難くなり、基板面内におけるエッチングレートの均一性が向上する。 - 特許庁
  • To provide a silicon substrate etching method etc. having a high etching speed and capable of obtaining an etching structure excellent in unevenness and the degree of the right angle of a wall surface.
    エッチング速度が速く、しかも壁面の平滑性及び直角度に優れたエッチング構造物を得ることができるシリコン基板のエッチング方法等を提供する。 - 特許庁
  • To provide an etching solution for etching a thin film of metallic silver or a silver alloy with an adequate precision of a dimension, and to provide an etching method using the solution.
    良好な寸法精度で金属銀薄膜または銀合金薄膜のエッチングを可能とするエッチング溶液及びこの溶液を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁
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