「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 137 138 次へ＞- ETCHING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR MATRIX SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION
エッチング方法、薄膜トランジスタマトリックス基板、およびその製造方法 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR SELECTIVELY ETCHING DIELECTRIC MATERIAL RELATIVE TO SILICON
シリコンに対する誘電材料の選択エッチング方法及びシステム - 特許庁 - METHOD OF FORMING EMBEDDED WIRING LAYER AND JET-TYPE SPIN-ETCHING APPARATUS
埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置 - 特許庁 - ETCHANT FOR GaInP SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ETCHING METHOD
ＧａＩｎＰ系化合物半導体用エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR ORGANIC DIELECTRIC POLYMER MATERIAL BY PLASMA GAS
プラズマガスによる有機誘電ポリマー材料の異方性エッチング方法 - 特許庁 - To provide a method for reducing wafer damage during an etching process.
エッチングプロセス中にウェーハの損傷を低減する方法を開示する。 - 特許庁 - RESIST INK COMPOSITION AND METHOD OF ETCHING BY USING THE SAME
レジストインキ組成物及び該レジストインキ組成物を用いたエッチング方法 - 特許庁 - To provide an etching and plating method suitable for micro/nano structures.
マイクロ／ナノ構造に好適なエッチング及びめっき方法の提供。 - 特許庁 - To provide an etching method exhibiting high rate of reaction and uniformity.
反応速度が速く、均一性の良いエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - WET ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING ETCH RESIDUE USED THEREFOR
ウェットエッチング装置および該装置に用いるエッチング残渣検出方法 - 特許庁 - WET-ETCHING METHOD
ウエットエッチング方法、ウエットエッチング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD, AND ETCHED PRODUCT FORMED BY THE SAME
エッチング方法及びその方法によって成形されたエッチング成形品 - 特許庁 - A method of making using lithographic etching technique is also provided.
また、リソグラフィ・エッチング技術を用いた製造方法が提供される。 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING FILM THICKNESS AND ETCHING SYSTEM EMPLOYING IT
膜厚測定方法とその装置およびそれを用いたエッチング装置 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD OF CLAMPING SEMICONDUCTOR WAFER FOR ETCHING APPARATUS
エッチング装置における半導体ウエハのクランプ装置及びクランプ方法 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for uniformly etching a photomask.
均一にフォトマスクをエッチングする方法および装置が提供する。 - 特許庁 - The etching method for a surface to be machined uses the photoresist liquid.
前記フォトレジスト液を使用する被加工表面のエッチング方法。 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF SILICON NITRIDE FILM IN MANUFACTURING PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置製造工程における窒化シリコン膜のエッチング方法 - 特許庁 - To provide a method for etching a chromium layer during photomask fabrication.
ホトマスク製造中にクロム層をエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING
ＴｉＮ層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁 - ETCHING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
エッチング装置、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池セル - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR BONDING NANO-CHIP BY ELECTROLYTIC ETCHING
電解エッチングを用いたナノチップの接着装置及び接着方法 - 特許庁 - COLORING ETCHANT FOR OBSERVING MICROSTRUCTURE OF STEEL, AND ETCHING METHOD
鋼のミクロ組織観察用着色エッチング液およびエッチング方法 - 特許庁 - METHOD TO OBTAIN LOW K DIELECTRIC BARRIER WITH SUPERIOR ETCHING RESISTIVITY
優勢エッチング抵抗性を具備する低Ｋ誘電バリアを得る方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR AND COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT
化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 - 特許庁 - APPARATUS AND METHOD FOR ETCHING SILICON SUBSTRATE HAVING FORMED CIRCUIT PATTERN
回路パターン形成済シリコン基板のエッチング装置およびエッチング方法 - 特許庁 - ION BEAM ETCHING METHOD AND DEVICE, COMPUTER PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM
イオンビームエッチング方法、イオンビームエッチング装置、コンピュータプログラム、記録媒体 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND PLASMA ETCHING APPARATUS
半導体装置およびその製造方法、並びにプラズマエッチング装置 - 特許庁 - ETCHING DEFECT INSPECTION METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATING CHIP WAFER, AND INSPECTION SYSTEM
圧電振動片ウェハのエッチング欠陥検査方法、及び検査システム - 特許庁 - ETCHING SOLUTION AND METHOD OF FORMING MAGNETIC MEMORY DEVICE UTILIZING IT
エッチング溶液及びこれを利用した磁気記憶素子の形成方法 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for etching manufacturing processes of a panel.
パネルのエッチング製作プロセスの方法及びその装置の提供。 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING LOW THERMAL EXPANSION ALLOY THIN SHEET EXCELLENT IN ETCHING PROPERTY
エッチング性に優れた低熱膨張合金薄板の製造方法 - 特許庁 - This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.
面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁 - To provide a laser beam etching method and a laser beam etching apparatus capable of etching without adhering a byproduct around an etching position and finely etching a material of IC, diode device, etc., when etching an object to be worked of an inorganic material.
無機材料からなる被加工物のレーザエッチングにおいて、エッチング位置周辺に加工副産物が付着しないように加工することができ、さらにはマイクロマシン、またはＩＣおよびダイオードデバイス等の材料を微細加工することができるレーザエッチング方法及びレーザエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To maintain the state where there is little dusting of foreign substances from the inside of an etching processing chamber, and the reproducibility of etching performance is secured, by efficiently removing sediment accumulated by etching in the inside of the etching processing chamber, in the cleaning method of the etching device for etching a metal film.
金属膜をエッチングするエッチング装置のクリーニング方法において、エッチング処理室内部に堆積するエッチングによって生じた堆積物を効率良く除去して」、エッチング性能の再現性が有り、エッチング処理室内部から異物の発塵が少ない状態を維持する。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device comprises an etching process of carrying out an anisotropic etching of a silicon wafer 102 forming an etching mask by using alkali solution; and a breaking process of breaking a projection of the etching mask projecting against the opening 103 of the silicon wafer 102 so as to reside at the corner of the etching mask after the etching process.
エッチングマスクを形成したシリコンウェハ１０２をアルカリ溶液を用いて異方性エッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、エッチングマスクのコーナー部に位置するようにシリコンウェハの開口部１０３に対して突出するエッチングマスクの突出部を破断する破断工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a dielectric device manufacturing method and an etching method which enable the enhancement of the etching selectivity between ferroelectric and an electrode, and highly precise etching of ferroelectric.
強誘電体と電極との間のエッチング選択性を高め、強誘電体を高精度にエッチングすることができる誘電体デバイスの製造方法及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - This invention relates to the plasma etching method by which an etching gas is generated to carry out a plasma etching of a CF_X film 101 formed in a semiconductor wafer W, wherein a mixed gas containing CH_4 and O_2 is used as the etching gas.
半導体ウエハＷに形成されたＣＦ_x膜１０１を、エッチングガスのプラズマを発生させてプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、ＣＨ_4とＯ_2とを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device which prevents the deterioration of an etching rate, eliminates the fluctuation of etching time and uniforms the etching characteristic of a silicon layer including metal, and to provide a dry etching device.
エッチングレートの劣化を防止しエッチング時間の変動をなくし、金属を含むシリコン層のエッチング特性を均一化する半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - To control the etching rate distribution by operating the etching gas flow field and to realize highly accurate and uniform dry etching by attaining a desired etching rate distribution for each kind of film by that method.
エッチングガス流れ場を操作して、エッチングレート分布を制御することを目的とし、この方法により、所望のエッチングレート分布を膜種毎に獲得し、高精度、高均一なドライエッチングを実現させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.
特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device by the use of an etching technique capable of ensuring a sufficient etching selection ratio between an etched layer and an etching stop film in a dry etching process.
ドライエッチング工程において、エッチングすべき層と、その下のエッチングストッパ膜との十分な選択比を確保することが可能なエッチング技術を用いて半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The etching method using the etching solution includes just immersing the thin film of metallic silver or the silver alloy into the etching solution in a resting state in an etching step, and does not need such a streaming of a solution or a swinging of a substrate as to have been carried out in a conventional method.
そして、このエッチャントを用いる際は、エッチング時に、静止状態のエッチング溶液に金属銀薄膜または銀合金薄膜を浸漬させるだけで足り、従来例のような溶液流動化や基板の揺動を要しない。 - 特許庁 - To provide a dry etching method wherein reproducibility of etching rate is good and execution is enabled by small man day and low cost in a dry etching method in which a semiconductor substrate is etched perpendicularly by alternately changing etching gas and passivation formation gas.
エッチングガスと保護膜形成ガスを交互に切り替えて、半導体基板を垂直方向にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングレートの再現性が良く、小さな工数と低コストで実施できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of controlling an etching solution reducing the amount of cerium ammonium nitrate and perchloric acid and also giving an excellent etching face in a method of subjecting a chromium film to etching with an etching solution containing cerium ammonium nitrate and perchloric acid.
硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含むエッチング液でクロム膜をエッチングする方法において、硝酸セリウムアンモニウムの消費量を節減し、かつ優れたエッチング面を与えるエッチング液の管理方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING HARD-TO-ETCH MATERIAL AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR EMPLOYING IT
難エッチ材のエッチング方法及びそれを用いた半導体製造方法及び装置 - 特許庁 - To efficiently form a partition wall of a display panel by combining the blast method and the etching method.
ブラスト法とエッチング法とを組合せてディスプレイパネルの隔壁を効率良く形成する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR INSULATING FILM AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR STORAGE USING THE SAME
絶縁膜のエッチング方法及びそれを用いた半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR REMOVING OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
酸化膜除去用のエッチング液及びその製造方法と、半導体素子の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR FILM TO BE ETCHED, AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE TO WHICH THE SAME IS APPLIED
被エッチング膜のエッチング方法、及びそれを適用した半導体装置の製造方法 - 特許庁
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