「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 137 138 次へ＞- To provide an etching method giving an increase in etching rate while maintaining the allowable level of the quality of a product.
製品の品質の許容レベルを維持しつつ、エッチング速度の増加を与えるエッチング方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for forming a graphene film which has a short etching time, and suppresses damage at the time of etching.
エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING TREATMENT DEVICE OF PRINTED-WIRING BOARD, AND ETCHING TREATMENT METHOD FOR PRINTED-WIRING BOARD USING THE SAME
プリント配線板用のエッチング処理装置とその装置を用いたプリント配線板用エッチング処理方法 - 特許庁 - To provide a plasma etching method for achieving both high selectiveness and a high etching rate.
高い選択性と高いエッチングレートを両立させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁 - PHOTORESIST COMPOUND, PHOTORESIST FLUID, ETCHING METHOD USING THE SAME AND POSITIVE TYPE ETCHING-RESISTANT PHOTORESIST MATERIAL
フォトレジスト用化合物、フォトレジスト液、ならびにこれを用いるエッチング方法およびポジ型耐エッチングレジスト材料 - 特許庁 - ETCHING METHOD USING ADVANCED-PATTERNING-FILM IN CAPACITIVELY-COUPLED HIGH-FREQUENCY PLASMA DIELECTRIC ETCHING CHAMBER
容量結合高周波プラズマ誘電体エッチングチャンバにおけるアドバンスドパターニングフィルムを用いたエッチング方法 - 特許庁 - To provide an etching method capable of reducing a manufacturing cost compared to an etching process using acid.
酸を用いたエッチング処理に比して製造コストを低減することができるエッチング方法を得ること。 - 特許庁 - The method can be carried out in a direct plasma etching process or in a remote plasma etching process.
本方法は直接プラズマエッチング法又は遠隔プラズマエッチング法によって実行することが可能である。 - 特許庁 - To provide an etching method for realizing a semiconductor substrate with good verticality and flatness on the etching face.
エッチング面における垂直性や平滑性の良好な半導体基板のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - WET ETCHING DEVICE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND WET ETCHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME
半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを用いた半導体素子の湿式エッチング方法 - 特許庁 - To provide a method which continuously performs acid etching at a high etching rate without exchanging a treatment liquid.
処理液を交換することなく、高いエッチング速度で酸エッチングを継続して行う方法を提供する。 - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND STORAGE MEDIUM WITH TREATMENT RECIPE STORED THEREON
プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、コンピュータ記憶媒体及び処理レシピが記憶された記憶媒体 - 特許庁 - To obtain an etching method for excellently forming etching pits on aluminum foil even through a non-electrolytic process.
アルミニウム箔に無電解によってもエッチングピットを良好に形成することができるエッチング方法を得る。 - 特許庁 - To provide an etching method which can enhance the selectivity ratio and improvement of etching form.
選択比の向上，及びエッチング形状の改善を図ることの可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of color filter which permits the removal of resist as a pattern mask for etching concurrently with dry etching of a colored layer.
着色層のドライエッチング処理と共にエッチング用パターンマスクをなすレジストの除去を可能とする。 - 特許庁 - To form via-holes, each having a uniform depth, on a silicon by a reactive ion etching method, and to prevent the disappearance of a specific part of a protective film covering a silicon board in an etching process.
反応性イオンエッチング法により、シリコン基板に深さが均一なビアホールを形成する。 - 特許庁 - To provide an etching method in a stacked film structural body capable of efficiently etching a removal part in which a layer suited for dry etching is interposed into a space between layers suited for wet etching, and to provide a wafer used for the etching method.
ウェットエッチングに適した層の間にドライエッチングに適した層が介在されている除去部を効率よくエッチングすることができる、積層膜構造体におけるエッチング方法、並びに、当該エッチング方法に使用されるウエハを提供する。 - 特許庁 - In the patterning method of impurity doped indium oxide thin film, the patterning method includes: a process for etching the impurity doped indium oxide thin film in a dry etching method; and a process for etching the impurity doping indium oxide thin film, which was subjected to the dry etching method, in a wet etching method.
不純物ドープ酸化インジウム薄膜のパターニング方法において、ドライエッチング法により該不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程と、ウェットエッチング法により前記ドライエッチング法を行った不純物ドープ酸化インジウム薄膜のエッチングを行う工程とを行うパターニング方法を用いる。 - 特許庁 - To provide an etching method capable of uniformly bringing an etching liquid into contact with the glass surface and uniformly etching the glass surface and to provide a device used to the method.
ガラス表面に均一にエッチング液を接触させ、ガラス表面を均一にエッチングすることが可能なエッチング方法及びこの方法に使用する装置の提供。 - 特許庁 - To provide a circuit board and a manufacturing method thereof, where the adverse effects of wet etching on an environment or human bodies are lessened and a board can be improved in degree of freedom of processing by a method wherein etching by the use of gas is employed in place of wet etching.
ガスを用いたエッチングにより、ウエットエッチングでは不可能な環境や人体への負荷低減及び基板に対する加工自由度の向上を図ること。 - 特許庁 - To provide a method and a device capable of exactly obtaining an etching degree during and/or after an etching process independently of an etching method of a material.
材料のエッチング方法に関係なく、エッチング工程の間および／または後にエッチングの程度を正確に求めることができる方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a wet etching processing method characterized by the effective processing of any impurities generated by the etching reaction, and an etching system implementing such a method.
エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること - 特許庁 - To provide an etching method uniformly bringing an etching liquid into contact with a glass surface and uniformly etching the glass surface and to provide a device used to the method.
ガラス表面に均一にエッチング液を接触させ、ガラス表面を均一にエッチングすることが可能なエッチング方法及びこの方法に使用する装置の提供。 - 特許庁 - To provide a detection method of an etching end point in the dry semiconductor etching step, while can easily and accurately detect the etching end point.
エッチング終了点を正確で容易に検出できる半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of etching an amorphous carbon film with good shape without expanding an etching part.
アモルファスカーボン膜を良好な形状性でかつエッチング部分を拡大させずにエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an apparatus and a method for etching which has the high etching ratio of a film to be worked to a substrate film and a high etching rate.
被加工膜の下地膜に対するエッチング選択比が高く、高いエッチングレートを有するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - SILICON ANISOTROPIC ETCHING AGENT COMPOSITION FOR SILICON MICROFABRICATION, SILICON ETCHING METHOD, AND ELECTRONIC APPARATUS WITH SILICON SUBSTRATE PROCESSED IN ITS ETCHING
シリコン微細加工に用いるシリコン異方性エッチング剤組成物、シリコンエッチング方法及びそのエッチングを施されたシリコン基板を有する電子機器 - 特許庁 - To provide a dry etching method for preventing borderless etching by using new materials as an etching reducing film in the selective etching method of a silicon oxide film, and a method for manufacturing a semiconductor device.
シリコン酸化膜の選択エッチング方法において、エッチング抑制膜として新規な材料を用いることにより、ボーダレスなエッチングにならないドライエッチング方法及びこの方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for treating an etching waste soln. capable of producing an etching soln. capable of increasing etching efficiency in such a manner that working quality in etching treatment is satisfactorily maintained.
エッチング処理における加工品質を良好に維持してエッチング効率を高めることができるエッチング液を製造することのできるエッチング廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor wafer etching apparatus which can improve an etching rate better than that of a prior art, can perform every etching process by a wet etching method with higher accuracy and can further include a chemical solution collecting system.
従来よりもエッチング速度を向上させ、全てのエッチングをウェットエッチングで高精度に行ない、さらに薬液の回収システムを含めた半導体ウェハエッチング装置を得る。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus which, when etching an adhesion layer sandwiched between silicon substrates, can help etching to proceed in a laminated direction of silicon substrates.
シリコン基板に挟まれた接着層をエッチングする際に、シリコン基板の積層方向へエッチングを進みやすくすることのできるプラズマエッチング方法、及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - A first etching step employs an etching method in which an etching rate to at least a second film and a third film is high and etching is performed until at least a first film is exposed.
すなわち、第１のエッチング工程には、少なくとも第２の膜及び第３の膜に対するエッチングレートが高いエッチング方法を採用し、少なくとも第１の膜を露出するまで行う。 - 特許庁 - ALKALI ETCHING LIQUID, SILICON WAFER ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR DISCRIMINATING FRONT AND REAR SURFACES OF SILICON WAFER USING THE SAME METHOD
アルカリエッチング液及びこのエッチング液を用いたシリコンウェーハのエッチング方法並びにこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法 - 特許庁 - THIN FILM ETCHING METHOD AND METHOD OF FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME
薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法 - 特許庁 - MATERIAL FOR MASK, METHOD FOR FORMING MASK, METHOD FOR FORMING PATTERN, AND ETCHING PROTECTION FILM
マスク用材料、マスクの形成方法、パターン形成方法、及びエッチング保護膜 - 特許庁 - ETCHANT FOR SILICON WAFER, ETCHING METHOD AND METHOD OF SUPPLYING THE ETCHANT
シリコンウェーハのエッチング液、そのエッチング方法及びそのエッチング液の補給方法 - 特許庁 - FILM THICKNESS MEASURING METHOD AND DEVICE, AND ETCHING METHOD AND DEVICE USING THEM
膜厚測定方法及び装置、並びにそれを用いたエッチング方法及び装置 - 特許庁 - ETCHING RESIDUE REMOVING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
エッチング残渣除去方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD OF ORGANIC FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
有機膜のエッチング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - MEASUREMENT METHOD OF DIFFERENCE IN LEVEL, AND MEASURING METHOD OF ETCHING DEPTH, AND DEVICES THEREFOR
段差測定方法並びにエッチング深さ測定方法及びそれらの装置 - 特許庁 - To provide a method of etching a group-III nitride semiconductor that will not have a damaged layer generated, and to provide a manufacturing method of semiconductor device.
ダメージ層が生じないIII 族窒化物半導体のエッチング方法。 - 特許庁 - ETCHING RATE MEASURING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF PRINTED WIRING BOARD USING IT
エッチングレート測定方法およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER, METHOD OF MANUFACTURING MEMS DEVICE, AND MEMS DEVICE
犠牲層のエッチング方法、ＭＥＭＳデバイスの製造方法およびＭＥＭＳデバイス - 特許庁 - ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING INK JET RECORDING HEAD
シリコン基板の異方性エッチング方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 - 特許庁 - CRYSTAL ETCHING METHOD, AND METHOD OF PREPARING SAMPLE FOR TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE
結晶エッチング方法および透過型電子顕微鏡用試料の作製方法 - 特許庁 - DRY ETCHING METHOD AND SYSTEM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
ドライエッチング方法およびドライエッチングシステム、並びに半導体レーザ素子製造方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR ETCHED LAYER, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
被エッチング層のエッチング方法、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - 特許庁 - RESIST MATERIAL, ETCHING PATTERN FORMING METHOD AND CONDUCTIVE PATTERN FORMING METHOD
レジスト材料、エッチングパターンの形成方法及び導電性パターンの形成方法 - 特許庁 - To provide a dry etching method required for micromachining a proper shape, a micromachining method and a mask for dry etching.
良好な形状の微細加工を行うことができるドライエッチング方法、微細加工方法及びドライエッチング用マスクを提供する。 - 特許庁 - MICROSTRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING DEVICE
微小構造体およびその製造方法並びにエッチング装置 - 特許庁
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