「etching method」を含む例文一覧(6852)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 137 138 次へ＞- MANUFACTURING METHOD OF LIQUID JETTING HEAD, AND ETCHING METHOD OF CRYSTAL SUBSTRATE
液体噴射ヘッドの製造方法及び結晶基板のエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE, INKJET RECORDING HEAD AND ITS MANUFACTURING METHOD
シリコン基板のエッチング方法、インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁 - DUAL DAMASCENE ETCHING METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR USING THE SAME
デュアルダマシンエッチング方法及びそれを用いた半導体の製造方法 - 特許庁 - ETCHING PROCESSING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
エッチング処理方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FORMATION AND DRY ETCHING METHOD
半導体デバイス形成用基板の製造方法及びドライエッチング方法 - 特許庁 - MONITORING METHOD, EXPOSING METHOD, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, ETCHING METHOD, AND EXPOSURE PROCESSING DEVICE
モニタ方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、エッチング方法及び露光処理装置 - 特許庁 - To provide a wet etching method of a group III nitride semiconductor, a damaged layer removing method, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor substrate manufacturing method.
III 族窒化物半導体のウェットエッチング方法および半導体装置製造方法。 - 特許庁 - PRINTED CIRCUIT BOARD WITH PATTERN FOR ETCHING TOLERANCE DETERMINATION, AND ETCHING TOLERANCE DETERMINATION METHOD OF PRINTED CIRCUIT BOARD
エッチング公差判定用パターン付プリント基板及びプリント基板のエッチング公差判定方法 - 特許庁 - To provide a method to prevent the aggravation of etching shape and improve etching speed at the same time.
エッチング形状の悪化を抑制しつつエッチング速度を向上させる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method which can improve uniformity of the depth of etching over the surface of a wafer.
ウェーハの面内におけるエッチング深さの均一化を図ったドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method, with which dry etching can be efficiently performed on various kinds of silicon oxide films.
様々な種類のシリコン酸化膜を効率よくドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - ETCHING LIQUID, ETCHING METHOD, BASE PLATE WITH RECESSED PART, MICRO LENS BASE PLATE, TRANSMISSION TYPE SCREEN, AND REAR TYPE PROJECTOR
エッチング液、エッチング方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁 - To provide a plasma etching method for etching a wide-gap semiconductor substrate with high accuracy.
ワイドギャップ半導体基板を高精度にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method for reducing damage to a substrate, and to provide an etching apparatus.
基板の損傷を低減することができるエッチング方法及びエッチング装置を提供する。 - 特許庁 - Additionally, the etching method may include anodic etching of nickel or a nickel alloy layer.
さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。 - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method capable of shortening processing time.
処理時間の短縮が可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - DRY ETCHING EXHAUST GAS TREATING DEVICE AND METHOD FOR TREATING DRY ETCHING EXHAUST GAS USING TREATING DEVICE
ドライエッチング排ガス処理装置及び当該処理装置を用いたドライエッチング排ガス処理方法 - 特許庁 - This electrolytic etching method includes inserting a masking member between the counter electrode and the article to be etched and electrolytically etching the article.
対向電極と被エッチング物の間にマスキング部材を挟み込んで、電解エッチングを行う。 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING METALLIC TIN OR TIN ALLOY, AND ETCHING SOLUTION FOR METALLIC TIN OR TIN ALLOY
金属スズまたはスズ合金をエッチングする方法ならびに金属スズまたはスズ合金のエッチング液 - 特許庁 - CARBON ELECTRODE FOR ETCHING AND METHOD FOR ETCHING ELECTRODE FOIL FOR ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR USING THE SAME
エッチング用カーボン電極およびこれを用いたアルミ電解コンデンサ用電極箔のエッチング方法 - 特許庁 - To provide a dry etching method which is designed to detect an etching end accurately and which exhibits superior productivity.
エッチングの終点を正確に検出し、生産性の優れたドライエッチング法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method by which the surface of an underwater structure can easily be etched by a simple composition.
簡素な構成で、水中構造物の表面を容易にエッチングできるようにする。 - 特許庁 - To provide a method of detecting etching end point by which the end point of etching can be detected with accuracy.
精度良くエッチングの終点を検出するエッチング終点検出方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for etching by which a High-k film can be etched by suppressing the etching of an element separating region or Si substrate.
素子分離領域あるいはＳｉ基板のエッチングを抑えつつ、High-k膜のエッチングを行う。 - 特許庁 - To provide a method of etching high-k dielectric materials in a plasma etching reactor without producing residues.
残渣を形成させずにプラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for adjusting the characteristics of etching by switching the processing gases during the etching process.
エッチング処理中に処理用ガスを切り替えて、エッチングの特性を調節する方法を開示する。 - 特許庁 - ETCHING DEVICE, ETCHING METHOD, RECESSED SUBSTRATE, MICRO-LENS SUBSTRATE, TRANSMISSION TYPE SCREEN AND REAR TYPE PROJECTOR
エッチング装置、エッチング方法、凹部付き基板、マイクロレンズ基板、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ - 特許庁 - PLASMA ETCHING METHOD, MANUFACTURING OF ELECTRONIC DEVICE, PLASMA ETCHING DEVICE AND PLASMA PROCESSOR
プラズマエッチング方法および電子デバイスの製造方法並びにプラズマエッチング装置およびプラズマ処理装置 - 特許庁 - To provide a method for plasma etching of silicate glass without generating etching residues and a microlens array.
エッチング残渣を生じることなく、珪酸ガラスをプラズマエッチングする方法及びマイクロレンズアレイの提供。 - 特許庁 - An anisotropic etching is performed on a surface 11a of a silicon wafer 11 by a wet etching method.
シリコンウエーハ１１の一面１１ａに対して、ウエットエッチング法によって異方性エッチングを行う。 - 特許庁 - ETCHING SOLUTION FOR THIN FILM OF METALLIC SILVER OR SILVER ALLOY, AND ETCHING METHOD USING THE SOLUTION
金属銀薄膜または銀合金薄膜用エッチング溶液及び該溶液を用いたエッチング方法 - 特許庁 - ETCHING LIQUID COMPOSITION FOR INDIUM OXIDE-BASED TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND ETCHING METHOD USING THE COMPOSITION
酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物及びそれを用いたエッチング方法 - 特許庁 - GAS COMPOSITION FOR ETCHING SILICON OXIDE, AND METHOD OF ETCHING SILICON OXIDE USING THE SAME
シリコン酸化物のエッチング用ガス組成物およびこれを用いたシリコン酸化物のエッチング方法 - 特許庁 - To provide a peracetic acid (PAA) system etching liquid, an etching method utilizing it, and a structure of a resultant material.
ＰＡＡ系のエッチング液、それを利用するエッチング方法及び結果物の構造を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method for etching an oxide film in a substrate placed on a substrate holder in an etching chamber, wherein improvement in the etching rate and distribution of the oxide film is made possible.
エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。 - 特許庁 - To provide a dry etching method and a dry etching system without destroying a membrane and lowering etching characteristics at the time of the dry etching of membranes, such as an EB mask.
ＥＢマスクなどのメンブレンのドライエッチングの際に、メンブレンを破壊することなく、且つエッチング特性を低下することないドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for etching silicon nitride capable of selectively etching silicon nitride without etching silicon oxide, and moreover capable of stably etching for a long period.
窒化ケイ素のエッチングにおいて、酸化ケイ素をエッチングすることなく、選択的に窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングする方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma etching method capable of preventing excessive etching at the outer-periphery of a wafer and capable of performing uniform etching, when performing the plasma etching of the semiconductor wafer.
半導体ウエーハをプラズマエッチングする際、ウエーハの外周部において過剰なエッチングを防ぐとともに、均一にエッチングすることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method which is capable of easily and accurately detecting an end point of an etching process and carrying out etching with high accuracy.
エッチング処理の終点を容易かつ正確に検出し、エッチング処理を高精度に行うことが可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching method for realizing trench etching without hollow or roughness on a trench side wall surface while maintaining a high etching rate.
高速エッチングレートを維持しつつ、トレンチ側壁面にえぐれや面荒れの無いトレンチエッチングを実現するためのエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an etching mask excelling in thermal imprinting property and etching resistance, and a base material with the etching mask, a fine workpiece and its manufacturing method.
熱インプリント性、耐エッチング性の良好なエッチングマスク、エッチングマスク付き基材、および微細加工品およびその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide an etching device and an etching method that suppress influence of deposition of etching products on a deposition preventive plate.
防着板へのエッチング生成物の付着の影響を抑制することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供すること - 特許庁 - To provide an etching method capable of obtaining a desired etching pattern without loosing a shape by preventing an etching mask from being deformed.
エッチングマスクの変形を防止して形崩れのない所望のエッチングパターンを得ることが可能なエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁 - To prevent the formation of a connection electrode with fault due to excessive etching by etching fluid in the etching process of a photo lithography method.
フォトリソグラフィ法におけるエッチング工程時に、エッチング液による過食刻によって不良な接続電極が形成されるのを防止する。 - 特許庁 - To provide a method for wet etching which eliminates an etching variation by low-cost processing and thereby can achieve a uniform etching for a region to be etched.
安価な処理でエッチングむらを無くし、被エッチング領域に対する均一なエッチングを達成するウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-precision etching method for a wafer that can control an etching depth and shape with high accuracy, thereby lowering the percent defective, when etching a wafer.
ウエハのエッチングのエッチング深さ及び形状を高精度に制御し、不良率を低くするウエハの高精度エッチング方を提供する。 - 特許庁 - ETCHING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING DROPLET DISCHARGING HEAD, AND METHOD OF MANUFACTURING DROPLET DISCHARGING APPARATUS
エッチング方法、液滴吐出ヘッドの製造方法及び液滴吐出装置の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR ETCHING ORGANIC FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING PATTERN
有機膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法及びパターンの形成方法 - 特許庁 - This method of detecting etching end point includes a step of etching a prescribed portion of a semiconductor wafer 5, by dipping the wafer 5 in an etchant 18 put in an etching system 1 and a step of stopping the etching by deciding the end point of the etching, according to the amount of emission of an etching gas 26 generated during etching the wafer 5.
エッチング装置１内のエッチング液１８に半導体ウエハ５を浸漬し、当該ウエハ５の所定の部位をエッチングする工程と、半導体ウエハ５のエッチング時に発生するエッチングガス２６の発生量に応じて、エッチングの終点を決定しエッチングを停止させる工程を備える。 - 特許庁 - INDIRECT ENERGIZATION TYPE CONTINUOUS ELECTROLYTIC ETCHING METHOD FOR METALLIC STRIP
金属帯の間接通電式連続電解エッチング方法 - 特許庁
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