「etching method」を含む例文一覧(6852)

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  • To provide an etching solution supply unit, an etching apparatus, and an etching method that allow a glass substrate to be etched uniformly.
    ガラス基板を均一にエッチングすることができるエッチング液供給装置、エッチング装置及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an etching apparatus which can control generation of an etching product during the etching process and an method using the same etching apparatus.
    エッチング時に発生するエッチング生成物の発生を抑制することにできるエッチング装置およびその装置を用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an etching method of contact hole in which etching stop is not generated even if the aspect ratio increases due to progress of the etching process during the dry-etching of the contact hole.
    コンタクトホールをドライエッチングする際に、エッチングが進行してアスペクト比が増加してもエッチストップが生じないコンタクトホールのエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an etching method of improving wetness between a substrate and an etching liquid without irregularity and carrying out an etching treatment to suppress the irregularity of an extent of etching, thus to carry out a precise etching treatment.
    基板とエッチング液との濡れ性をばらつき無く改善し、エッチング処理を施すことで、エッチングする量のばらつきの発生を抑制し、精度良いエッチング処理を施す。 - 特許庁
  • This processing method forms holes by recording an etching pattern (an area removed by etching) in a substrate, forming a prior machine hole inside the etching pattern, and executing the isotropic etching according to the etching pattern.
    基板にエッチングパターン(エッチングにより除去される領域)を記録し、前記エッチングパターン内に加工先穴を形成し、前記エッチングパターンに従って等方性エッチングを行い、穴を形成する。 - 特許庁
  • To provide a plasma etching method capable of preventing the occurrence of any pit and of controlling an etching shape when performing silicon etching using SF_6/O_2/SiF_4 as etching gas and of also controlling the etching shape.
    エッチングガスとしてSF_6/O_2/SiF_4を用いてシリコンエッチングを行なう際に、ピットの発生を防止するとともに、エッチング形状の制御も可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method and device for etching a substrate, wherein constant etching is provided.
    均一なエッチングを行うことができる基板のエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a method for etching a dual doped gate structure in a plasma etching chamber.
    プラズマエッチングチャンバ内でデュアルドープゲート構造をエッチングするための方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING END POINT OF ETCHING AND DRY ETCHING SYSTEM PROVIDED WITH THE SAME APPARATUS
    エッチング終点検出方法及び装置並びに同装置を備えたドライエッチング装置 - 特許庁
  • SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING USED AMOUNT OF WATER FOR ETCHING LINE, AND ETCHING LINE
    エッチングラインの水使用量管理システム、エッチングラインの水使用量管理方法、エッチングライン - 特許庁
  • To provide a method for forming an etching characteristic in an etching layer on a substrate.
    基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法が提供される。 - 特許庁
  • To provide an etching agent used for a chemical wet etching method of chemical-resistant crystal material.
    耐薬品性の結晶材料の化学的ウェットエッチング法に用いるエッチング剤の提供。 - 特許庁
  • ETCHING MASK, BASE MATERIAL WITH ETCHING MASK, FINE WORKPIECE, METHOD OF MANUFACTURING FINE WORKPIECE
    エッチングマスク、エッチングマスク付き基材、微細加工品および微細加工品の製造方法 - 特許庁
  • To provide an etching method capable of anisotropically etching a copper with high throughput.
    スループット良く、銅を、異方的にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
  • DISK SUBSTRATE ETCHING METHOD, DISK SUBSTRATE ETCHING DEVICE, AND MAGNETIC DISK MEDIA MANUFACTURING APPARATUS
    ディスクサブストレートエッチング方法、ディスクサブストレートエッチング装置および磁気ディスクメディア製造装置 - 特許庁
  • To provide an etching method which can prevent micro trenching, without using etching stoppers.
    エッチストッパを用いることなく,マイクロトレンチングを防ぐことの可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • ETCHING TREATMENT METHOD OF SUBSTRATE PERIPHERAL EDGE PART, AND ETCHING TREATMENT APPARATUS OF SUBSTRATE PERIPHERAL EDGE PART
    基板周縁部のエッチング処理方法および基板周縁部のエッチング処理装置 - 特許庁
  • ETCHING AGENT OF NATURAL FIBER MATERIAL, METHOD FOR CARRYING OUT ETCHING AND ETCHED NATURAL FIBER MATERIAL
    天然系繊維材料の抜蝕剤、抜蝕加工方法及び抜蝕加工天然系繊維材料 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR DETECTING ETCHING STARTING POINT, AND PLASMA ETCHING PROCESSOR
    エッチング開始点検出装置、エッチング開始点検出方法及びプラズマエッチング処理装置 - 特許庁
  • TERMINAL POINT DETECTING METHOD AND APPARATUS IN PLASMA ETCHING AND ETCHING APPARATUS
    プラズマエッチング終点検出方法、プラズマエッチング終点検出装置及びプラズマエッチング装置 - 特許庁
  • METHOD OF ETCHING SUBSTANCE FILM ON SEMICONDUCTOR WAFER, USING SURFACE WAVE PLASMA ETCHING SYSTEM
    表面波プラズマエッチング装置を用いた半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF ETCHING POLYCRYSTALLINE SILICON FILM, AND ETCHING EQUIPMENT THEREFOR
    多結晶シリコン膜のエッチング方法、半導体装置および多結晶シリコン膜のエッチング装置 - 特許庁
  • RESIN FOR ETCHING MASK, COATING MATERIAL FOR ETCHING MASK AND METHOD FOR FORMING PATTERN ON SAPPHIRE SUBSTRATE
    エッチングマスク用樹脂及びエッチングマスク用コート材並びにサファイア基板のパターン形成方法 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING PROCESS OF Ir-Ta-O ELECTRODE AND CLEANING METHOD AFTER ETCHING
    Ir−Ta−O電極のプラズマエッチングおよびエッチング後のクリーニングのための方法 - 特許庁
  • STEP-DIFFERENCE MEASURING APPARATUS, ETCHING MONITOR USING THE SAME, AND ETCHING METHOD
    段差測定装置並びにこの段差測定装置を用いたエッチングモニタ装置及びエッチング方法 - 特許庁
  • To provide a dry etching method for etching an etched substrate directly without forming an etching mask of resist, or the like, on the etched substrate in which the etching mask is not required to be exfoliated after dry etching, and to provide an etching mask.
    被エッチング基材上にレジスト等のエッチングマスクを形成せずに直接被エッチング基材をエッチングし、且つドライエッチング後にエッチングマスクを剥離する必要のないドライエッチング方法及びエッチングマスクを提供する。 - 特許庁
  • To provide an etching liquid and etching method, capable of etching silicon nitride and also capable of stably etching for long periods of time, by reducing a surface tension of a phosphoric acid etching liquid in etching silicon nitride.
    窒化ケイ素のエッチングにおいて、リン酸系エッチング液の表面張力を低減して、窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR MONITORING AND CONTROLLING ETCHING PROCESS
    エッチングプロセス監視方法及びエッチングプロセス制御方法 - 特許庁
  • ETCHING METHOD OF ORIGINAL BODY SURFACE WITH PORE THEREON
    細孔が存在する原体表面のエッチング方法 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING ETCHING PATTERN AND FINE PATTERN WORK
    エッチングパターン形成方法、及び微細パターン加工品 - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR DRY-ETCHING METAL NITRIDE
    金属窒化物を乾式エッチングする方法及びシステム - 特許庁
  • ETCHING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN TYPE GLASS SUBSTRATE
    エッチング装置及び薄型ガラス基板の製造方法 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR ETCHING RESIN AND PRINTED BOARD
    樹脂のエッチング方法、エッチング装置およびプリント基板 - 特許庁
  • TENSION TYPE SHADOW MASK AND ITS ETCHING TREATMENT METHOD
    展張型シャドウマスクおよびそのエッチング処理方法 - 特許庁
  • MEMBER FOR PLASMA ETCHING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    プラズマエッチング装置用部材及びその製造方法 - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING PRINTED WIRING BOARD
    プリント配線基板のエッチング方法及びエッチング装置 - 特許庁
  • WAFER CARRIER, AND WAFER ETCHING METHOD USING SAME
    ウェーハキャリヤおよびそれを使用したウェーハエッチング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR DRY-ETCHING LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERLAYER INSULATING FILM
    低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR DETECTING ETCHING END POINT OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    半導体基板のエッチング終了点検出方法 - 特許庁
  • ETCHING PROCESSING METHOD OF REAR SURFACE OF SUBSTRATE AND, DEVICE THEREFOR
    基板裏面のエッチング処理方法およびその装置 - 特許庁
  • PLASMA ETCHING EQUIPMENT AND BASE, AND ITS DRIVING METHOD
    プラズマエッチング装置と基台並びにその駆動方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF PRINTED WIRING BOARD AND ETCHING APPARATUS
    プリント配線板の製造方法およびエッチング装置 - 特許庁
  • ANISOTROPIC ETCHING METHOD, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, AND DEVICE
    異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス - 特許庁
  • METHOD FOR RECYCLING WASTE PLASTIC AND ETCHING WASTE LIQUID
    廃プラスチック及びエッチング廃液の再資源化方法 - 特許庁
  • WATER SPRAYING PLATE FOR SHOWER BATH AND METHOD OF WORKING THE SAME BY ETCHING
    シャワー散水板及びそのエッチング加工方法 - 特許庁
  • CLAMPING DEVICE, ETCHING APPARATUS, AND CLAMP CLEANING METHOD
    クランプ装置、エッチング装置およびクランプのクリーニング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR WORKING SHEET METAL USING WET ETCHING PROCESS
    ウエットエッチング法を用いた金属薄板加工方法 - 特許庁
  • METHOD FOR REGENERATING ETCHING SOLUTION FOR COPPER AND COPPER ALLOY
    銅および銅合金用エッチング液の再生方法 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS AND DRY ETCHING DEVICE
    半導体装置製造方法およびドライエッチング装置 - 特許庁
  • DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS OF INTERLAYER INSULATION FILM
    層間絶縁膜のドライエッチング方法及びその装置 - 特許庁
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