ETCHINGMETHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER AND ITS DEVICE 半導体ウェーハのエッチング方法およびその装置 - 特許庁
DRY ETCHINGMETHOD OF III-FAMILY NITRIDE SEMICONDUCTOR III族窒化物半導体のドライエッチング方法 - 特許庁
TRENCH ETCHINGMETHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法 - 特許庁
METHOD OF CLEANING METALLIC SURFACE AFTER POLYIMIDE ETCHING ポリイミドエッチング後の金属表面清浄化方法 - 特許庁
POWDER ETCHINGMETHOD AND PHOTORESIST USING THEREFOR パウダーエッチング方法及びそれに使用するフォトレジスト - 特許庁
SELECTIVE ETCHINGMETHOD AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE 選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板 - 特許庁
ETCHING PROCESSING METHOD OF PIEZOELECTRIC WAFER, AND PIEZOELECTRIC DEVICE 圧電ウエハのエッチング加工方法および圧電デバイス - 特許庁
For instance, a method, by which the type of the etching gas conforming to the dry-etching conditions is selected, is employed as a method for having the dry-etching rate of the plug 10 and the dry-etching rate of the etching stopper film 11 approximately equal to each other. 前記プラグ10とエッチストッパ膜11とのドライエッチングレートをほぼ同一にする手法として、たとえばドライエッチングの条件に適合するエッチングガスの種類を選択する手法を用いる。 - 特許庁
To provide an etching device, an etchingmethod and a method for manufacturing semiconductor device capable of accurately etching a BARC without leaving an etching residue generated by reaction with a bose layer film. 下地膜と反応したエッチング残渣が残ることなく、BARCを精度良くエッチングできるエッチング装置、エッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma etchingmethod and a plasma etching apparatus of high speed/high yield. 高速・高収率のプラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁
ETCHING SOLUTION FOR REMOVING MOLYBDENUM RESIDUE FROM COPPER MOLYBDENUM FILM, AND ETCHINGMETHOD THEREFORE 銅モリブデン膜で、モリブデンの残渣を除去するエッチング溶液及びそのエッチング方法 - 特許庁
METHOD FOR COMPOSITE WET ETCHING OF LAMINATED FILM AND WET ETCHING APPARATUS THEREFOR 積層膜の複合ウェットエッチング方法及び該方法に用いられるウェットエッチング装置 - 特許庁
To provide a chemical etchingmethod for alumina ceramics by which etching can effectively be performed. エッチングを効果的になし得るアルミナセラミックスのケミカルエッチング方法を提供する。 - 特許庁
PLASMA ETCHING APPARATUS, PLASMA ETCHINGMETHOD AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR STRUCTURE BY ANISOTROPIC ETCHING AND SILICON SUBSTRATE WITH ETCHING MASK 異方性エッチングによる構造体の作製方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 - 特許庁
SELECTIVE ETCHINGMETHOD FOR COPPER FILM OR COPPER-BASE FILM, AND SELECTIVE ETCHING APPARATUS 銅膜又は銅系膜に対する選択的エッチング方法と、選択的エッチング装置。 - 特許庁
To provide an etching liquid and an etchingmethod suitable for the wet etching of an aluminum-containing material, and to provide a method for producing a counter substrate or the like. アルミニウムを含む材料のウエットエッチングに適したエッチング液、エッチング方法、及び対向基板の製造方法等を提供する。 - 特許庁
ETCHING COMPOSITION HAVING HIGH ETCHING RATIO, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, METHOD FOR ETCHING OXIDIZED FILM BY USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE 高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD OF ETCHING AND METHOD OF FORMING CONTACT HOLE USING THIS エッチング方法及びこれを使用したコンタクトホールの形成方法 - 特許庁
ETCHINGMETHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING CIRCUIT DEVICE BY USING IT エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 - 特許庁
ETCHINGMETHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF エッチング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - 特許庁
METHOD OF MANAGING ETCHING WIDTH AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE エッチング幅の管理方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁
ETCHINGMETHOD AND MANUFACTURING METHOD OF CIRCUIT DEVICE USING THE SAME エッチング方法およびそれを用いた回路装置の製造方法 - 特許庁
ETCHINGMETHOD FOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTAL VIBRATOR 基板のエッチング方法および水晶振動子の製造方法 - 特許庁
RADICAL PRODUCING METHOD, ETCHINGMETHOD, AND APPARATUS USED FOR THEM ラジカル発生方法、エッチング方法、およびこれらに用いる装置 - 特許庁
ETCHINGMETHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR PRINTED WIRING BOARD USING IT エッチング方法とそれを用いたプリント配線板の製造方法 - 特許庁