「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 363 364 365 366 367 368 369 370 371 .... 399 400 次へ＞- To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents current driving capability by preventing parasitic resistance from increasing while taking into consideration an influence of etching on a semiconductor substrate on an NMOS transistor, and thus prevents the operation speed of a semiconductor integrated circuit from decreasing.
ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - If the cavity portion occurs between both substrates, there is no pressure difference therebetween because the pressure of an air or a gas residing in the cavity portion already comes nearly into the pressure reduced atmosphere or the vacuum atmosphere in a chamber 13 during dry etching.
あるいは両基板間に空隙部分が生じたとしても、その空隙部分に残留している空気またはガスの圧力は既にドライエッチング時のチャンバ１３内の減圧雰囲気または真空雰囲気に近い状態となっているので、それらの間で圧力差が生じないようにすることができる。 - 特許庁 - Plural layers 5a-5c for constituting the GMR element 5 are formed on the shield gap layer 4a, a part of the thickness direction of the plural layers 5a-5c is etched by reactive ion etching, the remaining part is etched by ion milling and the GMR element 5 is formed.
ＧＭＲ素子５を構成する複数の層５ａ〜５ｃはシールドギャップ膜４ａの上に形成され、反応性イオンエッチングによって複数の層５ａ〜５ｃの厚み方向の一部がエッチングされ、イオンミリングによって残りの部分がエッチングされて、ＧＭＲ素子５が形成される。 - 特許庁 - The method of manufacturing the photoelectric conversion device 1 comprises processes of: joining silicon bases 4a to the element base 3, providing the photoelectric conversion elements 2 onto the element base 3; and forming the lenses 4 by etching the silicon bases 4a on the surface of the element base 3 opposite to its other surface where the photoelectric conversion elements 2 are provided.
シリコン基体４ａと素子基体３とを接合する工程と、素子基体３に光電変換素子２を設ける工程と、シリコン基体４ａを光電変換素子２とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズ４を形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a mother plate together with its manufacturing method in which such conventional problems related to a multi-pattern method for a circuit board are settled, as a brazing material used for jointing a ceramics substrate to a metal plate remains even after etching, and as micro cracks occur around a split groove when the circuit board is divided.
従来の回路基板の多数個取り法の問題、すなわちセラミックス基板と金属板を接合するのに用いたろう材がエッチング後にも残留してしまうこと、回路基板分割時の分割溝周辺の微細な割れを解消した母版とその製造方法が提供される。 - 特許庁 - As a result, the dot hole 4 can be formed by the melting of the substrate 1 through the wet etching whereby any projection 22 or scatter 23, consisting of the molten material of the substrate, is not formed on the substrate 1 upon forming the dot hole 4 on the substrate 1 by the irradiation of a laser beam such as in the case of laser irradiation marking.
その結果、ウェットエッチングにより基板１が溶解してドット穴４が形成出来るので、レーザー照射マーキングのように、レーザー照射２１によって基板１にドット穴４を形成する際に、基板１上に基板の溶融物からなる突起２２や飛散物２３が形成されない。 - 特許庁 - A mask pattern (selective mask) is formed on a nickel (Ni) film 1 after a desired pattern is formed on a resist film 3, a selective etching can be performed on a wafer W by merely dipping the wafer W on which the film 3 and the film 1 are coated into the process liquid to treat the wafers W with high throughput at the low cost.
レジスト膜３に所望のパターンを形成した後、ニッケル(Ni)膜１にマスクパターン（選択マスク）を形成し、レジスト被膜３とニッケル膜１を被着したウエハＷを処理液に浸漬させるだけでウエハＷの選択的エッチングが可能であり、スループット高く低コストでウエハＷを処理できる。 - 特許庁 - After the compound semiconductor layer 50 is epitaxially formed on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a temporary supporting binding layer 111; and in addition, the substrate for growth is removed by chemical etching or the like.
成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、仮支持結合層１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.
特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Thereafter, in the dry etching process of the second stage, a mixture gas of CF_4 and O_2 is used, a bottom part 4R of the hole 4a is removed in a state where pressure in the reaction chamber is set to 50-1,000 Pa, and the upper surface of the carbon nanotube layer 3 is exposed.
その後、第２段階のドライエッチング工程においては、ＣＦ_4およびＯ_2の混合ガスが用いられ、反応室内圧力が５０以上１０００Ｐａ以下に設定されている状態で、ホール４ａの底面部４Ｒが除去され、カーボンナノチューブ層３の上面が露出する。 - 特許庁 - A method of manufacturing the light emitting diode includes a step of removing the area provided for forming the antennas 2 by etching the surface electrodes 3 and surface semiconductor layer 4 of the chip 1, and a step of forming the antennas 2 by packing a dielectric substance in the etched-off portions.
発光ダイオードの製造方法は、発光チップ１の表面電極３と表面半導体層４をエッチングして、誘電体アンテナ２を設ける領域を除去する工程と、エッチングして除去された部分に誘電体を充填して誘電体アンテナ２を設ける工程とからなる。 - 特許庁 - The photoresist polymer containing a proper amount of silicon element has largely improved etching resistance and is not only suitable for a thin resist process and a process using a bilayer resist but also can extremely increase a contract ratio between a development area and a nondevelopment area.
シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体はエッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程（thin resist process）及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。 - 特許庁 - Spherical particles without being etched with CHF_3 plasma used for etching of the optical element are uniformly arranged on a substrate, and etched with oxygen plasma at a prescribed amount to form the substrate masked by the spherical particles by exposing the substrate among the spherical particles.
光学素子のエッチングに用いるＣＨＦ_３プラズマでエッチングされない球状粒子を基板上に均一に配列し、この球状粒子を酸素プラズマで所定量エッチングして球状粒子の間から基板を露出させることにより球状粒子でマスクされた基板を形成する。 - 特許庁 - During the step of removing the coating material from the patterning device, the temperature of the patterning device does not exceed a critical temperature causing damage to the patterning device, while maintaining a plasma etching rate of at least 0.2 μm/min, particularly 0.5 μm/min, particularly 1 μm/min, particularly 2.5 μm/min, particularly 5 μm/min.
コーティング材料をパターニングデバイスから除去する工程中、パターニングデバイスの温度はパターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えず、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持される。 - 特許庁 - Forming the recessed part 20 by reactive etching so as to extend across the oxide film 3 to the interior of the active layer 4, less causes three-dimensional stress concentration to occur on a boundary face between the oxide film and the active layer, less causing cracks, etc. to occur in the boundary face between the oxide film and the active layer.
凹部２０を、反応性エッチングにより酸化膜３を越えて活性層４の内部まで延長して形成することにより、酸化膜／活性層界面で３次元的な応力集中が起こり難くなり、酸化膜／活性層界面にクラック等が入り難くなる。 - 特許庁 - A basket-shaped filter bed 3 formed from a stainless steel perforated plate permitting the passage of water but blocking the passage of impurities is provided in a filter apparatus 1 and the perforated plate is produced by an etching technique covering a stainless steel plate with an anticorrosive mask having a large number of pores to corrode the same with an acid to make perforations in the stainless steel plate.
ろ過装置１に水を通過させ不純物通過を遮るステンレス製多孔板で形成した籠状のろ過層３を含み、多孔板はステンレス板を多数の細孔のある防食剤のマスクで覆い酸で腐食させて孔を開けるエッチング技法で作る。 - 特許庁 - The chemical polymerization reaction can be promoted by stages by executing at least twice or more of heat treatment for a fixed time, the solid-state electrolytic layer is formed into the etching pit 8 of the anode electrode foil 1, and the residue of the solvent can also be removed effectively.
少なくとも２回以上の熱処理を一定時間ほど超すことで、化学重合反応を段階的に促進させることができ、陽極電極箔１のエッチングピット８内部に固体電解質層が生成され、溶媒の残留物を効果的に除去することもできる。 - 特許庁 - To provide a mask for manufacturing an observation sample of an electron microscope which surely controls the etching quantity of a member having an observed region or easily searches the observed region, and a manufacturing method and a manufacturing apparatus of the observation sample using the mask.
観察対象領域を有する部材のエッチング量を確実に制御でき、あるいは、観察対象領域を容易に探すことができる電子顕微鏡の観察用試料作製用マスク、並びに、このマスクを用いた観察用試料の作製方法および作製装置を提供すること。 - 特許庁 - When a contact hole 13 is to be formed with plasma dry-etching process of an insulation film 11 formed on a silicon substrate 10 within an evacuable chamber, pressure within the chamber (point a) is raised to make small the pressure difference from the pressure at the points (b, c, d, e) within the contact hole 13 under formation.
減圧可能なチャンバー内でシリコン基板１０上の絶縁膜１１をプラズマドライエッチング処理してコンタクトホール１３を形成する際に、前記チャンバー内（ａ点）の圧力を、形成されつつあるコンタクトホール１３の内部（ｂ，ｃ，ｄ，ｅ点）との圧力差が小さくなるように上昇させる。 - 特許庁 - A coil is conductively coupled with the metallic plate at a connecting position which is constituted to generate such a peak-to- peak voltage that reduces the sputtered amount of the internal surface of the window in the optimum way and substantially simultaneously prevents deposition of by-products of etching on the internal surface of the window.
コイルは、窓の内面がスパッタリングされるのを最適に低減し、それと実質同時に、窓の内面上にエッチング副産物が堆積されるの防ぐような、ピークトゥピーク電圧を生成するように構成された接続位置において、金属板に導電結合される。 - 特許庁 - A means for improving uniformity of etching is provided, where the means is provided in a cleaning tank 16, and turns a wafer 18 along a prescribed circumferential direction at a prescribed speed in an arbitrary period during the circulation of the cleaning liquid, so that wet treatment throughput on the wafer 18 lies within an approximately specific range.
洗浄槽１６に設けられ、洗浄液の流通中に任意の期間に所定回転数でウエハ１８を所定円周方向に沿って、ウエハ１８上でのウェット処理量が所定の範囲に収まる程度にウエハ１８を回動させるエッチング均一性向上手段を有する。 - 特許庁 - A plurality of bumps 6 are formed directly or via an etching barrier layer 8 on the surface portion of a wiring layer 10, and an interlayer insulating film 4 is formed on a portion where the bumps 6 are not formed on the bump forming surface of the wiring layer 10, and a solder ball 12 is directly formed on the top of each of the solder balls 6.
配線層１０の表面部に直接に又はエッチングバリア層８を介して複数のバンプ６を形成し、配線層１０のバンプ形成面のバンプ６の形成されていない部分に層間絶縁膜４を形成し、バンプ６の頂面に直接に半田ボール１２を形成してなる。 - 特許庁 - Chemical etching is performed, using a positive film which is provided with photosensitive grooves, 1, 1, etc., being equipped with main grooves 10 roughly square in plan view and equipped with pushed-out grooves 13a-13d where each corner 11a-11d of the main groove 10 is pushed out outward more than each size 12a-12d of the main groove 10.
平面略方形を呈する主要溝１０を備え、その主要溝１０の各角部１１ａ〜１１ｄが主要溝１０の各辺１２ａ〜１２ｄよりも外方にせり出すせり出し溝１３ａ〜１３ｄを備える感光溝１，１…を設けたポジフィルムを用いて化学エッチングする。 - 特許庁 - To prevent breakdowns of an insulating film between stacked gates and a gate insulating film of a transistor in an NAND cell, even if an etching residue of a polysilicon film for forming a floating gate is generated in the column direction along a projection side face of an STI region at an end in the row direction of a cell array of an NAND type flash memory.
NAND型フラッシュメモリのセルアレイの行方向端におけるSTI 領域の突出側面に沿って列方向に浮遊ゲート形成用ポリシリコン膜のエッチング残りが発生しても、NANDセル内のトランジスタの積層ゲート間絶縁膜およびゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁 - A protective layer is formed on a glass substrate, a magnetic layer 2 as a magnetism sensitive surface of a desired shape, an electrode conductive layer 4, and a peripheral circuit unit 6 are further formed on the protective layer, and then, the glass substrate is removed by etching or peeling, and the protective layer 1 is used as a sensor surface of the magnetic sensor.
ガラス基板上に保護層を形成し、さらにその上に所望の形状の感磁面としての磁性層２、電極導体層４、周辺回路ユニット６を形成した後、ガラス基板をエッチングあるいは剥離にて除去し、保護層１を磁気センサのセンサ表面として用いる。 - 特許庁 - In this optical switch, a supporting member is formed by etching so that a hexagonal opening part appears in the joint of the supporting member 10 and a pair of fixed optical fibers 1a, 1b is arranged in the valley part of a pair of facing V grooves of a hexagon so that the ends of the fixed optical fibers become horizontal at the prescribed interval.
支持部材の合わせ目に六角形の開口部が現れるように、支持部材をエッチングにより形成し、その六角形の対向する一対のＶ溝の谷部に一対の固定光ファイバの端部が所定の間隔をもって水平になるように配置する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents the formation of a nonpermissible notch in a gate during a gate etching process and maintains a trench (a cut portion of a gate footing) in the footing of the gate to the minimum, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor which is quite effective to technology at the level of 0.18 μm.
ゲートエッチングプロセスの間に、許容不可能なノッチがゲートに形成されることを回避し、ゲートの基部のくぼみ（ゲート基部の切削部）を最小に維持された半導体デバイスおよび０．１８μｍ以上の技術に非常に有効である半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A cantilever and a probe substrate are connected to a constant current source and a digital voltmeter (not shown) in the divided state into four independent conductive parts by etching a coated gold thin film as shown in Fig.(b), and transmits a current and a potential difference signal respectively.
また、カンチレバーとプローブ基板は、図（ｂ）に示されているように、コーティングされた金の薄膜をエッチングすることによって、４つの独立した伝導部分に分かれて、定電流源及びデジタル電圧計（図示せず）に接続されており、それぞれ電流と電位差信号を伝送する。 - 特許庁 - To provide a mesa type piezoelectric vibrator which prevents the generation of stage cutting of an electrode in a level difference of a thick part and a thin part at a drawing electrode forming time, and which has high reliability in a method of manufacturing a mesa type piezoelectric vibrator of etching a piezoelectric substrate with an electrode pattern used as a protective film.
電極パターンを保護膜として圧電基板をエッチングするメサ型圧電振動子の製造方法において、引出電極形成時に肉厚部分と肉薄部分との段差に電極の段切れが発生することを防止し、信頼性高いメサ型圧電振動子を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a resist composition excellent in transparency to radiation and dry etching resistance and capable of forming a resist pattern excellent in resolution, sensitivity, flatness and heat resistance, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device with a fine pattern having a high degree of integration using the resist composition.
放射線に対する透明性、ドライエッチング耐性に優れ、解像度、感度、平坦性、耐熱性に優れるレジストパターンを形成できるレジスト組成物、ならびに、該レジスト組成物を用いる微細で集積度の高いパターンを持つ半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide an acid-unstable group effective for a fluorine-containing compound; a fluorine-containing compound, a fluorine-containing polymerizable monomer, and a fluorine-containing polymer compound, all of them having an acid-unstable group or groups with high transparency and etching resistance; a photoresist using them; and a pattern formation method.
含フッ素化合物にとって効果的な酸不安定基を提供し、さらに酸不安定基自体に高い透明性、エッチング耐性を持たせた含フッ素化合物、重合性単量体、高分子化合物、又はそれらを用いたフォトレジスト及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor pressure sensor 1 having the diaphragm part 3 formed by etching the surface of a semiconductor substrate 2, the vicinity of the end part 5 of the diaphragm part 3 is molded in the shape of a trench so that it is formed to be thinner than the central part 4 of the diaphragm part 3.
半導体基板２の表面に対しエッチングを行うことにより形成されたダイヤフラム部３を有する半導体圧力センサ１において、ダイヤフラム部３の端部５付近を当該ダイヤフラム部３の中心部４よりも薄くなるようトレンチ形状に成形する。 - 特許庁 - A first mask pattern, having low wettability over a conductive layer is formed, a second mask pattern having high wettability over the conductive layer using the first mask pattern as a mask is formed, and a mask pattern for etching the conductive layer by removing the first mask pattern is formed.
本発明は、導電層上に塗れ性の低い第１のマスクパターンを形成し、該第１のマスクパターンをマスクとして導電層上に塗れ性の高い第２のマスクパターンを形成した後、第１のマスクパターンを除去して、導電層をエッチングするためのマスクパターンを形成することを特徴とする。 - 特許庁 - At this time, circuit boards on which circuits are formed by etching metal foil and left metal foil sections 6 are formed by leaving the metal foil at the positions of the temporary fixing sections 3 separated from the circuits are used as the circuit boards 1.
この際に、上記回路板１として、金属箔のエッチング加工によって表面に回路が形成されると共にこの回路から独立した位置において上記仮固定部３の位置に金属箔を残すことによって金属箔残存部６が形成されたものを用いる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the noncontact data carrier has a process for applying printing resist to the metallic foil surface of the base material, on which the resin base material and a metallic foil are laminated, the etching process and a process for removing only the resist from the antenna connection terminals 131, 132.
また、本発明の非接触データキャリアの製造方法は、樹脂基材と金属箔が積層された基材の金属箔面上に印刷レジストを塗布する工程と、エッチングする工程と、アンテナ接続端子上のレジストのみを除去する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - By performing dry etching to the film by the metal mask 5 having a first tilt angle, a conductive section 6 formed on the surface of the base material 1 is exposed, and a hole having a second tilt angle according to the first tilt angle to the conductive section 6 of the open side face 5a is formed.
第１の傾斜角度を有する金属マスク５を用いて膜をドライエッチングすることで、基材１の表面に形成された導電部６を露出させるとともに、開口側面５ａが導電部６に対して第１の傾斜角度に応じた第２の傾斜角度を有する孔を形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.
また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁 - Moreover, even if the dimension of the opening 6a is increased only by α and a part of the desired pattern 4a which should not be essentially etched away is exposed, the retrogression of the pattern is suppressed, for the ion implantation is not carried out in the exposed desired pattern 4a and the etching rate is low.
また、たとえ開口部６ａの寸法がαだけ広がり、本来除去されるべきでない所望パターン４ａの一部が露出しても、露出した所望パターン４ａはイオン注入が行われておらずエッチングレートが低いため、パターンの後退を抑制することができる。 - 特許庁 - After narrowing and thinning the electrode layer 24 as indicated by a solid line by an isotropic etching processing, an n^--type source region 32 and an n^--type drain region 34 are formed by the ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulating film 20, and the insulating film 16 as the masks.
等方性エッチング処理により電極層２４を実線で示すように細く且つ薄くした後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^−型ソース領域３２及びＮ^−型ドレイン領域３４を形成する。 - 特許庁 - A tungsten film 7a is formed inside a connection hole 5 reaching the lower wiring layer 3 and on the surface of an interlayer insulating film 4 through a barrier metal layer (TiN film/Ti film) 6, and an etching back process is performed on the whole surface to form the tungsten plug 7 and to expose the barrier metal layer 6 on the interlayer insulating film 4.
下層配線層３に達する接続孔５内および層間絶縁膜４表面にバリアメタル層（ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜）６を介してタングステン膜７ａを成膜し、全面エッチバックによりタングステンプラグ７を形成して層間絶縁膜４上のバリアメタル層６を露出させる。 - 特許庁 - This avoids alloying the Au layer 32 with the Cr layer 31 and hence suppresses the growth of residues due to the reduction of the etching rate while ensuring the light reflectivity, thus preventing an electrode pattern from being short-circuited, etc. to obtain a light emitter 1 superior in reliability.
このような構成によると、Ａｕ層３２とＣｒ層３１とが合金を生じることがないため、光反射性を確保しながらエッチングレートの低下に伴う残差の発生を抑制でき、電極パターンの短絡等を防いで信頼性に優れる発光装置１が得られる。 - 特許庁 - The surface of a semiconductor chip (wafer 10) is subjected to ion milling with a mixture gas of Ar and H2 to form conductor layers 14, 16 on an Al layer 12 and a polyimide layer 13, and the exposed surface of the polyimide layer 13 is subjected to sputter etching with am N2 gas.
半導体チップ（ウエハ１０）の表面に対し、ＡｒとＨ_2 の混合ガスによりイオンミリングを行い、Ａｌ層１２とポリイミド層１３の上に導体層１４，１６を形成した後、露出しているポリイミド層１３の表面に対し、Ｎ_2 ガスによりスパッタエッチングを行う。 - 特許庁 - In the photomask blanks comprising a transparent substrate and at least a shading film on one principal plane of the transparent substrate, a non-photosensitive silicon-based polymer layer is coated and formed on the shading film, and dry etching resistance due to chlorine-based gas is large in the silicon-based polymer layer.
透明基板と、この透明基板の一主面上に少なくとも遮光膜が形成されたフォトマスクブランクスであって、前記遮光膜上に非感光性のシリコン系ポリマー層が塗布形成されており、前記シリコン系ポリマー層は塩素系ガスによるドライエッチング耐性が大きいことを特徴とする。 - 特許庁 - A pair of bottom side shields 20 and a pair of non-magnetic material layers 30 are formed by forming non-magnetic layers on a lower side shield forming layer, selectively etching them, and forming a groove 800 having a truncated wedge-shaped sectional shape.
下部サイドシールド形成層上に非磁性材料形成層を形成したのち、それらを選択的にエッチングし、先端が切り取られたくさび状の断面形状を有する溝８００を形成することにより、一対の下部サイドシールド２０および一対の非磁性材料層３０を形成する。 - 特許庁 - To provide a mounting method for preventing tilting when an inertial sensor element formed by etching a quartz plate of a Z plate is mounted in a container, or tilting when the container storing the sensor element is mounted in a user substrate.
本発明は、Ｚ板の水晶板をエッチング加工して形成し、収納容器に実装した慣性センサー素子が、センサー素子と収納容器への実装の傾きあるいは、センサー素子を収納した容器とユーザ基板への実装時の傾きを防止するためのセンサ素子ーの実装改善を目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties achieved by more stabilizing a surface layer oxide film of the aluminum material to solve the problem in the surface treatment before final annealing in the conventional production of the above aluminum material.
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements.
異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition satisfying demands for a wide exposure latitude, reduction of a skirt-like pattern profile, favorable pattern features and excellent dry etching durability, and allowing formation of a pattern having fewer defects after development, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.
広い露光ラテテュード、パターン裾引き低減、良好なパターン形状、優れたドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - Then a spray coating process, a spray cleaning process, a blast process, a plating process, an etching process, a process of sticking conductive paste, resist, resin, etc., on an exposed region, etc., are carried out in a state where the chip component bodies 2A are clamped with rubber films of the component body holding grooves.
そして、部品本体保持溝のゴム膜によってチップ部品本体２Ａが挟持されたまま、スプレーコート処理やスプレー洗浄処理やブラスト処理やめっき処理やエッチング処理や露出領域に対して導電ペースト、レジスト、樹脂などを付着させる処理等を行う。 - 特許庁 - To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.
多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁
- 特許庁
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