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そして、基板に薄膜を形成する場合には、切換手段により局所排気領域に繋がる流路が原料供給部に連通され、基板をエッチングする場合には、切換手段により局所排気領域に繋がる流路が局所排気部に連通される。 - 特許庁 - To provide a polyesterimide having a low liner thermal expansion coefficient, a high glass transition temperature, a low water absorption, film toughness sufficient for various applications, and etching characteristics, and useful as an electric insulation film or the like in various kinds of electronic devices; and to provide a precursor thereof, and a method for producing them.
本発明は低線熱膨張係数、高ガラス転移温度、低吸水率、各種用途に十分な膜靭性、およびエッチング特性を有する、各種電子デバイスにおける電気絶縁膜等として有益な、ポリエステルイミドとその前駆体およびこれらの製造方法を提供するものである。 - 特許庁 - As the hold means, a means is adopted such that a substance of high stickiness like silicone is printed in the contact surface, or a silicone rubber sheet or the like is fixed to make slipping difficult, or irregularity is provided by surface treatment of plating, etching, etc., or a seal of non-woven fabric, urethane rubber, etc., is fixed.
保持手段としては接触面にシリコンなど粘着性が高い物質を印刷し、又はシリコンゴムシートなどを貼付して滑りにくくし、又はメッキやエッチング等の表面処理によって凹凸を設け、あるいは不織布やウレタンごむ等のシールを貼付するなどの手段を採用してある。 - 特許庁 - This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.
塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁 - The photoresist compositions exhibit both acceptable resistance to dry etching processing and light transmittance suitable for use with various light sources such as KrF excimer lasers, ArF excimer lasers or F_2 excimer lasers, in a photolithography process to produce fine photoresist patterns.
ドライエッチング工程で許容可能な耐性を提供し、微細なフォトレジストパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー、またはＦ_２エキシマーレーザーのように多様な光源の使用に適した光透過度を提供するフォトレジスト組成物。 - 特許庁 - To provide a method for recovering copper from a copper-etching waste liquid containing sulfuric acid, hydrogen peroxide, and a hydrogen peroxide stabilizer without producing sludge, wasting electricity, and considering variations in current efficiency caused by variations in a composition of copper and hydrogen peroxide.
スラッジの発生がなく、かつ電気量の浪費がなく、銅と過酸化水素との組成変動による電流効率の変動も配慮する必要がない、硫酸、過酸化水素及び過酸化水素安定剤を含有する銅エッチング廃液から銅を回収する方法の提供。 - 特許庁 - To provide an antireflection film for lithography having a high antireflection effect, free of intermixing with a photoresist layer, giving an excellent photoresist pattern, having a higher dry etching rate than the photoresist and ensuring a larger margin for the depth of a focus and higher resolution than a conventional antireflection film.
反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたフォトレジストパターンが得られ、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有し、従来より広いフォーカス深度マージン及び高い解像度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものである。 - 特許庁 - A semiconductor layer of gallium nitride is formed on a heavily doped silicon substrate, and an active region passing a main current surrounded by a mesa groove formed by etching the gallium nitride layer down to a depth of 80% or more is provided on the gallium nitride semiconductor layer side surface.
高濃度シリコン基板の上に窒化ガリウムの半導体層を積層し、窒化ガリウム半導体層側の表面には、窒化ガリウム層の８０％以上の深さにエッチングしたメサ溝によって囲まれる主電流の流れる活性領域をそなえる構成の半導体装置とする。 - 特許庁 - To provide a chemically amplified resist composition sensitive to far UV, having good transparency particularly to ArF excimer laser beam, excellent also in resolution and sensitivity characteristics and remarkably excellent in adhesiveness to a substrate, dry etching resistance, developability, etc.
遠紫外線に感応する化学増幅型レジストであって、特にArFエキシマーレーザー光に対する透明度が良好で解像度及び感度特性も優秀で、基板に対する接着性、乾式エッチング耐性、及び現像性などが顕著に優れた化学増幅型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a detergent for offset printing exhibiting excellent cleaning performance for ink and paper powders and also having less adverse effect on a printing area in a printing plate and an etching solution by using specific alkylene glycol ether and water at a predetermined ratio as the detergent for offset printing.
オフセット印刷用洗浄剤として、特定のアルキレングリコールエーテルと、水とを所定割合で用いることにより、インキおよび紙粉の洗浄性に優れるとともに、印刷版における画線部やエッチ液への悪影響が少ないオフセット印刷用洗浄剤を提供する。 - 特許庁 - A plasma etching silicon electrode plate is made by a single crystal silicon or a casted silicon material having unilaterally solidified composition, with a COP(Crystal Originated Particle) defect density of 104 pcs/cm3 or less.
成長欠陥（Ａｓ−ｇｒｏｗｎｎ欠陥）の一つであるＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）欠陥の密度が１０^4個／ｃｍ^3以下の単結晶シリコンまたは一方向凝固組織を有するシリコン鋳造体からなるプラズマエッチング用シリコン電極板。 - 特許庁 - The cleaning of a reaction vessel 101 is performed by dry etching after an aluminum made cylindrical dummy base body 202 having a diameter ϕdy smaller than the diameter ϕdx of the aluminum made cylindrical base body 102 for forming the deposition film is mounted in the reaction vessel 101.
反応容器１０１内をクリーニングする際、堆積膜を形成するためのＡｌ製円筒状基体１０２の直径φｄｘより小さい直径φｄｙのＡｌ製円筒状ダミー基体２０２を反応容器１０１内に設置してからドライエッチングによるクリーニング処理を行う。 - 特許庁 - To prevent a void between electrodes without degrading electric characteristic and to suppress reamining dry-etching in a high aspect part between the electrodes by flattening, in a step for forming the electrode protection film of a semiconductor device provided with a high step metal electrode on a semiconductor substrate.
半導体基板上に高段差メタル電極を有する半導体素子の電極保護膜形成工程において、電気特性を劣化させることなく、電極間のボイドを抑制し、平坦化により電極間の高アスペクト部でのドライエッチング残りを抑制することを可能にする。 - 特許庁 - Also, in a doped silicon oxide or doped silicon nitride or any other doped structure, the presence of a dopant can be used for measuring a signal (marking) associated with the dopant as an etch stop, or in other cases, for achieving control during etching.
また、ドープ型酸化シリコンまたはドープ型窒化シリコンまたはその他のドープ型構造では、ドーパントが存在することを利用して、このドーパントに関連する信号（目印）をエッチング・ストップとして測定することができ、またはその他の場合にはエッチング中の制御を実現することができる。 - 特許庁 - The surface of the sample is shaven off by ion milling and the scanning image by the scanning electron microscope is observed while the surface of the sample is removed by chemical etching and the scanning image by the scanning electron microscope is again observed to prepare the sample for the scanning electron microscope.
イオンミリングによって試料の表面を削り取り、走査電子顕微鏡による走査像を観察し、ケミカルエッチングによって試料の表面を除去し、再度、走査電子顕微鏡による走査像を観察することによって、走査顕微鏡用の試料を作製する。 - 特許庁 - To provide another new resist composition for use at a wavelength of 193 nm or lower, in particular at a wavelength of 157 nm, which has not only high transparency at these short wavelengths but also other key properties including good plasma etching resistance and adhesion.
本発明の目的は、１９３ｎｍ以下、特に１５７ｎｍ用であって、このような短波長でも高透明性であるばかりでなく、例えば優れたプラズマエッチング耐性および接着性を含むその他鍵となる特性をも有する別の新規なレジスト組成物の提供である。 - 特許庁 - When the recording area separation type magnetic recording medium which relatively reduces the ratio of ferromagnetic material by ion implantation is manufactured, by etching an ion implantation portion in advance, the height after the ion implantation is made relatively lower than a portion where ion is not implanted.
イオン注入により強磁性材料の元素比率を相対的に低くする記録領域分離型の磁気記録媒体の作製時に、あらかじめイオン注入部分をエッチングしておくことで、イオン注入後の高さを非注入部分と比べて相対的に低くする。 - 特許庁 - The etchant including at least ferric chloride for etching metals containing copper, etc., is comprised of ferric chloride of, for instance, 28-33 wt.%, hydrochloric acid of 0.1-0.2 mol/liter, and ammonium chloride of, for instance, 25-75 g/liter.
少なくとも塩化第二鉄を含み、銅などを含む金属をエッチングするエッチング液であって、塩化第二鉄と、０．１〜０．２モル／リットルの濃度の塩酸と、塩化アンモニウムとを含有するエッチング液とし、塩化第二鉄の濃度は例えば２８〜３３重量％、塩化アンモニウムの濃度は例えば２５〜７５ｇ／リットルとする。 - 特許庁 - To provide a resin for a resist usable in a photosensitive composition excellent in transparency to short wavelength light, having high dry etching resistance and capable of forming a resist pattern having good resolution and high adhesion by alkali development and a monomer for producing the resin.
短波長光に対する透明性が優れるとともに高いドライエッチング耐性を備え、かつアルカリ現像で解像性の良好で密着性の高いレジストパターンを形成することができる感光性組成物に用いることができるレジスト用樹脂およびそれを製造するためのモノマーの提供。 - 特許庁 - To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.
熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The incombustible etching composition containing a fluoride, phosphoric acid, and bromide and/or chloride can selectively etch hafnium silicate, hafnium silicate nitride, hafnium aluminate, hafnium aluminate-hafnium silicate nitride, etc., without giving any damage to another semiconductor material, such as the oxidized silicon etc.
フッ化物、リン酸、さらに臭化物及び／又は塩化物を含んでなるエッチング用組成物では、酸化ケイ素等の他の半導体材料にダメージを与えることなく、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート、窒化ハフニウムアルミネートハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート等を選択的にエッチングできるとともに、不燃性である。 - 特許庁 - Such an integrated element 100 is formed by thinning an upper clad layer 16 constituting the modulator 2 to thinner than an upper clad layer 46 constituting the semiconductor laser 1 when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown and mesa etching the film.
かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも薄く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁 - Isotropic etching of polycrystalline silicon using an aqueous acidic composition which includes alkaline compounds, fluoride ions and oxidizing agents realizes texturing with reflectance of incident light 20% or less at incident light wavelengths of 400 nm to 1100 nm without exposed grain boundaries.
アルカリ化合物、フッ化物イオンおよび酸化剤を含む酸性水性組成物を用い、多結晶シリコンの等方性エッチングを行なうことにより、露出した粒界を含まず、４００ｎｍ〜１１００ｎｍの入射光波長での入射光反射率が２０％以下となるテクスチャが得られる。 - 特許庁 - Photoresist compositions comprise a bisnor-bornene carboxylate represented by the formula or a polymer containing a bis(norbornene dicarboxylate) compound, and not only have excellent etching resistance and heat resistance but also can dramatically improve the resolving power and profile of the resist.
式（１）に示されるビスノルボルネンカルボキシレート、及びビス(ノルボルネンジカルボキシレート)化合物を含む重合体を含有する本発明のフォトレジスト組成物は、優れたエッチング耐性及び耐熱性を有するだけでなくレジストの解像力、及びプロフィール（profile）を画期的に向上させることができる。 - 特許庁 - In the semiconductor optical component of ridge waveguide type semiconductor laser, when a pad electrode 502 is formed on a polyimide resin 201 which is an organic material, a needlelike projection 501 is formed on the surface of the polyimide resin 201 by dry etching using oxygen/argon mixed gas.
リッジ導波路型半導体レーザの半導体光素子において、有機材料であるポリイミド樹脂２０１上にパッド電極５０２を形成する際、酸素／アルゴン混合ガスを用いたドライエッチングによりポリイミド樹脂２０１の表面に針状突起物５０１を形成する。 - 特許庁 - The method includes steps of: selectively depositing a phase change resist having high light transmittance onto a dielectric to form a pattern; etching away portions of the dielectric not covered by the resist; and depositing a metal seed layer on the etched portions of the dielectric.
方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。 - 特許庁 - To provide a method for selectively fixing hydrogen chloride and hydrogen fluoride in chlorofluorocarbon decomposition gas or dry etching exhaust gas by a dry process using a sodium compound, and collecting and reusing chlorine component as a solid substance of sodium chloride and fluorine component as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride.
フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、ナトリウム化合物を用いて乾式法により選択的に固定化し、塩素分は塩化ナトリウムの固形物として、フッ素分はフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収・再利用する方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor wafer provided by slicing from a semiconductor single crystal ingot is worked in an etching process for removing work distortion of the wafer, before a chamfering process for chamfering the wafer.
劈開面を有する半導体ウェハの加工方法において、半導体単結晶インゴットからスライスされた半導体ウェハを、ウェハの面取りを行う面取工程の前に、ウェハの加工歪みを取り除くエッチング工程で加工することを特徴とする劈開面を有する加工方法である。 - 特許庁 - Such an integrated element 100 is formed by thickening an upper clad layer 16 for constituting the modulator 2 to thicker than an upper clad layer 46 for constituting the semiconductor laser 1 and mesa etching the film when a group III-V compound semiconductor multilayer film is grown.
かかる光集積素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多層膜を成長させる際に、ＥＡ型変調器２を構成する上部クラッド層１６の厚さを、ＤＦＢ半導体レーザ１を構成する上部クラッド層４６よりも厚く成膜し、メサエッチングすることにより形成される。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device for using a mask material that has excellent dry etching resistance and can be formed at low temperature to achieve a fine via hole and a high yield in a semiconductor via hole-machining process, and achieving a high-performance ultra-high-frequency semiconductor device.
半導体ヴィアホール加工工程において、ドライエッチング耐性良好、かつ低温において形成可能なマスク材料を使用することにより、ヴィアホール微細化や高歩留まり化を達成させ、高性能な超高周波半導体装置が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The opening width of the first opening 13a and the opening width of the one opening 13b are so set that an etching rate difference that while the first opening 13a reaches the depth of the first recess 14a, the plurality of the second openings 13b reach the depth of the second recesses 17.
第１の開口部１３ａの開口幅と第２の開口部１３ｂの開口幅は、第１の開口部１３ａが第１の凹部１４ａの深さに達する間に、複数の第２の開口部１３ｂが第２の凹部１７の深さに達するエッチングレート差が生じるように設定される。 - 特許庁 - To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.
本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁 - In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.
半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁 - To obtain a vertical section in a treated shape, when an antireflection film formed of at least two separate layers of at least two kinds of polysilanes is dry-etched with a resist pattern used as a mask and thereby to enable control of the influence of microloading effects produced by a reaction product in etching.
少なくとも二種類のポリシランを少なくとも二層に分けて成膜した反射防止膜を、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行う際、加工形状の断面が垂直状に得られるようになり、エッチング時の反応生成物によって生じるマイクロローディング効果の影響を制御できる。 - 特許庁 - After a polysilicon layer 14 is formed on a semiconductor substrate 10 through a gate insulating film 12, an interlayer insulating film of silicon oxide, etc., is formed on the layer 14 and insulating films 16a and 16b are left by wet-etching the interlayer insulating film by using resist layers 18a and 18b as masks.
半導体基板１０上にゲート絶縁膜１２を介してポリシリコン層１４を形成した後、層１４の上にシリコンオキサイド等の層間絶縁膜を形成し、レジスト層１８ａ，１８ｂをマスクとするウェットエッチングにより層間絶縁膜を加工して絶縁膜１６ａ，１６ｂを残す。 - 特許庁 - Active matrix elements, etc., are formed on one side plastic substrate 103, a color filter, etc., are formed on the other side plastic substrate 103, thereafter, both are stuck together by making the plastic substrates 103 inside and the supporting substrate 101 is removed by etching or a mechanical grinding processing.
一方のプラスチック基板１０３にアクティブマトリックス素子等を形成し、他方のプラスチック基板１０３上にカラーフィルタ等を形成した後、これらをプラスチック基板１０３を内側にして貼り合わせ、支持基板１０１をエッチングまたは機械的研磨処理によって除去する。 - 特許庁 - To provide a photoresist peeling solution easy to handle, excellent in work efficiency and safety, requiring neither troublesome discharge air treatment nor waste liquor treatment and capable of peeling a photoresist film that remains after dry etching and photoresist residue such as a side wall protecting film without causing a problem such as corrosion of a metal.
取り扱いが容易で作業性、安全性に優れ、煩雑な排気処理、廃液処理を必要とせず、ドライエッチング後に残存するフォトレジスト膜及び側壁保護膜等のフォトレジスト残渣を金属腐食などの問題もなく剥離することができるフォトレジスト剥離液を提供すること。 - 特許庁 - By removing one part or all of the fine particles by wet etching, polishing or the like, fine projections (generally triangle poles or the like) are of uniform shape and size very regularly, are made of the conductive material or the semiconductor material, and are preferable as an electron emission element of high quality.
微粒子の一部または全部をウェットエッチング、研磨などで除去すると、非常に規則正しく、形状や大きさの非常に揃った導電性材料や半導体材料による微小な突起（略三角柱など）が得られ、高品質な電子放出素子として好適である。 - 特許庁 - To provided a structure in which an opening to an interlayer insulating film for multilayer wiring can be formed in a stable shape, even if the thickness of the interlayer insulating film that uses a silicon oxide film varies is a wafer surface, or even if there occurs a difference in wet-etching time in the wafer surface.
シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。 - 特許庁 - Further, when effectual thickness of a protective insulating film on the heating part is decreased for preventing reduction of thermal efficiency, the insulating protective film formed on the heating part is removed depending on the thickness of the electrode wiring using the heating resistor layer 102 or a cavitation resisting film 110 as an etching stopper.
また、熱効率低下を防ぐために発熱部上の実効的な保護絶縁膜の薄膜化を行うに際し、発熱部上に形成される絶縁保護膜を、電極配線の厚さに応じ、発熱抵抗層１０２または耐キャビテーション膜１１０をエッチングストッパーとして、除去する。 - 特許庁 - After a reaction vessel of a plasma CVD apparatus has been cleaned by gas plasma etching using a fluoride gas, a substrate is carried into a reaction chamber while the fluoride gas still remains in the reaction vessel, and a thin-film formation process gas is introduced into the reaction chamber, thus forming a thin film on the substrate.
フッ化物ガスを用いたガスプラズマエッチングによって、プラズマＣＶＤ装置の反応容器のクリーニングを行った後、反応室内にフッ化物ガスが残留した状態で、反応容器に基板を搬入し、薄膜形成用のプロセスガスを反応室に導入し、基板上に薄膜を形成する。 - 特許庁 - The LPP is formed between shallow grooves or between shallow pits with the use of laser having power smaller than that of laser for forming the shallow grooves or shallow pits, and thus the depth of the LPP region and its adjacent groove regions and the depth of the surrounding grooves are made, after passing through the etching and ashing processes, equal.
LPPを浅いグルーブ間、もしくは浅いピット間に形成する際、そのレーザのパワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成するレーザパワーよりも小さくすることにより、エッチング、アッシングプロセスを経た後に、LPP部及びその隣接グルーブ部分は周辺のグルーブ深さと同一の深さとする。 - 特許庁 - Thus, a high dielectric constant insulating film 42 as formed in a wide area is subjected to plasma in dry etching only in the step of patterning the high dielectric constant insulating film, and the film has already been patterned in the step of patterning the conductive film for forming the second electrode.
このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 - 特許庁 - This treating method comprises heating the copper-etching waste liquid containing sulfuric acid, hydrogen peroxide, and a hydrogen peroxide stabilizer composed of an organic compound to 60-80°C, keeping the liquid in the same temperature range for 0.5-10 hours to decompose hydrogen peroxide, and then recovering a copper component as metallic copper through electrolysis.
硫酸、過酸化水素及び有機化合物からなる過酸化水素安定剤を含有する銅エッチング廃液を６０〜８０℃に加熱し同温度範囲に０．５〜１０時間維持して過酸化水素を分解した後に、電気分解して銅成分を金属銅として回収する。 - 特許庁 - To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.
ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁 - This semiconductor device has a gate electrode comprising a conductor layer, a first insulating film and a second insulating film having an etching selection ratio lower than that of the first insulating film, a sidewall comprising the second insulating film formed on the side surface of the gate electrode and an interlayer insulating film coating them.
導電体層、第１の絶縁膜、第１の絶縁膜よりエッチング選択比の小さい第２の絶縁膜からなるゲート電極と、ゲート電極側面に形成された第２の絶縁膜からなるサイドウォールと、それらを被覆する層間絶縁膜とを有する半導体記憶装置。 - 特許庁 - The photoresist polymer containing an appropriate amount of a silicon element exhibits remarkably improved etching resistance, and therefore is not only suitable for a thin resist process and a process where a bilayer resist is used but also capable of remarkably increasing a contrast ratio between an exposed area and a non-exposed area.
シリコン元素を適正量含んでいる本発明のフォトレジスト重合体は、エッチング耐性が大きく向上し、シンレジスト工程（thin resist process）及び二分子層レジストを用いた工程に適するだけでなく、露光地域と非露光地域の間の対照比を大きく増加させることができる。 - 特許庁 - The shield film has resistance against surface-active processing liquid containing defatting liquid, acid chemical, alkaline chemical, solvent, alcohol, plating liquid and etching liquid, and may have, in some cases, moisture resistance, resistance to gas permeability, and corrosion resistance; for example, the shielding film has Cr, Ni, Ti, Cu, W, Ag or Al as the main components.
シールド膜は、脱脂液を含む表面活性処理液、酸性薬液、アルカリ性薬液、溶剤、アルコール、めっき液及びエッチング液に対する耐性を有し、耐湿性、耐ガス透過性、耐腐食性を有する場合があり、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ又はＡｌを主成分とする。 - 特許庁 - The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.
反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁 - The method of casting the main agent into a blanking mold having wall parts and columnar members becoming the clearance parts, and removing the blanking mold, or the method of removing a fibrous member from the product obtained by kneading the fibrous member with the main material by etching or the like can be used instead of the formation of the clearance parts by the laser processing.
レーザ加工などによって間隙部を形成する代わりに、間隙部となる壁部や柱状部材を有する抜き型に主剤を注入した後、抜き型を剥離する方法や、主剤に繊維状部材を混練して繊維状部材をエッチングなどで除去する方法を採ることもできる。 - 特許庁
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