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半導体製造におけるクリーニング、エッチング又はＣＶＤ作業からやってくる廃ガス１６から、全細孔容積が大きい活性アルミナの固定床１８、１９にその廃ガスを通しながらこのアルミナ床１８、１９へ送り込まれるガスのフッ素レベルを４体積％以下に維持することにより、フッ素を除去する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first resin part 20 in the center on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed, a step for forming a second resin part 25 to overlap the surrounding member 16, a step for etching the electrode 14, and a step for forming wiring 30.
半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の電極１４が形成された面の中央部に第１の樹脂部２０を形成すること、囲繞部材１６とオーバーラップするように第２の樹脂部２５を形成すること、その後、電極１４をエッチングすること、及び、配線３０を形成することを含む。 - 特許庁 - Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a polyethylene naphthalate (PEN)/polyethylene terephthalate (PET) co-extrusion film and a vapor deposition layer consisting of a metal or an inorganic compound of 5-100nm thickness is provided on the treated surface of the co-extrusion film to constitute the high performance barrier film.
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）／ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）共押し出しフィルムの少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする高性能バリアフィルムである。 - 特許庁 - Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.
コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁 - To provide a method of carrying a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, which can restrain (reduce) sticking of foreign matters to the semiconductor substrate from the atmosphere of a treatment chamber, which performs a treatment such as film formation or etching to the semiconductor substrate during carriage of the semiconductor substrate into the semiconductor manufacturing apparatus; and to provide a semiconductor manufacturing apparatus.
半導体製造装置内での半導体基板の搬送中に、半導体基板に対して成膜、エッチングなどの処理を行う処理チャンバーの雰囲気から半導体基板に付着する異物を抑制（低減）できる半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor wafer 1 is irradiated with a multiple wavelength light 9 from a light source 8a, and the intensity ratio of an interference light 10 generated by the reflected light from a front surface and the base material of a translucent film 1a is measured for measuring the film thickness of the translucent film 1a to predict the end point of etching.
光源８ａから多波長光９を半導体ウエハ１に照射し、透光性を有する膜１ａの表面と下地とからの反射光によって生じる干渉光１０の強度比率を計測することにより、透光性を有する膜１ａの膜厚を計測してエッチングの終了点を予測する。 - 特許庁 - To provide a polymeric compound appropriate for a base resin of a positive resist material having a high resolution exceeding a conventional positive resist material, an excellent pattern shape after exposure, and further exhibiting excellent etching resistance, particularly of a chemically amplified positive resist material, a positive resist material and a pattern forming method using the same.
従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The anisotropic diffusion medium comprises: a transparent film having a number of rod-like perforations penetrating in a fixed direction from one surface to the other produced by irradiation with charged particles and chemical etching; and a light transmitting material filling the perforations and having a refractive index different from that of the film.
荷電粒子照射及び化学的エッチングにより一方の面から他方の面に一定方向で貫通する多数の棒状穿孔を設けた透明性フィルムと、上記穿孔内に充填された、上記フィルムとは屈折率が異なる透光性材料とから異方性拡散媒体を構成する。 - 特許庁 - The piezoelectric vibration chip 31 is formed by piezoelectric material to create an outline shape of a rectangle or a square shape, and is very small; chamfers 48 are formed which are beveled corners of the outline shape by etching; and the piezoelectric vibration chip is configured to avoid interference with the package which is a containing body.
圧電材料により矩形もしくは正方形の外形を備えるように形成したきわめて小型の圧電振動片３１であって、前記外形の角部をエッチングにより面取りした面取り部４８を設けるようにして、収容体であるパッケージとの干渉を避ける構成とした圧電振動片である。 - 特許庁 - In the case, after multiple electrode parts, each of which has a predetermined thickness, are provided on the edge parts of the connection side surface 2a, surface layer parts of the electrode parts in regions which exclude regions where the heights of the mounting terminals 4 are increased, from among the multiple electrode parts, are removed by etching to reduce the heights of the electrode parts in the regions.
この場合、接続側面２ａの縁部上に所定の厚さの電極部を複数設けた後、当該複数の電極部のうち実装端子４の高さを高くする領域以外の領域の電極部の表層部分をエッチングによって除去して当該領域の電極部の高さを低くする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film selected from among a group composed of an YAlO_x film, GdAlO_x film and DyAlO_x film on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 8-9 in pH.
シリコン基板の上に、ＹＡｌＯ_ｘ膜、ＧｄＡｌＯ_ｘ膜およびＤｙＡｌＯ_ｘ膜よりなる群から選ばれるいずれか１の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ８〜９の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁 - Next, an insulating film is made on the element-forming region at the main face of the substrate and on an element isolating region, and the insulting film 11 is left on the element isolating region through selective anisotropic etching, and also a sidewall spacer A, on the sidewall of the gate electrode 7, and a connection hole 11B, on the semiconductor region, are made.
次に基板主面の素子形成領域上と素子分離領域上に絶縁膜を形成し、異方性エッチングを選択的に行なって素子分離領域上に絶縁膜１１を残存させると共に、ゲート電極７の側壁にサイドフォールスペーサ１１Ａ、半導体領域上に接続孔１１Ｂを形成する。 - 特許庁 - In a region corresponding to a via hole 39a of a second plug 39 described later of a first protective film 33, that is, a region to be matched with a first plug 24, an opening 33a having a hole size, for example, about 0.4 μm larger than that of the via hole 39a is formed by lithography and subsequent dry etching.
第１の保護膜３３の後述する第２のプラグ３９のビア孔３９ａに相当する部位、即ち第１のプラグ２４に整合する部位に、リソグラフィー及びそれに続くドライエッチングにより、ビア孔３９ａの孔径よりも例えば０．４μｍ程度大きい孔径となる開口３３ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a charged particle beam mask capable of manufacturing a charged particle beam mask in a good yield, by conducting an inspection of a foreign matter on the surface at the Si substrate side before an average surface roughness at the Si substrate side of a charged particle beam mask manufacturing substrate is defined and a prescribed position on the Si substrate is subjected to etching.
荷電粒子線マスク製造用基板のＳｉ基板側の平均表面粗さを規定し、Ｓｉ基板の所定の箇所をエッチングする前に、Ｓｉ基板側表面の異物検査を行うことにより、荷電粒子線マスクを収率良く製造する荷電粒子線マスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - When a trouble occurs due to the etching residue 15 of the conductive film between cells C_2-2 and C_2-3 formed on a semiconductor substrate 10, a step is added for specifying the trouble occurring position through inspection, and preventing the scanning line 2c to be connected to the cell C_2-3 from being connected to the cell C_2-3.
半導体基板１０上に形成されたセルＣ_２−２とセルＣ_２−３間に導電膜のエッチング残り１５による不良が発生した場合、検査により不良位置を特定し、セルＣ_２−３と接続されるべき走査線２ｃがセルＣ_２−３と接続しないようにする工程を追加する。 - 特許庁 - A pad 81 for a p electrode of the LED chip and a pad 85 for an n electrode which are disposed so as to oppose each other on a printed wiring board are formed by etching so that a gap (a gap between edges 811 and 851) at one end in an insulating region 89 therebetween is D1 and a gap at the other end is D2 (>D1).
プリント配線板上に対向配置された、ＬＥＤチップのｐ電極用のパッド８１と、ｎ電極用のパッド８５を、その間の絶縁領域８９における一方端の間隔（エッジ８１１と８５１の間隔）がＤ１、他方端の間隔がＤ２（＞Ｄ１）になるように、エッチングにより形成する。 - 特許庁 - Moreover, shield wall plates 22 are arranged in such a way as to surround the substrate mounting surface of a lower electrode 9, between the upper and lower electrodes, thereby stagnation of the gas and unevenness in the plasma on the processing substrate in the vacuum container can be prevented, and the uniformity of the etching speed and the film forming speed on the surface of a large substrate can be improved.
さらに、下部電極９の基板載置面の周囲を囲むようにして上下電極間にシールド壁板２２を配置したことにより、真空容器内における処理基板上のガスの淀みやプラズマの不均一化を防止し、大型基板上のエッチングスピードや成膜スピードの面内均一化を高める。 - 特許庁 - To provide a for a focused electrically-charged particle beam working method for realizing the formation of a fine three-dimensional structure near a designed shape as well as a focused electrically-charged particle beam device for realizing it by reducing the effects of etching and a deposition phenomenon varying in accordance with several conditions at the time of carrying out the working.
本発明の課題は、加工を実行する際の諸条件に応じて変化するエッチング及びデポジション現象の影響を軽減し、設計形状に近い微細３次元構造体形成を実現する集束荷電粒子ビーム加工法並びにそれを実施する集束荷電粒子ビーム装置を提供することにある。 - 特許庁 - The embossing roll of the present invention is characterized by forming an emboss consisting of projected stripes and recessed channels on the surface of a metal roll by means of an engraving mill method or an etching method, forming fine unevenness on the embossed face by means of a blast treatment and half abrading the top parts of the fine projected parts formed on the projected stripes forming the emboss.
本発明のエンボスロールは、金属ロールの表面に彫刻ミル法またはエッチング法により凸条と凹溝とからなるエンボスが形成され、該エンボス面にブラスト処理により微細な凹凸が形成され、エンボスを形成する凸条に形成された微細な凸部の上部が半研磨されてなることを特徴とする。 - 特許庁 - Upper nozzles and lower nozzles for discharging the cleaning liquid and a side nozzle for discharging the cleaning liquid vertically with respect to the advancing direction of a substrate for the liquid crystal display are arranged in a cleaning part of a sheet-fed treating unit for peeling off the resist or carrying out etching treatment or the like by using the liquid chemical at the step to manufacture the substrate.
液晶ディスプレイ基板の製造工程の、薬液を用いたレジスト剥離処理またはエッチング処理等を行う枚葉処理装置の洗浄処理部において、洗浄液を吐出する上部ノズル、下部ノズル及び基板の進行方向に対して垂直に吐出する側面ノズルを設ける。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.
配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁 - To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.
半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁 - The part for mounting a substrate is mirror finished in order to increase the contact area between a substrate and the mounting part and a metal film (foil) is formed on the rear surface of a jig for retaining the substrate or a clamp so that a potential difference being generated between the surface and the rear surface of a high dielectric becomes very small during plasma irradiation (etching).
基板載置部を鏡面加工し基板と載置部との接触面積を大きくすると共に、基板押え治具又はクランプの裏面に金属膜（箔）を形成して、プラズマ照射（エッチング）中に高誘電体表面と裏面間に発生する電位差を僅少にするように構成したことを特徴としている。 - 特許庁 - In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.
メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁 - Openings 2 for part insertion holes 7 are beforehand bored in a resist member 1, a metal plate 3 is temporarily bonded onto the member 1 and etching is performed thereon, and substrates where a circuit is formed are individually prepared and a plurality of sheets of synthetic resin-made core member bundles 5 are held to heat/pressure-forming press each substrate, based on a desired circuit design.
所望の回路設計に基づき、レジスト部材１に部品挿入穴７用開口部２を予め穿設し、該レジスト部材１上に金属板３を仮接着してエッチング処理し、回路を形成したものを各別に作成し、複数枚の合成樹脂製コア部材束５を挟持して加熱・加圧成形プレスする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a color filter substrate for a reflection type liquid crystal display device which can maintain stable quality of a metal film as a reflection material through multiple imposition fabrication of single-wafer type by avoiding the exposure of the metal film to chemical liquid such as separation liquid in a process for separating an etching protective film, and provide a color filter substrate.
反射材である金属膜のエッチング保護膜剥離工程における剥離液等の薬液による暴露を回避して、枚葉方式の多面付け生産での金属膜の安定した品質を維持できる反射型液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法とカラーフィルタ基板を提供する。 - 特許庁 - To eliminate a disadvantage that a support of desired shape cannot be formed due to an etching solution permeated through an interface between a low structure and upper structure of a gate electrode when forming a support for an insulating film to prevent the gate from overturning under the gate consisting of the low structure of high-melting-pint metal and the upper structure of low-resistance metal containing gold.
高融点金属の下部構造と金を含む低抵抗金属上部構造とからなるゲートの庇下にゲートの転倒防止のための絶縁膜支持体を形成する際に、ゲートの下部構造と上部構造の界面部分からエッチング液がしみ込み、所望形状の支持体が形成できない。 - 特許庁 - The thin-film-forming method includes a plasma (etching) treatment step S3 of exposing an organic layer formed on an object to be film-formed thereon to a plasma atmosphere in a vacuum, and an SiO_2-film-forming step S4 of forming a layer of an SiO_2 film on the organic layer of the object to be film-formed thereon in the vacuum.
本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ_2膜層を形成するＳiＯ_2膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。 - 特許庁 - The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.
また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁 - To provide a polymer capable of forming an electrical insulation film with low water-adsorbing tendency and dielectric constant, high etching resistance and chemical liquid resistance and high mechanical strength; to provide a method for producing the polymer; to provide an electrical insulation film-forming composition containing the polymer; to provide a method for producing such electrical insulation film; and to provide silica-based electrical insulation film.
水吸着性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - Slit nozzles 33a to 33f for supplying treatment liquid in the whole area of a width direction on the surface of the substrate in a film shape, which are arranged at a right angle in one or a plurality of stages to the substrate carrying direction as an etching liquid supplying means, are provided on both the just-etched part 30A and the over-etched part 30B.
ジャストエッチ部３０Ａ及びオーバーエッチ部３０Ｂの両方に、エッチング液供給手段として、基板搬送方向に対して１段又は複数段に直角配置され、それぞれが基板表面の幅方向全域に膜状に処理液を供給するスリットノズル３３ａ〜３３ｆを設ける。 - 特許庁 - By repeating the deposit process and the etch-back process, the thickness of the second mask 16 (18) is adjusted to have a desired thickness, and by repeating the thickness adjustment of the second mask and the in-opening etching process, the inner side face of the opening (the recessed section 19) is substantially inclined.
堆積工程とエッチバック工程とを繰り返すことにより、第２マスク１６（１８）の厚さを所望の厚さに調整し、この第２マスクの厚さの調整と、開口部内エッチング工程とを繰り返すことにより、開口部（凹部１９）の内側面を実質的に傾斜させる、傾斜形状の加工方法。 - 特許庁 - Since a method for forming a pattern is not accompanied by the volume contraction of the resist mask, heating is hardly required and the method is accompanied by large viscosity lowering, and moreover since the plane size of the resist mask is enlarged by a simple method before the second etching, and the resist mask can be formed with proper adhesion, thus easily forming a wiring 11 having a forward-tapered structure.
レジストマスクの体積収縮を伴わず、加熱をほとんど必要とせず、しかも大きな粘度低下を伴うので、２回目のエッチングの前にレジストマスクの平面寸法を簡便な方法でもって大きく、しかも密着性良く形成出来るので順テーパー構造の配線１１が容易に形成できるようになる。 - 特許庁 - A wafer 1 provided, on the lower non-processing surface side thereof, with a protective film 21 is mounted on a base plate 25 and a tubular frame 26 having a packing 29 for sealing the outer circumferential fringe part on the upper surface of the wafer 1 is set and suction-fastened by means of a cylinder 28 thus forming a processing chamber 30 in an etching pot 22.
ベース板２５上に下面側の非処理面に保護膜２１を設けたウエハ１を載置し、ウエハ１の上面外周縁部をシールするパッキン２９を有した筒状枠体２６をセットし、シリンダ２８により吸引締結することにより、エッチングポット２２の内部に処理室３０を構成する。 - 特許庁 - Such a flexure blank for a magnetic head as equipped with the flying lead 8 is processed in a manner that, after a surface protective layer 9 is formed for a wiring pattern 7, a corrosion-resistant thin film layer like a thin film chrome layer 10 is formed at least on the outer face of the flying lead 8 as an etching pre-processing for a spring metallic layer 1.
このようなフライングリ−ド８を備えた磁気ヘッド用フレクシャーブランクは、配線パタ−ン７に対する表面保護層９を形成した後に、バネ性金属層１に対するエッチング前処理として少なくともフライングリ−ド８外面に薄膜クロム層１０等の耐腐食性薄膜層を形成する。 - 特許庁 - The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.
上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁 - After flattening by polishing, an oxide film 106' to be embedded is etched to reduce the difference in levels between the oxide film 106' and the oxide film 102 on a region planned for formation of an element, so that gouging of the end of a trench due to wet etching can be reduced, and adverse effects on transistor characteristics such as inverse narrow channel effect can be prevented.
また、研磨により平坦化されたのち埋め込み用酸化膜１０６’をエッチングして素子形成予定領域上の酸化膜１０２との段差を軽減しておくことによりウェットエッチによるトレンチの端部のえぐれを軽減でき、逆狭チャネル効果などのトランジスタ特性への悪影響を防ぐことが可能となる。 - 特許庁 - The method for manufacturing diamond includes the steps of: growing a semiconductor diamond layer by a vapor phase synthesis method on a diamond substrate; growing an insulating diamond layer by a vapor phase synthesis thereon; and separating the insulating diamond layer from the substrate by electrochemical etching in the semiconductor diamond layer.
ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層を成長させる工程と、その上に気相合成法により絶縁性ダイヤモンド層を成長させる工程と、前記半導体ダイヤモンド層の電気化学的エッチングにより、絶縁性ダイヤモンド層と該基板を分離する工程を含むダイヤモンドの製造方法。 - 特許庁 - Since this method allows the mask pattern 46 of high precision to be formed on the imprint resin layer 42 by impression of the nano-stamper 43, the monolithic semiconductor lens 23 having a desired shape is formed more easily than conventional methods which use wet etching or form resist patterns by baking.
この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。 - 特許庁 - Disclosed is a semiconductor wafer 10 having at least two or more semiconductor layers formed on the semiconductor substrate 11 through epitaxial growth, the semiconductor wafer having the buffer layer 12 formed right on the semiconductor substrate 11 and a semiconductor layer having a selective etching property with respect to the buffer layer 12 and functioning as the peel layer.
エピタキシャル成長によって半導体基板１１上に形成された少なくとも２層以上の半導体層を有する半導体ウェハ１０であって、前記半導体基板１１直上に形成されたバッファ層１２と、該バッファ層１２と選択的なエッチング性を備え、剥離層として機能する半導体層とを有する。 - 特許庁 - During a manufacturing process of a membrane sheet for forming the probe card, respective surfaces of a polyimide film 41 covering a metallic film 21A, polyimide films 44A and 44B covering a wire 23, and a polyimide film 45 covering a wire 27 are subjected to flattening and thinning treatment by partial grinding or etching.
プローブカードを形成する薄膜シートの製造工程において、金属膜２１Ａを覆うポリイミド膜４１、配線２３を覆うポリイミド膜４４Ａ、４４Ｂ、および配線２７を覆うポリイミド膜４５のそれぞれの表面に対し、部分的に研磨もしくはエッチングによる平坦化および薄型化処理を施す。 - 特許庁 - When copper is recovered as the copper oxide from the wastewater containing copper, an alkali agent is added to the wastewater in such a state that an oxidizing agent and carbonate ions are allowed to be present in water to be treated to insolubilize copper ions contained in etching wastewater as the copper oxide.
銅を含有する排水から銅を酸化銅として回収するに際し、該被処理水中に酸化剤と炭酸イオンを存在させた状態で、排水中にアルカリを添加することにより、エッチング排水中に含まれる銅イオンを酸化銅として不溶化させることを特徴とする銅イオンを回収する方法。 - 特許庁 - The method for making synthetic fiber fabric with translucent print (dyeing) pattern comprises a printing process before etching process by sodium hydroxide or the like, wherein the printing process comprises printing of paste for dyeing on the surface of the fabric, and/or printing which contains a transparent developer.
水酸化ナトリウム等によるエッチング工程の前にプリント工程を含み、そのプリント工程は織物の表面上に染色用のペーストをプリントすること、および／または透明なプリント用顕色剤を含んでプリントすることを包含する、半透明なプリント（染色）パターンをその上に有する合成繊維織物を製造する。 - 特許庁 - To provide a new pretreatment method for plating where a plating film having high adhesion to a resin molded body composed of a polystyrene-based resin or a polystyrene-based alloy resin can be formed, and further, a permanganate water solution used as an etching treatment solution can be continuously used stably over a long period.
ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂からなる樹脂成形体に対して高い密着力を有するめっき皮膜を形成することができ、しかもエッチング処理液として用いる過マンガン酸塩水溶液を長期間安定して連続使用することが可能な新規なめっき用前処理方法を提供する。 - 特許庁 - (b) a complexing agent which stabilizes gold ions into a plating soln. but substantially does not dissolve nickel, cobalt or palladium and (c) a gold precipitation inhibitor capable of suppressing the partial and excessive etching of the base metal generated at the time of executing gold plating by substitution reaction with the base metal.
（イ）水溶性金化合物、（ロ）めっき液中に金イオンを安定化するが、ニッケル、コバルト又はパラジウムを実質的に溶解しない錯化剤、及び（ハ）下地金属との置換反応によって金めっきを行なう際に生じる下地金属の部分的かつ過剰なエッチング又は浸食を抑制することのできる金析出抑制剤。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises chemically etching a metallic sheet covered with a photoresist, providing controlled patterns of cavities on one side of the metallic sheet and perforations on another side of the metallic sheet, and depositing electrochemically active segments on a perforated face of the metallic sheet.
この製造方法は、フォトレジストを被膜した金属シートを化学エッチングすることと、この金属シートの一方の側に窪みをこの金属シートのもう一方の側に穿孔を制御した通りのパターンで設けることと、この金属シートの穿孔を設けた面に電気化学的な反応を起こすセグメントを積層することから成る。 - 特許庁 - The method for removing residues such as photoresist and/or etching residue, etc., from an article by the composition comprising a specified organic solvent containing at least 50 wt.% of a glycol ether and at least 0.5 wt.% of a quaternary ammonium compound comprises bringing the composition into contact with a substrate.
少なくとも５０ｗｔ％のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも０．５％の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び／又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。 - 特許庁 - The metal mask is formed by applying triangular half etching 10, 11 to four corners of faces of the upper mask 2 and the lower mask 4 in contact with the middle plate 3.
複数の所定のパターンの開口窓５を有する上マスク２と、開口部６を有する中板３と、複数の所定のパターンの開口窓６を有する下マスク４とを備えたメタルマスクであって、前記上マスク２及び下マスク４の中板３に接する面の四隅に三角状のハーフエッチング１０，１１を施してメタルマスクを構成する。 - 特許庁 - To provide a method for exfoliating the resist without causing resin remainder and exfoliation of the resin layer in a manufacturing method of a polymer optical waveguide substrate comprising a process for removing an unnecessary part of the polymer optical waveguide by reactive ion etching via a resist containing silicon, and then exfoliating the resist.
シリコン含有レジストを介して反応性イオンエッチングによりポリマー光導波路の不要部を除去し、次いでレジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、樹脂残りや樹脂層の剥離を発生させずにレジストを剥離することができる方法を提供すること。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an impurity diffusion region 105 and a gate electrode 104 formed on a semiconductor substrate 101, a silicide layer 106 formed on the impurity diffusion region 105 and the gate electrode 104, and a first etching stop film 110 formed on the silicide layer 106.
半導体装置は、半導体基板１０１上に形成されたゲート電極１０４および不純物拡散領域１０５と、ゲート電極１４および不純物拡散領域１０５の上に形成されたシリサイド層１０６と、シリサイド層１０６上に形成された第１のエッチングストップ膜１１０とを備えている。 - 特許庁
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