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＜前へ 1 2 .... 369 370 371 372 373 374 375 376 377 .... 399 400 次へ＞- A manufacturing method for the piezoelectric MEMS includes laminating a plurality of piezoelectric films and a plurality of conductive films on a substrate to interpose each piezoelectric film between conductive films and etching the piezoelectric films and conductive films in order from their surface layer to form a pattern spreading toward a lower layer.
本発明による圧電型ＭＥＭＳの製造方法は、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とを基板上に積層し、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とを下層に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、ことを含む。 - 特許庁 - Impurity semiconductor films 12 and 13 of the transistors 4 are formed by film-depositing an impurity doped metallic oxide film wherein a metallic oxide (zinc oxide, magnesium zinc oxide, cadmium zinc oxide, cadmium oxide, etc.) to be a transparent semiconductor contains impurities in one film and then etching the film by using a mask to the film.
そのトランジスタ４の不純物半導体膜１２，１３は、透明な半導体である金属酸化物（酸化亜鉛、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム等）に不純物を含んだ不純物ドープ金属酸化物膜をべた一面に成膜した後、その膜にマスクを施した状態でエッチングすることによって形成する。 - 特許庁 - The microlens array substrate 1 is characterized in that a microlens array 8 comprising a plurality of concave microlenses 11 which are successive in a surface of a quartz substrate 2 or of a glass substrate is directly formed and the microlens array 8 is a microlens array 8 formed by a transfer method by dry etching.
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板２またはガラス基板の表面内に連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８が直接形成され、マイクロレンズアレイ８がドライエッチングによる転写法で形成されたマイクロレンズアレイ８であることを特徴とする。 - 特許庁 - It also includes a process of performing either one of a treatment by a chemical containing fluorine ions, a plasma treatment using a gas containing fluorine and a washing process, and a treatment by a vapor phase HF diluted by an inactive gas and a washing process, on the semiconductor substrate 100 after the dry etching process.
これと共に、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、半導体基板１００に対し、フッ素イオンを含む薬液による処理と、フッ素を含むガスを用いたプラズマ処理及び洗浄処理と、不活性ガスによって希釈された気相ＨＦによる処理及び洗浄処理とのうち、いずれか一つを行なう工程を含む。 - 特許庁 - The method for forming a chemical conversion coating with low electric resistance on the surface of the magnesium alloy material containing little aluminum comprises sequentially performing two steps treatment consisting of etching treatment with the use of an organic acid and treatment with the use of a solution containing fluorides, and then performing chemical conversion treatment.
アルミニウムの含有率の低いマグネシウム合金材表面に、有機酸によるエッチング処理と、フッ化物を含有する水溶液による処理との２段階処理を順に行い、その後皮膜化成処理を行うことを特徴とするマグネシウム合金材の低電気抵抗皮膜化成処理方法である。 - 特許庁 - To provide a method for forming an electroless-plated layer on a pretreated glass substrate, without etching it while using a harmful fluoride before plating, which has adequate adhesiveness to the substrate, has no blister formed during plating, and has an adequate electrical properties.
有害なフッ化物を用いるエッチング処理を行うことなく、ガラス基板のめっき前処理を行うことができ、めっき層を形成すると基板への密着性が良好で、めっき中にフクレが発生することなく、電気的特性の良好なめっき層を得ることができる、ガラス基板上への無電解めっき方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly for exposure at a short wavelength, that is, has high transparency and the optimum n and k values and is excellent also in etching resistance during substrate processing.
多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁 - The plurality of nozzle piping members are arranged in parallel spaced by a predetermined gap in which the number and positions of the spray nozzles disposed to a specific nozzle piping member are set so that an electrode having a predetermined width distribution is formed as the substrate advances below the etching unit.
複数のノズル配管部材は、並列に所定の間隔を空けて配置され、基板がエッチング部の下方を進行するにつれて、所定の電極幅分布を持つような電極が形成されるように、特定のノズル配管部材に設置されるスプレーノズルの個数および位置が設定されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor excellent in switching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel.
エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - In the method for analyzing the semiconductor substrate, the semiconductor substrate containing an analyte is etched by a vapor phase cracking method using hydrogen fluoride vapor and ozone-containing gas produced by discharge, and a recovery liquid is discharged on the semiconductor substrate after etching, so that the analyzing target is recovered along with the recovery liquid.
本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。 - 特許庁 - To provide an outer packaging for a lithium ion battery having high electrolyte resistance and high hydrofluoric acid resistance even if the surface etching of aluminum foil performing by immersion in an acid bath or an alkali bath is eliminated regardless of no chromate treatment on the surface of aluminum foil, and to provide a method of manufacturing the outer packaging of the lithium ion battery.
アルミニウム箔表面にクロメート処理が施されないにもかかわらず、酸浴やアルカリ浴への浸漬によるアルミニウム箔表面のエッチングを省略しても、優れた耐電解液性及び耐フッ酸性を有しているリチウムイオン電池用外装材、及び該リチウムイオン電池用外装材の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁 - InGaAs is selectively etched by wet etching using phosphoric acid and hydrogen peroxide in aqueous solution to pattern an n-InGaAs layer 102 to form a source contact layer (a first semiconductor layer) 112, and a side part of a channel layer 114 is etched to form a channel layer 114a whose width is narrowed.
リン酸および過酸化水素水を用いたウェットエッチングにより選択的にＩｎＧａＡｓをエッチングすることで、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層１０２をパターニングしてソースコンタクト層（第１半導体層）１１２を形成するとともに、チャネル層１１４の側部をエッチングして幅が狭くされたチャネル層１１４ａを形成する。 - 特許庁 - By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.
ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁 - To provide a method for highly precisely grinding a desired multilayer film/pattern without requiring much time and effort in execution by a conventional chemical etching method, without requiring quality of coating or damaging a silicon in execution by a sand blast method, or without seriously damaging the silicon in a laser method.
従来のケミカルエッチング方法での実施のように、多大の時間と手間暇がかかることもなく、サンドブラスト方法での実施のように、皮膜を問うことなく、シリコンへのダメージも与えることもなく、又、レーザー方法のように、シリコンに深いダメージを与えることとなく、所望の多層膜・パターンを高精度の研削加工する。 - 特許庁 - The planar optical waveguide is manufactured by depositing an under clad layer 20 on a silicon substrate 10, depositing a core layer on the under clad layer 20 by using an aerosol process, etching the core layer to produce the core 30, and forming the over clad layer 40 on the under clad layer 20 and on the core 30 in an aerosol process.
シリコン基板１０上にアンダークラッド層２０を被着し、エアゾール工程を用いてアンダークラッド層２０上にコア層を被着し、このコア層をエッチングしてコア３０を生成し、エアゾール工程を通じてアンダークラッド層２０及びコア３０上にオーバークラッド層４０を形成することによって、プレーナ型光導波管が製造される。 - 特許庁 - When the surface 12 of the single crystal semiconductor substrate 10 to which the organic molecules 16 are attached erodes by anisotropic etching liquid, the multiple micro protrusions 14 in square cone shapes, in which parts where the organic molecules 16 are attached, are set to be apexes and which have the heights of about 1 μm, for example, are uniformly formed.
また、この有機分子１６が付着させられた単結晶半導体基板１０の表面１２は、異方性エッチング液により浸食されると、有機分子１６が付着した部分を頂点とする多数の四角錐状のたとえば１μｍ程度の高さの微小突起１４が均一に形成される。 - 特許庁 - In the non-contact IC card 1 or contact/non-contact IC card, the non-contact IC card is provided with a planar antenna coil 3 formed by carrying out photo-etching or blanking from a metallic foil in a card substrate, and the metallic foil is constituted of copper-based shape memory alloy.
本発明の非接触ＩＣカード１または接触・非接触両用ＩＣカードは、カード基体内に金属箔からフォトエッチングまたは打ち抜きにより形成した平面状アンテナコイル３を有する非接触ＩＣカードであって、当該金属箔が銅系形状記憶合金からなることを特徴とする。 - 特許庁 - For analyzing the isotope percentage in the reaction product in etching the quadrupole mass analyzer is used here, but a similar analysis can be made by the spectroscopic analysis of the emission of the reaction product in a plasma.
この膜をエッチングする工程において、反応生成ガスの同位体比率を四重極質量分析等の質量分析法、あるいはプラズマ発光分光法により測定することで、反応生成物中の同位体発生比率を処理中に逐次観測でき、実際にどの位置までエッチングが進んでいるのかを知ることができる。 - 特許庁 - A capacitor insulating film CZ is formed by depositing a silicon nitride film on wiring Ma to which a power supply potential (VDD) is applied and wiring Mb to which a ground potential (GND) is applied, and a floating electrode FE is formed by depositing a tungsten film on the capacitor insulating film CZ and etching it.
電源電位（ＶＤＤ）が印加される配線Ｍａおよび接地電位（ＧＮＤ）が印加される配線Ｍｂ上に窒化シリコン膜を堆積することによりキャパシタ絶縁膜ＣＺを形成し、このキャパシタ絶縁膜ＣＺ上にタングステン膜を堆積し、エッチングすることによりフローティング電極ＦＥを形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent device capable of improving a light emitting characteristic in all organic EL elements different in structures of organic functional layers by plasma irradiation to pixel electrodes, and surely preventing an etching residue and the like from being deposited again on an element substrate in the plasma irradiation.
画素電極に対するプラズマ照射によって、有機機能層の構成が相違するいずれの有機ＥＬ素子においても発光特性を向上でき、さらに、プラズマ照射時、エッチング残滓などが素子基板上に再び堆積することを確実に防止することのできる有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A cerium compound 36 is deposited on the surface, when the chromium layer formed on a n-type amorphous silicon layer 32 is etched with the etching solution using resist patterns 34 and 35 as masks, to form a drain electrode 18 and a source electrode 19 of a thin film transistor as a switching element of a liquid crystal display.
液晶表示装置のスイッチング素子としての薄膜トランジスタのドレイン電極１８およびソース電極１９を、ｎ型アモルファスシリコン層３２上に成膜されたクロム層をレジストパターン３４、３５をマスクとしてクロムエッチング液を用いてエッチングして形成すると、表面にセリウム化合物３６が沈着する。 - 特許庁 - An opening is formed on the insulating film of the semiconductor wafer 1W by plasma-etching while the detected waveform of reflection wave Pr and plasma impedance Vpp are checked against the threshold value of abnormal discharge set in subdivided time unit for the time of rising, stable, and falling of plasma.
次に、検出したプラズマインピーダンスＶｐｐおよび反射波Ｐｒの波形を、プラズマ立ち上がり時、プラズマ安定時、プラズマ立ち下がり時についてそれぞれ細分割した時間分割単位で設定された異常放電のしきい値とチェックしながら、プラズマエッチングによって、半導体ウエハ１Ｗ上の絶縁膜に開口部を形成する。 - 特許庁 - A magnetic circuit to form a magnetic field in which the plasma emitted from the target is converged on the substrate is disposed outside the target in the vicinity of the aperture, and an ion acceleration electrode is provided between the aperture and the substrate so as to apply the voltage in a range in which the etching is not predominant to the acceleration electrode.
該開口部近傍で、該ターゲットの外側に、ターゲットから放出されたプラズマが基板上へ収束するような磁場を形成するための磁気回路が設けられ、また、該開口部と基板との間にイオン加速電極を設け、該加速電極に対してエッチングが優勢とならない範囲の電圧を印加するように構成される。 - 特許庁 - To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.
半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁 - One slot 411 is provided at a place adjacent to a position where the radiation patch 41 is connected to the patch line 44 along a single side of the patch line 44 by using etching technology, and the slot 411 is utilized to make only a single side of a circuit route W passing through on the patch antenna 40 bypass.
輻射パッチ４１がパッチライン４４と接続する位置と隣接する場所に、エッチング技術を利用して、そのパッチライン４４の単一側に沿って、一つのスロット４１１が設けられ、そのスロット４１１を利用して、そのパッチアンテナ４０の上に通す回路ルートＷを単一側だけ迂回化させる。 - 特許庁 - In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.
半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁 - To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.
素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The defect inspection method for a resist pattern includes (a) a step of forming the resist pattern on a semiconductor substrate, (b) a step of etching the semiconductor substrate with the resist pattern used as a mask, and (c) a step of inspecting the etched semiconductor substrate for a defect as a substitute of the resist pattern.
本発明のレジストパターンの欠陥検査方法は、（ａ）半導体基板上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記レジストパターンをマスクとして用いて半導体基板をエッチングする工程と、（ｃ）レジストパターンの代替えとして前記エッチング後の半導体基板の欠陥検査を行う工程を備える。 - 特許庁 - The p-type GaN layer 103 of a nitride semiconductor layer is dipped into an electrolyte 110, and undergoes an etching treatment as a bias voltage is applied to it by the use of a bias source 108 while the irradiation of the p-type GaN layer 103 with ultraviolet rays is suppressed by an ultraviolet preventing film 112 or the like.
窒化物半導体層であるｐ型ＧａＮ層１０３を電解液１１０中に浸すと主に、紫外線防止膜１１２等によってｐ型ＧａＮ層１０３に対する紫外線の照射を抑制しながら、ｐ型ＧａＮ層１０３に対してバイアス源１０８を用いてバイアスを印加することによりエッチングを行なう。 - 特許庁 - A conductor thin film and a semiconductor thin film are formed on the surface of a silicon wafer 1, the conductor thin film and the semiconductor thin film are formed into prescribed circuit patterns 2' by etching, and a wafer 3 formed with the circuit patterns 2' is diced to manufacture a plurality of functional elements having a conductor function or a semiconductor function.
シリコンウエーハ１の表面に導体薄膜または半導体薄膜を形成し、エッチングによって導体薄膜または半導体薄膜を所定の回路パターン２’に形成し、該回路パターン２’が形成されたウエーハ３をダイシングして複数の導体機能または半導体機能を有する機能性素子を製造する。 - 特許庁 - A high-frequency power source 52 for biasing applies a semiconductor wafer W with a bias voltage (for example, not higher than 200 V) for accelerating ions and active seeds in plasma generated by exciting an etching gas (for example, HBr) introduced in a processing container 10 by a microwave introducing device 200, toward the semiconductor wafer W.
バイアス用高周波電源５２は、処理容器１０内に導入されたエッチングガス（例えば、ＨＢｒ）をマイクロ波導入装置２００で励起して発生させたプラズマ中のイオン及び活性種を半導体ウェハＷの方向へ加速させるためのバイアス電圧（例えば、２００Ｖ以下）を半導体ウェハＷに印加する。 - 特許庁 - By turning respective wires 115, 117 and 119 of wiring constituting a multi-layer wiring layer respectively into a buried wiring structure formed by forming a wiring groove on a base insulating film by etching and burying a wiring material in the wiring groove, the film thickness of the multi-layer wiring layer is reduced and shading characteristics are improved.
多層配線層を構成する各配線１１５、１１７、１１９を、それぞれ下地絶縁膜にエッチングで配線溝を形成し、この配線溝に配線材を埋め込んで形成した埋め込み配線構造とすることにより、多層配線層の膜厚を小さくでき、シェーディング特性を改善できる。 - 特許庁 - A copper-plated laminated board 10 comprises a prepreg 14 wherein non-woven fabric is coated/impregnated with a resin composition before being dried, and irregularities 16 formed in compression molding when combining a copper foil 15 while a wiring pattern is formed by etching with the copper foil 15, constituting a printed wiring board.
銅張積層板１０は、不織布に樹脂組成物を塗布含浸させ乾燥してつくられたプリプレグ１４と、銅箔１５を複合させるときに圧縮成形加工により形成された凹凸部１６とを有しており、配線パターンは、銅箔１５へのエッチングにより形成されプリント配線板が構成されている。 - 特許庁 - In the printed wiring board 39, the conductor circuit 31 for a solder pad is constituted of an electroless plating film 25 and an electrolytic plating film 29, a roughened surface 32 which is treated by etching solution containing copper (II) complex and organic acid is disposed, and the solder resist layer 38 is arranged on the roughened surface 32.
本発明のプリント配線板３９は、はんだパッド用導体回路３１が、無電解めっき膜２５と電解めっき膜２９とからなり、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理された粗化面３２を有しており、ソルダーレジスト層３８が粗化面３２上に設けられている。 - 特許庁 - To provide a polymer which has excellent transparency, excellent dry etching resistance and excellent solubility in organic solvents, to provide a chemical amplification type resist composition suitable for far infrared light excimer laser lithography, electron beam lithography and the like, and to provide a method for forming a pattern with the chemical amplification type resist composition.
優れた透明性と高いドライエッチング耐性とを有し、有機溶媒に対する溶解性にも優れた重合体、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適な化学増幅型レジスト組成物、および、この化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.
大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁 - In the wafer processing 100, the number of cycles for repeating the supply and stop of pure water for maintaining the state that the etching rate of phosphoric acid 10 is high is calculated within the prescribed time for each lot, and when the number of cycles is out of the range of the preset number of times, it is reported.
本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 - 特許庁 - Using a patterned SOG film as a mask, any one of gas selected from a group of ammonia (NH3) gas, nitrogen dioxide (NO2) gas, hydrogen cyanide (HCN) gas, methane (CH4) gas, ethylene (C2H4) gas, methanol gas and ethanol gas is introduced and etching is performed by plasma of mixture gas with oxygen gas.
パターニングしたＳＯＧ膜をマスクとして用い、ＳＯＧ膜の下層に位置する有機膜を、アンモニア（ＮＨ_3）ガス、二酸化窒素（ＮＯ_２）ガス、シアン化水素（ＨＣＮ）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガス、エチレン（Ｃ_２Ｈ_４）ガス、メタノールガス、エタノールガスから成るグループから選択されるいずれか１のガスを導入して、酸素ガスとの混合ガスプラズマによりエッチングする。 - 特許庁 - In manufacturing a mold for molding the small-sized precision molded article by using a thermosetting resin material, a method for processing the mold by etching is provided, and an ejector pin is installed on the periphery of the outside of a cavity, and when the molded article is separated from the mold, a resin part is ejected by the ejector pin.
熱硬化性樹脂材料を用いて小型精密成形品を成形するための金型製作において、エッチングにより金型を加工する方法、および突き出しピンをキャビティの外側周囲に設置し、成形品を金型から分離するときに樹脂部を突き出しピンにより突き出すことを特徴とする成形金型。 - 特許庁 - In this method of forming the film having the composition containing Si, C, and N and used as the etching stopper layer, the film having the composition containing Si, C, and N is formed on a substrate disposed in a reaction chamber having a heated heating body by causing the vapor of an amino silicon component to exist in the reaction chamber.
例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。 - 特許庁 - To provide a method and a device capable of trimming without causing waviness on a fracture surface when trimming for separating an unnecessary part provided between product parts from a discrete metal sheet in a state of etching processed, providing trimming line parts thereon, and having the multiple product parts laid out providing unnecessary parts between the product parts.
エッチング加工され、トリミング線部を設け、製品部が複数個、製品部間に不要部を設けて面付けされている状態の、枚葉の金属シートから、製品部間に設けられた不要部を分離するトリミングの際に、その破断面に波打ちを発生させずにトリミングが行なえる方法および装置を提供する。 - 特許庁 - In the case a transparent insulating substrate 1 formed on a glass substrate 100 and a transparent insulating substrate formed on another glass substrate are stuck together, a region in an interlayer insulating film 33(16) formed on the glass substrate 100 other than that corresponding to the transparent insulating substrate 1 is removed by etching beforehand.
ガラス基板１００上に形成された透明絶縁性基板１と他のガラス基板上に形成された透明絶縁性基板２２とを張り合わせる際、予めガラス基板１００に形成された層間絶縁膜３３（１６）における、透明絶縁性基板１以外の領域をエッチング除去しておく。 - 特許庁 - To provide a method for quantifying a free hydrochloric acid in a ferric chloride solution which directly, accurately and conveniently quantifies the free hydrochloric acid in the ferric chloride solution without quantifying iron by converting the iron within the ferric chloride solution used as an etching solution into a fluoride compound.
エッチング溶液として使用される塩化第二鉄溶液中の鉄をフッ素化合物にすることによって鉄を定量すること無く、塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸を直接精度良くかつ簡便に定量することが出来る塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸の定量方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the solid oxide fuel cell uses a method such as pressing, pattern printing, mechanical grinding, etching, or ultrasonic machining, when the porous electrode 30 equipped with either one or both of the gas inflow side gas sub-passage and the gas exhaust side gas sub-passage is formed.
前記固体電解質型燃料電池の製造方法は、ガス流入側ガス副通路及びガス排出側ガス副通路のいずれか一方又は双方を備える多孔質電極３０を形成するに当たり、プレス加工、パターン印刷加工、機械研削加工、エッチング加工、超音波加工などの方法を用いる。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition having good adhesion and resolution, having satisfactory durability in etching and plating steps, exhibiting excellent resistance particularly in a plating step, excellent also in flexibility (flexibility of resist), and capable of meeting the demand for thinner printed wiring boards.
密着性及び解像度が良好であるとともに、エッチング及びめっきの各工程において十分な耐久性を有し、特にめっき工程において優れた耐性を示し、また屈曲性（レジストの柔軟性）にも優れており、プリント配線板の薄板化に十分に対応できる感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - An optical waveguide is formed by one time of etching and this optical waveguide is embedded separately two times by a semiconductor having a different polarity and a refraction factor equal to an oscillation wavelength, so that a refraction factor waveguide type semiconductor laser having the resonator of an extremely small refraction factor step in spite of an end face non-injection type can be produced.
１回のエッチングにより光導波路を形成し、これを極性が異なり発振波長に対して等しい屈折率を有する半導体で２回に分けて埋め込む事で、端面非注入型であっても屈折率段差が極めて小さい共振器を有する屈折率導波型の半導体レーザが製造できる。 - 特許庁 - When a single crystal substrate 1 having surface of (100) face is prepared and openings for stripe-like etching are made in the substrate 1 in the direction of about 45° with respect to the (010) face orientation of the substrate, a stripe-like trench shape suitable for the liquid chamber of a high integration ink jet printer head can be formed.
例えば表面が（１００）面の単結晶からなる基板１を用意し、基板１上に該基板の（０１０）面方位に対しほぼ４５°の方向に短冊状のエッチングのための開孔を施した場合、高集積化インクジェットプリンタヘッドの液室に好適な短冊状の堀形状を形成できる。 - 特許庁 - That is, the n+a-Si:H layer 5 is etched by a pure chemical etching depending upon the chemical reaction substantially only by the radical species 24 with no physical reaction to the n+a-Si:H layer 5 and an a-Si:H layer 4 by ion species, and the a-Si:H layer 4 is exposed in the channel forming region.
つまり、イオン種によるｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５及びａ−Ｓｉ：Ｈ層４に対する物理的反応を伴わない、実質的にラジカル種２４のみによる化学的反応に依拠する純化学的エッチングによって、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５がエッチングされ、チャネル形成領域のａ−Ｓｉ：Ｈ層４が露出されることになる。 - 特許庁 - After forming a thin film from the first semiconductor substrate 11 and before flattening the surface of the active layer 11b by the vapor-phase etching, an organic substance 14 adhering to the surface of the active layer 11b is removed and a native oxide film 15 generated on the surface of the active layer 11b is removed after removing the organic substance 14.
第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 - 特許庁 - An inner region on the surface of a focus ring is finish-worked at mean surface roughness Ra in e.g., 0.1 or less as fine as suppressing the adhesion of a reaction product in an etching process, and an outer region is finish-worked at mean surface roughness Ra e.g., 3.2 or less.
フォーカスリングの表面における内側領域を、エッチング処理時の反応生成物の付着を抑えることができる程度の平均表面粗さＲａとなるように例えば０．１以下に仕上げ加工し、外側領域を反応生成物を捕集するためにその平均表面粗さを例えばＲａ３．２以下に仕上げ加工する。 - 特許庁
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