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真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 - 特許庁 - The method is characterized that a wiring pattern is formed by forming a resist coating film where a circuit is expected to be formed after a 1st thin metal coating film is formed on a surface of an insulating substrate, removing the resist coating film after etching, and then forming the 2nd metal coating film by carrying out electrolytic plating.
絶縁基板の表面に薄い第一金属皮膜を形成した後、回路の形成を予定する部分にレジスト皮膜を形成し、次いで、エッチング除去を行った後、レジスト皮膜を除去し、次いで、電解メッキを行うことにより第二金属皮膜を形成して、配線パターンを形成することを特徴とする。 - 特許庁 - The step of forming the groove 1a comprises steps of forming a silicon nitride film 3, for example, on the semiconductor substrate 1, forming a resist pattern 50 on the silicon nitride film 3, and forming the groove 1a by using the resist pattern 50 as a mask and by carrying out the anisotropic etching of the silicon nitride film 3 and the semiconductor substrate 1.
溝１ａを形成する工程は、例えば半導体基板１上に窒化シリコン膜３を形成する工程と、窒化シリコン膜３上にレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして窒化シリコン膜３及び半導体基板１を異方性エッチングすることにより、溝１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁 - In dry etching for patternizing a silicon nitride 12 and silicon oxide film 11 by using a resist pattern 13, introduction defects at the time of growth in a silicon substrate 10, which cause conical pattern defects, are removed by digging the surface part of the groove formation region of the silicon substrate 10 at overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - To provide an imidazole compound having high solubility to an aqueous organic acid solution, inhibited with the precipitation of the imidazole-based compound caused by the change of pH of treating liquid or volatilization, continuously used stably against the mingling of miscellaneous ions by a printed wiring board or a soft etching treatment and suitable for a surface-treating agent.
有機酸水溶液に対する溶解性が高く、処理液のｐＨの変動や蒸発などに起因するイミダゾール系化合物の析出が抑制され、プリント配線板やソフトエッチング処理による雑イオンの混入に対しても安定した継続使用が可能な、表面処理剤に適したイミダゾール化合物を提供する。 - 特許庁 - To provide a new polymerizable monomer capable of giving a polymer having a high transparency in an area of a broad wavelength, and having also adhesiveness to a substrate, an etching resistance and a high film formability, to provide a polymer compound using this monomer, and to provide a reflection protective material or a resist material, coated with this polymer.
幅広い波長領域での高い透明性を有し、基板への密着性、エッチング耐性や高い成膜性を併せ持つ新規な重合性単量体、およびそれを用いた高分子化合物、さらにはその高分子化合物をコーティングした反射防止材料またはレジスト材料の提供。 - 特許庁 - The RF power applied to the electrode 109 which is arranged underneath the central part of the substrate and the RF power applied to each of the electrodes 108a-108d, which are arranged underneath the corner parts of the substrate, are respectively controlled to enhance planar uniformity of the etching.
また、これら複数の電極のうち、基板の中心部の下方に配置された電極１０９に印加される高周波電力と、基板の角部の下方に配置された電極１０８ａ〜１０８ｄに印加される高周波電力をそれぞれ制御することによってエッチングの面内均一性を高めることができる。 - 特許庁 - When a photoresist is patterned and a material 2 to be worked is worked using the photoresist to produce a semiconductor device, (1) the resist is patterned, and this resist or a mask material formed from the resist is treated by isotropic etching 6 to carry out finer patterning than the former patterning.
フォトレジストをパターニングし、これを用いて被加工材２を加工する工程を有する半導体装置の製造方法において、 レジストについてこれをパターニングしたのち、該レジスト又はレジストにより形成されたマスク材料を等方性エッチング６を用いて処理することにより、先のパターニングよりも微細なパターニングを行う工程を具備する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a device including a ferroelectric layer or a piezoelectric layer having an arbitrary planar shape in which damage caused by etching is eliminated so that the ferroelectric layer or the piezoelectric layer can exhibit essential characteristics, and to provide a device such as a dielectric element or a piezoelectric element thus manufactured.
任意の平面形状を有する強誘電体層や圧電体層を有するデバイスについて、特にその強誘電体層や圧電体層が本来の特性を発揮するよう、エッチングによるダメージをなくすようにした製造方法と、これによって得られる、強誘電体素子や圧電体素子等のデバイスを提供する。 - 特許庁 - Furthermore, in the etching method, reactive gases corresponding to the respective membranes of the masks may be prepared in advance and discharged continuously in a switching manner as well as reactive gas-soluble liquid may be provided in the atmosphere of the reactive gases.
また、上記課題を解決するためのエッチング方法としては、各マスクの膜質に対応した反応性ガスを予め用意し、前記反応性ガスを連続して切り替えて吐出すると共に、当該反応性ガス雰囲気中に前記反応性ガスを溶解可能な液体を供給することを特徴とするものであっても良い。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the substrate for the inkjet head which includes forming the ink supply port on a silicon substrate, a stage for forming the ink supply port includes a stage for forming a non-through-hole by laser abrasion machining as a first stage and a stage for forming the through-hole by anisotropic etching as a second stage.
シリコン基板にインク供給口を形成することを含むインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、インク供給口の形成工程が、第１の工程としてレーザーアブレーション加工による未貫通穴の形成工程と、第２の工程として異方性エッチングによる貫通口の形成工程とを含む。 - 特許庁 - The method of forming the post structure comprises the steps of: forming unit patters 20 on a substrate 10 using a first material; growing a second wet-etchable material on the substrate that is formed with the unit patterns; and wet-etching the substrate where the second material is grown.
基板１０に第１物質を用いて単位パターン２０を形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで柱構造の形成方法を構成する。 - 特許庁 - Here, the step of forming the thin film layer having different thicknesses includes steps of forming a thin film layer having a uniform thickness as a whole on the silicon wafer and etching the thin film layer successively to form the thin film layer having different thicknesses corresponding to the plurality of U-shaped grooves.
ここで、相異なる厚みを持つ前記薄膜層を形成する工程は、前記シリコンウェーハに全体的に均一な厚みの薄膜層を形成する工程と、該薄膜層を順次に食刻して前記複数のＵ溝に対応して相異なる厚みを持つ前記薄膜層を形成する工程とを備えるものである。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method capable of preventing the depletion of a wiring layer by removing a mask, while maintaining even thickness of an underlying film by preventing the generation of reaction active species of fluorine caused by a by-product due to etching when removing the mask, and reducing subsequent underlying film overetching time.
マスクを除去する時にエッチングによる副生成物に起因するフッ素の反応活性種の生成を防止して下地膜の膜厚を均一に保ちながらマスクを除去して、その後の下地膜のオーバーエッチングの時間を少なくして配線層の減少を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - The adhesive and the adhesive sheet exhibit effects which can inhibit the deterioration of adhesive force due to heat generated during processing works, has an adhesive force deterioration-inhibiting effect on processing such as heat insulation, cutting processing, grinding processing or etching, and is therefore suitable for producing electronic parts and optical parts.
本発明の粘接着剤及び粘接着シートは、加工作業中に発生する熱により粘接着力低下を抑制できる等の効果を奏するため、保温時、切削加工、研削加工、又はエッチング等の加工の際の粘接着力低下抑制効果が大きいため、電子部品製造及び光学部品製造に適する。 - 特許庁 - To suppress a phenomenon in which the conductivity of a p-type nitride semiconductor is inserted in a process for exposing one portion of the surface of a p-type nitride semiconductor, by containing an n-type impurity or etching an i-type nitride semiconductor partially while being formed on the surface of a p-type nitride semiconductor region.
ｐ型窒化物半導体領域の表面に形成されており、ｎ型不純物を含むか又はｉ型の窒化物半導体の一部をエッチングしてｐ型の窒化物半導体の表面の一部を露出させる工程において、ｐ型窒化物半導体の導電型が反転する現象を抑制する。 - 特許庁 - To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in the conventional production of an aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing the surface layer oxide film of the aluminium material furthermore.
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - Thus, it is prevented that the gate electrodes 7a, 7b are damaged by plasma emission by placing the metallic films 9a, 9b on the gate electrodes 7a, 7b in a way of covering them even in the case of performing a metallic wire forming process attended with plasma emission, a passivation film forming process, and an etching process.
このように、ゲート電極７ａ、７ｂの上を覆うように金属膜９ａ、９ｂを配置すれば、プラズマ照射を伴う金属配線の形成工程、パッシベーション膜の形成工程およびエッチング工程を行ったとしても、プラズマ照射によりゲート電極７ａ、７ｂがダメージを受けることを防止することができる。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.
シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - To solve the problem in which when a plurality of semiconductor devices are manufactured utilizing a laminate structure including a p-type group III nitride semiconductor layer, subjected to etching and other process and divided into individual semiconductor devices, a leak current flows along a surface of the p-type group III nitride semiconductor layer exposed on a side surface of the individual semiconductor devices.
ｐ型のIII族窒化物半導体層を含む積層構造を利用して複数個の半導体装置を製造し、エッチング等して個々の半導体装置に分割すると、個々の半導体装置の側面に露出するｐ型のIII族窒化物半導体層の表面に沿ってリ−ク電流が流れてしまう。 - 特許庁 - In the manufacturing method of semiconductor package provided with a plurality of independent terminal electrodes, terminal electrodes are formed by etching on a supporting tape (1) and the supporting tape (1) is peeled after the terminal electrodes are fixed under the condition that an external substrate connecting surface side of the terminal electrodes is embedded by 50 to 60 μm to a supporting tape (2).
複数の互いに独立した端子電極を備える半導体パッケージの製造方法において、支持テープ（１）上に端子電極をエッチングによって形成し、支持テープ（２）に端子電極の外部基板接続面側を５０〜６０μｍ埋め込んだ状態で端子電極を固定した後に支持テープ（１）を剥離する。 - 特許庁 - To provide an apparatus for growing a group III nitride crystal, with which it is possible to take out the group III nitride crystal without substituting or etching an alkaline metal not forming a reaction product directly and thereby, without using a reagent such as an alcohol or an acid when the group III nitride crystal is grown using the alkaline metal.
アルカリ金属を用いてIII族窒化物結晶を成長させるときに、直接反応生成物を形成しないアルカリ金属をアルコールや酸等の薬液を用いずに、置換やエッチングすることなく、III族窒化物結晶を取り出すことの可能なIII族窒化物結晶成長装置を提供する。 - 特許庁 - In a substrate processor which performs etching treatment by soaking a substrate 9 in etchant in condition that the substrate 9 is supported in erect posture in a guide groove 321 made in a support member 32, the measurement end 421 of an optical fiber 42 is positioned at the inner face of the guide groove 321a for supporting the substrate 9a whose film thickness is to be measured.
支持部材３２に形成されたガイド溝３２１に基板９を起立姿勢にて支持した状態で基板９をエッチング液に浸漬してエッチング処理を行う基板処理装置において、膜厚が測定される基板９ａを支持するガイド溝３２１ａの内面に光ファイバ４２の測定端４２１を位置させる。 - 特許庁 - An exposure device which exposes an image with a light beam modulated by a spatial modulation element in accordance with image information is used, and a prescribed area of a photosensitive material 150 (photoresist) applied on a core layer 206 being an optical wiring board material is exposed and patterned with a light beam (UV) to form an etching mask 150A.
画像情報に応じて空間変調素子により変調された光ビームで画像露光を行う露光装置を用い、光配線基板材料であるコア層２０６上に塗布した感光材料１５０（フォトレジスト）の所定領域を光ビーム（ＵＶ）により露光してパタニングしエッチングマスク１５０Ａを形成する。 - 特許庁 - When a main magnetic pole 21 is formed by etching a non-magnetic insulating layer 3 to form a trench 33 and forming a magnetic layer 35 in the trench, an endpoint detecting layer 31 having light emitting characteristics different from those of a magnetic separation layer 4 as an underlayer is provided in a position corresponding to the fine pattern of the main magnetic pole 21.
非磁性絶縁層３をエッチングしてトレンチ３３を設け、ここに磁性層３５を形成することで主磁極２１を形成するにあたり、下地層となる磁気分離層４と発光特性が異なるような終点検出層３１を、主磁極２１の微細なパターンに対応する位置に設ける。 - 特許庁 - A resist pattern is formed to a joint face region to be jointed to a diaphragm substrate on an insulating film 12 which becomes an electrode substrate, and to the first non-parallel region G1 correspondingly to positions of the non-parallel gaps G1 and G2, A resist shape is transferred by a predetermined ratio to the electrode substrate by etching the electrode substrate and the resist simultaneously.
非平行ギャップＧ_１，Ｇ_２の位置に対応して電極基板となる絶縁膜１２上の振動板基板との接合面領域及び第１の非平行領域Ｇ_１にレジストパターンを形成し、電極基板とレジストを同時にエッチングすることによりレジスト形状を所定の比率で電極基板に転写する。 - 特許庁 - In a dry etching apparatus, high frequency electric power is applied to upper and lower electrodes 2, 4 from high frequency power sources 7, 10 to generate plasma and etch an object 3 on the electrode in a vacuum chamber 1 into which a process gas is introduced via a gas inlet 5 and the interior of which is maintained for a specific pressure by an exhaust unit 11.
ドライエッチング装置において、ガス導入部５からプロセスガスの導入および排気手段１１により所定圧力に維持した真空処理室１内で上下の電極２、４に高周波電源７、１０より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物３をエッチング処理する。 - 特許庁 - The connecting structure and method of the holey fiber is characterized in that the fusion spliced part 8 is reduced in diameter by etching.
第１クラッドの周囲に空孔層が設けられ、該空孔層の周囲に第２クラッドが設けられてなる石英ガラス製のホーリーファイバの一端と、コアとその周囲のクラッドを備えた石英ガラス製の無空孔ファイバの一端とを融着接続し、次いで該融着部をエッチングにより細径化することを特徴とするホーリーファイバの接続方法。 - 特許庁 - In this method of manufacturing a semiconductor device, since an etching speed in a trench forming process is higher than that in a movable section forming process, the amount of a protective film formed on the rear surface of the movable portion 20 as a mask can be reduced in a protective film forming process.
本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクとして形成される保護膜の形成量を低減することができる。 - 特許庁 - The film 10' is produced by adhering a conductive foil 11 to a transparent base film 13 with a transparent adhesive 14, pattern etching, forming a light absorbing layer 12 and subjecting the surface of the light absorbing layer 12 to roughening treatment for antireflection and non-gloss treatment.
粘着膜付き電磁波シールド性フィルム１０’は、導電性箔１１を、透明な基材フィルム１３に透明接着剤１４により接着した後、パターンエッチングし、その後、光吸収層１２を形成し、この光吸収層１２の表面を粗面化処理して反射防止、無光沢処理を施してなる。 - 特許庁 - A tower type of cathode 17 is formed inside of the lower dioxide silicon film 16A, the upper dioxide silicon film 18A, and the drawer electrode 19A, and a leading end of the cathode 17 has a steep portion of 2 nm radius formed by a crystal anisotropy etching process and thermal oxide of silicon process.
下部酸化シリコン膜１６Ａ、上部酸化シリコン膜１８Ａ及び引き出し電極１９Ａの開口部の内部には、タワー形状の陰極１７が形成されており、該陰極１７の先端部は結晶異方性エッチングとシリコンの熱酸化プロセスとによって形成された半径２ｎｍ以下の急峻な形状を有している。 - 特許庁 - In a method for etching surface of wiring board, a thin wiring board 1 is transported in the direction of its flat surface in an etchant L and, at the same time, the etchant L is transported under pressure to the front and rear surfaces of the board 1 over the whole width perpendicularly to the transporting direction of the board 1.
エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送すると共に、この配線基板１の表裏面に対し、この表裏面における搬送方向と直交する幅全体に渉り上記エッチング液Ｌを圧送する、配線基板の表面エッチング方法。 - 特許庁 - To prevent an n-type amorphous silicon film and an intrinsic amorphous silicon film from remaining unnecessarily even if a foreign matter exists on the formed n-type amorphous silicon film when the formed n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are subjected to patterning by dry etching in manufacturing of a thin film transistor.
薄膜トランジスタの製造に際し、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜上に異物が存在しても、ｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存しないようにする。 - 特許庁 - In this way, since the etching process is performed in a condition where the cover rinse part CL is provided to the substrate-end surface side of the hardly soluble layer UL and the exposed base layer DL is protected, only the hardly soluble layer UL formed at the surface edge part TR of the substrate W is selectively etch-removed.
このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 - 特許庁 - To provide a (meth)acrylic polymer high in transparency to radiation, excellent in basic properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern form, etc. especially excellent in the solubility to a resist solvent, and suitable for a radiation-sensitive resin compound which reduces the roughness on a pattern side wall after developing.
放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れ、現像後のパターン側壁のラフネスを低減する感放射線性樹脂組成物に適した（メタ）アクリル系重合体を提供する。 - 特許庁 - To suppress troubles of allowing insulative reaction byproducts to adhere on the surface of an underlying Cu interconnections exposed on the bottoms of interconnection grooves, and allowing a silicon carbide film and an organic insulating film exposed on the sidewalls of interconnection grooves to be side-etched, in forming interconnection grooves on the underlying Cu interconnections by dry-etching an interlayer insulating film.
層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。 - 特許庁 - To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.
コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁 - A size of the semiconductor chip is limited to 0.5 mm or less to bring improvement for bending and a concentrated over-load, the etching separation provides the semiconductor chip free from crack breakage, and short circuiting in an edge portion is prevented by the oxide film of the side wall when contacting with the antenna, allowing a simple process adoption.
半導体チップのサイズを０．５ｍｍ以下に限定することにより、曲げ、集中過重に対して改善でき、又エッチング分離によって亀裂破壊のない半導体チップとなり、又側壁の酸化膜によってアンテナとの接着時にエッジ部分のショートが防止でき簡便な工程が採用できる。 - 特許庁 - Since the photosensitive resin 20 is exfoliated before the fusion process of the solder layer 24; the photosensitive resin 20 is not exposed to a high temperature atmosphere, the photosensitive resin 20 can be exfoliated with exfoliation liquid, the etching remainder of the electrode base film 18 and the barrier metal 17 are not generated, and thus the adjoining bump electrodes are not short-circuited mutually.
半田層２４の溶融工程前に感光性樹脂２０を剥離しているため、感光性樹脂２０は高温雰囲気にさらされず、感光性樹脂２０を剥離液で剥離でき、電極下地膜１８とバリアメタル１７のエッチング残りが生じることはなく、隣接する突起電極どうしが短絡することは発生しない。 - 特許庁 - After a water-repelling resin layer 11 is formed on the surface thereof, a photo resist layer 12 is formed thereon, to which halftone exposure is applied with a mask adjusted in the exposure amount, and then patterning is performed by etching so that contact holes 10b, 10c reaching the matrix circuit and a recessed part 10a are formed in a contact hole area.
その表面に撥水性樹脂層１１を形成した後、その上にフォトレジスト層１２を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達するコンタクトホール１０ｂ，１０ｃと、凹所領域１０ａとが形成されるようにパターニングする。 - 特許庁 - An HTO film 4a is formed isotropically along an internal surface of the element separating groove 3, and an HTO film 4a formed at a center portion of a bottom surface 3a of the element separating groove 3 is removed in an RIE method by anisotropic etching to leave the HTO film 4a along a side wall surface 3b of the element separating groove 3.
素子分離溝３の内面に沿ってＨＴＯ膜４ａを等方的に形成し、素子分離溝３の底面３ａの中央部に成膜されたＨＴＯ膜４ａをＲＩＥ法により異方性エッチングして除去し、ＨＴＯ膜４ａを素子分離溝３の側壁面３ｂに沿って残留させる。 - 特許庁 - The optical wiring layer is manufactured by the method including a process step of forming the first clad layer and the core layer on at a base, a process step of relieving the internal stress in the first clad layer and the core layer, a process step of forming the core patterns by using dry etching and a process step of forming the second clad having the core patterns.
少なくとも、支持体上に第１クラッド層及びコア層を形成する工程と、第１クラッド層及びコア層の内部応力を緩和させる工程と、ドライエッチングを用いてコアパターンを形成する工程と、コアパターンを覆う第２クラッドを形成する工程と、を具備することにより光配線層を製造する。 - 特許庁 - The dry etching apparatus includes: the vacuum treatment chamber including an exhaust system and a gas introduction system; a gate valve provided at a carry-in/carry-out opening of the vacuum treatment chamber; a case for discharging residual gas provided while surrounding the gate valve outside the gate valve; and an exhaust pipe connected to the case for discharging residual gas.
本ドライエッチング装置は、排気系及びガス導入系を備えた真空処理室と、真空処理室の搬入・搬出開口部に設けたゲートバルブと、ゲートバルブの外側に、ゲートバルブを囲んで設けた残留ガス排出用ケースと、残留ガス排出用ケースに接続された排気管とで構成される。 - 特許庁 - The etchant for conductive films is characterized in that it contains at least ceric ammonium nitrate; an etching agent (a) for conductive film having at least one selected from the group consisting of perchloric acid, nitric acid and acetic acid; and a compound (b) represented by general formula (1): (Rf1SO_2)(Rf2SO_2)NX.
少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。 - 特許庁 - When the ununiformity of etching quantity on a surface to be etched is B, the ununiformity of total film thickness of the cap layer 108 and the clad layer 107 is D, and the average film thickness of the marker layer 200 to the average value of the total film thickness is N; the relationships of 2B>D>0 and N>|(B-D)| are satisfied.
エッチング量の被エッチング面における不均一性をＢ、キャップ層１０８およびクラッド層１０７との合計膜厚の不均一性をＤ、合計膜厚の平均値に対するマーカー層２００の平均膜厚の膜厚比をＮとして、２Ｂ＞Ｄ＞０およびＮ＞｜(Ｂ−Ｄ)｜の関係式を満足させる。 - 特許庁 - To form a hole in a film to be etched in such a way that the surface shape of the hole is not made star and the diameter of the hole does not considerably exceed a prescribed value even when plasma etching is carried out at ≥1×1010/cm3 plasma density through a hole-patterned photosensitive material film formed by irradiation with KrF excimer laser as mask.
ＫｒＦエキシマレーザを照射して形成したホールパターン化された感光性材料膜をマスクとして、１×１０^10／ｃｍ^3 以上のプラズマ密度でプラズマエッチングを行なっても、被エッチング膜に形成されるホールの平面形状が星形にならないと共にホールの径が所定値からあまり大きくならないようにする。 - 特許庁 - The optical fiber coupler is manufactured by steps of; partially etching two panda-type polarization maintaining optical fibers having the same core diameter to reduce the diameters and forming the parts for optical coupling comprising cores and clads; and mutually welding and drawing the parts for optical coupling of the panda-type polarization maintaining optical fibers to form the optical coupling part.
コア径の等しい２本のパンダ型偏波保持光ファイバのそれぞれ一部をエッチングして縮径を行い、コア及びクラッドからなる結合用部位を形成する工程と、前記パンダ型偏波保持光ファイバの結合用部位同士を融着・延伸して、光結合部を形成する工程とを行うことによって作製する。 - 特許庁 - To obtain a satisfactory accuracy of the etching depth by measuring the isotope percentage of a reactive gas by the mass analysis such as quadrupole mass analysis or plasma emission analysis.
半導体装置製造時のエッチング工程において、同一材料の途中までの溝形成での処理進行状況をインラインで観測する方法を提供し、また従来のエッチング終了検出法で問題であったエッチング停止に対し正確な判定ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the field-effect transistor, the thin layer portion 6a of an AlGaN barrier layer 6 is formed on the V defect 13 of a second GaN layer 4 and the non-growth region G1 of a third GaN layer 5 continuous with the V defect 13, and thereby made thinner than a flat portion 6b without performing etching.
この電界効果型トランジスタは、ＡｌＧａＮ障壁層６の薄層部６ａは、第２のＧａＮ層４のＶ欠陥１３およびＶ欠陥１３に連なる第３のＧａＮ層５の非成長領域Ｇ１上に形成されているので、エッチングを行うことなく平坦部６ｂよりも薄くできる。 - 特許庁 - According to a first aspect, a method of manufacturing the thin-film solar cell of the present invention comprises a step of using a difference in etching speed between an amorphous layer and a crystalline layer to etch part of a photoelectric conversion layer, and to create a texture during formation of a photoelectric conversion layer of a silicon thin-film solar cell.
本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第１の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、非晶質層と結晶層のエッチング速度の違いを利用して光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁
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