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シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁 - The gas blow-out plate of a plasma etching device constituting a part of electrode and capable of passing reaction gas internally has one major surface provided with lattice-like grooves and a large number of through holes are made at lattice points or in the vicinity thereof.
電極の一部を構成し、その内部に反応ガスを流通させることができるプラズマエッチング装置のガス吹き出し板であって、上記ガス吹き出し板は、その一主面に格子状の溝が形成され、上記溝の格子点又はその近傍に多数の貫通孔が設けられていることを特徴とするプラズマエッチング装置のガス吹き出し板。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a substrate capable of easily forming a required configuration from a substrate slow in etching speed, the manufacturing method of a substrate which forms a metal film employing non-electrolytic plating, and a crystal oscillating piece, a gyroscope oscillating piece and the substrate for indication which are manufactured by these manufacturing methods.
エッチング速度が遅い基板から容易に所望の形状に成形することができる基板の製造方法、及び無電解めっき法を用いて金属膜を生成する基板の製造方法と、これらの製造方法によって製造された水晶振動片、ジャイロ振動片及び表示用基板を提供することにある。 - 特許庁 - A plasma etching process is carried out using a process gas containing CF_4 and O_2 to simultaneously form a hole 111 which penetrates a passivation film 108 and a gate insulating film 103 to reach a gate electrode 102, and a hole 112 which penetrates the passivation film 108 to reach a drain electrode 107.
ＣＦ_４とＯ_２を含む処理ガスを用いてプラズマエッチング処理を行なうことによって、パッシベーション膜１０８とゲート絶縁膜１０３を貫通し、ゲート電極１０２に到達するホール１１１と、パッシベーション膜１０８を貫通してドレイン電極１０７に到達するホール１１２とが一度に形成される。 - 特許庁 - In dry etching employing a resist pattern 13 for patterning a silicon nitride film 12 and a silicon oxide film 11, a defect introduced into a silicon substrate 10 at the time of growth to cause a conical pattern defect is removed by digging down the surface of an isolation trench forming region on a silicon substrate at the time of overetching.
シリコン窒化膜１２及びシリコン酸化膜１１をパターン化するためのレジストパターン１３を用いたドライエッチングにおいて、オーバーエッチング時にシリコン基板１０における分離用溝形成領域の表面部を掘り下げることにより、円錐状パターン欠陥の原因となるシリコン基板１０中の成長時導入欠陥を除去する。 - 特許庁 - Disclosed is the method for manufacturing the layered structure having a smoothed intermediate layer and a layer provided above the intermediate layer, the method being characterized in that the intermediate layer is processed with a gaseous etching agent containing hydrogen fluoride to remove a material and further the intermediate layer is smoothed.
平滑化された中間層と、前記中間層上に設けられたその上方にある層とを有する層構造の製造方法において、中間層を、フッ化水素を含有するガス状のエッチング剤で処理して、材料の取り去りを達成しかつ中間層を平滑化することを特徴とする、層構造の製造方法。 - 特許庁 - To provide a dry etching method with which no undercut occurs and a working shape difference hardly occurs between an isolate pattern and a congestion pattern, in the step of selectively removing a chemical compound semiconductor layer containing neither Al nor In and laminated on a chemical compound semiconductor layer containing either Al or In.
ＡｌもしくはＩｎを含む化合物半導体層の上に積層されたＡｌもしくはＩｎを含まない化合物半導体層を選択的に除去する工程において、アンダーカットが生じず、且つ、孤立パターン部と密集パターン部における加工形状差の生じにくい、ドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device for protecting a collector layer exposed in a groove formed in the periphery of a element area at the time of forming an element separating area, and a method for accurately controlling etching for forming an element separating area for separating semiconductor elements in the element area formed on a compound semiconductor substrate.
素子分離領域を形成する際に素子領域周辺に設けられる溝に露出するコレクタ層を保護する構造の半導体装置及び化合物半導体基板上に形成される素子領域中の半導体素子を分離する素子分離領域を形成するためのエッチングを正確に制御する方法を提供する。 - 特許庁 - To easily form delicate patterns with rugged pattern feeling on the surface of a plastic molding, and further afford visual effects as if forming rugged patterns obtained by etching of a metal to thereby provide inexpensively a plastic molding with luxury feeling.
プラスチック成形品の表面に、凹凸感を有した繊細な模様を容易に形成すること、そしてさらには金属をエッチング加工して凹凸状に模様を形成したような視覚効果付与することを技術的課題とするものであり、もって、より高級感を呈するプラスチック成形品を安価に提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.
本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁 - In this case, since the etching liquid at a scheduled part of the quartz product can be analyzed nondestructively and precisely, the quartz product of which the analysis result lies within a tolerance can be used for the heat-treating apparatus for manufacturing a semiconductor, thus preventing the substrate from being contaminated by metal scattered from the quartz product.
この場合、石英製品の予定とする部位のエッチング液を非破壊で高精度に分析することができるので、その結果として分析結果が許容範囲内であった石英製品を半導体製造用の熱処理装置に使用することができ、当該石英製品から飛散する金属で基板が汚染されることが少ない。 - 特許庁 - To provide a photomask blank which can reduce the film thickness of a resist to effectively enhance the resolution of a mask pattern, can reduce a loading effect during dry etching, can reduce a shift amount of the mask dimension from the resist dimension, and can reduce the number of mask manufacturing processes, and to provide a photomask manufactured by using the blank.
マスクパターンの高解像度化に効果的なレジストの薄膜化が可能で、ドライエッチング時のローディング効果が低減され、レジスト寸法からのマスク寸法のシフト量の低減が図れ、マスク製造工程数の削減が図れるフォトマスクブランクスおよびそのブランクスを用いて製造したフォトマスクを提供する。 - 特許庁 - After forming a conductive layer 12a composed of chromium film or chromium alloy film for a lower electrode on an insulating substrate 11, a resist layer 9 is formed on the conductive layer 12a (fig.(a)), then the conductive layer 12a is patterned by a wet etching process, thereby, the lower electrode 12 is formed (fig.(b)).
絶縁性基板１１上に下部電極用のクロム膜若しくはクロム合金膜からなる導電性層１２ａを成膜した後、導電性層１２ａ上にレジスト層９を形成し（図１（ａ））、導電性層１２ａをウェットエッチング工程にてパターニングすることで下部電極１２を形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁 - To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film.
有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。 - 特許庁 - To provide a resist undercoat-forming material for a multilayer resist process, particularly for a two-layer resist process or for a three-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film particularly to short-wavelength exposure light, that is, has high transparency, optimum n value and k value, and excels in etching resistance in substrate processing.
多層レジストプロセス用、特には２層レジストプロセス用又は３層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、即ち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁 - The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.
この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁 - In another embodiment, the surface of an aluminum substrate is anodically oxidized to form a porous alumina coat having pores, the frame 4 is prepared by removing a part of the substrate 1 by dry etching so that the porous coat is exposed and the porous film 1 is formed by removing the bottoms of the pores in the porous coat.
また、アルミニウムからなる基板の表面を陽極酸化してアルミナからなりかつ細孔を有する多孔質被膜を形成し、基板の一部をドライエッチング法により除去して多孔質被膜を露出させることにより枠４を設け、多孔質被膜の細孔の底部を除去することにより多孔質膜１を形成する。 - 特許庁 - The optical film comprises a substrate containing triacetyl cellulose and is characterized in that: one surface of the substrate is subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma; a first functional layer is formed on the one surface of the substrate; and the first functional layer is one of a hard coat layer, an antistatic layer and an IR absorbing layer.
トリアセチルセルロースを有する基材からなり、基材の一方の面に、プラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施され、基材の一方の面上に第１の機能層が形成され、第１の機能層はハードコート層、帯電防止層及び赤外線吸収層のいずれかであることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁 - Next, after a second silicon nitride film 18 is deposited to the sidewall of the retreated STI film 15, a spacer 19 is formed to the sidewall of the STI film 15 by etching so that a wide opening of an upper part of the floating-gate-forming region 16 is gradually becoming narrower as nearing to a silicon substrate 1.
次に、後退させたＳＴＩ膜１５の側壁に第２のシリコンナイトライド膜１８を堆積させた後、フローティングゲート形成領域１６の上部の間口が広く、シリコン基板１に近づくにつれて徐々に間隔が狭くなるようにエッチングしてＳＴＩ膜１５の側壁にスペーサ１９を形成する。 - 特許庁 - The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.
第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a deposition film forming method by which, in substrate treatment such as formation of a functional deposition film, the clogging of exhaust piping when exhaust gas including unreacted gas, by-products or the like is exhausted is remarkably reduced, also substance deposited on the piping is effectively removed upon etching, and the original treatment can be efficiently performed.
機能性堆積膜の形成といった基体処理において、未反応ガスや副生成物等を含んだ排気ガスを排気する際の排気配管の閉塞が大幅に低減され、かつ、エッチングの際に効果的に除去され、効率良く本来の処理を行うことができる堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - The substrate 1 for the printed wiring board has a plurality of metal plated layers 16, 17, 18 laminated on a surface of a substrate 11 having conductivity 12, 13 and in the plurality of metal plated layers, at least the etching rate of the surface layer 18 is made smaller than that of the bottom layer 16 in contact with the substrate surface.
基材１１の導電性１２、１３を有する表面に、複数の金属めっき層１６、１７、１８を積層し、かつこれら複数の金属めっき層を、少なくとも表層１８のエッチングレートが基材表面に接触している底層１６よりも小さいプリント配線板用基材１とした。 - 特許庁 - A gas-barrier resin molded article is obtained by plasma-etching the surface of a resin molded article to attain the root-mean square roughness (Rms) into 3 nm or lower and forming a diamond like carbon film of 5-20 nm thickness by a plasma CVD method on a surface of a resin molded article.
本発明のガスバリア性樹脂成形体は、樹脂成形体の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を３ｎｍ以下にする工程、次にプラズマＣＶＤ法により樹脂成形体の表面に膜厚が５〜２０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜を形成することにより得られる。 - 特許庁 - Thereafter, etching is applied to form the first hologram pattern 42 and the second hologram pattern 43, thereby being able to form a diffraction grating, as a diffraction grating of a hologram pattern of each area, wherein a duty ratio being a ratio of the width of a protruding part to the grating interval is suitable and the values of duty ratios between the respective areas are almost equal.
その後エッチングして第１ホログラムパターン４２および第２ホログラムパターン４３を形成することにより、各領域のホログラムパターンの回折格子として、凸部の幅と格子間隔との比であるデューティ比が好適であり、かつ各領域間のデューティ比の値が略等しいものを形成することができる。 - 特許庁 - Concerning the producing method for a thin film wiring board formed with thin film layers on the baseboard having a VIA for electrically conducting the layers, the void defect existent on the VIA is filled with a conductive member having corrosion resistance in respect to an etching solution and afterwards, the thin film layers are formed on the base.
層間を電気的に導通させるＶＩＡを有するベース基板に薄膜層を形成した薄膜配線基板の製造方法において、前記ＶＩＡ上に存在するボイド欠陥を、エッチング溶液に対する耐腐食性を有する導電材により埋めた後、前記ベース基板上に薄膜層を形成する。 - 特許庁 - A TFT layer including a semiconductor layer, a gate insulation film 104, a gate electrode, an insulation film 106 between layers, a drain electrode, a source electrode, an inorganic passivation film 109 and an organic passivation film 110 is formed on a glass substrate, and transfers the TFT layer and an etching stop layer 101 on a plastic substrate 10 through an adhesive 11.
半導体層、ゲート絶縁膜１０４、ゲート電極、層間絶縁膜１０６、ドレイン電極、ソース電極、無機パッシベーション膜１０９、有機パッシベーション膜１１０を含むＴＦＴ層をガラス基板上に形成し、ＴＦＴ層およびエッチング停止層１０１を、接着材１１を介してプラスチック基板１０上に転写する。 - 特許庁 - To suppress problems such as leakages between wirings caused by the surface of a lower copper wiring being sputtered, where although a natural oxide film on the surface of the lower copper wiring at the bottom of the connection hole can be removed by sputter etching, the sputtered copper adheres to the sidewall of a connection hole and the stuck copper shifts within an interlayer insulating film, and others.
スパッタエッチングにより接続孔底部の下層銅配線表面の自然酸化膜を除去することはできるが、その表面がスパッタされ、スパッタされた銅が接続孔側壁に付着し、付着した銅が層間絶縁膜中を移動することで引き起こされていた配線間リーク等の問題を解決することにある。 - 特許庁 - To realize the stable maintenance of plasma discharge, and to prevent the inclusion of the impurity into the film due to etching of the constituent disposed within the discharge space induced by the collapse of the stability of the plasma discharge, in an apparatus for forming a thin film, in particular an insulated film, on a substrate, using sputtering phenomenon.
スパッタリング現象を用いて基板に薄膜、特に絶縁膜を形成する装置において、プラズマ放電の安定維持の実現、およびプラズマ放電の安定性が崩れることによって引き起こされる放電空間内に配置された構成物のエッチングによる不純物の膜中への混入を防止する。 - 特許庁 - By means of a tape material as a source material whose first and second copper layers 22A, 22B are disposed on both surfaces of a polyimide resin film 1, a wiring pattern 2 on a predetermined region of which the semiconductor device is mounted is formed by sequentially exposing, developing and etching the first copper layer after a masking tape 23 is bonded to the second copper layer 22B.
ポリイミド樹脂フィルム１の両面に第１，第２の銅層２２Ａ，２２Ｂが設けられたテープ材料を出発材料とし、第２の銅層２２Ａにマスキングテープ２３を貼り付けた後、第１の銅層に露光、現像及びエッチングを順次施して、所定領域に半導体装置が実装される配線パターン２を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the solid-state imaging element comprises, at least a step of forming the hole 13 in a part directly above the sensor 2 of the transparent film 9, the step of forming the organic polymer 10 by embedding the polymer in the hole 13, and the step of planarizing surface by etching back the polymer 10.
そして、透明膜９の受光センサ部２の直上の部分に孔部１３を形成する工程と、この孔部１３を埋めて有機ポリマー１０を形成する工程と、この有機ポリマー１０に対してエッチバックを行って表面を平坦化する工程とを少なくとも有して上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁 - To provide a resin material which hardly decomposes, when it is subjected to chemicals such as an etching solution even if it is semi-cured, serves an insulation layer, is equipped with the wiring that is embedded in a resin sheet at molding and smooth after molding, and provided with a top surface that can be smoothed, and is suitable for fine wiring.
半硬化の状態でもエッチング液などの薬液に対して、分解が起こらず、絶縁層としての役割を果たし、かつ成形時に配線を樹脂シートに潜り込ませることが可能で、成形後の配線の凹凸が無く、表面の平坦化が可能であり、微細配線に適した樹脂材料を提案する。 - 特許庁 - To provide a new printed circuit board manufacturing method assuring the through-hole forming process of an insulation film of the relevant printed circuit board with higher accuracy and effectiveness for entire area of the printed circuit board without generation of problems such as generation of damage on circuit patterns and elimination of conductive circuits due to the over-etching.
プリント配線板の全面積にわたって精度良く、かつ効率的に、しかもオーバーエッチングによる回路パターンへのダメージ発生や導体回路の消失といった問題を生じることなしに、当該プリント配線板の絶縁層を貫通加工することが可能な、新規なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an equipment and a method for plasma processing being employed in a plasma CVD system where a high quality large area thin film can be deposited at a high rate with limited film quality and film thickness distribution or in a plasma etching system where a large area can be etched at a high rate with limited machining rate distribution.
膜品質や膜厚分布が小さく、高速かつ大面積で高品質な薄膜の成膜が可能となるプラズマＣＶＤ装置あるいは、加工レート分布が小さく高速かつ大面積でエッチングが可能となるプラズマエッチング装置等に用いられる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To stabilize an etching step for a surface oxide film on an Al pad, regardless of the condition of the surface oxide film thereon and form a fine projecting electrode in the air through electroless plating.
スパッタリング法によりＡｌ電極パッド上の表面酸化膜を除去後、Ａｌ電極パッド上へ直接Ｎｉメッキを行い突起電極の形成を行う場合、スパッタリング法によりＡｌ電極パッド上の表面酸化膜の除去後直接、不活性雰囲気中へ移動し、メッキ工程を行わなければならなく、大掛かりな装置が必要となる。 - 特許庁 - To provide an electric solid-state device which has sufficient hillock resistance even when used as an aluminum-based wiring material, can be applied with dry etching, and never has wiring etched with a resist stripper used to peel a resist mask, and to provide an electro-optical device and a method of manufacturing the electric solid-state device.
アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - On a transparent insulating substrate 1, a titanium film as a lower layer 2a, an aluminum film as a middle layer 2b and a nitrogen containing titanium film as an upper layer 2c are laminated by a sputtering process by 30 nm, 100 nm, 50 nm respectively in this order and a gate electrode and gate signal line 2 are formed by a photolithography-dry etching technique.
透明絶縁性基板１上にスバッタ法を用いて下層２ａにチタニウム膜、中間層２ｂにアルミニウム膜、上層２ｃに窒素を含有したチタニウム膜を順にそれぞれ３０ｎｍ、１００ｍｍ、５０ｎｍ積層し、フォトリソ・ドライエッチ技術を用いて、ゲート電極及びゲート信号線２を形成した。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition which enhances resolution/adhesion by high-speed developability (of an unexposed portion) and excellent developer resistance (of an exposed portion), improves dispersibility in a developer, and suppresses foaming of an etching solution, a photosensitive element using the same, a method for producing a resist pattern and a method for producing a printed wiring board.
高速現像性（未露光部）と優れた耐現像液性（露光部）により、解像度・密着性を向上させ、また、現像液における分散性を良好にし、且つ、エッチング液の発泡を抑制する感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electron emitting electrode having a sharp projection and suitable for a purpose requiring large emission current such as an X-ray generating device by a simple manufacturing method which does not require etching in the separation process from a die, or does not require bonding of a support substrate for reinforcement to the electrode produced or the like.
鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。 - 特許庁 - To improve product yield and quality of a liquid-crystal display panel by, related to a method for manufacturing a liquid-crystal display panel, decreasing the number of processes, especially for exposure process, for improved productivity and lower manufacturing cost while occurrence of transistor defect related to an etching stopper part is suppressed.
本発明の液晶ディスプレイパネルの製造方法は、第１に、工程数、特に露光工程数を低減することにより、生産性を向上させ、以て製造コストを下げることにあり、第２に、エッチングストッパー部に関連するトランジスタ不良の発生を抑え、液晶ディスプレイパネルの製品歩留り及び品質の向上を図ることにある。 - 特許庁 - A first interlayer dielectric 2 including a porous first low dielectric constant film 2b is formed on a lower layer wiring 1, a first side wall metal 4 is formed on the side wall of a via hole 3 which is provided on the first low dielectric constant film 2b, and thereafter a first etching stopper layer 2a is etched to expose the lower wiring 1.
下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１低誘電率膜２ｂに設けられたビアホール３の側壁に第１サイドウォールメタル４が形成され、その後に第１エッチングストッパー層２ａがエッチングされて下層配線１が露出される。 - 特許庁 - In an etching apparatus 100, a refrigerant CW1 is sent from a refrigerant tank 124 via a refrigerant supply pipe 132 to a refrigerant circulating path 108, provided in a lower electrode 106 within a treatment chamber 102, the refrigerant after circulated is cooled in a cooler 138 via a refrigerant discharge pipe 136 and is then returned to the refrigerant tank 124.
エッチング装置１００の処理室１０４内の下部電極１０６に内装された冷媒循環路１０８には，冷媒タンク１２４から冷媒ＣＷ１が冷媒供給管１３２を介して送られ，循環後は冷媒排出管１３６を介して冷却器１３８で冷却された後，冷媒タンク１２４に戻される。 - 特許庁 - To provide a polymer compound suitable as a base resin for a positive resist material, especially for a chemically amplified positive resist material, having a high sensitivity, a high degree of resolution, a good pattern configuration after exposure, and in addition an excellent etching resistance; a positive resist material using the polymer compound; and a patterning process.
高感度および高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an resist ink for forming a resist pattern using a direct resist drawing system for achieving smaller number of resist pattern forming steps, sufficient etching resistance of the resist pattern, and a satisfactory manufacturing yield and required manufacturing time for a conductor pattern, and provide a method for manufacturing a conductor pattern and a printed wiring board using the ink.
レジストパターンの形成工程が少なく、レジストパターンの耐エッチング性が十分で、導体パターンの製造歩留まりや製造所要時間が満足のいく、レジスト直描方式を用いたレジストパターン形成用レジストインクを提供し、それを用いたレジストパターン、導体パターン、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the etching method and apparatus, which immerses a substrate into a chemical to dissolve unwanted thin film and ejecting a cleaning solution from a nozzle above a liquid surface of the chemical, when the substrate is moved up to clean the substrate, prior to dried and deposition of particles on the surface of the substrate, thus reducing particle deposition.
不要薄膜を溶解する薬液に基板を浸漬させた後、基板を上昇させる時に薬液の液面上部のノズルから洗浄液を吐出することにより、パーティクルが基板表面に乾燥固着する前に洗浄することでパーティクル付着を低減するエッチング方法及びエッチング装置。 - 特許庁 - To the hydrophilization method for a metallic surface, a first stage in which a metallic surface is subjected to chemical etching treatment accompanied by film deposition and a second stage in which the film deposited on the metallic surface is chemically removed are applied to roughen the metallic surface, and after that, a hydrophilic film is deposited on the metallic surface.
金属表面に皮膜形成を伴う化学エッチング処理を行う第一工程と、金属表面に形成された該皮膜を化学的に除去する第二工程とを施すことによって金属表面を粗面にし、その後該金属表面に親水性皮膜を形成させる金属表面の親水化処理方法である。 - 特許庁 - When a wiring groove and a connection hole are formed by etching in the porous insulating film employed as the inter-layer insulating film, a permeation-preventive film 22 is formed on only the surface of the porous insulating film 20 exposed in an opening 21a of a mask layer 21 to prevent permeation into an antireflective film 23 and a resist 24.
層間絶縁膜として採用するポーラス絶縁膜２０に配線溝と接続孔をエッチング加工する際に、マスク層２１の開口２１ａに露出したポーラス絶縁膜２０の表面上にのみ浸透防止膜２２を形成することで、反射防止膜２３やレジスト２４の浸透を防止する。 - 特許庁 - A trench is provided to a semiconductor substrate 100 by etching, then a thermal oxide film 108 is formed on both the side walls and base of the trench to remove damage to the surface of the substrate 100 when the trench is formed, and a trench liner 110 is formed on both the side walls of a first insulating film and the thermal oxide film.
半導体基板１００がエッチングされてトレンチが形成された後、トレンチ形成時に発生した表面損傷を除去するためにトレンチの両側壁及び下部面に熱酸化膜１０８が形成され、第１絶縁膜の両側壁と熱酸化膜上にトレンチライナ１１０が形成される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of via holes which manufactures a via hole structure capable of attaining heat radiation improvement effect by increasing an embedding material to the interior while reducing the number of etching to a semiconductor substrate for via hole formation, and to provide a manufacturing method of a semiconductor element having the via holes.
内部への埋め込み材料を増量させて放熱性向上効果を得ることが可能なビアホール構造を、ビアホール形成のための半導体基板へのエッチングの回数を少なくしつつ製造することのできるビアホールの製造方法およびビアホールを有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate for electronic equipment that can be improved in oxidation resistance to water and resist peeling liquid and also improved in oxidation resistance to an etching agent etc., when copper with low resistance is used for electrode and wiring materials, and electronic equipment equipped with such a substrate for electronic equipment.
低抵抗の銅を電極や配線材料として用いる場合に、水分やレジスト剥離液に対する耐酸化性を向上でき、しかもエッチング剤などに対する耐酸性を向上できる電子機器用基板及びその製造方法を提供することと、そのような電子機器用基板を備えた電子機器の提供。 - 特許庁 - The V-shaped or trapezoidal groove having a first inclined surface and a second inclined surface opposed to the first inclined surface is formed on the surface of the silicon substrate by means of anisotropic etching, the adhesive is disposed at least on the second inclined surface in the region excluding the first inclined surface in the groove and the lens is arranged and fixed in the groove.
シリコン基板の表面に異方性エッチングにより第一の斜面とそれに対向する第二の斜面を有するＶ形状または台形状の溝を形成し、溝内の第一の斜面を除いた領域のうち、少なくとも第二の斜面に接着剤を備え、溝内にレンズを配置して固定する。 - 特許庁
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