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＜前へ 1 2 .... 380 381 382 383 384 385 386 387 388 .... 399 400 次へ＞- To provide a processing method which can finish overall neatly and accurately, without needing a difficult control such as a control for etching rate, without a problem of residual ion which harms transparency of a glass substrate, and without staining the surface by the removed material, when repairing unprocessed parts of dug grooves of a Levenson mask.
本発明の目的課題は、レベンソンマスクの掘り込み溝の加工残り欠陥を修正するにあたって、エッチングレートのコントロール等厄介な加工制御が必要なく、ガラス基板の透明性を損ねる残留イオンの問題もなく、しかも除去した素材が表面を汚すこともなくきれいに精度よく仕上げることができる加工方法を提示することである。 - 特許庁 - To provide a composition for etching which is capable of sufficiently increasing the adhesive strength of a plated layer on a resin molding having sufficient performance usable as a car component, and which is used for the electroless plating considering the safety during a work at site and the effect on the environment by waste water.
自動車部品等として使用し得る十分な性能を有する樹脂成形体に対して、めっき層の密着強度を充分高めることが可能なエッチング処理用組成物であって、現場での作業時の安全性や廃水による環境への影響を考慮した無電解めっき用のエッチング処理用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist pattern surface modifying method which can increase the polymerization and the carbon-carbon bonding density and improve the etching resistance on the outermost surface of the resist layer without degrading the resist peeling on the adhering surface on the plate, and also to provide an imprinting method, a magnetic recording medium, and its manufacturing method.
基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の重合率、炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるレジストパターンの表面改質方法及びインプリント方法並びに磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises a step of oxidating an aluminum foil in a boric acid solution to form a uniform-thickness oxide film, a step of partly etching the aluminum foil with the formed oxide film in a sodium chloride solution containing sulfuric acid ion, and a step of reoxidizing the etched aluminum foil to form an oxide film again.
ホウ酸溶液内でアルミニウムフォイルを酸化して均一な厚さの酸化被膜を形成させる段階と、前記酸化被膜が形成されたアルミニウムフォイルを硫酸イオンが含まれた塩化ナトリウム溶液中で部分的にエッチングする段階と、及び前記エッチングされたアルミニウムフォイルを再酸化して再び酸化被膜を形成させる段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A piezoelectric vibrator is formed by wet-etching the piezoelectric substrate, forming an external shape of a tuning fork type piezoelectric vibration chip so that tips of mutually opposite vibration arm portions are united, and forming electrode patterns on respective piezoelectric vibration chips, and then the part between the mutually opposite vibration arm portions is cut by a cutting means.
圧電基板に対してウエットエッチングを行い、互いに対向する振動腕部の先端同士が一体化されるように音叉型の圧電振動片の外形を形成し、次いで各圧電振動片に電極パターンを形成することにより圧電振動子を形成して、その後、互いに対向する振動腕部の間を切断手段により切断する。 - 特許庁 - The gravure plate is manufactured in processes of: exposing a film resist to laser light in accordance with a figure pattern; uniformly exposing the entire film resist with the exposed pattern; transferring the film resist after uniform exposure onto a cylinder; and developing, drying and etching the transferred film resist.
ａ）フィルムレジストにレーザー光を用いた露光を行い、絵柄を焼き付ける工程と、ｂ）前記絵柄を焼き付けたフィルムレジスト全面に均一な露光を行う工程と、ｃ）前記均一露光後のフィルムレジストをシリンダーに転写する工程と、ｄ）前記転写されたフィルムレジストを現像、乾燥、腐食する工程を含むグラビア版の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls.
弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。 - 特許庁 - The method of forming the reversal mark is implemented by projecting ≥1 laser beam pulses 34 through laser beam masks 36 and 38 for etching the array of the recessed spots to a surface 44 of a contact lens form insert, then forming the reversal mark on the form insert 42, by scanning the insert and the mask synchronously with respect to the laser beam pulses.
反転マークを作るための方法は、コンタクトレンズ型枠インサートの表面４４に陥入スポットのアレイをエッチングするためのレーザービームマスク３６，３８を介して１つ以上のレーザービームパルス３４を投射し、その後にそのレーザービームパルスに関して同期的にインサート及びマスクを走査することにより、型枠インサート４２上に反転マークを形成する。 - 特許庁 - In this way, the antireflection film of the junction area for the division part 8 outside of the light receiving area 12 and the cathode is protected against etching, etc. with the polysilicon film 14, so that crystal defects or impurity density variations are suppressed; and devices with built-in high performance, high quality photo diodes can be formed.
これにより、受光領域１２外の分割部８とカソードとのジャンクション領域の反射防止膜がポリシリコン膜１４によってエッチング等から保護されるようになるため、この領域での結晶欠陥の発生や不純物濃度の変動等が抑えられ、高性能かつ高品質のフォトダイオード内蔵型半導体装置が形成される。 - 特許庁 - The force of the bending direction can be measured, by incorporating the deviation in the rigidity of the grated part by utilizing a method for changing the shape by changing the tensile shape of an article, in which the deviation of the rigidity is imparted, such as a thin film or an adhesive to the one surface of the grated fiber or changing the shape by polishing or etching the clad part of the fiber.
そこでグレーティング処理されているファイバの片面に対し、薄膜、接着剤、といった剛性の偏りを与える物を張り付け形状を変える、あるいはファイバのクラッド部分を研磨、エッチング処理し形状を変化させる方法を利用し、グレーティング処理部の剛性に偏りを持たせることで曲げ方向の力の計測を可能とする。 - 特許庁 - In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111.
ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。 - 特許庁 - When a wiring pattern 5a is formed by etching a metal foil 2 on the surface of a laminate 1, a cut pattern 3a is previously formed around the wiring pattern 2a, a wear plate 10 is superposed on the under surface of the laminate 1, and the laminate 1 is irradiated with a laser beam along the cutting pattern 3a, from the side above the top surface of the laminate 1.
積層板１の表面の金属箔２をエッチングして配線パターン５ａを形成する際に、配線パターン２ａの回りに切断パターン３ａを形成しておき、積層板１の下面側に当板１０を重ねた状態で積層板１の上面側から切断パターン３ａに沿ってレーザー光線を照射することにより切断する。 - 特許庁 - In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.
半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁 - The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity.
被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - In an electroluminescent element in which a transparent insulating sheet 2, a transparent electrode 3, a luminous substance (EL) layer 4, a dielectric layer 5, and a back plate 6 are laminated, the back plate 6 and a connecting wire 6a to apply a voltage to the back plate are formed by etching a copper foil formed on an insulating substrate.
透明な絶縁シート２と、透明電極３と、発光体（ＥＬ）層４と、誘電体層５と、背面電極６とが積層されたエレクトロルミネッセンス素子において、前記背面電極６および背面電極に電圧を印加する接続線６ａが、絶縁基板上に形成された銅箔をエッチングすることにより形成されている。 - 特許庁 - An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.
次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁 - In the processing steps related to a glass substrate processing step, a lawful means for laminating the laminated sheet for etching a glass substrate is used, a roller pressing is applied, by utilizing a processed mold to etch the stacked sheets, the laminated sheet for a glass substrate which enables a half cut blanking to adhere to the glass substrate is obtained.
ガラス基板に係わる加工工程において、ガラス基板へのエッチング処理する為の、積層シートのラミネート化する合法的手段を用い、ローラー圧着をかけ、これら重ね合ったシートにエッチング処理となる加工された金型を利用し、これをハーフカット打ち抜きしたものをガラス基板に貼り得るガラス基板用積層シートが得られるものである。 - 特許庁 - When a wafer is exposed to a mask pattern through a plurality of exposure shots, a correction exposure amount in each exposure shot is found based upon a previously measured pattern size distribution in each exposure shot after etching, exposure is carried out with respective correction exposure amounts in the respective exposure shots, and the exposed wafer is etched to form the pattern on the wafer.
ウェハ上にマスクパタンを複数の露光ショットにより露光する際に、予め測定されたエッチング後の各露光ショット内のパタン寸法分布に基づき、各露光ショット内の補正露光量を求め、各露光ショットにおいて、それぞれの補正露光量で露光し、露光されたウェハをエッチングすることにより、ウェハにパタンを形成する。 - 特許庁 - After forming an active material thin film 11 for storing and emitting lithium on the collector 10 by accumulation, etching is performed to a low-density range 11b of the active material thin film 11 to form clearances 12 in the thickness direction, and the active material thin film 11 is divided into small ranges by forming these clearances 12.
リチウムを吸蔵・放出する活物質薄膜１１を集電体１０上に堆積して形成した後、エッチングにより活物質薄膜１１の低密度領域１１ｂをエッチングすることにより、厚み方向に空隙１２を形成し、この空隙１２の形成によって、活物質薄膜１１を微小領域に分割することを特徴としている。 - 特許庁 - This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.
拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁 - Next, after form a second interlayer insulating film 111 on the first interlayer insulating film 106, a second opening 113 for plugs is formed, by selectively etching the second interlayer insulating film 111, and the first contact plug 115 is formed subsequently by burying the second conductive film 114 in the second opening 113 for plugs.
次に、第１の層間絶縁膜１０６の上に第２の層間絶縁膜１１１を形成した後、該第２の層間絶縁膜１１１に対して選択的にエッチングを行なって第２のプラグ用開口１１３を形成し、その後、第２のプラグ用開口１１３に第２の導電膜１１４を埋め込んで第１の接続プラグ１１５を形成する。 - 特許庁 - This acceleration sensor 1 is acquired by forming the supports 3 and the beams 14 on the substrate 2, then sticking a silicon substrate to be base substances for the weights 33, to the supports 3 and the beams 14 together through the connecting portions 34 made of metallic materials, and working the silicon substrate 44 into a structure having the weights 33 by selective etching.
この加速度センサ１は、基板２上に支持部３とビーム１４とを形成した後、錘３３の基体となるシリコン基板を金属材料からなる連結部３４を介して支持部３およびビーム１４に貼り合わせ、そのシリコン基板４４を選択的なエッチングにより錘３３を有する構造に加工することにより得ることができる。 - 特許庁 - A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.
本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁 - In a stage for forming groove patterns on the air bearing surface of a thin film magnetic head slider 15 by photolithography technology, photoresist patterns 2 and 3 used for working are formed in step-shapes corresponding to a shallow pattern 12 and a deep pattern 13 and the photoresist patterns are transferred onto the air bearing surface in one etching step to work the shallow and deep grooves collectively.
薄膜磁気ヘッドスライダー１５のエアーベアリング面にフォトリソグラフィ技術により溝パターンを形成する工程に際して、加工に用いるフォトレジストのパターン２、３を、浅溝パターン１２及び深溝パターン１３に対応した階段状に形成し、フォトレジストのパターンを、一回のエッチングによりエアーベアリング面上に転写し、浅溝、及び深溝の加工を一括して行う。 - 特許庁 - The mesa isolation monolithic light emitting diode comprises an emission layer 14 formed on a substrate 11, and a stopper layer 15 provided on the emission layer 14 wherein intersecting mesa etching trenches are provided in the side of the stopper layer 15 opposite to the substrate and a light emitting part is isolated into a plurality of parts arranged in one or a plurality of rows.
少なくとも基板１１上に積層された発光層１４と、該発光層１４上に設けられたストッパー層１５とを有し、該ストッパー層１５の基板とは反対側の表面側に相交差するメサエッチング溝を設け、該メサエッチング溝により発光部を一列配置ないしは複数列配置に並ぶように複数個に分離させる。 - 特許庁 - To provide a plating pretreatment method capable of uniformly forming a uniform metal film with excellent adhesiveness by the plating treatment on a surface of polymer fiber or carbon fiber without executing any conventional etching treatment, and to provide a manufacturing method of polymer fiber or carbon fiber capable of uniformly forming the uniform metal film with excellent adhesiveness.
本発明は、従来のエッチング処理を施すことなく、高分子繊維又は炭素繊維の表面にメッキ処理により均一な金属皮膜を均一且つ密着性よく形成することができるメッキ前処理方法及び均一な金属皮膜が均一且つ密着性よく形成されている高分子繊維又は炭素繊維の製造方法を提供する - 特許庁 - The method for manufacturing the device comprises simultaneously wet etching an overcoat 10 and a color filter 9, subsequently reflowing the overcoat 10 to form gentle inclination covering the side face of a contact hole and forming the shape of the contact hole that is connecting a pixel electrode and a drain electrode, as smoothly varying normally tapered so as to prevent the pixel electrode from being disconnected between levels.
オーバーコート１０及びカラーフィルター９に対し、同時にウエットエッチングを行った後、オーバーコート１０をリフローさせ、コンタクトホール側面を覆って緩やかな傾斜を形成するようにし、画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホールの形状を滑らかに変化した順テーパとすることで、画素電極に段切れが生じないようにする。 - 特許庁 - The manufacturing method of the electrode sheet has a process of forming a conductive coating film by a conductive polymer solution containing π-conjugated conductive polymer, a soluble polymer, and a solvent on one face or both faces of an insulating transparent base material, and a process of forming the electrode part by dry-etching the conductive coating film.
本発明の電極シートの製造方法は、絶縁性透明基材の片面または両面に、π共役系導電性高分子、可溶化高分子及び溶媒を含有する導電性高分子溶液により導電性塗膜を形成する工程と、該導電性塗膜をドライエッチングして電極部を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - Then, after an upper electrode layer 7 is formed on the dielectric layer 6 by causing a titanium nitride to deposit on the layer 6, pluralities of upper electrode layers 7 and dielectric layers 6 are formed by partially etching the upper electrode layer 7 and dielectric layer 6 except prescribed portions lying on the first and second lower electrode sections 5a and 5b.
次に、誘電体層６上に窒化チタンを堆積して上部電極層７を形成した後、第１下部電極部５ａ及び第２下部電極部５ｂ上の所定部分上以外の部分の上部電極層７及び誘電体層６をエッチングすることによって、複数の上部電極層７及び複数の誘電体層６を形成する。 - 特許庁 - The second thin film 13 is anisotropically etched through the etching masks 15b for the formation of fine patterns 13a, and after a selective oxidation process is carried out using the fine patterns 13a as an oxidation mask, the fine patterns 13a are selectively removed, the first thin film 12a is eliminated, and then a quantum fine wire 17 is epitaxially grown on a part where the semiconductor substrate 11 is exposed.
エッチングマスク１５bを介して第２薄膜１３を異方性エッチングすることにより形成された微細パターン１３aを酸化用マスクとして選択酸化した後、微細パターン１３aを選択的に除去すると共に、第１薄膜１２aを除去して、半導体基板１１が露出した部分に量子細線１７をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - When a gate electrode 8a is patterned, once a first gate electrode is extended through the upper part of a contact hole to the upper part of a gate insulating film 3 with a first photo resist film 21 as a mask, and then, etching in the transverse direction with a second photo resist film 22 as a mask to retreat a pattern to a desired position, a gate electrode 8a is formed.
ゲート電極８ａをパターニング形成する際に、一旦、第１のホトレジスト膜２１をマスクにして最初のゲート電極をコンタクト孔上を経てゲート絶縁膜３上まで延在させた後、第２のホトレジスト膜２２をマスクにして横方向にエッチングして、所望位置までパターンを後退させてゲート電極８ａを形成することを特徴とする。 - 特許庁 - Correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of process using a first resist pattern as a mask is performed for the pattern dimension of a first photomask, and correction based on a work conversion difference depending on a pattern at the time of etching process of a film to be processed by using a mask pattern as a mask is performed for the pattern dimension of the first photomask.
第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、第１のレジストパターンをマスクに用いた加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行い、前記第１のフォトマスクのパターン寸法に対して、前記マスクパターンをマスクに用いた前記被加工膜のエッチング加工時のパターンに依存する加工変換差に基づく補正を行う。 - 特許庁 - In a manufacturing method of a semiconductor device wherein a circuit board 4 is stuck on a function surface of a semiconductor element 3, bonding pads 2 of the semiconductor element and a circuit pattern 7a of the circuit board are connected through electrical conductor, a bridge is formed for connection through the electrical conductor by etching a conductor layer, crossing a window part which is formed on the circuit board 4.
半導体素子３の機能面に回路基板４が貼着され、半導体素子のボンディングパッド２と回路基板の回路パターン７ａが電気導体により接続された半導体装置の製造方法において、電気導体による接続のために回路基板に設けた窓部を横切って導体層のエッチングによりブリッジを形成する。 - 特許庁 - In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.
半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁 - When a partition material on a back face substrate 1 is sandblasted using a resist pattern 2 as a mask, a wider resist pattern 22 for an outer peripheral partition surrounding the outermost pattern of all the resist patterns 21 for the internal partition susceptible to the side etching is provided to improve the adhesion of the outermost peripheral resist pattern to the paste and to prevent the peeling-off of the resist at sandblasting.
背面基板１上の隔壁材料をレジストパターン２をマスクとしてサンドブラストするときに、サイドエッチングを受けやすい内部隔壁用レジストパターン２１のうち最も外側のパターンを囲む幅の広い外周隔壁用レジストパターン２２を設け、最外周のレジストパターンとペーストとの密着性を向上させ、サンドブラスト時のレジスト剥離を防ぐ。 - 特許庁 - According to the structure, reaction products resulting from etching in storage element fabrication process are prevented from adhering to the side wall to cause short circuit and leakage current.
基板上に第２の絶縁膜を形成・加工して開口部を形成し、開口部内に下部電極及び強誘電体膜を形成し、強誘電体膜上に上部電極を形成する製造方法としたので、容量素子の面積を増大させることなく、平坦でエッチングダメージのない強誘電体を用いた半導体記憶素子が容易に形成できる。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device comprises: (1) forming a first oxide film 3 including a groove 7 on a semiconductor substrate 1; (2) depositing a second oxide film 9 by means of HDP-CVD on the resultant substrate and tapering the groove 7, so that its inner side surface becomes narrow toward the bottom; and (3) etching back the second oxide film 9.
本発明の半導体装置の製造方法は、（１）半導体基板１上に、溝部７を有する第１の酸化膜３を形成し、（２）得られた基板上に、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によって第２の酸化膜９を堆積して、前記溝部７をその内側面が底方向に狭くなるテーパー形状にし、（３）第２の酸化膜９をエッチバックすることからなる。 - 特許庁 - A sample stand (rotative stand) 1 is mounted on a precision rotation axis 32 continuously rotating the sample stand in high precision, and an optional rotation-symmetric three-dimensional fine structure is manufactured by applying an FIB deposition in an FIB chamber while making the sample stand 1 rotate continuously, or applying cutting work on upper surface or side surface like a general lathe through an FIB etching.
試料台（回転台）１を高精度で連続回転する精密回転軸３２に取りつけ、ＦＩＢチャンバー内で、試料台１を連続回転させながらＦＩＢデポジションさせたり、あるいはＦＩＢエッチングで一般的な旋盤のように側面あるいは上面から切削加工を行ったりすることで任意の回転対称である構造物を作製する。 - 特許庁 - The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.
シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁 - A method for forming holes into a circuit wiring board provided with a conductive layer 11 and an insulating layer 12 includes a step of forming a metallic mask layer 13 having a thickness of ≤2 μm on an insulator layer 12, a step of etching the insulator layer 12 by using the mask layer 13 as a mask, and a step of removing the mask layer 13.
導電体層１１と絶縁体層１２とを備える回路配線板に孔を形成する方法であって、絶縁体層１２上に、厚みが２μｍ以下のメタルマスク層１３を形成する工程と、メタルマスク層１３をマスクとして絶縁体層１２をエッチングする工程と、メタルマスク層１３を除去する工程とを含む。 - 特許庁 - To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.
半導体圧力センサの製造方法において、Ｐ型半導体基板上にＮ型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するＰ層とＮ層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁 - The micro-etching agent for copper and the copper alloy contains the following component (A) to (D): a compound (A) selected from the group consisting of sulfuric acid, alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and derivatives thereof, a peroxide (B), a compound (C) selected from the group consisting of tetrazoles and derivatives thereof, and ions (D) of metal with nobler potential than copper.
次の成分（Ａ）〜（Ｄ）；（Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｂ）過酸化物（Ｃ）テトラゾールおよびそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｄ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有することを特徴とする銅および銅合金用のマイクロエッチング剤である。 - 特許庁 - High vacuum is kept in the upper and lower chambers 2, 5 of an etching chamber through a highly heat insulating O-ring 4 and only the side wall of the upper chamber 2 is heated by a heating source 3 to set a temperature difference between the upper and lower chambers 2, 5 before a wafer 6 is placed on the upper chamber 2 side of higher temperature.
エッチングチャンバーの上部チャンバー２及び下部チャンバー５内部を断熱性の高いＯリング４によって高真空に保持するとともに、加熱源３によって上部チャンバー２の側壁のみを加熱し、上部チャンバー２と下部チャンバー５とに温度差を設け、さらに温度の高い上部チャンバー２側にウェハー６を配置させるようにする。 - 特許庁 - A control unit 3 contrasts the detected distance between the circumferential end surface of the substrate W and the treatment liquid nozzles 115, 116 with a set distance between the circumferential end surface of the substrate W to the treatment liquid nozzles 115, 116 to be set in a recipe so that it may be a desired circumferential edge etching width EH, thereby calculating a positional deviation amount between the detected distance and the set distance.
制御ユニット３は検出された基板Ｗの周端面と処理液ノズル１１５，１１６との間の距離と、所望の周縁エッチング幅ＥＨとなるようにレシピに設定される、基板Ｗの周端面から処理液ノズル１１５，１１６までの設定距離とを対比して検出距離と設定距離との間の位置ずれ量を算出する。 - 特許庁 - Second, when a rear end part 12B is formed, the part (covered part) covered by the buffer layer among the precursor main magnetic pole layers is doubly covered by a precursor nonmagnetic layer pattern (the prearrangement layer of the nonmagnetic layer 13) and the buffer layer 15, and accordingly the position of the flare point FP preliminarily fixed is prevented to deviate when the precursor main magnetic pole layer receives etching processing.
第２に、後端部１２Ｂを形成する際、前駆主磁極層のうち、バッファ層により覆われている部分（被覆部）は、前駆非磁性層パターン（非磁性層１３の前準備層）およびバッファ層１５により二重に覆われているため、前駆主磁極層にエッチング処理を施した際、あらかじめ設定されたフレアポイントＦＰの位置ずれが防止される。 - 特許庁 - The pre-processing of the sample for this atom probe device is composed of a step for cutting a sample desired observation region into a block shape using an FIB device, a step for transferring the block-shaped cut sample to a sample substrate to fix the same and a step for processing the block-shaped sample fixed on the sample substrate into a needle tip shape by FIB etching processing.
本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁 - A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.
Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁 - The filter blade 6 is formed of one soft ND filter plate, and regarding the intermediate base plate 2 and the auxiliary base plate 3, chemical etching processing is applied on the surfaces facing the operating range of the effective area of the filter blade 6 covering the aperture 2a so as to form recessed parts 2c and 3b, then, the effective area is prevented from being scratched by the operation.
フィルタ羽根６は、軟質の１枚のＮＤフィルタ板で製作されているが、中地板２と補助地板３には、開口部２ａを覆うフィルタ羽根６の有効領域の作動範囲と対向する面に、化学エッチング加工によって凹部２ｃ，３ｂが形成されているので、その作動によって有効領域には傷が付かないようになっている。 - 特許庁 - After forming a bonding part made of metal in a contour-like shape and etching (surface activation processing) the bonding part by plasma, by bonding objects to be bonded each other by pushing and breaking a deposition layer which re-adhered to the bonding part, a space formed by being surrounded in the contour-like shape by the bonding part between bonding surfaces can be sealed into a predetermined atmosphere.
金属からなる接合部を輪郭状に形成し、該接合部をプラズマによりエッチング（表面活性化処理）した後、接合部に再付着した付着物層を押し破って被接合物どうしを接合することで、接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間を所定の雰囲気に封止することができる。 - 特許庁 - In the SAW resonance element 7, a recessed part 11 is formed in predetermined depth on a face confronting the entire area where the IDT 5 is formed on the back surface of the piezoelectric substrate 3 by etching or machining, and a thick part 12a of a base end part of the piezoelectric substrate 3 is adhesively bonded to the mounting surface of the package 2 in a cantilever manner by using the adhesive 8.
ＳＡＷ共振素子７は、圧電基板３の裏面のＩＤＴ５が形成されている全領域に対向する面に、エッチング、或いは機械加工により所定の深さで凹部１１を形成し、圧電基板３の基端部の厚肉部１２ａを片持ち状態にてパッケージ２の実装面に接着剤８を用いて接着接合した構造である。 - 特許庁
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