「etching」を含む例文一覧(19972)
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したがって、熱インプリントで形成されたパターンに応じた記録が可能なディスクリート・トラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）が、エッチングやアッシングなどの処理を行うことなく（すなわち、これらの処理を行うための設備を用意することなく）製造できるので、高密度記録が可能な磁気ディスクを簡易かつ低コストで製造することができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) of forming a first insulating film 11 on a substrate 12, a step (c) of selectively removing the first insulating film 11 by wet etching, and a step (d) of forming a second insulating film 17 on a region of the substrate 12 having the insulating film 11 removed therefrom.
半導体装置の製造方法は、基板１２の上に第１の絶縁膜１１を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１１をウェットエッチエッチングにより選択的に除去する工程（ｃ）と、基板１２における第１の絶縁膜１１が除去された領域の上に第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｄ）とを備えている。 - 特許庁 - The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.
圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁 - The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).
製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁 - A laminate 13 is formed by overlapping a first semiconductor substrate 11 serving as an active layer onto a second semiconductor substrate 12 serving as a support substrate via an oxide film 11a or without it; an active layer 11b is formed by forming a thin film from the first semiconductor substrate 11; and the surface of the active layer 11b is flattened by vapor-phase etching.
活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して、又は介することなく支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成、この第１半導体基板１１を薄膜化して活性層１１ｂを形成し、更に活性層１１ｂ表面を気相エッチングにより平坦化する。 - 特許庁 - A preliminary processing method for a sample used on atom probe apparatus includes the steps of: cutting the desired observing part of the sample into a block using an FIB equipment; transferring the sample block onto a sample substrate and fixing the sample block in place; and processing the sample block fixed onto the sample substrate into a needle-point shape by FIB etching.
本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁 - The fuel cell separator comprises: a stainless steel substrate 11 having recesses 11a, 11b and projections 11c, 11d formed by electrolytic etching; nickel build-up parts 18 formed on surfaces 11e, 11f of the projections 11c, 11d; and gold films 21 formed on the exposed surfaces of the stainless substrate 11 and the nickel build-up parts 18.
燃料電池セパレータは、電解エッチングによって凹部１１ａ，１１ｂ及び凸部１１ｃ，１１ｄが形成されたステンレス基材１１と、その凸部１１ｃ，１１ｄの頂面１１ｅ，１１ｆに積層されたニッケル肉盛部１８と、ステンレス基材１１及びニッケル肉盛部１８の露出面に形成された金皮膜２１とを備えている。 - 特許庁 - The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate.
本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。 - 特許庁 - The calcium hydrogen phosphate dehydrate is stirred in hot water, thereby the particle surface thereof is etched and activated, then the calcium hydrogen phosphate dehydrate is subjected to solid-liquid separation, and a separated solid portion is recovered as the activated calcium hydrogen phosphate dehydrate and the separated liquid portion is adjusted to pH ≥6.0 and returned to the etching treatment.
リン酸水素カルシウム二水和物を温水中で撹拌することによりその粒子表面をエッチング処理して活性化した後、固液分離し、分離した固状分を活性化リン酸水素カルシウム二水和物として回収する一方、分離した液状分をｐＨ６．０以上に調整してから前記のエッチング処理へと戻すようにした。 - 特許庁 - In a parallel plate reactive ion etching system, a matching box housing a matching circuit is positioned under a cathode assembly accessory mechanism attached to the external wall surface of a cathode-side vacuum chamber, within an extent containing the center axis line passing through a cathode and an anode, so that an earthing route may become symmetrical with respect to a substrate on the cathode.
本平行平板式反応性イオンエッチング装置においては、陰極と陽極とを通る中心軸線を含む範囲内でしかもアース経路が陰極上の基板に対して対称形となるように、マッチング回路を収納したマッチングボックスを、陰極側の真空チャンバーの外壁面に取付けられた陰極組立体付属機構の下側に位置決めされる。 - 特許庁 - In the case of movably forming the resonator including the movable electrode 34 on the silicon substrate 50, after forming a protection resin 67 around the fixed electrode 32 fixed on the insulation film 51, the lead wires 35, and the connection terminals 36 or the like in advance, the insulation film 51 under the resonator and including the movable electrode 34 is removed by etching.
可動電極３４を含む共振子をシリコン基板５０上において移動可能に形成する際に、予め絶縁膜５１上に固定される固定電極３２、リード線３５、及び接続端子３６等の周囲に保護樹脂６７を形成してから可動電極３４を含む共振子の下方の絶縁膜５１をエッチングにより除去する。 - 特許庁 - (1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.
（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁 - The discrimination symbol 16a is provided, by arranging a mask 20 comprising a through-hole 22 for forming the bit mark on the wafer 10, where a photoresist film is formed, which is moved by a prescribed distance in horizontal direction from a reference point for exposure, and then removing by etching the exposed part or its surrounding or laminating a thin film on the part.
このような識別記号１６ａは、まず、ビットマークを形成するための貫通孔２２を有するマスク２０を、フォトレジスト膜が形成されたウエハ１０上に配置し、基準点から水平方向に所定距離だけ移動させた後、露光させ、次いで、露光部分又はその周囲をエッチング除去するか、あるいは、その部分に薄膜を積層することにより得られる。 - 特許庁 - The blank mask includes a light shielding film pattern formed in a region including a light shielding region on a transparent substrate and a phase inversion film formed on the exposed transparent substrate, and the phase inversion film has a phase difference of 160 to 200° relative to exposure light, and the light shielding film pattern and the phase inversion film are etched with the same etching material.
透明基板上に遮光領域を含む領域に形成された遮光膜パターンと、露出された該透明基板上に形成された位相反転膜とを持ち、位相反転膜は、露光光に対して１６０゜ないし２００゜の位相差を持ち、遮光膜パターン及び位相反転膜は、同じエッチング物質によりエッチングされることを特徴とするブランクマスク。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.
電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁 - To develop such an etching technique that an alloy material composed of a Zr-based amorphous alloy, a quasicrystal alloy, a nanocrystal alloy or a metal glass alloy to which cold forming is extremely difficult since plastic deformation is extremely little such as a ribbon material and a thin sheet material is worked produce a product with an optional shape such as a worked component with a microstructure or the like imparted.
塑性変形が非常に少ないので、冷間成形加工が非常に困難であるZr基非晶質、準結晶、ナノ結晶、金属ガラス合金からなる合金材、例えば、リボン材や薄板材を加工して、任意の形状の製品、例えば、微細構造など付与された加工部品などを製造するエッチング技術の開発が求められている。 - 特許庁 - Thereafter, a sidewall insulating layer is formed on a sidewall located on an inner side of a first gate etched part, the residual part of the film 5 is subjected to second gate etching to bore an opening in the insulating film 5, and reverse type impurities are introduced into the channel formation impurity region 4 through the opening to form a gate impurity region.
その後は、たとえば第１のゲートエッチング箇所より内側の側壁にサイドウォール絶縁層を形成した後に、第１のゲートエッチング後に残った絶縁膜部分に対し第２のゲートエッチングを行い、絶縁膜５を開口し、この開口から逆導電型の不純物をチャネル形成不純物領域４内に導入して、ゲート不純物領域を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for cleaning deposition film forming device, by which a high-quality deposited film of, particularly, high quality electrophotographic sensitive material can be obtained stably, by efficiently removing by-products in a reaction vessel, a dry etching method, and to provide a method of manufacturing article including a step of executing either of the methods.
反応容器内の副生成物を効率的に除去することができ、高品質の堆積膜、特に高品質の電子写真感光体を安定して得ることが可能な堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this method for manufacturing the high-purity W sputtering target, high-purity W powder is pressed and sintered and the resultant sintered compact is machined into target shape and is then subjected to grinding consisting of at least either of rotary grinding and polishing and further to polishing consisting of at least either of etching and inverse sputtering to undergo finishing.
また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁 - The thin-film transistor 100 includes, as indicated in Fig.1, a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114, an etching stopper film 115, heavily doped amorphous silicon layers 116 and 117, a drain electrode 118, a source electrode 119, and lightly doped semiconductor layers 120 and 121.
薄膜トランジスタ１００は、図１に示すように、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、半導体層（チャンネル領域）１１４と、エッチングストッパ膜１１５と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１６，１１７と、ドレイン電極１１８と、ソース電極１１９と、低濃度不純物含有半導体層１２０，１２１を備える。 - 特許庁 - A plug electrode across from a substrate 1 to a top surface of a third interlayer insulating layer 9 is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, which are connected to each other; and the first interlayer insulating film 3 is used as an etching stopper layer, and the alignment mark 15 is formed on the first interlayer insulating layer 3.
基板１から第３層間絶縁層９の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とを繋ぐと共に、第１層間絶縁層３をエッチングストッパ層として使用し、第１層間絶縁層３上に合わせマーク１５を形成する。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for practical use, has weatherability, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming a zinc oxide-based transparent conductive film.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - A cavity plate 15 forming an ink jet head 30 comprises a clad material 16 integrating a first layer 15a and a second layer 15b of different material, and a manifold plate 15c stacked vertically wherein a pressure chamber 18 is formed in the first layer 15a and interconnecting holes 34 and 35 are formed in the second layer 15b, respectively, by etching.
インクジェットヘッド３０を形成するキャビティプレート１５は、異なる材料の第１の層１５ａと第２の層１５ｂとが一体となったクラッド材１６と、マニホールドプレート１５ｃとが上下に積層されて構成されており、第１の層１５ａには圧力室１８が、第２の層１５ｂには連通孔３４，３５がそれぞれエッチングによって形成されている。 - 特許庁 - To provide a stainless steel resin laminate which can do the precision processing of stainless steel by preventing pitting corrosion of stainless steel foil in an aqueous solution containing halogen anions represented by hydrochloric acid treatment in consideration of the fact that in a stainless steel laminate, when the stainless steel foil is etched, it is indispensable to secure adhesion strength of an etching resist and the stainless steel foil.
ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a resist underlay film, the composition having excellent storage stability and giving a cured film as a resist underlay film that has high adhesiveness to a resist coating, an excellent etching selection ratio with respect to the resist coating film and to a substrate to be processed, low reflectance and the like, and thereby, exhibits excellent pattern forming property.
保存安定性に優れるとともに、レジスト下層膜としての硬化膜がレジスト被膜との高い密着性、レジスト被膜及び被加工基板に対する優れたエッチング選択比並びに低反射性等を備えることで、優れたパターン形成性を発揮することができるレジスト下層膜形成用組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a film forming composition for nanoimprint, a photosensitive resist and a nanostructure excellent in etching durability to oxygen gas, preventing a transfer pattern from peeling, solving a problem about a retention time on a substrate and having excellent transferring property, to provide a pattern forming method using the composition or the like, and to provide a program to carry out the pattern forming method.
酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。 - 特許庁 - To improve throughput in a thin display panel manufacturing process while reducing manufacturing cost of a glass sheet, and to reduce heat shrinkage of the glass sheet in a p-Si TFT manufacturing process, by inventing an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), ensures a fast etching rate for a hydrofluoric acid-based chemical solution, and has a high strain point.
生産性（特に耐失透性）に優れると共に、フッ酸系薬液に対するエッチングレートが速く、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、薄型のディスプレイパネルの製造工程において、スループットを向上させ、更にｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。 - 特許庁 - In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.
基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁 - There are formed on an n-GaAs substrate 101 a multiple distortion quantum well active layer 106, a second conductivity type semiconductor layer group (p-AlGaAs first upper cladding layer 108, p-AlGaAs second upper cladding layer 109, p-GaAs etching stop layer 110, p-AlGaAs third upper cladding layer 111, p-GaAs contact layer 112, and p^+-GaAs contact layer 113).
ｎ-ＧaＡs基板１０１上に、多重歪量子井戸活性層１０６と第２導電型の半導体層群(ｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８,ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９,ｐ-ＧaＡsエッチングストップ層１１０,ｐ-ＡlＧaＡs第３上クラッド層１１１,ｐ-ＧaＡsコンタクト層１１２およびｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３)を形成する。 - 特許庁 - In a method of forming storage electrodes of a semiconductor device and also a method of forming a semiconductor, the composition and vapor-deposition conditions of each of a bit line hard mask nitride film and a bit line nitride film spacer are varied so that the two nitride films are formed to have different compositions and also to have different etching ratios.
本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、ビットラインハードマスク窒化膜と窒化膜スペーサそれぞれの成分と蒸着条件を変化させることにより、前記２つの窒化膜の組成が異なるよう形成され互いに異なる食刻比率を有するようにする半導体素子の形成方法に関するものである。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.
ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁 - One part in the medium facing surface and the other part are formed of the plurality of conductive materials different from each other, so that the medium facing surface different in height of both parts is easily formed by a surface removal process by polishing, etching, or the like from the medium facing surface side on the basis of the difference in the materials.
媒体対向面の内の一の部分と他の部分とが互いに異なる複数の導電材料から形成されているので、このような媒体対向面は、媒体対向面側から研磨やエッチング等による表面除去工程により、一の部分と他の部分との高さの差が材料の違いに基づいて容易に形成される。 - 特許庁 - To provide a multilayered laminated body in which substrate internal stress is relaxed, thereby alleviating the warp after circuit forming and improving the product yield by suppressing a resin from releasing its stress through contraction after removing a copper foil of an outermost layer etching or the like, in a circuit forming process, and a resin which has lost the support of the copper foil.
回路形成工程において、最外層の銅箔がエッチング等により除去され、銅箔の支えを失った樹脂が収縮することにより応力を開放しようとするのを抑制する、すなわち基板内部応力を緩和することで、回路成形後の反りを軽減し、製品歩留まりを向上できる多層積層体を提供する。 - 特許庁 - To provide a spot resist film peeling machine which can continuously perform etching added to a quartz substrate 1 and peel a resist film pattern 3' of only a pattern for phase difference measurement without repeating the formation of a resist film, electron beam drawing, and development when it becomes evident that the depth of a shifter is insufficient when a Revenson type phase shift mask 60 is manufactured.
レベンソン型位相シフトマスク６０の製造において、シフターの深さが不足していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続して行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜機を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.
シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk by which etching by washing does not give influence on the smoothness of a final glass substrate principal surface after a second polishing (mirror-surface polishing) step while an abrasive used in a first polishing (coarsely polishing) step and consisting essentially of a rare earth oxide is effectively removed by washing.
第１の研磨（粗研磨）工程にて使用した、希土類酸化物を主成分とする研磨材を、洗浄によって効果的に除去しつつ、洗浄によるエッチングが、第２の研磨（鏡面研磨）工程後の最終的なガラス基板主表面の平滑性にも影響を与えない磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The disclosure is directed to a method for forming nanostructures on a substrate including silicon comprising the steps of: (a) depositing a layer of transition metal on the surface of the substrate; (b) annealing the layer of the transition metal to form a patterned transition metal layer; and (c) etching the substrate to form the nanostructures on the substrate surface.
本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 - 特許庁 - The photoresist composition is effectively used for lithography using a light source of a far- ultraviolet range especially an ArF (193 nm) or VUV (157 nm) light source, because of being not only excellent in etching-resistance, thermostability and an adhesive property and capable of development with tetramethyl ammonium hydroxide(TMAH) in aqueous solution but also low in absorbance at 193 nm and 157 nm.
該フォトレジスト組成物はエッチング耐性、耐熱性、及び接着性が優れ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に現像可能であるだけでなく193nm、及び157nm波長での光吸収度が低いので遠紫外線領域、特にＡｒＦ（193nm）及びＶＵＶ（157nm）光源を利用したリソグラフィー工程に非常に有効に用いることができる。 - 特許庁 - A method of manufacturing a crystal oscillator for carrying out the frequency adjustment in units of crystal wafers includes the steps of: measuring the thickness on a predetermined concentric circle of the crystal wafer; etching the thick portion thereof by a processing liquid for selectively dissolving the crystal based on the thickness measurement result; and adjusting the frequency by reducing the thickness of the thick portion.
水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。 - 特許庁 - A first electrode 107, a second electrode 108, and a third electrode 106 are provided in a vacuum treatment chamber; a semiconductor wafer W is subjected to desired etching treatment; then a switch 116 connected to the second electrode 108 is turned off; prescribed high-frequency power is applied to the first electrode 107; and plasma is generated in a vacuum vessel 101.
真空処理室内に第１電極１０７と第２電極１０８と第３電極１０６を備え、半導体ウエハＷを所望のエッチング処理を行った後、第２電極１０８に接続してあるスイッチ１１６を切断し、所定の高周波電力を第１電極１０７に印加され、真空容器１０１内にプラズマを発生させる。 - 特許庁 - For designing the above aluminum alloy, the liquid phase temperature and the solid phase temperature of the above aluminum alloys in variety are measured or calculated, the solid- liquid coexisting temperature range in which the unevenness of etching exceeding an allowable range starts to be generated is investigated, and the respective contents of the above other alloying elements are decided so as to be controlled to this temperature range.
上記アルミニウム合金を設計するにあたっては、種々の前記アルミニウム合金の液相温度と固相温度を測定するか或いは計算し、許容範囲を超えるエッチングむらが生じ始める固液共存温度範囲を調査し、この温度範囲内となる様に前記他の合金化元素の夫々の含有量を決定すればよい。 - 特許庁 - The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.
熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a semiconductor device by spin-etching a rear surface 10b of a semiconductor wafer 10 having semiconductor elements 60 formed on an active surface 10a, an angle θ is set to be an acute angle between at least part of the side surface 10c of the semiconductor wafer 10 and the rear surface 10b of the wafer 10.
本発明は、半導体素子６０が能動面１０ａに形成された半導体ウエハ１０の裏面１０ｂをスピンエッチングによりエッチングする半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の側面１０ｃの少なくとも一部と、半導体ウエハ１０の裏面１０ｂとのなす角度θを鋭角に形成することを特徴とする。 - 特許庁 - A p^+ region 4 is formed over an entire upper portion of an n-type epitaxial layer 2 by high-temperature ion implantation, and an n-type region below the p^+ region 4a is partially exposed by selectively etching the p^+ region 4a, thereby forming a p^+ semiconductor projection 4 which is protruded upward from an upper surface of the n-type region.
ｎ型のエピタキシャル層２の上部全体に高温イオン注入によってｐ^+領域４ａを形成し、当該ｐ^+領域４ａを選択的にエッチングしてｐ^+領域４ａ下のｎ型領域を部分的に露出させることにより、そのｎ型領域の上面より上方へ突出したｐ^+半導体凸部４を形成する。 - 特許庁 - To efficiently eliminate the chlorine (Cl) component by rinsing a LiTaO substrate, around electrodes after etching of which the Cl component is attached, with pure water whose insulation resistance is decreased to 0.2 MΩ or below resulting from addition of alcohol through high-speed revolution and to prevent electrostatic breakdown caused between rinse liquid and the substrate through the revolution of the substrate.
本発明は、エッチング後の電極周辺にＣｌ成分が付着したＬＴ基板をアルコールを添加して絶縁抵抗を０．２ＭΩ以下にした純水で高速回転してリンスすることにより効率よくＣｌ成分を除去するとともに、基板が回転することによってリンス液と基板との間に発生する静電破壊を防止することを目的とする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.
また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.
薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁 - When specified processing, e.g. etching, is performed using a specified processing liquid of alkaline solution, for example, onto a substrate at least the surface part of which is composed of silicon or a silicon oxide, the specified processing is performed by immersing the substrate into a processing bath filled with the processing liquid and applying a specified voltage to the substrate immersed into the processing bath.
少なくとも表面部がシリコン又はシリコン酸化物からなる基板に対して、例えばアルカリ溶液である所定の処理液を用いて例えばエッチングなどの所定の処理を行う際に、処理液が満たされた処理浴に基板を浸漬して所定の処理を行うと共に、この処理浴中に浸漬された基板に所定の電圧を印加する構成とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.
被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the optical waveguide substrate including an optical element and an optical waveguide 5 optically connected to the optical element, a composite substrate having a substrate 4 which can be etched and an etching stop member 2 provided on one face of the substrate is prepared, and a mask having a desired pattern is formed on the substrate which can be etched.
光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁
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