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電磁波、近赤外線、迷光、外光等を効果的に遮断するシールド特性に優れ、かつ黒化処理被膜の面が均一でスジむらの発生が少ないこと、エッチング性が良好であること、粉落ちによる剥離がないこと、黒化が十分である等の特性を持つプラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）用銅箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.
フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁 - A lower electrode 31 and the piezoelectric layer (PZT thin film) 32 are formed on the entire surface of one surface side of a support substrate (single-crystal MgO substrate) 1 before patterning, and an opening 4a partially exposing the piezoelectric layer 32 and an insulating layer 4 including an etching hole 5 are formed at one surface side of the support substrate 1, and then an upper electrode 33 is formed.
支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。 - 特許庁 - This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic.
エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.
半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁 - A thickness at a position of half of a silicon substrate after etching is measured, a film thickness of piezo-electric film of a piezo-electric element is decided to be adjusted so that a frequency of resonance vibration of a reflective mirror becomes a predetermined resonance frequency based on the measured thickness, and the piezo-electric element is formed so that its thickness becomes the adjusted thickness.
エッチング後のシリコン基板のハーフ部位の厚さを測定し、この測定厚さに基づき反射ミラーの共振振動による周波数を所望の共振周波数にするように圧電素子の圧電膜の膜厚を調整するように決定し、このように決定された圧電膜の調整膜厚となるように圧電素子を形成する。 - 特許庁 - The main light attenuating layer 12 includes openings A1-A4 and the main light attenuating portions M1-M3 arranged corresponding to an original pattern, the intermediate layer 14 includes spacer layers SP and height controlling layers HC, and the sub-light attenuating layer 13 includes sub-light attenuating portions S1-S4 placed on the openings A1-A4 and etching stopper layers ES between them.
主光減衰層１２は、原版パターンに対応して配置される開口部Ａ１〜Ａ４と主光減衰部Ｍ１〜Ｍ３とを含み、中間層１４は、スペーサ層ＳＰと高さ制御層ＨＣとを含み、副光減衰層１３は、開口部Ａ１〜Ａ４上に位置する副光減衰部Ｓ１〜Ｓ４と、これらの間のエッチングストッパー層ＥＳとを含む。 - 特許庁 - A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of forming (etching to cut-surface chemical conversion, carbonization process) a capacitor element having an anode body with an anode oxide film formed on its surface, impregnating an oxide reagent to the capacitor element by immerging the capacitor element in an oxide reagent solution, and then impregnating a monomer to the capacitor element by immerging the capacitor element in a monomer soluion.
表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁 - Before a silicon substrate 100 to be a foundation of the lid body 17 is bonded to the body 1, a surface opposed to the one surface of the body 1 as one of the surfaces of the silicon substrate 100 is counterbored by dry etching, whereby, a gap d is opened between a site other than a site to be the lid body 17 of the silicon substrate 100 and one surface of the body 1.
蓋体１７の基礎となるシリコン基板１００をボディ１に接合する前に、シリコン基板１００の一表面であってボディ１の一表面に対向する表面をドライエッチングで座刳ることにより、シリコン基板１００の蓋体１７となる部位以外の部位とボディ１の一表面との間に隙間ｄを空けている。 - 特許庁 - This pretreating method for a catalyzing treatment is characterized by dipping the resin base material in a glass etching solution containing a fluorine compound, and then in an oxidizing agent solution containing permanganate or chromic acid, before catalyzing the resin base material containing glass fibers or silica-based fillers with a catalyst solution containing palladium compound.
ガラス繊維やシリカ系フィラーを含有する樹脂基材をパラジウム化合物を含む触媒液で触媒化するのに先立ち、当該樹脂基材をフッ素化合物を含有するガラスエッチング処理液に浸漬し、ついで過マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処理方法。 - 特許庁 - The combined lubricative thin film or the low friction characteristic intercalation compound is formed on the uppermost surface layer by carrying out sealing by sputter etching of reverse sputtering after an anodically oxydized film is formed on the core bar surface using aluminum or the aluminum alloy material.
アルミニウム又はアルミニウム合金材料を用いた芯金表面に陽極酸化皮膜を形成した後に、逆スパッタリングのスパッタリングのスパッタエッチングにより封孔処理を施して、最表層に複合化潤滑性薄膜又は低摩擦性層間化合物をスパッタリングにより形成することを特徴とする上記加熱定着ローラの製造方法。 - 特許庁 - After forming the lower pole 1 and the upper pole 2, focused ion beam etching is applied to trim them from the sliding surface to back the depth zero line except their tips 1A, 2A made to fit the recording track in width, to manufacture this head.
また、下部磁極１及び上部磁極２を形成した後に、下部磁極１及び上部磁極２のうち所定の記録トラック幅となる部分１Ａ，２Ａを除いた部分に対して、収束イオンビームエッチングによりヘッド摺動面から磁気ギャップのデプスゼロラインよりも奥まで後退するようにトリミング処理する工程を行って、上記薄膜磁気ヘッド１０を製造する。 - 特許庁 - When a silicon oxide film 2 formed on a silicon semiconductor single-crystalline board 1, by supplying etching gas formed by adding hydrofluoric gas in hydrogen gas, water molecule is supplied from silicon oxide and the removal of the silicon oxide film 2 is started by hydrofluoric gas through the interposing of the water molecules.
水素ガス中にフッ化水素ガスを添加して形成したエッチングガスを珪素半導体単結晶基板１上に供給して該珪素半導体単結晶基板１上に形成されている珪素酸化膜２を除去する際に、酸化珪素から水分子を供給させ、該水分子の介在によりフッ化水素ガスによる珪素酸化膜２の除去を開始させる。 - 特許庁 - The mask material used in dry etching magnetic materials with mixed gas of carbon monoxide and a compound including nitrogen is characterized in consisting of a metal (either of tantalum, tungsten, zirconium, or hafnium) of which the melting point or the boiling point rises when the material changes into a nitride or a carbide.
一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガスをエッチングガスとして使用し磁性材料をドライエッチングする際のマスク用材料において、当該材料が窒化物あるいは炭化物に変化したときに融点又は沸点が上昇する金属（タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれか）からなることを特徴とするドライエッチング用マスク材によって課題を解決した。 - 特許庁 - The method for manufacturing a probe card includes steps of bonding a thermoplastic resin substrate to one surface of the probe head; forming a plurality of terminals on the other surface of the probe head; bonding a metal substrate to the thermoplastic resin substrate; and selectively etching the metal substrate to form probe chips.
プローブヘッドの一面に熱可塑性樹脂基板を接合する工程と、上記プローブヘッドの他面に複数の端子を形成する工程と、上記熱可塑性樹脂基板に金属基板を接合する工程と、上記金属基板を選択的にエッチングしてプローブチップを形成する工程と、を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this method for the piezoelectric vibrater 14, as a minute vibrating part 26 can be formed by etching which enables precise removal processing, a more compact and higher frequency piezoelectric vibrator 14 can be made compared to that made by the existing manufacturing method which forms the vibrating part 26 by grinding.
このように、この圧電体振動子１４の製造方法においては、精密な除去加工が可能なエッチング加工で微細な振動部２６を形成することができるため、研磨加工で振動部２６を形成する従来の製造方法で作製された圧電体振動子よりも小型で高周波の圧電振動子１４を作製することができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the solar cell element has steps of preparing a silicon substrate containing a first conductivity-type semiconductor impurity, performing reactive ion etching on a first surface of the silicon substrate, forming the antireflection film on the first surface of the silicon substrate, and printing and sintering silver paste on the antireflection film.
本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。 - 特許庁 - An anodized high-purity aluminum alloy material obtained by forming an anodic oxide film on the surface of the above high-purity aluminum alloy material is suitable for use as a material constituting a plasma etching system.
(1)鋳造材を５８０〜６４０℃にて３時間以上保持するアニール工程(2)アニール工程後、２００℃以下の温度にて加工率５０％〜９０％の塑性加工を行う冷間加工工程この高純度アルミニウム合金材の表面に陽極酸化皮膜が形成されてなる陽極酸化高純度アルミニウム合金材は、プラズマエッチング装置を構成する材料として好適である。 - 特許庁 - The solid electrolytic capacitor has grooves for separating an anode and a cathode formed on both surfaces of electrode foil by mechanically removing etching layers of the electrode foil, and the permeation of a resist material is improved by forming the grooves on both the surfaces plane-asymmetrically with respect to the electrode foil to securely separate the anode and the cathode.
電極箔のエッチング層を機械的に除去し、陽極部と陰極部を分離するための溝部を電極箔の両面に形成した固体電解コンデンサであって、両面の溝部は互いに電極箔に対して面非対称に設けられることでレジスト材の浸透を向上させて陽極部と陰極部との分離が確実である。 - 特許庁 - This invention includes a step of etching the object to be processed using the resist pattern as a mask, a step of irradiating the resist pattern through a photomask with light within a photosensitive wavelength region of the photosensitizer, and a step of removing the resist pattern on the object to be processed.
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.
半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁 - To provide a method for forming a metallic pattern that can form a minute metallic pattern without performing an etching process, and a metallic pattern having a high adhesion property to a substrate, little uneveness at its interface with the substrate, enough conductivity, and high insulation in a region where the metallic pattern does not exist.
エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Narrow and deep grooves are provided on the surface of a piezoelectric ceramic board 1 by dicing, the grooves are filled with metal 9 to serve as outer and inner electrodes respectively, and joints between the inner electrodes and outer electrodes are locally cut off by laser-aided etching, by which a structure that functions as a laminated piezoelectric actuator can be obtained.
圧電セラミクス基板１上にダイシング加工で形成した狭くて深い溝内部に、ニッケルの電解メッキにより外部及び内部電極となる金属９を充填し、レーザー支援エッチングにより内部電極と外部電極の接続部を局所的に切断することで、積層型圧電アクチュエータとして動作する構造を製造する。 - 特許庁 - In the method for etching a dual damascene structure employing at least one layer of Lowk film and at least one layer of hard mask, at lest one dummy layer which is not left finally in the structure is formed on the hard mask in order to prevent shoulder dropping.
少なくとも１層以上のＬｏｗＫ膜と少なくとも１層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって，肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に，最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも１層以上形成することを特徴とする，デュアルダマシン構造のエッチング方法を提供する。 - 特許庁 - The etching pattern displaying information is easily formed with a prescribed shape and size controlled using a process for performing heating and dissolution by the electron beams 30 generated from the microchip 50, to which a prescribed voltage is applied without applying a mechanical strong force like that in the conventional one by applying negative bias to the microchip 50.
マイクロチップ５０に負のバイアスを印加することにより、従来のように機械的な強い力を加えずに、所定電圧を印加したマイクロチップ５０から発生された電子ビーム３０による加熱及び溶解を実行する方式を用いて、情報を表すエッチングパターンを所望の形状と大きさに制御して形成することが容易となる。 - 特許庁 - To provide a lactone copolymer resin which is highly transparent to radiation, can solve the problem on how to take a trade-off between resolution and exposure latitude and is suitable as a resin component in a chemical amplification resist to provide the resist with excellent dry etching resistance and pattern figure; and a radiation-sensitive resin composition containing the lactone copolymer resin.
放射線に対する透明性が高く、特に解像度と露光余裕とのトレードオフの問題を解決でき、しかもドライエッチング耐性、パターン形状等にも優れた化学増幅型レジストの樹脂成分として好適なラクトン系共重合樹脂、および当該ラクトン系共重合樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are successively deposited on a silicon substrate 1 through an insulating film 2, and an upper electrode 5 is patterned by successively etching the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 while using a mask 103.
シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment apparatus that can improve a uniformity of a thin film by etching a resist film uniformly or improve a uniformity of the other plasma treatments, when the thin film being a treated object is etched by using a predetermined pattern through the resist film or the other plasma treatment are applied.
例えば石英製のシールドリングを備えたプラズマ処理装置の場合には、フルオロカーボンガス（Ｃ_ｘＦ_ｙ）を用いてウエハＷのシリコン酸化膜にレジスト膜を介して所定のパターンに即したエッチング処理を行うと、図８に示すようにウエハＷの外周縁部でのレジスト膜のエッチングレートがその内側よりも上昇し、レジスト膜のエッチングレートが不均一になる。 - 特許庁 - The mold 6 for producing the member with the protrusion is used for producing the micro lens substrate having numbers of micro lenses as convex lenses with convex surfaces, is formed in the shape of a roll, and has a recess 61 which is formed by etching using a mask in a shape corresponding to the micro lens on its peripheral surface.
本発明の凸部付き部材製造用成形型６は、凸曲面を備えた凸レンズとしてのマイクロレンズを多数個有するマイクロレンズ基板の製造に用いる成形型であって、ロール形状をなすものであり、その周面に、マスクを用いたエッチングにより形成され、かつ、前記マイクロレンズに対応する形状の凹部６１を有することを特徴とする。 - 特許庁 - After sequentially forming planarized film layers 58-1a and inorganic film layers 58-2a to form a photosensitive film pattern, a contact hole or a via hole 59a which connects one of source/drain electrodes 57 and a pixel electrode 60a is formed by performing etching on an inorganic film layer 58-2a.
薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極５７上部に基板全面にかけて有機平坦化膜層５８−１ａ及び無機膜層５８−２ａを次々と形成して、感光膜パターン形成後無機膜層５８−２ａ上にエッチングを行いソース／ドレイン電極５７のうち一つと画素電極６０ａを連結するコンタクトホールまたはビアホール５９ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element in which the problem of etching residue happening at formation of the element is solved and the defects such as coverage failure and short circuit are reduced, and reliability can be greatly improved in the light-emitting element having a structure of improved numerical aperture and improved extraction efficiency of light, and its manufacturing method.
開口率を向上させ、光の取り出し効率を改善させる構成を有する発光素子において、当該素子を形成する際に起こるエッチング残渣の問題を解決しカバレッジ不良やショートなどによる不具合を低減させ、信頼性を大幅に改善することが可能である発光素子及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - It becomes easy to form the etching pattern representing information in a desired shape and size under control by imposing a negative bias to the micro chip 50 and using heat up and melt by the electron beam 30 generated from the micro chip 50 with imposed by the prescribed voltage without applying strong mechanical force like in a conventional way.
マイクロチップ５０に負のバイアスを印加することにより、従来のように機械的な強い力を加えずに、所定電圧を印加したマイクロチップ５０から発生された電子ビーム３０による加熱及び溶解を実行する方式を用いて、情報を表すエッチングパターンを所望の形状と大きさに制御して形成することが容易となる。 - 特許庁 - An element isolation region is formed in a boundary of the element isolation region by forming a dielectric pattern locally in a boundary of an element region and carrying out etching using the dielectric pattern as a mask, and thereafter a semiconductor film is formed in an element region adjacent to the element isolation region by selective growth using the dielectric pattern as a mask.
誘電体パターンを素子領域の境界部に局所的に形成し、前記誘電体パターンをマスクにエッチングを行うことで素子分離領域を前記素子領域の境界部に形成し、その後、前記素子分離領域に隣接する素子領域に半導体膜の成膜を、前記誘電体パターンをマスクとした選択成長によりに実行する。 - 特許庁 - The field is formed of each magnet in a direction toward the inside of a housing or the field is formed of each magnet in a direction toward the outside of the housing so that the power for generating the plasma is fed to the pulse, and thereby an etching rate at a central region or an edge region of the wafer can be increased selectively.
又、磁界が各々の磁石からハウジングの内側に向かう方向に形成されるようにしたり、各々の磁石からハウジングの外側に向かう方向に形成されるようにし、プラズマを発生させるための電力をパルスに供給することによってウェハー中央領域又は、ウェハーエッジ領域のエッチング率を選択的に向上させる。 - 特許庁 - Further, while using the patterned photo resist 14 as a mask, the reflection prevention film 13 and polymer layer 12 are etched under such a condition that the etching speed of the polymer layer 12 is higher than that of the reflection prevention film 13 and more higher than that of the semiconductor substrate 11, so that a mask for processing the semiconductor substrate 11 is formed.
続いて、パターニングされたフォトレジスト１４をマスクとして、ポリマー層１２のエッチング速度が反射防止膜１３のエッチング速度よりも速く、半導体基板１１のエッチング速度よりもさらに速くなる条件で、反射防止膜１３及びポリマー層１２をエッチングし、半導体基板１１に処理を施す際のマスクを形成する。 - 特許庁 - To provide a method for roughening the copper surface and a printed wiring board and its producing method dealing with fine pitch of via hole, thinning of copper plating and multilayered surface layer printed wiring board in which thinning of a wiring line due to etching is minimized while keeping adhesion between the surface of copper wiring and an overlying insulation layer.
プリント配線板において、銅配線表面とその上の絶縁層との密着性を保持しつつ、配線ラインのエッチングによる細りを最小限に抑えた、バイアホールの狭ピッチ化、銅めっき厚の薄層化、表層プリント配線基板の多層化に対応する銅表面の粗化方法およびプリント配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A metal layer 18 for sealing and a metal layer 19 for electrical connection are formed on a surface insulating film 16 by etching back a part formed at a region E3 for junction in a multilayer insulating film, comprising a surface insulating film 16 and a multilayer structure section 41 formed at the side of the main surface of an SOI semiconductor substrate 10.
半導体基板であるＳＯＩ基板１０の主表面側に形成された表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる多層絶縁膜のうち接合用領域部Ｅ３に形成されている部位をエッチバックし、表面絶縁膜１６上に封止用金属層１８および電気接続用金属層１９を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.
ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent a short line occurring when a SiN film cannot be made to open completely by via etching having improved sticking force, by using a Ta/TaN film instead of the SiN film as a capping film, and to provide a method for fabricating a copper interconnect which can eliminate increasing elements of a dielectric constant.
本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのことで、 SiN膜代わりにTa/TaN膜をキャッピング膜で使うことで、付着力が向上してビア蝕刻でSiN膜をまったくオープンさせることができなくて発生する短線を防止する事だけではなく、誘電定数の増加要素を無くすことができる銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁 - This cleaning liquid is for cleaning iodine and the iodine compound that remain in the semiconductor device, having the gold electrode or the gold wiring formed by the iodine based etching liquid, and the cleaning liquid is an aqueous solution containing thiosulfate; and this cleaning method uses the cleaning liquid, and the semiconductor device is cleaned by this cleaning method.
ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 - 特許庁 - A high frequency power pulse compressor for compressing pulses converted from a high frequency power waveform in high frequency discharge, a plasma generator for generating a plasma using a high frequency power pulse-compressed by the pulse compressor, and a discharge electrode for etching with the plasma generated by the plasma generator.
高周波放電における高周波電力波形をパルス化し、そのパルスを圧縮する高周波電力パルス圧縮部と、前記高周波電力パルス圧縮部でパルス圧縮された高周波電力を用いてプラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部で生成されたプラズマによりエッチングする放電電極部とを備える。 - 特許庁 - In the method for evaluating the carrier density of a wafer containing a compound semiconductor surface layer containing In by utilizing a C-V method, a liquid electrode is brought into contact with the surface of the wafer, and an applied voltage up to a voltage exceeding 10 V is utilized for non-destructively evaluating the carrier density without utilizing optical etching.
Ｉｎを含む化合物半導体表面層を含むウエハのキャリヤ密度をＣ−Ｖ法を利用して評価する方法は、そのウエハの表面に液体電極を接触させて、光エッチングを利用することなく１０Ｖを超える電圧までの印加電圧を利用して非破壊的にキャリヤ密度を評価することを特徴としている。 - 特許庁 - In the capacitor layer forming material having a dielectric layer 4 between an upper electrode formation layer 2 and a lower electrode formation layer 3, the upper electrode formation layer 2 adopts a capacitor layer forming material 1 for a printed wiring board which is a composite layer of a metal layer 2a and a conductive etching resist layer 2b.
上記課題を解決するため、上部電極形成層２と下部電極形成層３との間に誘電層４を備えるキャパシタ層形成材において、当該上部電極形成層２は、金属層２ａと導電性エッチングレジスト層２ｂとの複合層であることを特徴とするプリント配線板用キャパシタ層形成材１を採用する。 - 特許庁 - In the shape processing step, an etching-resistant film is stuck on the surface of the glass substrate, and laser processing or machining is applied to the film, to thereby remove the film in a region to be etched on the surface of the glass substrate, and to expose the glass, and then the exposed glass surface is etched, to thereby obtain the shape of the cover glass.
この形状加工工程は、ガラス基板の表面に耐エッチング性を有するフィルムを貼着し、当該フィルムに対してレーザ加工または機械加工を施すことにより、ガラス基板の表面のうちエッチングされるべき領域のフィルムを除去してガラスを露出させ、露出したガラスの表面に対してエッチングを行うことで、カバーガラスの形状とする。 - 特許庁 - An outer peripheral edge shape of the outside opening 45 has a size in a first direction along the moving direction of the etching nozzle and a size in a second direction orthogonal to the moving direction, the size in the first direction being varied to correspond to a processing profile as a difference between a sectional profile before the processing on the workpiece and a target sectional profile.
外側開口４５の外周縁形状は、エッチングノズルの移動方向に沿った第１方向の寸法と該移動方向に直交する第２方向の寸法とを有し、第１方向の寸法を第２方向に沿って、被加工物の加工前における断面プロファイルと目的の断面プロファイルとの差である加工プロファイルに対応するように変化させる。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.
特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - The active matrix substrate (100) includes first wiring (124), an insulating layer (130) covering the first wiring (124), a semiconductor layer (140) provided on the insulating layer (130) and overlapped with the first wiring (124), an etching stopper layer (142) provided on the semiconductor layer (140), and second wiring (154) crossing the semiconductor layer (140).
本発明によるアクティブマトリクス基板（１００）は、第１配線（１２４）と、第１配線（１２４）を覆う絶縁層（１３０）と、絶縁層（１３０）上に設けられ、第１配線（１２４）と重なる半導体層（１４０）と、半導体層（１４０）上に設けられたエッチストッパ層（１４２）と、半導体層（１４０）と交差する第２配線（１５４）とを備える。 - 特許庁 - A step of forming a device (TFT layer 12) on a substrate 11 includes a step (S11) of forming a thin film, a step (S12) of forming a photoresist film on the thin film, a step (S13) of exposing the photoresist film using an exposure mask M1, and a step (S15) of etching the exposed photoresist film.
基板１１上にデバイス（ＴＦＴ層１２）を形成する工程は、薄膜を形成する工程（工程Ｓ１１）と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程（工程Ｓ１２）と、露光マスクＭ１を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程（工程Ｓ１３）と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程（工程Ｓ１５）とを含んでいる。 - 特許庁 - A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.
本発明のポリシリコン膜１０８を含む多層導電膜の形成方法は、Ｃ、Ｓ、そしてＦ成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜１０８の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜１０８より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - Trench etching by ICP discharge is carried out to an ink nozzle formation part 220, an ink supply port formation part 230 and a filter hole formation part 270 of a silicon wafer 100 for forming a nozzle plate of the ink jet head, whereby a groove 221 for an ink nozzle, a groove 231 for an ink supply port and many fine blind holes 271 for filter holes are formed.
インクジェットヘッドのノズルプレート形成用のシリコンウエハ１００におけるインクノズル形成部分２２０、インク供給口形成部分２３０およびフィルタ孔形成部分２７０に、ＩＣＰ放電によるトレンチエッチングを施して、インクノズル用の溝２２１、インク供給口用の溝２３１およびフィルタ孔用の多数の微細な盲孔２７１を形成する。 - 特許庁
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