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＜前へ 1 2 .... 383 384 385 386 387 388 389 390 391 .... 399 400 次へ＞- The additive for suppressing side etching contains one or more kinds selected from the group consisting of heterocyclic compounds having a carbonyl group or a carboxy group, glycols having a triple bond or compounds obtained by adding ethylene oxide to the active hydrogen of glycols having a triple bond, alkylsarcosines or the alkali metal salts of alkylsarcosines and the anhydrides of aromatic carboxylic acid.
カルボニル基またはカルボキシル基を有する複素環式化合物、三重結合を有するグリコール類または三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコシンまたはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および芳香族カルボン酸の無水物から成る群より選択される１種または２種以上を含む。 - 特許庁 - This pretreatment method for the magnesium alloy member comprises contacting the magnesium alloy member with a metal powder, heating the metal powder and the magnesium alloy member contacted with the metal powder, and etching the surface of the magnesium alloy member by the solid state diffusion of magnesium in the magnesium member contacted with the metal powder into the metal powder.
マグネシウム合金部材の前処理方法は、マグネシウム合金部材を金属粉末と接触させ、金属粉末とこの金属粉末に接触したマグネシウム合金部材とを加熱し、金属粉末と接触したマグネシウム部材のマグネシウムを金属粉末へ固体拡散することによって、マグネシウム合金部材の表面をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁 - The method has a process for making a region, which becomes the channel of a single-crystal silicon layer of a semiconductor substrate where the single-crystal silicon layer is formed in a surface thereof thinner than other regions, a process for introducing vacant lattice defects into the single-crystal silicon layer and a process for etching the surface of the single-crystal silicon layer chemically.
表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - Also, a first core waveguide 43 with a metallic film 50 placed on is covered by a first clad layer film 44, since the metallic film 50 on the first core waveguide 43 is removed by etching after the first clad layer film 44 is removed and flattened by a CMP method to form a first clad layer 51, the first core waveguide 43 is never damaged.
また、第１コア導波路４３の上に金属膜５０を付けたまま第１クラッド層用膜４４で覆い、ＣＭＰ法により第１クラッド層用膜４４を除去、平坦化して第１クラッド層５１を形成した後で第１コア導波路４３上の金属膜５０をエッチングにより除去するので、第１コア導波路４３にダメージを与えることがない。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium, the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium is obtained by selectively using a virtually flat portion other than a polished edge portion 2 out of a glass substrate 1 after the surface is mirror polished, and by form-processing the glass substrate 1 by chemical etching.
円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、表面を鏡面研磨した後のガラス基材１のうち、研磨端部２以外の実質的に平坦な部分を選択的に用いて、ガラス基材１を化学エッチングにより形状加工して、円環状の磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition suitable for use under an exposure light source of ≤250 nm, particularly F_2 excimer laser light (157 nm), and to specifically provide a positive resist composition exhibiting satisfactory transmittance when a light source of 157 nm is used, having high dry etching resistance, and excellent in line edge roughness and image forming properties.
２５０ｎｍ以下、特にＦ_2エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、耐ドライエッチング性が高く、ラインエッジラフネス特性に優れ、画像形成性の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - An optical fiber is constituted by successively providing a first core layer 31 propagating light of a single mode, a first clad layer 32 propagating light of a multimode, a first support layer 34 for forming a slope, and a second support layer 35, and sharpened at its one end by chemical etching to be changed to a multistage inclined surface.
単一モードの光を伝搬する第１のコア層３１、多モードの光を伝搬する第１のクラッド層３２、第２のクラッド層３３、上記傾斜面を形成するための第１のサポート層３４及び第２のサポート層３５が順次設けられてなり化学エッチングにより一端が先鋭化されて多段階の傾斜面に変化される。 - 特許庁 - Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching.
ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板の表面上に発光（活性）層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたＰ電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたＮ電極とを備える。 - 特許庁 - To solve the problems relating to a yield and reliability caused by the cracks of a glass substrate or the like due to the exposure of the entire cutting area during dicing, in a method of manufacturing a semiconductor device, which has a process of bonding the glass substrate on the first surface of a semiconductor substrate, and etching the semiconductor substrate from the second surface of the semiconductor substrate.
半導体基板の第１の面上にガラス基板を接着して、当該半導体基板の第２の面から当該半導体基板をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシング時の切断領域全体を露出することによるガラス基板等のクラック等に基づく歩留上、信頼性上の問題の解決を図る。 - 特許庁 - For forming a light transmission path with SiO2, a mask such as resist pattern is formed on the substrate 1, a well in semicircular form is formed by etching the substrate 1 using the mask, SiO2 exhibiting flowability is grown in the shape of the cross section of a round using the mask through a liquid phase CVD method, and SiO2 is solidified.
ＳｉＯ_2 で光伝送路を形成するには、基板上にレジストパターンなどのマスクを形成し、このマスクを用いて基板をエッチングすることにより半円形の溝を形成し、このマスクを用いて液相ＣＶＤ法により溝の部分に流動性を有するＳｉＯ_2 を円形の断面形状に成長させた後、このＳｉＯ_2 を固化させる。 - 特許庁 - The semiconductor pressure sensor 1 is constituted of a first semiconductor substrate 2 which has a recess 21 formed by etching in the surface, and of a second semiconductor substrate 3 which is stuck on the surface of the first semiconductor substrate 2 and of which the portion corresponding to the recess 21 of the first semiconductor substrate 2 is made the thin film functioning as a diaphragm part 31.
半導体圧力センサ１が、エッチングによって形成された凹部２１を表面に有する第１半導体基板２と、この第１半導体基板２の表面に貼り合わせられ、当該第１半導体基板２の凹部２１に対応する部分がダイヤフラム部３１として機能する薄膜化された第２半導体基板３とで構成されている。 - 特許庁 - In a failure inspection after each processing process such as film forming or etching or the like, when wafers of a set consisting of a plurality sheets of wafer are inspected, by changing the inspected wafer every for the set, failures generated in a specified wafer and failures generated irregularly are detected easily and early, and feedback to each processing process is facilitated.
成膜やエッチングなどの各加工処理工程の後の不良検査において、複数枚でセットのウエハを検査する際に、セット毎に検査するウエハを変更することで、特定のウエハに生じやすい不良および不規則に生じる不良を簡便かつ早期に検出することができ、各加工処理工程へのフィードバックを容易にすることができる。 - 特許庁 - A method of manufacturing the ferroelectric capacitor according to this invention comprises the steps of: forming a platinum film, an electrode material, on the whole surface of a silicon substrate; forming facing electrodes which are a pair of capacitor electrodes obtained by collectively etching the platinum film; and embedding the ferroelectric film, a dielectric film of the capacitor, into a portion pinched between a pair of the facing electrodes.
本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、シリコン基板上の全面に電極材料となる白金膜を形成し、白金膜を一括エッチングして一対のキャパシタ電極となる対向電極を形成し、キャパシタの誘電体膜である強誘電体膜を一対の対向電極の間の挟まれる部分に埋め込むようにしたものである。 - 特許庁 - Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.
窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since a plurality of the V grooves 13 are formed on the upper cap layer 9 of the current diffusion layer 7 and the current diffusion layer 7 is chemically etched with the groove base 15 of the V grooves 13 of the cap layer 9 as the starting point, the starting point of chemical etching of the current diffusion layer 7 can be made very long and slender.
本発明によれば、まず電流拡散層７の上層であるキャップ層９にストライプ状の複数のＶ溝１３を形成し、キャップ層９のＶ溝１３の溝底１５を起点に電流拡散層７を化学的エッチングしているため、電流拡散層７の化学的エッチングの起点を非常に細長くすることができる。 - 特許庁 - Production of plasma in a region other than the peripheral portion of the substrate is prevented by the shielding portion and the substrate supporting portion, particles and a thin film can be removed from the end region of the substrate by producing high density plasma using induction coupled plasma discharge, and etching rate can be enhanced at the end of the substrate by induction coupled plasma discharge.
これにより、遮蔽部と基板支持部により基板の周縁部を除く領域でのプラズマ生成を防ぎ、誘導結合型プラズマ放電を用いて高密度のプラズマを生じさせて、基板の端部領域のパーチクル及び薄膜を除去することができ、誘導結合型プラズマ放電により基板の端部のエッチング率を高めることができる。 - 特許庁 - In order to prevent dust occurrence from a peripheral end of the wafer, a semiconductor film 4 is formed in an integrated circuit pattern area on a front surface by removing at least the whole rear surface and the peripheral end of the formed semiconductor film 4 with a chemical to an insulating film 3 under the semiconductor film 4 by a high etching rate, in the semiconductor device 100.
ウエハの周端部からの発塵を防止するために、成膜された半導体膜４における少なくとも裏面全面および周端部を薬液によりその下の絶縁膜３に対して高エッチングレートで除去して表面の集積回路パターン領域に半導体膜４を形成した半導体装置１００を実現する。 - 特許庁 - The electric circuit board on which a circuit is provided by etching a metal foil but components, such as a semiconductor chip or the like, are not soldered yet, wherein a water absorption barrier layer is provided on at least a surface of the outermost portion of the electric circuit board and/or inside the metal foil circuit formed at the outermost portion.
金属箔がエッチングにより回路加工されているが、未だ半導体チップ等の部品がハンダ付けされていない電気回路基板において、該電気回路基板の最外の少なくとも一面及び／又は最外に形成されている金属箔回路の内側に吸水バリア層が設けられていることを特徴とする電気回路基板。 - 特許庁 - Through the use of an SOI wafer prepared by pasting the silicon wafers to each other, the structure which is durable, hardly destroyed by physical forces, and capable of offsetting the stress of a silicon thermal oxidation film without using a silicon nitride film formed by a CVD method, etc., is executed by partially removing the upper and lower silicon wafers by etching.
本発明ではシリコンウェハーを張り合わせて作製されたＳＯＩウェハーを利用して、丈夫で物理力で破壊されにくく、かつ、ＣＶＤ法などで形成されるシリコンチッ化膜を用いないでシリコン熱酸化膜の応力を相殺する事ができる構造を、上下のシリコンウェハーを部分的にエッチングで除去することにより実施した。 - 特許庁 - This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.
本発明は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｍｍｏｎｉｕｍ−Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁 - Alternatively, the method includes a step of irradiating the resist pattern with light in the photosensitive wavelength region of the photosensitive agent through a photomask, a step of etching the material worked by using the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern formed on the material.
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The manufacturing equipment 40 for the metal master is equipped with an immersion tank 44 for immersing an intermediate material 10 of the metal master for making the stamper masked except for an annular region 16 by housing the intermediate material 10 therein and storing an etchant capable of etching the intermediate material 10 and an air feeding means 46 for discharging bubbles and stirring the etchant of the immersion tank 44.
メタルマスタの製造装置４０は、環状領域１６を除いてマスキングされたスタンパ作製用メタルマスタの中間材１０を収容し、且つ、中間材１０を腐食可能であるエッチング液を貯留して中間材１０を浸漬するための浸漬槽４４と、浸漬槽４４のエッチング液に気泡を吐出して攪拌するための給気手段４６と、を備える。 - 特許庁 - The glass substrate 21 is reused by adhering, thereto, the rear surface of a thick wafer 6 forming a front surface structure 5 via a bonding tape 24 formed of a UV tape 22 and a formed tape 23 after reduction of the thickness with the back-grind and wet etching, and thereafter by preventing crack of wafer and contamination of wafer and manufacturing apparatus through formation of a rear surface structure 15.
表面構造５を形成した厚いウェハ６の裏面をバックグラインドとウェットエッチングで厚さを減らした後で、ガラス基板２１にＵＶテープ２２と発泡テープ２３で構成される接着テープ２４を介して貼り付け、その後、裏面構造１５を形成することで、ウェハ割れを防止し、ウェハや製造装置のコンタミネーションを防止し、ガラス基板を再利用する。 - 特許庁 - This method of manufacturing the slit which forms an electron beam in a desired shape is provided with a cavity-forming step in which a cavity is formed in the substrate surface, and a through-hole-forming step in which a through hole smaller than the bottom face of the cavity is formed in the bottom face of the cavity with an anisotropic wet etching from the backside of the substrate.
電子ビームを所望の形状に成形するスリットを製造するスリット製造方法であって、基板の表面に溝部を形成する溝部形成段階と、基板の裏面から、溝部の底面に、溝部の底面の大きさより小さい貫通孔を、異方性ウェットエッチングにより形成する貫通孔形成段階とを備える。 - 特許庁 - A manufacturing method of the semiconductor pressure sensor forms on a sacrificial layer 16 a lamination structure which includes a polysilicon diaphragm 6, a polysilicon gauge resistance 4b formed on a space 13 side to be a vacuum chamber below the diaphragm, and a group of insulator films 3, 5, 7 having an etching liquid introduction hole 15 that incorporates the diaphragm and resistance and are in contact with the sacrificial layer 16.
半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。 - 特許庁 - Then a high-dielectric layer 22, a capacitor upper electrode 24 and a dielectric layer 25 such as TEOS are layered, etching is carried out up to the polysilicon plug 12 leaving platinum conductors 20 to form an opening 32, a liner film 28 is formed, a conductive contact 30 is formed being insulated from the upper electrode 24, and the upper part is filled with TEOS 32 or the like.
次いで高誘電層２２、キャパシタ上部電極２４、ＴＥＯＳなどの誘電層２５を積層した後、白金導電体２０を残してポリシリコンプラグ１２までエッチして開口部３２を穿ち、ライナー２８を成膜して上部電極２４と絶縁した形で導電コンタクト３０を成形して上部をＴＥＯＳなどて充填３２する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the probe, a recess exposed by a sacrifice layer is formed with a resist on the sacrifice layer on the pedestal, after a probe material is accumulated in the recess to form the probe, the resist is removed, the sacrifice layer is removed by performing etching treatment and leaving part thereof, and the probe held on the pedestal by the remaining part includes being peeled from the pedestal.
基台上の犠牲層の上に該犠牲層が露出する凹所をレジストで形成し、該凹所にプローブ材料を堆積してプローブを形成した後、レジストを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層をその一部を残して除去し、その残部で基台上に保持されたプローブを基台上から剥離することを含むプローブの製造方法。 - 特許庁 - In each interval among the etching solution vessel 1, the washing treatment vessel 4 and the dipping treatment vessel 5, a conveying device 7 moved by holding the bucket 1 holding the aluminum honeycomb core W so as to be ascendable/descendable and movable, is set and this conveying device 7 is fitted with a clamping means 10 for holding the bucket 3 ascended/descended along a guide rail 9.
エッチング溶液槽１と洗浄処理槽４とデップ処理槽５との間には、アルミハニカムコアＷを収容した前記バケット３を保持して移送する昇降、かつ移動可能な搬送装置７が設置され、この搬送装置７は、ガイドレール９に沿って昇降するバケット３を保持するクランプ手段１０が取付けられている。 - 特許庁 - The field electron emitting element is manufactured by forming a cathode electrode 5, an insulation layer 6 and a gate electrode 7 on a substrate 4, forming the carbon film 8 on whole surface, forming a resist film 24, exposing and developing the resist film 24 in a prescribed pattern by using a mask, etching the carbon film 8 by using the resist film 24, and by removing the resist film 24.
基板４上にカソード電極５、絶縁層６およびゲート電極７を形成し、炭素膜８を全面に形成し、レジスト膜２４を形成し、マスク２５を用いてレジスト膜２４を所定のパターンに露光、現像し、現像後のレジスト膜２４をマスクとして炭素膜８をエッチングし、レジスト膜２４を除去して電界電子放出素子を製造している。 - 特許庁 - On one side of metallic foil 2, resist layers 3a composed of ultraviolet-curing type resist ink consisting essentially of an acrylic monomer having at least one carboxylic group in the molecules and an alkali soluble resin is formed at prescribed patterns, and, the whole face of the opposite side is provided with similar resist layers 3b to form a metallic foil laminated body 1 for etching.
金属箔２の一面に、分子中に少くとも１個のカルボキシル基を持つアクリルモノマーおよびアルカリ可溶性樹脂を主成分とする紫外線硬化型レジストインキから成るレジスト層３ａを所定のパターンで形成し、反対面全面に同様のレジスト層３ｂを設けてエッチング用金属箔積層体１を形成させた。 - 特許庁 - To provide a wiring sheet for a back contact type solar cell which consists of a laminate of an insulating substrate and a conductor, and on which a wiring pattern is formed subsequently by photoetching, and which can be used for producing a highly reliable back contact type solar cell module that is not attacked by the etching solution with excellent productivity.
バックコンタクト型太陽電池用の配線シートが、絶縁性を有する基材と導電体との積層体からなり、その後フォトエッチングにより配線パターンが施される配線シートであって、生産性に優れ、且つ、エッチング液に犯されることがない高信頼性を有するバックコンタクト型太陽電池モジュールを生産することができる配線シートを提供する。 - 特許庁 - To provide an antireflection film forming composition, having high power to absorb reflected light and capable of forming an antireflection film which has full resistance, even with respect to a developing solution on which a resist pattern excellent in shape can easily be formed at a high etching rate, even if the antireflection film is made thick and difference in level on a substrate is planarized.
反射光に対して吸収能が高く、エッチングレートが高く反射防止膜を厚膜にし基板上の段差を平坦化しても形状に優れたレジストパターンが容易に形成でき、かつ現像液に対しても充分な耐性を有する反射防止膜を形成できる反射防止膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁 - The two-layered flexible printed circuit board provided with a wire formed by etching the electrolytic copper foil on the surface of a resin film layer, wherein an initial precipitated crystal layer 1 at the time of manufacturing the electrolytic copper foil is removed from the wiring, and a normally precipitated crystal layer 2 is merely included is adopted.
上記課題を解決するため、樹脂フィルム層の表面に電解銅箔をエッチングすることにより形成した配線を備えるフレキシブルプリント配線板において、当該配線は、電解銅箔製造時の初期析出結晶層１を除去し、定常析出結晶層２のみを含むことを特徴とした２層フレキシブルプリント配線板を採用する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a positive metal oxide patterned thin film using a photosensitive sol-gel material containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer and using an aqueous alkali solution as an etching solution and to provide a recessed film manufactured using the method for forming a positive metal oxide patterned thin film and a composition for forming a positive metal oxide patterned thin film.
金属アルコキシドとキレート安定化剤とを含む感光性ゾルゲル材料を用いて、エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いたポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法、該ポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法を用いて作製された凹形状膜、並びにポジ型金属酸化物パターン薄膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁 - The frequency of the surface acoustic wave device 10b is adjusted by etching a side (substrate rear side) 1b opposite in a thickness direction to a side of a piezoelectric substrate 1 on which an IDT electrode 2 is formed, the piezoelectric substrate 1 comprising a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or a lithium tetraborate substrate and formed with the IDT electrode 2.
ＩＤＴ電極２を形成した、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板からなる圧電基板１の、ＩＤＴ電極２を形成した面と厚み方向に対向する面（基板裏面）１ｂをエッチングすることにより、弾性表面波装置１０ｂの周波数調整を行うものである。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming process of applying the above resist pattern thickening material to cover the surface of a resist pattern after the resist pattern is formed on the objective surface to be worked; and a patterning process of patterning the surface to be worked by etching by using the thickened resist pattern as a mask.
被加工表面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - This photomask is constituted by successively forming an acid soluble UV light shielding layer 2 and an acid resistant photosensitive resin layer 3 on a glass plate 1, forming UV shieldable images 2a by etching on the UV light shielding layer 2 and forming images 3a of the same patterns as the patterns of the images 2a on the photosensitive resin layer 3.
本発明のフォトマスクは、ガラス板１上に、酸溶解性の紫外線遮光層２、耐酸性の感光性樹脂層３が順次形成され、紫外線遮光層２にはエッチングにより紫外線遮光性の画像２ａが形成され、感光性樹脂層３には画像２ａと同一パターンの画像３ａが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - When dry etching of a low selection ratio is applied for a polysilicon film 103 as the film to be treated, a light is emitted to the polysilicon film 103, and an interference light is measured as lights reflecting respectively from a boundary between the polysilicon film 103 and a gate oxide film 102 as its base and from the surface of the polysilicon film 103.
被処理膜であるポリシリコン膜１０３に対する低選択比のドライエッチングにおいて、ポリシリコン膜１０３に光を照射することにより、ポリシリコン膜１０３とその下地であるゲート酸化膜１０２との界面、及びポリシリコン膜１０３の表面のそれぞれからの反射光によって形成される干渉光を測定する。 - 特許庁 - To prevent the steam of a processing liquid evaporating from a wafer from being attached to the wafer again and being particles in a semiconductor manufacturing equipment, which is used as an etching device of a semiconductor wafer, by quickly discharging a large amount of steam generated when a wafer is picked up from a processing tank or by preventing the generation of the steam itself.
半導体ウェハーのエッチング処理装置等として使用される半導体製造装置において、処理槽よりウェハーを引き上げる際に発生する大量の蒸気を素早く排気したり、その蒸気自体の発生を防止したりすることにより、ウェハーから蒸発した処理液の蒸気がウェハーに再付着してパーティクルとして現れることを防止する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.
液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁 - In one embodiment of this invention, what only one kind of double mode optical fiber is used and a cladding diameter is decreased through chemical etching and what tapering is applied by heating and diameters of both a core and a clad are decreased are used as both arms of the directional coupler and stretched after being molten and joined by heating.
本発明の一実施の形態によると、一種類の二重モード光ファイバのみを使用し、化学的エッチングを通してクラッド（Ｃｌａｄｄｉｎｇ）直径を減らしたものと、熱を加えてテーパーさせ、コアとクラッド直径を共に減らしたものを方向性カプラの両腕として使用し、熱を加えて溶融接合後、引張することを特徴とする。 - 特許庁 - The resist composition contains (A) a polymer containing a unit formed by the cleavage of an ethylenic double bond and having a fluorine atom or a fluorine-containing lower alkyl group (a1) and an aromatic group (a2) which imparts dry etching resistance and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation.
本発明は、（Ａ）フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を付与する芳香族基（ａ２）とを有する、エチレン性二重結合が開裂して形成される単位を含む重合体、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなるレジスト組成物、並びにそれに用いるレジスト用基材樹脂である。 - 特許庁 - Further, by shortening the dry etching time, a pattern of the light shielding film having an excellent sectional shape can be formed.
透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。 - 特許庁 - The etching system has an outer tank storing a cooling or heating medium, a hollow container which is rotatably set up in the outer tank, has a shield plate on its internal surface, and stores a prescribed amount of etchant, and a rotating means which rotates the container around the center axis of the container.
冷却または加熱するための媒体を貯留した外槽と、上記外槽の内部に回動自在に配設された内部が中空の容器であって、当該容器の内面に遮蔽板を突設するとともに、当該容器の内部に所定量のエッチング液を貯留した容器と、上記容器を当該容器の中心軸周りに回転させる回転手段とを有する。 - 特許庁 - The method is used to manufacture a wiring board, wherein a pattern wiring is formed on a board, and it includes an aerosol film formation step of forming a conductive layer by collision of aerosol and a patterning step of patterning the conductive layer by etching and form the pattern wiring including the conductive layer.
基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、前記導電層をエッチングによりパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 特許庁 - The method for production of a high-purity W sputtering target includes: pressing and sintering high-purity W powders; machining the resultant sintered compact into a target shape; applying grinding of at least either of rotary grinding or polishing; and further polishing by at least either of etching or reverse sputtering to finish off.
また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁 - The oxygen-based gas plasma removes carbon-based substances in deposits, containing carbon-based substances and metallic substances as carbon dioxide, in most cases; the etching reaction gas removes metallic substances or the like which are not removed by cleaning using the oxygen-based gas; and by using the two gases combined, effective removal of deposits can be made.
酸素系ガスのプラズマで、少なくとも炭素系物質と金属性物質を含有する堆積物から炭素系物質を多くの場合二酸化炭素として除去し、エッチング反応ガスで、前記酸素系ガスによるクリーニングでは除去できない金属性物質等を除去し、両ガスを組み合わせて使用することにより、効果的な堆積物除去を可能にする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a photosensitive resin composition which can maintain high adhesion and peeling characteristics, even if using a less rugged circuit board and is superior in plating and etching resistance and resolution, and a photosensitive element and a resist pattern which uses this resin composite, and to provide a printed circuit board.
表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁 - A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.
レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a metal wiring forming method for a semiconductor element in which a fine metal pattern is prevented from being formed by forming a spacer film on a side wall of a photoresist pattern, and bringing spacers into contact with each other by narrowing the interval between photoresist patterns at a breaking part of metal wiring while forming a fine metal pattern using the spacers as etching masks.
フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。 - 特許庁
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