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＜前へ 1 2 .... 386 387 388 389 390 391 392 393 394 .... 399 400 次へ＞- To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in conventional production process of the aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing an aluminium surface layer oxide film being formed after removing the aluminium surface layer furthermore.
従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム表面層を除去した後生成するアルミニウム表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method includes lens pattern forming steps of: forming a pattern of an inorganic lens material film 16 on a flattening film 15; and deforming the pattern of the inorganic lens material film 16 by sputter etching using gas having reactive gas of CxHyFz (x>0, y≥0, z>0) added to inert gas, to form many condenser lenses.
平坦化膜１５上に無機のレンズ材料膜１６のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、無機のレンズ材料膜１６のパターンを変形させて多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含む。 - 特許庁 - Etching is partially performed on the substrate 100 to form a plurality of grooves 110, a leg section 120 that inhibits the vertical growth of the nitride semiconductor is formed inside these grooves, and if the nitride semiconductor thin film is grown so as to cover an upper section of the leg section 120 in a horizontal direction, the nitride semiconductor thin film of high quality can be grown.
基板１００を部分的にエッチングして複数個の溝１１０を形成し、これら溝の内部に窒化物半導体の縦方向成長を妨害するレッグ部１２０を形成して、横方向に前記レッグ部１２０の上部を覆うように窒化物半導体薄膜を成長させると、高品質の窒化物半導体薄膜を成長させることができる。 - 特許庁 - The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.
この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁 - By arranging a lens structure part 3 formed of a polysilane material on a light-transmissive substrate 2, a selection range of materials constituting the light-transmissive substrate 2 is widened, and the heat-resistance is improved by post-baking, and the lens structure part 3 is formed only by a photoengraving process, dispensing with a dry etching process.
透光性基板２上に、ポリシラン材料によって形成されたレンズ構造部３を設けることにより、透光性基板２を形成する材料の選択範囲を広くし、ポストベークによって耐熱性を向上させ、ドライエッチングを行うことなく写真製版工程のみでレンズ構造部３を形成することができるようにした。 - 特許庁 - The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.
真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁 - To provide a water-quality evaluation method for readily evaluating the etching functionality of ultrapure water used as washing water for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal, using the degree of effects with respect to a silicon substance as an index, an ultrapure water evaluation device that uses it, and an ultrapure water producing system equipped with the ultrapure water evaluation device.
半導体や液晶製造用の洗浄水として使用される超純水のエッチング性について、シリコン物質に対する影響度を指標として簡易かつ高感度に評価する水質評価方法と、当該水質評価方法を用いる超純水評価装置及びこの超純水評価装置を備えた超純水製造システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma treatment method and an apparatus thereof, which can suppress dispersion of treatment on the center side section and the peripheral side of a wafer, even without reaction making the weakened or the pressure and a gas flow rate in a chamber being restricted strictly by suppressing the occurrence of plasma at performing of plasma treatment, such as plasma etching and plasma CVD.
プラズマエッチングやプラズマＣＶＤなどのプラズマ処理を行う場合、プラズマの発生を抑制して反応を弱くしたり、チャンバ内の圧力やガス流量などを厳しく制約しなくても、ウェハの中心部側と周辺部側とにおける処理のバラツキを抑制することができるプラズマ処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁 - This method is characterized by using an ion etching device annexed to a device and a metallic material disposed next to the insulating specimen when a surface of the specimen is thinly filmed with a metallic component not contained in the insulating material within an XPS measurement chamber to prevent electrostatic charge on the surface of the sample, when analyzing the insulating sample by XPS.
ＸＰＳにより絶縁性試料を分析するに際し、ＸＰＳ測定室内部で該絶縁性試料表面に該絶縁物に含まれていない金属成分を薄く成膜して、該絶縁性試料表面の帯電防止をはかる際に、装置付属のイオンエッチング装置と該絶縁試料に隣接配置した金属材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for treating an iron chloride based waste fluid capable of effectively recovering indium as a metal or its alloy from an iron chloride based waste fluid using a nitric acid-containing iron chloride based waste fluid not noticed heretofore as a treatment target in treatment of the iron chloride based waste fluid obtained by the etching or acid washing of a liquid crystal substrate or the like.
液晶基板等をエッチング又は酸洗した塩化鉄系廃液の処理を行うに際し、これまで着目されていなかった硝酸を含有する塩化鉄系廃液を処理対象とし、当該塩化鉄系廃液からインジウムを金属単体又は合金として効果的に回収することが可能な塩化鉄系廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁 - Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.
また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、（ｉ）超低Ｋ誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および（ｉｉ）超低Ｋ誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁 - To solve the problem in making regrowth for embedding a guide layer, where characteristics of an optical waveguide and a diffraction lattice are varied as an unexpected refractive index difference is produced, because a refractive index of an initial regrowth layer formed in an initial stage of the regrowth is different from a design value and as refractive index differences as a whole are varied according to etching depths.
ガイド層を埋め込むために再成長させるときに、再成長の初期に作られる再成長初期層の屈折率が設計値と異なるために意図しない屈折率差が発生し、かつエッチング深さによって全体の屈折率差がばらつくために、光導波路や回折格子の特性がばらついてしまうという課題を解決する。 - 特許庁 - The pattern manufacturing system comprises exposure to directly draw a resist overlying on a copper foil formed on both the faces of the substrate by using the line width of the pattern line and an exposure amount designated by processing pattern data 100, forming a resist pattern by developing the exposed resist, and forming a pattern by etching the copper foil of both the faces of the substrate forming the resist pattern.
加工用パターンデータ１００により指定されたパターン線の線幅と露光量を用いて、基板の両面に形成された銅箔上にラミネートされたレジストに直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成された基板の両面の銅箔をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁 - Several ten-several hundred variable wavelength laser media are shaped into a stripe shape with a width of 10-50 μm and a thickness of several μm to be parallelly arranged on a substrate 1 with a length of 10-20 mm and, irradiated with ultraviolet laser beam from two directions to form stripe patterns due to interference and cyclical unevennesses (diffraction lattices) are formed by an optical etching method.
長さ１０〜２０ｍｍの基板１上に可変波長レーザー媒質を幅１０〜５０μｍ、厚さ数μｍのストライプ状に整形して数１０〜数１００本平行にならべ、それぞれに紫外レーザー光を２方向から照射して干渉による縞模様を作り、光エッチング法で周期的な凹凸（回折格子）を作る。 - 特許庁 - In the plasma etching electrode plate wherein a fixing hole with a bottom for fixing an electrode plate 1 to an electrode supporting portion 2 is provided at a flat surface of the electrode plate 1, a fixing member 3 which has a cylindrical shape and has screws on the inner peripheral portion and the outer peripheral portion is fixed to the inner peripheral portion of the fixing hole by screwing.
電極板１を電極支持部２に取付けるための有底の取付孔を電極板１の平面部に設けたプラズマエッチング電極板において、該取付孔の内周部に、円筒状であって内周部及び外周部にネジ部を有する固定部材３が螺合により固定されていることを特徴とするプラズマエッチング電極板。 - 特許庁 - This method for regenerating the etchant includes adding a deposition agent such as ammonium chloride, to a fatigued liquid which is discharged when etching a metal (ST2) including at least copper, with an etchant including at least ferric chloride and further hydrochloric acid, ammonium chloride, and the like, of predetermined concentration, and further concentrating and cooling it, to deposit a copper component dissolving in the fatigued liquid (ST3).
少なくとも塩化第二鉄を含み、さらに所定濃度の塩酸や塩化アンモニウムなどを含むエッチング液を用いて、少なくとも銅を含む金属をエッチング処理した（ＳＴ２）ときに出される疲労液に、塩化アンモニウムなどの析出剤を添加し、さらに濃縮や冷却などを行って、疲労液中に溶解している銅成分を析出させる（ＳＴ３）。 - 特許庁 - In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.
ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁 - When a formed n-type amorphous silicon film 43 and an intrinsic amorphous silicon film 41 are subjected to patterning by dry etching using resist films 45a to 45d as a mask, the n-type amorphous silicon film and the intrinsic amorphous silicon film are left unnecessarily under a foreign matter 46 in the existence of the foreign matter 46 on the formed n-type amorphous silicon film 43.
レジスト膜４５ａ〜４５ｄをマスクとして、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３および真性アモルファスシリコン膜４１のパターニングをドライエッチングによって行なうとき、成膜されたｎ型アモルファスシリコン膜４３上に異物４６が存在すると、異物４６下にｎ型アモルファスシリコン膜および真性アモルファスシリコン膜が不要に残存される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a printed wiring board by an electrophotographic process which not only has easy resist stripping characteristics by including the inner wall of a through hole and/or a non-through hole even if the wiring board is manufactured by the electrophotographic process, but also can realize a high resolution in an etching step as compared with a conventional photoresist material.
電子写真法によるプリント配線板の製造を行うに際しても、貫通孔または／及び非貫通孔の内壁を含めた容易なレジスト剥離特性を有するだけでなく、従来のフォトレジスト材料よりもエッチング工程における高解像力をも実現することが可能な、電子写真法によるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a polyimide film which, when applied for a metal wiring board substrate for a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape the surface of which is provided with a metal wiring, shows high elastic modulus, a low coefficient of thermal expansion, excellent alkali etching property and film formability; to provide its manufacturing method; and to provide a metal wiring circuit board comprising it as a substrate.
その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路、ＣＳＰ、ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性に優れたポリイミドフィルム、その製造方法およびそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁 - This preparation method of the sample for atom probe analysis has a step for preparing a ridged and grooved structure by performing etching machining of FIB onto both of a base needle 2 and an implantation sample piece 1, a step for bonding mutual members, and a step for sticking by deposition processing of FIB so that the ridged and grooved structure has an engaged form.
本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針２と移植試料片１の双方にＦＩＢのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにＦＩＢのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 - 特許庁 - In etching a silicon film on an insulation film in a plurality of patterns different in size, the film is etched in an initial stage using a plasma pulled in by applying an ac power of a high frequency (13.56 MHz), and then etched using a plasma pulled in by intermittently applying an ac power of a low frequency (380 KHz).
サイズが異なる複数のパターンにおいて絶縁膜上のシリコン膜をエッチングする際に、初めの段階では、高い周波数（１３．５６ＭＨｚ）の交流電力の印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行い、その後、低い周波数（３８０ｋＨｚ）の交流電力の間欠的印加によって引き込んだプラズマを用いてエッチングを行う。 - 特許庁 - The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.
有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁 - Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a substrate consisting of an antistatic plastic material, and a vapor deposition layer with a thickness of 5-100 nm comprising a metal or an inorganic compound is provided on the treated surface of the substrate to constitute the vapor deposition film strong in adhesion having the antistatic capacity.
帯電防止性を有するプラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルムである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.
本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁 - These methods include stages of: forming a thin film 52 of a microlens constituting substance on a substrate 51, forming a photo register pattern 53 on the thin film 52, forming a thin film constituting substance 54 though an etching process using the photo register pattern 53, and forming the microlens by reflow by thermal processing of the thin film constituting structure 54.
基板５１上にマイクロレンズ構成物質の薄膜５２を形成する段階と、前記薄膜５２上にフォトレジストパターン５３を形成する段階と、前記フォトレジストパターン５３を用いたエッチング工程を通じて薄膜構造物５４を形成する段階と、前記薄膜構造物５４を熱処理してリフローによってマイクロレンズを形成する段階と、を含む。 - 特許庁 - The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.
ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁 - The above scratching flaws exhibit an anchor effect in performing silver mirror plating to enhance the adhesion property of the silvering layers and therefore the need for forming anchor holes at the resin parts by performing etching by a chromic acid is eliminated and the resin parts of the urethane themselves and the boundaries between these resin parts and the build-up welding are prevented from being damaged by the chromic acid.
銀鏡メッキを行う際に前記擦り傷がアンカー効果を発揮して銀メッキ層の密着性が高められるので、クロム酸によるエッチングを行って樹脂部品にアンカー孔を形成する必要がなくなり、ウレタン製の樹脂部品自体や、その樹脂部品と肉盛りとの界面がクロム酸により損傷するのを防止することができる。 - 特許庁 - A thick-film resist formed by a photolithographic technique and a film represented by a silicon oxide film formed by an etching technique with the resist patterns of the thick-film resist as a mask are laminated as a mask for ion implantation in a semiconductor manufacturing process step, by which the ion implantation mask patterns having fine patterns of a high aspect ratio not possible heretofore are obtained.
半導体製造工程におけるイオン注入用マスクとして、フォトリソグラフィ技術により形成した厚膜レジストと、この厚膜レジストのレジストパターンをマスクとしてエッチング技術により形成した酸化シリコン膜に代表される膜を積層し、従来にない高アスペクト比の微細パターンを有するイオン注入マスクパターンを得るようにした。 - 特許庁 - To manufacture, with good productivity, a buried hetero structure type optical semiconductor element which has a small capacity and is suitable for high speed transmission of light which has a semi-insulating semiconductor block layer and a carrier trap layer by lowering the requirement for a controllability of an etching depth which is required for a mesa narrowing process to reduce the element capacity.
半絶縁性半導体ブロック層とキャリアトラップ層を有する埋め込みヘテロ構造型光半導体素子において、素子容量低減の為に必要な狭メサ化プロセスに必要とされるエッチング深さの制御性を緩和し、素子容量が小さく高速光伝送に好適な光半導体素子を再現性良く作製することを可能とする。 - 特許庁 - The patterns are formed by performing a stage for forming the resist patterns 504 on a printing roll 510, a stage for printing multi-stepped resist patterns 550 on a layer to be etched which is formed on a substrate 520 by using the printing roll 510 and a stage for etching the layer to be etched using the printed resist patterns 550 as a mask.
印刷ロール５１０にレジストパターン５０４を形成する段階と、前記印刷ロール５１０を使用して基板５２０上に形成されたエッチング対象層上に多段（ｍｕｌｔｉ−ｓｔｅｐｐｅｄ）のレジストパターン５５０を印刷する段階と、該印刷されたレジストパターン５５０をマスクにしてエッチング対象層をエッチングする段階と、を行ってパターンを形成する。 - 特許庁 - To provide an etched metal thin sheet for a shadow mask, which is finished to a shadow mask by breaking a half-etching wire by plucking, and removing a margin part, capable of preventing flaw even if the corner part of the margin part or the corner part in the skirt part comes into contact with an image part or rubs the part in plucking the margin part.
ハーフエッチング線を毟りによって破断して余白部を取り除きシャドウマスクに仕上げるシャドウマスク用エッチング済み金属薄板において、余白部の毟り作業の際に、余白部にある角部、或いはスカート部にある角部が画像面部に接触し、擦れても、傷を発生させることのないシャドウマスク用エッチング済み金属薄板を提供すること。 - 特許庁 - This method comprises a non-magnetic material filling process (S104) in which a concave part of the irregular pattern is filled by applying a non-magnetic material on the recording layer formed with the prescribed irregular pattern on a substrate, and a flattening process (S106) in which surplus non-magnetic material on the recording layer is removed by ion beam etching and the surface is flattened.
基板上に所定の凹凸パターンで形成された記録層上に非磁性材を成膜することにより凹凸パターンの凹部を充填する非磁性材充填工程（Ｓ１０４）と、記録層上の余剰の非磁性材をイオンビームエッチングにより除去して表面を平坦化する平坦化工程（Ｓ１０６）と、を含む構成とした。 - 特許庁 - An opening hole is provided on a substrate 30 by performing first plating treatment to the opening hole fills a conductive material 34 for providing the connection terminal, a brazing agent film 40 is provided by performing second plating treatment onto the upper surface of the connection terminal, and the seed electrode of a foundation film 24 used by the first plating treatment is dissolved by electrolyitc etching with the brazing film 40 as a mask.
基板３０に開口穴を設け、その開口穴に第１メッキ処理を施すことで導電材３４を充填して接続端子を設け、接続端子の上面に第２メッキ処理を施すことで蝋剤膜４０を設け、第１メッキ処理で用いた下地膜２４のシード電極を、蝋剤膜４０をマスクとして電解エッチングにより溶解する。 - 特許庁 - This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a movable electrode 6 also serving as a weight, a beam 5, and a supporting section 4 made of metals, includes the steps of forming a space between a fixed electrode 2 and the movable electrode 6 by photoresist, and forming the supporting section 4, the beam 5, and the movable electrode 6 by photolithography, wet plating process, and etching process.
錘を兼ねた可動電極６、梁５、および支持部４が金属からなる静電容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極２と可動電極６との間隙をフォトレジストにより形成し、支持部４、梁５、および可動電極６をフォトリソグラフィー、湿式めっき法、およびエッチング法により形成する工程を備えている。 - 特許庁 - The etching resist ink is obtained from a photosetting composition obtained by emulsifying a composition, containing acid-group containing resin, a reactive prepolymer, and/or a reactive monomer and a photopolymerization initiator with an emulsifier and characterized in that the ink contains a resoluble surface active agent as the emulsifier and the acid group is substantially not neutralized.
酸性基含有樹脂、反応性プレポリマーおよび／または反応性モノマー、光重合開始剤を含む組成物を、乳化剤によりエマルジョン化した光硬化性組成物から得られるエッチングレジストインクであり、乳化剤として分解性界面活性剤を含有し、かつ実質的には酸性基が中和されていないことを特徴とするエッチングレジストインクである。 - 特許庁 - To provide a residue removing composition capable of removing residues originating in a resist and/or residues originating in metals such as copper and aluminum remaining after dry etching on a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal panel, an organic EL panel, a printed circuit board or the like, in particular, a wiring board containing titanium and/or titanium alloy without corroding the titanium and/or titanium alloy.
半導体集積回路、液晶パネル、有機ELパネル、プリント基板等、特にチタンおよび／又はチタン合金を含有する配線基板で、ドライエッチング後に残存するレジスト由来の残渣物および/または銅やアルミニウムなど金属由来の残渣物を、チタンおよび/又はチタン合金を腐食することなく除去することが出来る残渣除去用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.
波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A data line or a data line and a power supply line in a unit pixel area of the organic electroluminescence element are formed in a trench formed by etching an insulating film, and a 1st electrode as a pixel electrode is formed so as to overlap the data line or the upper part of the data line and power line without causing a defect such as cross/talking.
本発明は、有機電界発光素子の単位画素領域上のデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインを、絶縁膜をエッチングして形成したトレンチ上に形成して画素電極である第１電極を、クロス・トークのような不良発生なくデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインの上部にオーバーラップするように形成する。 - 特許庁 - The converter 80 is a coil arranged adjacent to switches 16, 18 of the electronic equipment to measure the electromagnetic field, and constituted on a substrate of the electronic circuit by etching, and measures precisely the electromagnetic field in the constitutive component, by measuring a current flowing in the coil with a change of the electromagnetic field, by the measuring unit 82.
変換器８０は、電磁界を測定すべき電子機器のスイッチ１６、１８に近接して配置され、電子回路の基板上にエッチングにより構成されているコイルであり、該コイルに電磁界の変化により流れる電流を測定ユニット８２が測定することにより、各構成部品の電磁界を高精度で測定することができる。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for pracrtical use, has weather resistance, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming zinc oxide-based transparent conductive film.
実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - On one face of the anode 10 having an active material layer 2 containing an element with the high forming ability of a lithium compound, a resist pattern with a number of open holes 12c is formed, and then, portions exposed through the open holes 12c are removed by etching to form a number of through-holes 5 on the active material layer 2 extended in a thickness direction.
リチウム化合物の形成能の高い元素を含む活物質層２を有する負極１０の一面に、多数の開孔部１２ｃを有するレジストパターンを形成し、次いで開孔部１２ｃを通じて露出している部位をエッチングにより除去して活物質層２にその厚さ方向へ延びる貫通孔５を多数形成する。 - 特許庁 - The display device has the electrode of the laminated structure in which transparent conductive films are laminated, and as for the electrode, a first transparent conductive film which does not form the residue in the etching using the weak acidic solution serves as the lowermost layer, and a second transparent conductive film with a work function of 5.0 eV or more serves as the uppermost layer.
本発明の表示装置は、透明導電膜が積層した積層構造の電極を有する表示装置であり、前記電極は、弱酸性溶液を用いたエッチングにおいて残渣を生じない第１の透明導電膜を最下層とし、仕事関数が５．０ｅＶ以上の第２の透明導電膜を最上層としていることを特徴としている。 - 特許庁 - The protruded silicon electrode plate for plasma etching is constituted so that a silicon electrode plate 13 having through small holes 5 and with a small diameter, a silicon electrode plate 14 having through small holes 5 and with a large diameter and a cooling plate 3 having small holes 5 and with a large diameter are concentrically superposed so that the through small holes 5 communicate, and they are fixed by means of bolts 6.
貫通細孔５を有する小径のシリコン電極板１３と、貫通細孔５を有する大径のシリコン電極板１４と、貫通細孔５を有する大径の冷却板３とを同心円状にかつ前記貫通細孔５が連通するように重ね合わせ、これらをボルト６で固定してなることを特徴とする。 - 特許庁 - The source and drain electrode sections are formed by successively etching an insulating film 13, an ohmic-contact source electrode and drain electrode layer 12, and a low- resistance diamond layer 11 which transmits carriers metallically and has a certain degree of doping concentration in one photolithography process after the diamond layer 11, source electrode and drain electrode layer 12, and insulating film 13 are successively formed on the diamond layer 10.
ソース及びドレイン電極部は、高抵抗ダイヤモンド層１０の上にキャリアの伝導が金属的である程度のドーピング濃度を持つ低抵抗のダイヤモンド層１１と、オーミック接触性のソース電極及びドレイン電極層１２と、絶縁膜１３とが順次積層された後、一回のフォトリソグラフィにより順次エッチングされて形成されている。 - 特許庁 - Thus, the side etching is suppressed and the decrease in film thickness of the mask is also suppressed, so that even the conductive film whicih is thick having a thickness of 1 to 10 μm and contains aluminum or aluminum alloy is etched to have the steep slope at the end, to secure the desired film thickness, and to suppress the difference in shape from the mask pattern.
サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚１μｍ以上１０μｍ以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 - 特許庁 - A plating film 11 is deposited on a carbide layer 6 formed on the inner surface of a through-hole 3 bored by laser processing, then the carbide layer 6 is removed together with the plating film 11 by etching, and the inside of the through-hole 3 where the carbide layer 6 and the plating film 11 have been removed is filled up with a conductor by plating.
レーザ加工により形成された貫通孔３の内面の炭化層６上にめっき膜１１を被着させた後、炭化層６をめっき膜１１とともにエッチング除去し、さらにこの炭化層６およびめっき膜１１が除去された貫通孔３の内部にめっきにより導体を充填して貫通導体４を形成する。 - 特許庁 - When the higher harmonic components from the quinary harmonic to the octenary harmonic of the electrode current reach a preset value or larger, an etching treatment having high accuracy in low damage is enabled, and the effect where the yield of the semiconductor device can be improved is displayed, because the generation of charging damage can be prevented by controlling the equipment, to stop the working of the equipment.
電極電流の５次から８次の高調波成分があらかじめ設定した値以上となった場合、装置の稼動を停止するよう制御することにより、チャージングダメージの発生を未然に防ぐことができるので、低ダメージで高精度なエッチング処理が可能であり、半導体デバイスの歩留まりを向上させることができるという効果がある。 - 特許庁 - A transparent layer 46 comprises the protrusions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and parts of a transparent conductive film 43 above the protrusions are removed by photo etching applied to a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.
透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された突起と平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって突起上の部分は除去されている。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method.
素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。 - 特許庁
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