「etching」を含む例文一覧(19972)
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多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すために、基板の被加工層の表面に、開口を有する撥水性の撥水性膜を形成し、前記開口に水溶液を配置してマスク部を形成し、前記マスク部をマスクとして用いたエッチングにより前記被加工層を加工する。 - 特許庁 - The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.
エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁 - In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.
電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁 - To provide a method for detecting a metal defect and a defect detection device, which allow clear detection of a defect portion by improving the uniformity, and increasing the brightness, of a non-defect portion of an imaged image of an inspecting surface when etching the inspecting surface of a metal sample to cause the defect to appear and imaging an image of the inspecting surface using an imaging device to detect the defect.
金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法及び欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁 - The copper etching liquid is characterized by containing sulfates and/or bisulfates excluding copper sulfate, sulfuric acid and hydrogen peroxide, and having 1 or more of the molar ratio of sulfuric acid to sulfates and/or bisulfates excluding copper sulfate; and specially, the sulfates or bisulfates are sulfate ions and metal ions of metals baser than hydrogen.
硫酸銅を除く硫酸塩および／または硫酸水素塩と、硫酸と、過酸化水素とを含み、硫酸と硫酸銅を除く硫酸塩および／または硫酸水素塩のモル比が１以上であることを特徴とする銅のエッチング液であり、特に、前記硫酸塩または硫酸水素塩が、硫酸イオンと水素よりも卑な金属のイオンである銅のエッチング液である。 - 特許庁 - The electrode has a first electrode member 101 for dissolving the object to be etched by electrochemical reaction, and a second electrode member 103 for suppressing the diffusion of an etching region by the first electrode, and has an insulation member 102 formed on the first electrode member 101 or/and second electrode member 103 by a laminate or coating method.
被エッチング物を電気化学的な反応にて溶解させるための第一の電極部材１０１と、第一の電極部材１０１によるエッチング領域の拡散を抑止するための第二の電極部材１０３を有し、第一の電極部材１０１又は／及び第二の電極部材１０３にラミネート又はコーティング法により形成された絶縁部材１０２を有することを特徴とする。 - 特許庁 - At the time of plasma-etching a film of hard-to-etch material formed on a substrate using a mask formed on the film, the film is etched using a mask having a sidewall angling at less than 90° relative to the surface of the substrate so that the etched film has a taper angle relative to the surface of the substrate not smaller than the taper angle of the mask.
基板上に形成された難エッチング材の膜とその上に形成したマスクを用いて、前記膜をプラズマを用いてエッチングする際に、前記マスクの側壁が前記基板の表面に対する角度が９０度未満のマスクを用いてエッチングし、それによりエッチング後の上記膜の前記基板の表面に対するテーパー角度を上記マスクのテーパー角度以上とする。 - 特許庁 - A cap film is formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 of a semiconductor wafer including a chip, and then exposure, development and etching for forming a cap pattern 15a in a memory area M in the chip and those for forming a cap pattern 15b1 in a spare area E apart from the memory area in the chip are conducted separately and respectively.
チップを含む半導体ウエハの半導体基板１の主面上にキャップ膜を形成した後、チップ内のメモリ領域Ｍにキャップパターン１５ａを形成するための露光、現像およびエッチング処理と、チップ内においてメモリ領域Ｍから離れた空き領域Ｅにキャップパターン１５ｂ１を形成するための露光、現像およびエッチング処理とをそれぞれ別々に行う。 - 特許庁 - In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface.
シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。 - 特許庁 - The manufacturing method for the semiconductor device has a process forming a photo-resist film on a film to be etched 11, a process forming rectilinear resist patterns 50 placed on the film to be etched 11 by exposing and developing the photo-resist film and a process forming a rectilinear pattern 11a by etching the film to be etched 11 while using the resist patterns 50 as masks.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング膜１１上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を露光及び現像することにより、被エッチング膜１１上に位置する直線状のレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして被エッチング膜１１をエッチングすることにより、直線パターン１１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁 - To stably form a conductive thin film of an element part with good yield by using an ink jet droplet supplying device without depending on a vacuum film formation method or photolithography etching method, for the manufacture of an electron source base plate having a surface conduction type electron emitting element with a large area, and to manufacture an image forming apparatus using the electron source base plate at low cost.
特に大面積の表面伝導型電子放出素子を有する電子源基板の製造において、素子部の導電性薄膜をインクジェット液滴付与装置を用い、真空成膜法とフォトリソグラフィ・エッチング法によらずに、安定的に歩留まり良く形成することができるようにし、またそれによって電子源基板を有する画像形成装置を低価格で製造できるようにする。 - 特許庁 - The method of cleaning or etching a substrate 1 with a liquid distributed on a part of the substrate 1 while preventing other parts of the substrate 1 from contacting the liquid, comprises a step of supplying the liquid on a part of the substrate 1 and a step of supplying a gaseous surfactant substance at the same time as the liquid supplying step.
基板１の一部の上に液体を分配して上記基板１を洗浄又はエッチングする一方、上記基板１の他の部分は上記液体と接触することを防止される方法であって、上記方法は、上記基板１の一部の上に液体を供給するステップと、上記液体を供給するステップと同時に、表面にガス状の界面活性物質を供給するステップとを含む。 - 特許庁 - To directly recover valuable metals from a waste solution containing metal ions without generating chlorine by an electrochemical process, to provide an electrochemical process by which electric power is generated simultaneously with the recovery of valuable metals and to provide a process for simultaneously regenerating an etching solution.
本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気化学的プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接回収すること、および有価金属の回収と同時に電気エネルギーを発生する電気化学プロセスを提案すること、ならびに廃液から有価金属を回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁 - The component for optical communication comprises a submount 13 holding the optical semiconductor element 12, and a substrate 11 mounting a lens 15 for condensing the light being emitted from the optical semiconductor element 12 or the light being received by the optical semiconductor element wherein recognition patterns 23a and 23b proving a positional reference when the submount 13 is mounted on the substrate 11 are formed by etching.
光通信用部品は、光半導体素子１２が保持されたサブマウント１３と、光半導体素子１２から発光される光又は光半導体素子に受光される光を集光するレンズ１５とが搭載された基板１１を備え、基板上１１にサブマウント１３を搭載する際の位置基準を与える認識パターン２３ａ、２３ｂをエッチングにより形成する。 - 特許庁 - In a plasma treatment device for treating the surface of a workpiece housed inside a chamber by etching treatment gas plasma, surfaces of a portion of the chamber which is exposed to plasma generation atmosphere, a member disposed inside the chamber or a component are coated at least with a porous layer consisting of metal oxide and a secondary recrystalline layer of the metal oxide formed on the porous layer.
チャンバー内に収容した被処理体表面を、エッチング処理ガスプラズマによって加工するプラズマ処理装置において、このチャンバーのプラズマ生成雰囲気に曝される部位、このチャンバー内配設部材または部品の表面を、少なくとも、金属酸化物からなる多孔質層とその多孔質層上に形成された該金属酸化物の二次再結晶層とによって被覆する。 - 特許庁 - This etching agent composition for a thin film having high permittivity is HfO_2 and/or HfSiON being an aqueous solution comprising one or more kinds of organic acid selected from oxalic acid, citric acid, malonic acid and succinic acid, or an inorganic acid being sulfuric acid and/or hydrochloric acid, and a fluorine compound being one or more kinds selected from ammonium fluoride, ammonium hydrogen fluoride and tetramethylammonium fluoride.
シュウ酸、クエン酸、マロン酸およびコハク酸から選ばれる１種以上の有機酸または硫酸および/または塩酸である無機酸とフッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウムおよびフッ化テトラメチルアンモニウムから選択される１種以上であるフッ素化合物からなる水溶液であるＨｆＯ_２および/またはＨｆＳｉＯＮである高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁 - By applying anticorrosion potential to the emitter electrode 116 in a state that this field emission type electron emission element 100 is immersed in the etching solution 160 having a dissolution ratio of the gate electrode 110 to an unnecessary electron emission material 118 is 1:10 or more, the dissolution of the emitter electrode 116 is suppressed, and the unnecessary electron emission material 118 is dissolved and removed.
ゲート電極１１０と、不要な電子放出材料１１８との溶解比が１対１０以上のエッチング液１６０中に電界放出型電子放出素子１００を浸した状態で、エミッタ電極１１６に防食電位を印加することによって、エミッタ電極１１６の溶解を抑制するとともに、不要な電子放出材料１１８を溶解し、除去する。 - 特許庁 - The platinum is worked to the prescribed shape by dry etching the platinum by a gaseous mixture containing rare gas, gaseous SF6 and gaseous Cl2 and after the platinum is worked to the prescribed shape by the method descried above, the mask is treated with an aqueous acidic solution in order to remove the reaction product derived from the platinum and gaseous mixture sticking to the mask.
希ガス、ＳＦ_6ガス及びＣｌ_2ガスを含む混合ガスにより、白金をドライエッチングして所定の形状に加工することにより、ならびに前記方法により白金を所定の形状に加工した後、マスクに付着した白金及び混合ガス由来の反応生成物を除去するために、酸性水溶液でマスクを処理することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor laser device comprises a process of forming a laser wafer by laminating a plurality of layers on a substrate, a process of forming a plurality of recesses nearly in parallel with the laser wafer, an etching process of dipping the laser wafer in an etchant, and process of dividing the laser wafer along the recesses into a plurality of bar-like bodies.
本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、基板上に複数の層を積層してレーザウェハを形成する工程と、前記レーザウェハに略平行な複数の溝を形成する工程と、前記レーザウェハをエッチング溶液に浸漬するエッチング工程と、前記レーザウェハを前記溝に沿ってバー状成形体に分割する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The method includes steps of: consecutively disposing a phase shift layer pattern and a light shielding layer pattern over a transparent substrate to form a photomask and forming a resist layer over the entire surface of the photomask having a defective pattern causing a bridge between neighboring portions of the phase shift layer pattern; exposing the defective pattern by etching the resist layer; and removing the exposed defective pattern.
透明基板上に位相反転膜パターン及び光遮蔽膜パターンを順次に配置してフォトマスクを形成し、隣接する位相反転膜パターンをブリッジさせる不良パターンの生じたフォトマスク全面にレジスト膜を形成する段階と、レジスト膜をエッチングして不良パターンを露出させる段階と、露出した不良パターンを除去する段階と、を含む構成とした。 - 特許庁 - This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate.
窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。 - 特許庁 - On the printed board 4, the circuit patterns are formed in the expected pattern width by alternating a process of blowing an etchant from an etching nozzle (liquid chemical nozzle) 1 onto the printed board 4 which is being carried and a process of blowing air from an air nozzle 11 onto the printed board 4 so that the etchant is removed from on the printed board 4.
搬送状態にあるプリント基板４上にエッチングノズル（薬液ノズル）１よりエッチング液を吹き付ける工程と、該エッチング液がプリント基板４上から除去されるべく、プリント基板４上にエアーノズル１１より気体を吹き付ける工程とが交互に繰返されるようにして、プリント基板４上に回路パターンが所期のパターン幅として形成されるようにしたものである。 - 特許庁 - The transparent electromagnetic wave shielding composite material is composed of a resin film, a processed conductive layer consisting of copper 100 to 2000 Å thick formed on the surface of the resin film, and an electrolytic plating copper thin film layer 1 to 20 μm thick formed on the conductive layer, and the overall light transmission of the resin film subjected to etching is 80% or above.
樹脂フィルム、該樹脂フィルム上に形成された１００乃至２０００Åの厚みの銅から成る導電処理層、該導電処理層上に形成された１乃至２０μｍの厚みの電解めっき処理による銅薄膜層から成り、該樹脂フィルムのエッチング処理後の全光線透過率が８０％以上であることを特徴とする透明電磁波シールド用複合材。 - 特許庁 - A dry etcher having a lower electrode housed in a vacuum vessel for holding a wafer 10 to be processed by introducing an etching gas and applying high-frequency power to generate a discharge plasma, comprises an electrostatic chuck mechanism housed in the vacuum vessel for fixing the wafer and a cover ring 13 housed in a process chamber for covering the upper side of the periphery of the wafer or above it.
真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。 - 特許庁 - In an integrated circuit including a buried layer 13 of a predetermined conductivity type in a plane substantially parallel to a plane of a main circuit surface, it is characterized in that a layer portion 15 made of a selectively etchable material is formed, and the layer portion 15 is removed by isotropic etching, and a median portion of the buried layer 13 is filled with a metal-form material.
主回路表面の平面にほぼ平行である平面内に、所定の導電型の埋込層１３を有する集積回路において、選択的にエッチングできる材料で作られた層部分１５が形成され、等方向性エッチングによって前記層部分１５が取り除かれ、前記埋込層１３の中央部分が金属型材料で埋められることを特徴とする集積回路。 - 特許庁 - Dry etching is selectively applied to the first conductive film 35, the second conductive film 37, and the third conductive film 39 to form a first gate electrode composed of the first conductive film 35A and the third conductive film 37A which are patterned, and to form a second gate electrode composed of the second conductive film 37A and the third conductive film 39A which are patterned.
第１の導電膜３５、第２の導電膜３７及び第３の導電膜３９に対して選択的にドライエッチングを行なって、パターン化された第１の導電膜３５Ａ及び第３の導電膜３７Ａよりなる第１のゲート電極を形成すると共に、パターン化された第２の導電膜３７Ａ及び第３の導電膜３９Ａよりなる第２のゲート電極を形成する。 - 特許庁 - The methods for manufacturing a nozzle substrate includes the steps of: highly precisely thinning a silicon substrate 51 by grinding except peripheral edge portions so as to facilitate conveyance and so on; forming the plurality of nozzle substrates 30 by etching thinned portions, thereby forming at least nozzles 31; and separating the plurality of substrates 30 of the silicon substrate 51 into individual ones by cutting or cleaving them.
搬送等を容易に行えるように、周縁部分を残して研削等によりシリコン基板５１を高精度に薄板化する工程と、薄板化した部分にエッチング等の加工を行って、少なくともノズル３１となる穴を形成し、複数のノズル基板３０を形成する工程と、シリコン基板５１の複数のノズル基板３０を切断、割断等により分離して個片化する工程とを有する。 - 特許庁 - To provide a recycling method that is capable of continuously and efficiently stripping nickel from a nickel-plated copper or copper alloy scrap without using any expensive, short-life stripping solution and without conducting etching after stripping, so as to use the nickel-stripped copper or copper alloy scrap as a material for producing copper or copper alloy, and capable of solving the problem of a waste treatment of the stripping solution.
高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離して、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用し、しかも剥離液の廃液処理の問題も解消したリサイクル方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a first semiconductor region, made of an amorphous semiconductor on a surface of an insulator, scanning a continuous oscillation laser beam from one end of the first region to the other end, once melting the first region, crystallizing the first region, and thereafter etching the first region, to form an active layer of a TFT to form a second semiconductor region.
絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第１半導体領域を形成し、第１半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第１半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、ＴＦＴの活性層を形成するために第１半導体領域をエッチングして第２半導体領域を形成するものである。 - 特許庁 - Using a photoresist film 3e, which is a mask for etching/ removing a gate insulating film 7a in a formation region of a relatively thin gate insulating film, an impurity for adjusting the threshold voltage of an n- channel type field effect transistor and p-channel type field effect transistor having a relatively thin gate insulating film, is introduced in batch in a semiconductor substrate 1 exposed there.
相対的に薄いゲート絶縁膜の形成領域におけるゲート絶縁膜７ａをエッチング除去するためのマスクであるフォトレジスト膜３ｅを用いて、そこから露出する半導体基板１に相対的に薄いゲート絶縁膜を持つｎチャネル型電界効果トランジスタおよびｐチャネル型電界効果トランジスタのしきい値電圧調整用の不純物を一括して導入する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the surface acoustic wave device, first electrode layers 2a on the electrode pad are formed on the piezoelectric substrate 1 through etching operation; after the layers 2a have been formed, electrodes 5a for a surface acoustic wave element are formed by the lift-off method; and an electrode film which comprises second electrode layers 7a and wiring electrodes 7a on the electrode pad are formed.
圧電基板１上に電極パッドの第１の電極層２ａをエッチングにより形成し、第１の電極層２ａを形成した後に、弾性表面波素子用電極５ａをリフトオフ法により形成し、しかる後電極パッドの第２の電極層７ａ及び配線電極７ｂを有する電極膜を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 - 特許庁 - This method for manufacturing the capacitor comprises the steps of; providing a metallic foil; forming dielectrics on the metallic foil; forming a first electrode on a part of the dielectrics; forming a protective coating on a part of the metallic foil that includes the whole dielectrics; and etching the metallic foil to form a second electrode.
金属箔を提供する工程と、該金属箔の上に誘電体を形成する工程と、該誘電体の一部分の上に第１の電極を形成する工程と、該誘電体全体を含む該金属箔の一部分の上に保護被膜を形成する工程と、該金属箔をエッチングして第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする、キャパシタを製造する方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, with which a seam part is prevented from being exposed outward by extinguishing the seam part formed in silicon by heat treatment, residue is prevented from being left after a silicon film is etched back, etching can sufficiently be performed and oxidization of the silicon film is prevented at the time of oxidizing the silicon film.
シリコン内に形成されたシーム部を熱処理により消滅させることにより、シーム部が外部に露出することを防止して、シリコン膜をエッチバックした後に残渣が残ることを防止することができ、また、エッチングを良好に行うことができると共に、シリコン膜上を酸化する際にシリコン膜内も酸化されることを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The etchant circulation tank which stores the etchant used for etching of a metallic foil such as a wiring board and has a rectangular shape, comprises at least one partition perpendicularly contacted with one side of an inner wall of the circulation tank, and a circulating pump for circulating the etchant in the circulation tank, outside the circulation tank.
配線板などの金属箔のエッチングにおいて使用するエッチング液を貯留する矩形のエッチング液循環槽であって、前記エッチング循環槽は当該循環槽の内壁の一辺に垂直に接する少なくとも一つの仕切りを有し、当該循環槽内でエッチング液を循環させる循環ポンプを当該循環槽の外側に有することを特徴とするエッチング液循環槽。 - 特許庁 - To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.
本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁 - A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.
パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the smooth laminate which comprises laminating a resistance alloy layer on at least one side of a smooth electroconductive plate, the resistor having the required resistance value can be formed to the inside of the wiring pattern formed by etching by laminating the resistance alloy layer on the smooth electroconductive plate immediately after activation treatment is applied to the electroconductive plate.
平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。 - 特許庁 - To solve the problem that in a near field optical probe formed on a glass substrate and having a pyramid-shaped silicon protrusion, it is difficult to change the tapered angle of the probe, since the probe is formed by performing anisotropic etching of a Si substrate, and it is difficult to form a cone shape since a plane corresponding to a crystal orientation remains at the outer shape of the probe.
ガラス基板上に形成された、ピラミッド状のシリコン突起を有する近接場光プローブでは、Ｓｉ基板の異方性エッチングを施すことにより形成しているため、そのプローブテーパ角を変化させることは困難であり、またプローブの外形に結晶方位に対応した面が残ってしまい円錐形状を形成するのが困難であるといった問題点等を解決する。 - 特許庁 - A circuit board 4 is constituted in such a way that inner wiring patterns 2 are formed on both surfaces of a core substrate 1 and power supply/ ground layers 5 are respectively formed on the patterns 2 through insulating resin layers 3, and electronic parts 7 can be mounted on the patterns 2 exposed in recessed sections 6 formed, when the insulating resin layers 3 are removed through dry etching.
コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 - 特許庁 - In this mold for obtaining the molding having the protective wall provided around the molding surface with the transferred mold pattern, a base with an outer peripheral contour corresponding to an inner peripheral contour is formed on a substrate, and a layer, where the mold pattern is formed on a surface by using the photolithographic and etching technologies, is formed on the base.
本発明に係る金型は、金型パターンが転写された成型面の周囲に保護壁を有した成型物を得るための金型であって、基板上に保護壁の内周輪郭に対応した外周輪郭形状の台座が形成され、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて表面に金型パターンを形成した層が台座上に形成されて成ることを特徴とする。 - 特許庁 - The manufacturing method of the CMOS image sensor comprises steps of: preparing a semiconductor substrate in which a light receiving element region and a transistor region are demarcated; forming fine dust by generating plasma discharge at the light receiving element region; forming a nano pillar at the light receiving element region by etching the fine dust as a mask, and removing the fine dust.
ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、受光素子領域及びトランジスタ領域が画定された半導体基板を用意するステップと、前記受光素子領域にプラズマ放電を発生させて微細ホコリを形成させるステップと、前記微細ホコリをマスクとしてエッチングして、前記受光素子領域にナノピラーを形成するステップと、前記微細ホコリを除去するステップとを含む。 - 特許庁 - After a resist window pattern 3 is formed by adhering photoresist 2 onto a substrate 1 and patterning it by photolithography, the substrate 1 is etched by dry etching to form an overhang 5, a pattern material 6 of metal is vapor-deposited thereupon, and the photoresist 2 is removed to remove an unnecessary pattern material 6a, thereby forming a desired pattern 6b.
基板１上にフォトレジスト２を被着形成し、これをフォトリソグラフィでパターニングしてレジスト窓パターン３を形成した後、等方性ドライエッチングで基板１をエッチングすることによりオーバーハング５を形成し、その上から金属のパターン材料６を蒸着し、フォトレジスト２を除去することによって不要なパターン材料６ａを除去して所望のパターン６ｂを形成する。 - 特許庁 - The laminated part 12 and the electrode 8 are divided into a plurality of light-emitting units A and electrode pads B, and a coupling part C for coupling the pads B and the units A or between the two units A, and the laminated part 12 is removed by etching except for the coupling part C in a gap of the units A.
半導体積層部１２および電流拡散用電極８は、複数個の発光ユニット部Ａと電極パッド部Ｂと、電極パッド部Ｂと発光ユニット部Ａの間、または発光ユニット部Ａの２個の間を連結する連結部Ｃとに分割され、各発光ユニット部Ａの間隙部は、連結部Ｃを除いて半導体積層部１２がエッチングにより除去されている。 - 特許庁 - An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.
ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁 - By using a curable resin composition, containing a compound having one or more acid group and two or more acryloyl group or methacryloyl group within a single molecule, formation of the high-strength back coat film having a three-dimensional network structure is facilitated, and adhesion of foreign matter to an etched part is prevented, even if secondary etching temperature is raised, after forming the back coat film.
一分子中に一以上の酸基と二以上のアクリロイル基またはメタクリロイル基とを有した化合物を含有する硬化型樹脂組成物を用いることにより、３次元の網目構造を有する高強度のバックコート膜の形成を容易にし、バックコート膜形成後の二次エッチング温度を上げても被エッチング部への異物の付着を防止して、上記課題を解決した。 - 特許庁 - A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching.
インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 - 特許庁 - The multi-display apparatus is constituted, to overlap in a thickness direction by overlapping the panels on each other in a stepped portion, provided by etching at least one edge of the two panels connected to constitute a screen, and thereby the discontinuous feel of the screen at a joint between the panels is improved and the high-quality multi-display apparatus that is not advantageous for slimming is provided.
一画面を構成するように連結される２つのパネルのうち、少なくとも一方のエッジをエッチングして設けられた段差部でパネル同士でオーバーラップし、厚さ方向にオーバーラップするように構成することにより、パネル間の継ぎ目での画面の不連続感も改善され、製品もあまり厚くなくてスリム化に有利な高品質のマルチディスプレイ装置を提供する。 - 特許庁 - A process of manufacturing a semiconductor device that comprises a step of implementing plasma-etching 250 through a patterned hardmask layer 210 located over a semiconductor substrate 225, and forming a modified layer 210a on the hardmask layer 210; and a step of removing at least a substantial portion of the modified layer 210a by performing a post plasma clean process on the modified layer 210a.
半導体基板２２５の上に位置するパターニングされたハードマスク層２１０を通してプラズマエッチング２５０を行い、ハードマスク層２１０上に変性層２１０ａを形成する工程と、変性層２１０ａに対してポストプラズマ洗浄プロセスを行い変性層２１０ａの少なくとも実質的な部分を除去する工程とを備える、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁 - ELECTRODE CAN PLATING METHOD OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN PLATING METHOD OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN PLATING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN ETCHING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN SURFACE REFORMING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN CLEANING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, AND ANODE CAN DRYING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL
扁平形アルカリ電池の電極缶メッキ方法、扁平形アルカリ電池の負極缶メッキ方法、扁平形アルカリ電池の負極缶メッキ収装置、扁平形アルカリ電池の負極缶エッチング装置、扁平形アルカリ電池の負極缶表面改質装置、扁平形アルカリ電池の負極缶洗浄装置及び扁平形アルカリ電池の負極缶乾燥装置 - 特許庁 - A method for manufacturing the slider is provided with a stage for forming an air bearing surface 30 to base materials for slider including a thin film magnetic head element 22 and a stage for etching at least a part of the air bearing surface 30 using a convergent ion beam 100 so that the step between a part corresponding to the thin film magnetic head 22 and the other part is decreased.
本発明のスライダの製造方法は、薄膜磁気ヘッド素子２２を含むスライダ用の素材に対してエアベアリング面３０を形成する工程と、エアベアリング面３０において、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分と他の部分との間の段差が減少するように、エアベアリング面３０の少なくとも一部を集束イオンビーム１００によってエッチングする工程とを備えている。 - 特許庁
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