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基板１６の表面に導体層１４を被着形成する工程と、前記導体層１４をパターンエッチングして、基板１６の表面に多数の突起状にアンカーパターン１５を形成する工程と、該アンカーパターン１５が形成された基板１６の配線層を積層する工程とにより、基板１６に配線層が強固に接合された配線基板が得られる。 - 特許庁 - A photosensitive glass plate 30 is used as a heat insulation plate, resistance metal foils 10 and 20 with a thin pattern 11 are formed on the upper and lower surfaces of the glass plate 30, and then the photosensitive glass plate 30 is etched according to an etching pattern formed according to a photo work in advance, thus providing a gas circulation hole 31 and at the same time cutting into each sensor pellet.
熱絶縁板として感光性ガラス板３０を用い、このガラス板３０の上面および下面のそれぞれに細幅パターン１１、２１を有する抵抗金属箔１０、２０を成膜した後、あらかじめフォトワークによって形成しておいたエッチングパターンにしたがい、感光性ガラス板３０をエッチングすることによりガス流通孔３１を設けるとともに個々のセンサペレットに切り離す。 - 特許庁 - A transparent layer 46 consists of the alignment controlling depressions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and the parts of a transparent conductive film 43 above the alignment controlling depressions are removed by photo etching of a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.
透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された配向制御凹みと平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって配向制御凹み上の部分は除去されている。 - 特許庁 - This organic electronic device is manufactured by using: a first process for forming a polymer film from a polymer solution on a first surface of the substrate by casting; a second process for reducing the thickness of the substrate by etching a second surface located on the back side of the first surface of the substrate; and a third process for forming the organic electronic device on the surface of the polymer film formed by casting.
基板の第一の表面上に高分子溶液から高分子膜をキャスティング成膜する第一工程と、基板の第一の表面の裏側にある第二の表面をエッチングして基板の厚みを薄くする第二工程と、キャスティング成膜した高分子膜の表面に有機電子デバイスを形成する第三工程を用いて有機電子デバイスを製造することとした。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which a dielectric film for forming a capacity element can be prevented from being left as an etching residue in the edge part of a wiring pattern for other non-capacitance elements and the yield of the semiconductor device be improved, in the method for a semiconductor device in which transistors such as bipolar transistors, MOS transistors, etc., and capacitance elements coexist for example.
たとえば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ等の種々のトランジスタと容量素子が混在する半導体装置の製造方法において、容量素子を形成するための誘電膜が他の非容量素子の配線パターンのエッジ部にエッチング残渣として残ることを確実に防止でき、半導体装置の歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a ceramic substrate having high corrosion resistance without being corroded to the depths even if it is exposed to a reactive gas or halogen gas over a long period of time and preventing the coming off of ceramic particles from the surface and the generation of particles caused by attaching of the ceramic particles to a treating substance such as a silicon wafer even when the treating substance is placed on the surface and treated by etching for example.
長期間に渡って反応性ガスやハロゲンガスに曝され続けても、その深部まで腐食されることがなく耐腐食性に優れるとともに、その表面にシリコンウエハ等の被処理物を載置してエッチング等の処理を施しても、その表面からセラミック粒子が脱落し、上記シリコンウエハ等の被処理物に付着してパーティクルが発生することがないセラミック基板を提供する。 - 特許庁 - Namely, the shape of the microparticle P itself appears as a projection shape on the surface of the phosphor layer 504, thereby eliminating steps for forming a rugged shape on the surface of the phosphor layer 504, for example, for transferring a fine convexoconcave shape onto the surface of the phosphor layer by a stamper, or for applying an etching process to the surface of the phosphor layer.
すなわち、微小粒子Ｐ自体の形状が蛍光体層５０４表面に突起形状として現れることで、蛍光体層５０４表面に凹凸形状を形成することを目的とする工程、例えば、蛍光体層の表面にスタンパによって微細な凹凸形状を転写する工程や、蛍光体層の表面にエッチング処理を施す工程を、不要とする。 - 特許庁 - Projections 41 each having a sharp tip and a profile formed into a mountain-like shape are formed on an insulation material 40 of the wiring board by means of etching, a metal layer 42 comprising a first metal layer 1 and a second metal layer 2 is formed on the formed projections 41, and thus, bumps 7 comprising the projections 41 and the metal layer 42 are formed on this projecting electrode 51.
配線基板の絶縁基材４０に先端を尖らせた縦断面形状が山形となる突起４１をエッチング処理により形成し、形成した突起４１の上に第１の金属層１及び第２の金属層２からなる金属層４２を形成してこれら突起４１と金属層４２とからなるバンプ７を突起状電極５１上に形成する。 - 特許庁 - This semiconductor device is provided with a first interlayer insulating film 20 laminated on a semiconductor wafer 1, a second interlayer insulating film 21 which is laminated on the first interlayer insulating film 20 and has etching characteristic different from that of the film 20, and a capacitor 23 formed in an aperture part 22, which is formed being continuously connected with the first and the second interlayer insulating films 20, 21.
半導体ウエハ１上に積層された第１の層間絶縁膜２０と、第１の層間絶縁膜２０上に積層され第１の層間絶縁膜２０のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する第２の層間絶縁膜２１と、第１及び第２の層間絶縁膜２０、２１に連通して形成された開口部２２内に形成されたキャパシタ２３とを備えたものである。 - 特許庁 - The method includes: a step of manufacturing first and second photosensitive layers 52a and 52b laminated at both ends of a laminate 50 having a base material film 32, first and second conductive layers 40 and 45 laminated at both the ends of the base material film, and a light shielding layer laminated on the conductive layers; and a step of etching and patterning the light shielding layer and the conductive layers.
製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - The exposed photoresistor is developed, and the vacuum-deposited two layers of gold (platinum) and titanium (chromium) around the patterned photoresistor are etched in order, and then the desired pattern surface is made smooth by etching the glass surface, and after removing titanium (chromium) and gold (platinum), a nickel plating layer is laminated on a glass substrate, and the nickel plating layer is released from a mold to produce a master.
露光された前記フォトレジスタを現像し、２層に真空蒸着されたゴールド（白金）、チタニウム（クロム）をパターニングされたフォトレジスタを中心に順次にエッチングした後、ガラス表面をエッチングして所望のパターン表面を滑らかにし、チタニウム（クロム）、ゴールド（白金）を除去してからガラス基板にニッケル鍍金層を積層し、ニッケル鍍金層を離型させてマスターを製作する。 - 特許庁 - In the thin film capacitor element 10, since the substrate 1 has a plain surface almost perpendicular to the side end face 6a of the laminate 6 due to anisotropic etching during manufacturing, the insulating resin layer 5 covering a poorly covered part does not lie between the lower electrode 2 and the upper electrode film 41, but lies between the upper extraction electrode 40 and the upper electrode film 41 which are at the same potential.
この薄膜キャパシタ素子１０は、製造時に異方性エッチングにより積層体６の側端面６ａを基板１と略直交する平坦面となしているので、カバレッジ不良部分を覆う絶縁樹脂層５が、下部電極２と上部電極膜４１との間に介在せず、同電位な上部引出し電極４０と上部電極膜４１との間に介在している。 - 特許庁 - The nozzle portion 11 of the silicone substrate 1 is manufactured by coating a polyimide precursor 101a on the portion to be the nozzle portion 11 of a silicone base material 100, forming a polyimide mask 101b for the formation of the nozzle portion by patterning the polyimide precursor 101a into a desired shape, and applying etching on the portion to be the nozzle portion 11 of the silicone base material 100 using the polyimide mask 101b.
シリコン基板１のノズル部１１は、シリコン基材１００のノズル部１１となる部分にポリイミド前駆体１０１ａを塗布し、このポリイミド前駆体１０１ａを所望の形状にパターニングしてノズル部形成用のポリイミドマスク１０１ｂを形成し、このポリイミドマスク１０１ｂを用いてシリコン基材１００のノズル部１１となる部分をエッチングして製造する。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition for forming a photosensitive resin layer superior in forming metal printed wiring, by eliminating the problem of tangle to a conveying system by an peeling piece in an etching resist peeling process, in the final stage of a manufacturing process in a printed circuit board manufacture, and to provide a photosensitive transfer material, and a method for manufacturing a printed circuit board which uses it.
プリント基板製造において、製造工程の最終段階でのエッチングレジスト剥離工程で剥離片による搬送系への絡み付きなどの問題が無く、金属のプリント配線を形成するに良好な感光性樹脂層を形成する感光性樹脂組成物及び感光性転写材料、並びにそれを用いたプリント基板の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The method includes a process of forming an energy-sensitive negative type resin composition film containing at least one kind of polymerizable compound by using an energy-sensitive negative type resin composition, a process of irradiating the energy-sensitive negative type resin composition film with an active energy beam in the shape of an image, and a process of heating the energy-sensitive negative type resin composition film without performing etching operation.
感エネルギー性ネガ型樹脂組成物を用い、少なくとも１種類の重合可能な化合物を含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜を形成する工程；前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜に画像状に活性エネルギー線を照射する工程；および前記感エネルギー性ネガ型樹脂組成物膜をエッチング操作を行うことなく加熱する工程を含む。 - 特許庁 - The transparent barrier film including a carbon deposition layer having a thickness of 0.5 to 10 nm at least on one face of the substrate comprising a plastic material and laminating an aluminium oxide layer having a thickness of 3 to 500 nm thereon, the transparent barrier film in which the carbon deposition face of the substrate is a treated face utilizing plasma of a reactive ion etching (RIE) mode, and its production method are provided.
プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、厚さ０．５〜１０ｎｍのカーボン蒸着層を有し、その上に厚さ３〜５００ｎｍの酸化アルミ層を積層した透明バリアフィルムや上記基材のカーボン蒸着面がリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した処理済みの面である透明バリアフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The surface unevenness formation method comprises: the step of forming an energy-sensitive negative type resin composition containing at lest one or more kinds of polymerizable monomer or oligomer; the step of emitting 0.005 to 1.0J/cm^2 of active energy rays at least one or more times via a mask formed in a pattern; and the step of subjecting to post-heating without an etching operation.
少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上０．００５〜１．０Ｊ／ｃｍ^２照射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display panel including a top-gate TFT as a switching element and a light shielding film shielding the TFT from light, which prevents disappearance of the light shielding film due to over-etching even when Mo is used as a material of the light shielding film and a coating insulating layer of the light shielding film is dry-etched to expose a surface of Mo.
スイッチング素子としてのトップゲート式ＴＦＴと、前記ＴＦＴを遮光するための遮光膜とが設けられた液晶表示パネルにおいて、遮光膜の材料としてＭｏを採用し、遮光膜の被覆絶縁層にドライエッチング処理を施してＭｏの表面を露出させる場合にも、オーバーエッチングによる遮光膜の消失を防げるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6.
撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。 - 特許庁 - Electrodes 2a-2f and 3a-3f and a wiring metal layer for connection with a photoelectric converting element are formed on both sides of the insulating substrate 1, and on the side face of a slit-like opening formed previously in the insulating substrate, and a dividing part 9 is formed by removing part of the metal layer formed on the side face of the opening selectively by machining or chemical etching.
予めスリット状の開口部を形成して絶縁基板１の表裏両面及び前記開口部の側面に光電変換素子へ接続するための電極２ａ〜２ｆ、３ａ〜３ｆ及び配線用の金属層を形成するとともに、前記開口部側面に形成された金属層の一部を機械加工または化学エッチングにより選択的に除去して分断部９を形成する。 - 特許庁 - The process for fabricating a group III nitride based compound semiconductor laser comprises a step for forming a plurality of semiconductor layers composed of a group III nitride based compound semiconductor on a substrate, a step for forming an electrode narrower than the semiconductor layer on the surface thereof, and a step for forming a ridge by etching the semiconductor layer using the electrode as a mask.
III族窒化物系化合物半導体レーザの製造方法において、基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の半導体層を形成する工程と、前記半導体層の表面に、前記半導体層よりも狭い幅を有する電極を形成する工程と、前記電極をマスクとして前記半導体層をエッチングし、リッジ部を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - The method for manufacturing the solar cell provided with the silicon semiconductor substrate having the texture surface comprises the steps of forming a silicide layer 102 on the surface of a silicon semiconductor substrate 100, and forming the texture surface by anisotropic etching porcessing the surface of the silicon semiconductor substrate on which the silicide layer is formed.
テクスチャ表面を有するシリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、このシリコン系半導体基板１００の表面にシリサイド層１０２を形成するステップと、このシリサイド層の形成された前記シリコン系半導体基板の表面を異方性エッチング処理してテクスチャ表面を形成するステップと、を備える、太陽電池の製造方法。 - 特許庁 - The antenna coil for the IC card can be manufactured through a step of applying an epoxy resin on the rough surface of the electrolytic copper foil to provide an epoxy resin layer, a step of applying a polyurethane adhesive on the epoxy resin layer to adhere a synthetic resin film thereto, and a step of treating the electrolytic copper foil by resist treatment and etching and forming a specified circuit pattern.
このようなＩＣカード用アンテナコイルは、電解銅箔の粗面にエポキシ系樹脂を塗布して、エポキシ系樹脂層を設ける工程と、エポキシ系樹脂層上にポリウレタン系接着剤を塗布し、合成樹脂製フィルムを貼合する工程と、次いで、電解銅箔にレジスト処理及びエッチング処理を施して、所定の回路パターンを形成する工程を経て、製造することができる。 - 特許庁 - In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.
気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁 - As the manufacture, the made through hole is charged with resin paste, and after hardening of the charged resin paste, desmear treatment is applied to the laminate 1, and a metallic plated layer 4 by electrolytic plating method is made on this surface where desmear treatment is applied, and the needless section of the made plated layer 4 is removed by etching to form a wiring pattern.
製造方法としては、形成したスルーホールに金属粒子を含有する樹脂ペーストを充填し、充填した樹脂ペーストの硬化後に、その積層体にデスミア処理を施して、このデスミア処理の施された表面に電解メッキ法による金属メッキ層（４）を形成し、形成されたメッキ層（４）の不要部分をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。 - 特許庁 - In the inkjet head, each plate constituting a channel substrate is formed by etching a substrate comprising single crystal silicon, a part of a diaphragm opposes a part of a restrictor, and the diaphragm is recessed as compared with a diaphragm plate both on the side being bonded to a chamber plate and the side being bonded to a piezoelectric element.
インクジェット式記録ヘッドにおいて、前記流路基板を構成する前記各プレートは全て単結晶シリコンを有する基板をエッチング加工して形成され、前記振動板の一部と前記リストリクタの一部とが対面してなり、且つ、前記振動板は、チャンバープレートに接合される側及び圧電素子と接合される両面がダイアフラムプレートに比べて凹形状に構成する。 - 特許庁 - The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.
基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing a silicon-based regeneration test wafer or the like includes a step of performing chemical mechanical polishing to one main surface of the wafer having irregularities by the use of a polishing slurry containing floating abrasive particles and a water-soluble polymer after removing a structural layer on a surface of a used test wafer (non-product wafer) to a necessary extent by wet etching.
本願の一つの発明は、シリコン系再生テスト・ウエハ等の製造方法において、使用済みテスト・ウエハ（非製品ウエハ）の表面の構造層をウエット・エッチングにより、必要な程度、除去した後、凹凸を有するウエハの一つの主面に対して、浮遊砥粒、および水溶性ポリマを含有する研磨スラリを用いた化学機械研磨を実施する工程を含むものである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminated structure excellent in the adhesion between a low permittivity first insulating film which can be satisfactorily used for a semiconductor device and a second insulating film which can be satisfactorily used for a Cu diffusion prevention and a stopper at the time of etching, to provide a laminated structure manufactured by the method for manufacturing, and to provide a semiconductor device using the laminated structure.
半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.
このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁 - Related to a semiconductor film forming device 800, a film- forming device 870 is integrated with a laser etching device 850 and a substrate is transported by a transportation mechanism 860 in a non-oxidizing atmosphere, so that the surface of an amorphous semiconductor film is never exposed to an oxidizing atmosphere while subjecting to an anneal process after the amorphous semiconductor film is formed on the surface of substrate.
半導体膜形成装置８００において、成膜装置８７０とレーザエッチング装置８５０とを一体化し、かつ、非酸化性雰囲気中で基板を搬送機構８６０で搬送することにより、基板の表面に非晶質の半導体膜を形成した後、アニール工程を行うまでの間、非晶質の半導体膜の表面を酸化性雰囲気に一切、晒さない。 - 特許庁 - To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.
キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁 - To provide an exterior container which constitutes a vacuum heat insulating material improving the effect on an ethylene/vinyl ester copolymer saponified film due to plasma etching, preventing the yellowing thereof and the formation of a weak interface layer and superior in its adhesion and gas barrier properties.
エチレン−ビニルエステル共重合体ケン化物フィルムへのプラズマエッチングによる影響を改善し、その黄変、弱界面層の形成を防止し、エチレン−ビニルエステル共重合体ケン化物フィルムと無機酸化物からなる薄膜層との密着強度等を改良し、その密着性に優れ、かつ、ガスバリア性に優れ、更に、これを使用した真空断熱材を構成する外装容器を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the transparent conductive film includes: a step in which on one side or both sides of a transparent film base material, a first layer undercoat layer is formed by an organic material; a step in which on the undercoat layer, the transparent conductor layer is formed by a sputtering method; and a step in which the transparent conductor layer is patternized by etching.
透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a rugged structure, the method forming a uniform fine rugged structure by directly performing etching without performing development after abrasion or irradiation of laser light in the method of manufacturing the rugged structure using a resist layer made of a heat mode type recording material, and to provide a light-emitting element formed by applying the manufacturing method and a method of manufacturing the same.
ヒートモード型の記録材料で構成されたレジスト層を用いた凹凸構造体の製造方法において、アブレーションやレーザ光の照射後に現像を行うことなく直接エッチングを行って均一な微細凹凸構造を形成することができる凹凸構造体の製造方法、この製造方法を応用した発光素子、発光素子の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - After the chromium-molybdenum steel is subjected to oscillation etching treatment using an aqueous solution containing hydrogen peroxide and acid ammonium bifluoride or oxalic acid, the chromium-molybdenum steel is subjected to oscillation treatment using an aqueous solution containing calcium hydroxide and sodium gluconate, or further subjected to oscillation treatment with a hydrochloric acid aqueous solution to thereby suppress smut precipitation, and the metallic surface condition of the chromium-molybdenum steel can be cleaned.
過酸化水素と酸性フッ化アンモンまたは蓚酸を含有する水溶液を用いて揺動エッチング処理後、水酸化カリウムとグルコン酸ナトリウムを含有する水溶液を用いて揺動処理することにより、更には塩酸水溶液で揺動処理することによりスマット析出を抑制してクロムモリブデン鋼材の金属表面状態を清浄化することができる。 - 特許庁 - To provide a surface treatment method and a surface treating agent, with which a smear occurring in a via and the like can effectively be removed without performing treatment using permanganate and the like which is a large load to an environment and an operator and which is expensive and without etching an inner layer metal, and adhesion and connection reliability of an inner layer metal circuit and a plated metal are improved.
環境や作業員への負荷が大きく高コストである過マンガン酸塩等を用いた処理を行うことなく、また内層金属をエッチングすることなく、ビア等に発生したスミアを効果的に除去し、内層金属回路とめっき金属との密着性、接続信頼性を向上させるための表面処理方法及び表面処理剤を提供する。 - 特許庁 - A conductor foil stuck on one surface of an insulating substrate having the device hole is pattern-processed by wet etching using an etchant to which an inhibitor is added to make the top width wider than the bottom width, and a bottom side is caused to stick into an electrode pad of the semiconductor chip, thereby achieving secure bonding to the electrode pad on an insulating substrate side in the device hole.
デバイスホールを有する絶縁性基板の片面に張り合わされた導体箔を、インヒビタを添加したエッチャントを用いたウェットエッチングによってパターン加工することで、ボトム幅よりもトップ幅の方が広くなり、電極パッドに突き刺さるよう作用させ、デバイスホール内の絶縁性基板側で半導体チップの電極パッドに対して確実な接合を得ることができる。 - 特許庁 - To provide a cleaning agent for magnetic disk substrate having a satisfied dispersibility of particle desorbed from a substrate surface and also an excellent re-adhering prevention property, by comprising an excellent cleaning ability to the particle derived from a metallic ion represented by iron ion eluted from a device for use at a manufacturing process and also by comprising an appropriate etching property.
製造工程時に使用する装置から溶出する鉄イオンに代表される金属イオンに由来するパーティクルに対して優れた洗浄性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつ再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Silicon carbide semiconductor devices and methods of fabricating silicon carbide semiconductor devices are provided by successively etching a mask layer to provide windows for formation of a source region of a first conductivity type, a buried silicon carbide region of a second conductivity type opposite to the first conductivity type and a second conductivity type well region in a first conductivity type silicon carbide layer.
炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chuck device capable of adjustment of a temporal change in temperature accompanied by plasma application, temperature adjustment over a wide range, and local temperature control of a platelike specimen by causing a local temperature distribution in a plane of the platelike specimen such as a silicon wafer when applied in a processing apparatus such as a plasma etching device.
プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the substrate for biochip provided with a probe having a specific chemical reaction with a biological substance to be inspected includes a step for selectively etching a portion of the second layer arranged on a first layer make the first layer expose and a step for immersing the first layer in a sodium solution and introduces a plurality of hydroxy groups in the surface of the first layer.
被検対象の生体物質と特異的な化学反応をするプローブを設けたバイオチップ用基板であって、第１の層上に配置された第２の層の一部を選択的にエッチングし、第１の層を表出させるステップと、第１の層をナトリウム溶液に浸し、第１の層表面に複数の水酸基を導入するステップとを含むバイオチップ用基板の製造方法。 - 特許庁 - The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.
本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁 - To provide a reflection type mask blank and a reflection type mask for EUV exposure, and a method of manufacturing the same enabling defect inspection without removing a hard mask layer in a process inspection after the etching of an absorbing material layer and also enabling easier defect repair without any complicated process even if a black defect is found in the process inspection.
本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To provide an electrode material for an aluminum electrolytic capacitor composed of at least on kind of a sintered body out of aluminum and an aluminum alloy, and eliminated in the need for etching, and its manufacturing method of the aluminum electrolytic capacitor which is secured in large capacitance even if particle sizes of the powder of aluminum and an aluminum alloy are small, and the thickness of the sintered body is large.
アルミニウム及びアルミニウム合金の少なくとも１種の焼結体からなるエッチング処理が不要なアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法であって、アルミニウム及びアルミニウム合金の粉末の粒径が小さく、焼結体の厚みが大きい場合でも高い静電容量が確保されたアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A plasma etching apparatus 10 has: a vacuum container having a dielectric cylindrical part 12; and a high-frequency antenna 31 arranged in the shape of a coil with the dielectric cylindrical part 12 as the central axis on the outside of the dielectric cylindrical part 12 while forming a gap with the outer peripheral surface thereof and generating plasma in the vacuum container when high-frequency power is supplied thereto.
プラズマエッチング装置１０は、誘電体円筒部１２を有する真空容器と、この誘電体円筒部１２を軸芯とするコイル状をなして誘電体円筒部１２の外周面との間に隙間を有しつつその外側に配設され、高周波電力が供給されることにより真空容器の内部にプラズマを生成する高周波アンテナ３１とを有する。 - 特許庁 - A tray cleaning device 1 is equipped with: a hermetically sealable container 2 capable of accommodating at least one tray 20; gas supply ports 10 capable of supplying the etching gas into the hermetically sealable container 2; gas exhaust ports 11 capable of exhausting the gas accommodated in the hermetically sealable container 2; and a shaft member 3 disposed so as to be able to pass through the opening of a tray 20 contained in the hermetically sealable container 2.
トレイクリーニング装置１は、トレイ２０を少なくとも１つ収容できる密閉可能な密閉容器２と、密閉容器２内にエッチングガスを供給できるガス供給口１０と、密閉容器２内のガスを排気できるガス排気口１１と、密閉容器２に収容されたトレイ２０の開口部を貫通可能に配設された軸部材３とを備えている。 - 特許庁 - For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.
被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁 - This production method includes processes of: plate-making first and second photosensitive layers 52a, 52b laminated on both sides of a laminated body 50 having a base material film 32, first and second electroconductive layers 40, 45 laminated on both sides of the base material film, and a light shielding layer laminated on the electroconductive layer; and thereafter etching the light shielding layer and the electroconductive layer to pattern them.
製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁 - The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.
エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁
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