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また、基板載置部にバイアスを印加することにより、或いは、基板載置部を加熱して、基板載置部の表面温度を基板載置部以外の部分の温度よりも、保護膜の形成に適した高温にすることにより、基板載置部以外の部分に形成される保護膜よりも、前記プラズマエッチングに対する耐性の高い良質な保護膜を、基板載置部の表面に形成する。 - 特許庁 - In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.
半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁 - In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.
半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.
実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁 - In this noncontact data carrier having a resin base material, a metallic antenna coil 13 formed on one surface of the base material and an IC chip 20 connected to the coil 13, an insulating resist material used for an etching process is left on the surface of an antenna layer as a protective film, excluding connection end parts 131, 132 to be connected with the IC chip 20.
本発明の非接触データキャリアは、樹脂基材と樹脂基材の一方の面に設けられた金属製アンテナコイル１３と、アンテナコイルに接続されたＩＣチップ２０とを有する非接触データキャリアにおいて、アンテナ層表面にはＩＣチップとの接続端部１３１，１３２を除き、エッチング工程で使用した絶縁性のレジスト材料が保護膜として残存していることを特徴とする。 - 特許庁 - In an infrared light source wherein a filament is energized to generate heat and emit infrared rays, the filament with adjusted impurity concentration and electric conductivity is formed on a silicon substrate, and the silicon substrate is anodically joined on a ceramic substrate 10 having filled through-electrodes 11, and then the silicon substrate, except for the filament, is removed by etching to form the filament 13 on the ceramic substrate.
フィラメントに通電して発熱させ赤外線を出射させる赤外線光源において、フィラメントを不純物濃度、導電率を調整しシリコン基板上に形成し、このシリコン基板を充填貫通電極１１を有するセラミック基板１０上に陽極接合し、フィラメント以外のシリコン基板をエッチング除去してセラミック基板上に前記フィラメント１３を形成する。 - 特許庁 - The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas.
多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 - 特許庁 - In an optical mounting board S1 wherein a plurality of grooves formed by anisotropic etching are provided on the main surface of the board consisting of single crystal material and the optical devices are disposed in these respective grooves, the principal surface of the board is provided with a plurality of groove-formed areas where crystal orientations parallel to the optical axis direction of the optical devices to be disposed are different.
単結晶材料から成る基板の主面に、異方性エッチングにより形成した複数の溝を形成し、これら各溝に光学素子を配設するようにした光実装基板Ｓ１であって、基板の主面は、配設させる光学素子の光軸方向に平行な結晶方位が異なっている複数の溝形成領域を備えていることを特徴とする。 - 特許庁 - Processes are performed: a process of measuring the film thickness distribution of a metal film 11 formed on a piezoelectric substrate 2; and an electrode-forming process for forming a mask layer 13 having forming patterns of interdigital transducers 3 on the metal film 11, etching a portion where the metal film 11 and the substrate 2 are not covered with the mask layer 13, thereby forming the interdigital transducers 3.
圧電性基板２上に成膜された金属膜１１の膜厚分布を測定する工程と、櫛形電極３の形状パターンを有するマスク層１３を金属膜１１上に形成し、金属膜１１及び圧電性基板２のうちマスク層１３に覆われていない部分をエッチングすることにより櫛形電極３を形成する電極形成工程とを行う。 - 特許庁 - This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.
光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching.
表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A tape 10 is set in an exposure machine so that a wiring pattern 5 formed by exposing and etching one face turn downside: a registration position of its downside wiring pattern 5 is read by a photosensor 16, and the tape 10 is registered so that the read position agree with a predetermined target position for pattern exposure of the top face coated and prebaked with a photoresist 6 or 8.
片面を露光・エッチングして形成した配線パターン５を下面側になるように露光機にセットし、その下面側の配線パターン５の合わせ位置を光センサ１６で読み取り、その読み取った位置が所定の目標位置に合致するようにテープ１０の位置決めを行い、予めフォトレジスト６又は８をコートしプリベークしてある上面に対するパターン露光を行う。 - 特許庁 - A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.
シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁 - Since the surface treated copper foil produced by this production method has a black, uniform appearance hardly having spots and residues, and has excellent etching properties and chemical resistance, the fraction defective of a composite material for electromagnetic wave shielding produced by utilizing the same is made remarkably low, and the appearance of a PDP (Plasma Display Panel) display screen produced by using the composite material is made excellent.
本発明の製造方法によって製造された表面処理銅箔は、斑及び残渣が殆ど無い黒色の均一な外観を有し、エッチング性と耐薬品性が優れているため、これを利用して製造された電磁波遮蔽用複合材料の不良率が顕著に低くなり、上記複合材料を使用して製造されたPDP表示画面の外観が優れる。 - 特許庁 - The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.
シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - The objective distributed density mask used for exposure for forming a photosensitive material pattern having a three-dimensional structure when the photosensitive material pattern is formed on a substrate and transferred to the substrate by etching to produce an article having surface shape with a three-dimensional structure is obtained by forming a light shielding pattern with a two-dimensional light intensity direction on a transparent substrate.
基板上に３次元構造の感光性材料パターンを形成し、その感光性材料パターンを基板に彫り写すことにより３次元構造の表面形状をもつ物品を製造する際に、感光性材料パターンを形成するための露光に用いる濃度分布マスクであり、透明基板上に２次元の光強度分布を有する遮光パターンが形成されたものである。 - 特許庁 - To provide a substrate for manufacturing carbon nanotube which is capable of protecting a catalyst metal from damage caused by plasma, etc., suppressing the aggregation of the catalyst metal and growing the carbon nanotube using the fine catalyst metal exposed by etching with the plasma as a nucleus and a method manufacturing the carbon nanotube using the substrate.
プラズマなどのダメージから触媒金属を保護し、触媒金属の凝集を抑制するとともに、プラズマを用いたエッチングで触媒金属を微細な状態で露出させ、その露出された微細な触媒金属を核としてカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブ製造用基板と、このような基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.
配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - This invention relates to a method of separating two material systems, which comprises steps of providing a bulk sapphire; forming a nitride system on the bulk sapphire; forming at least two hollow passages between the bulk sapphire and the nitride system; etching at least one inner surface of the hollow passages; and separating the bulk sapphire and the nitride system.
本発明の一実施例による二種類の材料系の分離方法は、サファイアバルクを提供するステップと、サファイアバルク上に窒化物系を形成するステップと、サファイアバルクと窒化物系との間に少なくとも二つの中空通路を形成するステップと、中空通路のうち少なくとも内表面をエッチングするステップと、サファイアバルクと窒化物系を分離するステップと、を含む。 - 特許庁 - This residual liquid for removing the residue existing on the semiconductor substrate after dry etching and/or ashing does not contain a fluorine compound, and contains at least one kind of a neutral organic compound having two or more oxygen atoms which can be coordinated to copper and/or mono alcohol with C4 or more and water, or contains perchlorate and water.
ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 - 特許庁 - The method for preventing bending of an SOI layer comprises a step for forming an SOI substrate including a lower silicon layer 110, a buried silicon oxide layer 111, an SOI layer 123, and a nitrogen containing layer 131 between the buried silicon oxide layer and the SOI layer, and a step for forming an isolation trench by etching the SOI layer.
下部シリコン層１１０、埋め込み酸化シリコン層１１１、およびＳＯＩ層１２３を含み、かつ前記埋め込み酸化シリコン層と前記ＳＯＩ層との間に窒素含有層１３１を含むＳＯＩ基板を形成する段階と、前記ＳＯＩ層をエッチングして素子分離用トレンチを形成する段階とを含むことを特徴とするＳＯＩ層ベンディング防止方法である。 - 特許庁 - This infrared light source device having a filament formed in a micro-bridge shape on a substrate, for emitting an infrared ray by energizing the filament and generating heat therefrom is characterized by being equipped with the etching-formed filament comprising deposited polysilicon to which an impurity is added simultaneously so that the impurity concentration becomes equal in the thickness direction.
基板にマイクロブリッジ状に形成されるフィラメントを有し、このフィラメントに通電して発熱させることにより赤外線を発光させる赤外線光源装置において、 厚さ方向に不純物濃度が均等になるように不純物が添加されつつ堆積されたポリシリコンからなりエッチング形成されたされてエッチング形成されフィラメントを具備したことを特徴とする赤外線光源装置である。 - 特許庁 - According to the method of manufacturing semiconductor device, the method of manufacturing semiconductor device using the Ru film as the electrode is characterised by including the steps of coating a resist on the Ru film, forming a pattern of the relevant resist, etching the Ru film based on the pattern, and removing the resist using simple substance of oxygen gas.
本発明に半導体装置の製造方法によれば、電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置の製造方法において、前記Ｒｕ膜上にレジストを塗布する工程と、当該レジストをパターン形成する工程と、該パターンに基づいて前記Ｒｕ膜をエッチングする工程と、酸素単体ガスを用いてレジストを除去する工程とを包含することを特徴とする。 - 特許庁 - Since incident ion charges escape through the first and second P-type diffusion layers 7 and 11 at dry etching for the formation of the metal wirings, charge up will not take place on the first and second gate electrodes 4 and 6 or the characteristics will not become unbalanced by charge up and thereby no difference appears in the characteristics between transistors.
上記構成をとることにより金属配線を形成する時のドライエッチングを行っても、入射イオン電荷が第一のＰ型拡散層７および第二のＰ型拡散層１１を通じて逃れるので第一のゲート電極４と第二のゲート電極６がチャージアップしない、あるいはチャージアップしてもアンバランスが生じないためトランジスタ間の特性に差が発生しない。 - 特許庁 - The method for evaluating an octahedral void of a silicon wafer detected as a light scattering body using a light scattering type surface inspection apparatus sequentially and repeatedly performs steps of a) detecting the light scattering body on the silicon wafer, b) forming an oxide film on the silicon wafer, and c) removing the oxide film on the silicon wafer by an acid etching treatment.
光散乱式表面検査装置を用いて、光散乱体として検出するシリコンウエハの八面体ボイドの評価方法において、ａ）前記シリコンウエハ表面の光散乱体を検出する工程、ｂ）前記シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する工程、ｃ）前記シリコンウエハ表面の酸化膜を、酸系エッチング処理により除去する工程の各工程を順次繰り返し行う。 - 特許庁 - To provide an opal finishing ink set and a manufacturing method of an opal-finished fabric using it allowing stable and continuous processing by an inkjet method and producing an opal-finished fabric, wherein acid-resistant fiber such as silk and synthetic fiber and cellulose fiber such as cotton and rayon are used together while etching and dyeing are carried out by the inkjet method, with good design.
インクジェット方式による安定した連続加工が可能であり、かつ、インクジェット方式により抜蝕と染色がなされ、意匠性に優れた、絹や合成繊維等の耐酸性繊維と綿やレーヨン等のセルロース系繊維との混用布帛のオパール加工布帛を得ることが出来る、オパール加工用インクセットおよびそれを用いたオパール加工布帛の製造方法を提供することである。 - 特許庁 - In the detector for detecting the movement of gas which is generated in between a comparison chamber with infrared light passing through a sample incident thereon, and a reference chamber with infrared light which is not absorbed by the sample by a flow sensor, the comparison chamber, the reference chamber, and the flow sensor are formed three-dimensionally through etching and pattern formation.
試料を透過した赤外光が入射される比較室と、前記試料の吸収を受けない赤外光が入射される基準室との間に生じるガスの移動をフローセンサで検出する検出器において、エッチングおよびパターン成形により、前記比較室と前記基準室と前記フローセンサが基板中に立体形成されたことを特徴とする検出器。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.
実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning agent for a magnetic disk having proper etching characteristics without deteriorating flatness of a magnetic disk substrate surface, exhibiting good dispersibility of particles eliminated from the substrate surface, achieving excellent particle removing characteristics, and enabling very efficient advanced cleaning allowing improvement of an yield in production and cleaning in a short time.
磁気ディスク基板表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を有すると共に基板表面から脱離したパーティクルの分散性も良好であり、優れたパーティクルの除去性を実現し、製造時における歩留まり率の向上や短時間での洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする磁気ディスク用基板洗浄剤を提供する。 - 特許庁 - Further, in the method of producing the aluminum composite material, a surface finish stage where the surface of the aluminum alloy base material 2 after machining is eroded with a prescribed etching liquid 16 is performed, so that the amount of the aluminum alloy base material 2 to be eroded can relatively easily be controlled, and the surface structure 15 in which the lubricative granules 6 are projected to the surface can properly be formed.
また、このアルミニウム複合材を、機械加工後のアルミニウム合金基材２の表面を、所定のエッチング液１６によって浸食する表面仕上げ工程を行う製造方法としたことにより、比較的容易にアルミニウム合金基材２の浸食量を調整でき、前記の潤滑性粉粒６が表面に突出する表面構造１５を適正に形成できる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a sidewall in a predetermined designed width even if an occupied area of a mask in a chip is different according to the type of a device when the sidewall of a MOS transistor is formed with a polysilicon capacity storage electrode of an already formed DRAM used as the mask by anisotropic etching in a logic circuit of a DRAM-containing system LSI.
ＤＲＡＭ内蔵型システムＬＳＩのロジック回路部において、ＭＯＳトランジスタのサイドウォールを、すでに形成されているＤＲＡＭのポリシリコン容量蓄積電極をマスクとして異方性エッチングで形成する際など、マスクのチップ内占有率がデバイス品種により異なっても、サイドウォールを一定の設計幅に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method for laser-aid working comprises the steps of converging and irradiating laser beams 2 to the material 1 to be worked and made of a transparent material, scanning the irradiating positions of the beams 2 in the material 1 by including at least one position disposed on the surface of the material 1, and removing the part irradiated with the beam 2 of the material 1 by etching to form the holes.
透明材料からなる被加工材料１に対し、レーザビーム２を集光して照射し、このレーザビーム２の照射位置を被加工材料１内において、少なくとも１箇所は被加工材料１の表面上である位置を含めて走査させ、この被加工材料１のレーザビーム２が照射された部分を、エッチング処理により取り除き、孔を形成する。 - 特許庁 - The patterned metal oxide thin film or metal oxide composite thin film is formed by using the composition for a metal oxide thin film prepared by dissolving a metal salt of unsaturated carboxylic acid having at least 9 carbon atoms in a solvent, applying the obtained composition on a substrate, irradiating the composition with light, etching with a solvent and then calcining.
少なくとも炭素数が９以上の不飽和カルボン酸の金属塩を溶媒中に溶解させた金属酸化物薄膜用組成物を用い、この金属酸化物薄膜用組成物を基板に塗布し、光照射して、溶剤によるエッチング後に焼成することにより、パタ−ン化された金属酸化物薄膜または金属酸化物複合体薄膜を形成する。 - 特許庁 - In the case of the surface emitting laser, since a problem such as grid mismatching, etc., is generated when an epitaxial layer is grown on an Si substrate, the epitaxial layer 14 is grown on the substrate of a Gas substrate 11, e.g. it is joined onto the Si substrate upside down to form the element 2 and then the block 1 is formed and divided by Si anisotropic etching.
面発光レーザの場合、エピタキシャル層をＳｉ基板上で成長させると、格子不整合等の問題が生じるため、例えばＧａＡｓ基板１１基板上にエピタキシャル層１４を成長させ、それを逆向きにしてＳｉ基板１７上に接合し、面発光レーザ素子２を成形してから、異方性エッチングによりＳｉ製ブロック１を成形・分割する。 - 特許庁 - In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate.
フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。 - 特許庁 - A three-dimensional structure 3, having an effective refractive index determined by proportionally distributing a refractive index of a material and that of space based on the area ratio, is formed by preparing a substrate having an electrical insulating layer with a semiconductor material deposited thereon, for example, an SOI (silicon on insulator) substrate composed of silicon wafer/silicon oxide layer/silicon layer, and etching the semiconductor material.
電気絶縁層の上に半導体材料が成膜された基板、例えば、シリコンウエハ／シリコン酸化層／シリコン層からなるＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）基板を用意し、半導体材料にエッチングを施して、材料の屈折率および空間の屈折率を面積比率で比例配分することにより定まる実効屈折率を有する三次元構造体３を形成する。 - 特許庁 - To provide a new polymerizable monomer having a high transparency and a low refraction index in such a wide wavelength range as from a vacuum ultraviolet ray to an optical communication wavelength area and further having high adhesion to substrates, high film-forming property and high etching resistance, which can be attained by allowing a polar group to contain in the same molecule even under a high fluorine content, and to provide a polymer compound using the monomer.
高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることで、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性と低屈折率性を有し、かつ基板への密着性、高い成膜性、エッチング耐性を併せ持つ新規な重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物を提供する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the mesh member for screen printing, a plurality of holes are made in the metal foil by etching and the mesh member for screen printing is manufactured in the condition that, after applying the photoresist on the metal foil having the thickness of 5-50 μm, an energy amount when the shape of the hole on an exposure mask is exposed is 120-240 mJ/cm^2.
本発明のスクリーン印刷用メッシュ部材の製造方法は、エッチングによって金属箔に多数の孔開け加工してスクリーン印刷用メッシュ部材を製造するに当り、厚さが５〜５０μｍの金属箔にフォトレジストを塗布した後に、露光用マスクに描画した孔の形状を露光するときのエネルギー量を１２０〜２４０ｍＪ／ｃｍ^2として操業する。 - 特許庁 - A metal film 11 is formed on a prepared wafer 10, etching the metallic film 11 forms IDTs 2 and reflectors 3, the frequency is adjusted by trimming a piezoelectric substrate 10a and the IDTs 2 which are part of the wafer 10, the surface of the IDTs 2 are rapidly modified through heat treatment under an oxygen atmosphere, to form a modified layer so as to stabilize the characteristics.
ウエハ１０を用意し、ウエハ１０上に金属膜１１を形成し、金属膜１１をエッチングしてＩＤＴ２及び反射器３を形成し、ウエハ１０の一部である圧電基板１０ａ及びＩＤＴ２をトリミングして周波数を調整し、ＩＤＴ３表面を酸素雰囲気中での熱処理により急速に変質させて変質層を形成して特性を安定させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.
画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment.
第１導電型不純物を含む化合物半導体基板１の温度を２５０℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第１クリーニング工程と、第１クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第２クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。 - 特許庁 - A vacuum chamber is evacuated while proper gas is introduced into it so as to keep the inside of the chamber at a proper pressure, a high-frequency power is applied to an electrode 3 to generate a plasma in the chamber, and a processed substrate 2 placed on the electrode 3 is subjected to etching with the plasma, where the surface of a window 8 is covered with a sapphire coating 11.
真空容器１内に適当なガスを導入しつつ排気を行ない、真空容器１内を適当な圧力に保ちながら、電極３に高周波電力を印加することで、真空容器１内にプラズマを発生させ、電極３上に載置された被処理基板２に対してエッチングを行なうに際して、窓８の表面にサファイアコーティング処理１１を施したものを使用する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern.
表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。 - 特許庁 - To provide a hose having improved adhesive force between a metal plated layer and an outside resin layer while omitting processes requiring much time for etching and palladium fixture prior to the formation of the metal plated layer by eliminating the need for the resin layer to contain talc when forming the metal plated layer on the outer periphery of the resin layer.
樹脂層の外周に金属めっき層を形成する場合でも、その樹脂層にタルクを含有する必要がなく、そのため、金属めっき層の形成に先立つエッチングおよびパラジウム定着という時間をかなり要する工程が不要となり、しかも、金属めっき層と外側樹脂層との接着力を向上させることができるホースおよびその製法を提供する。 - 特許庁 - Here, a mixed gas fluorine atom and oxygen atom used as a reactive gas, a metal film other than a connection hole is etched with each layer substantially at the same etching speed at 150°C or above or 150-250°C of a semiconductor substrate.
この接続孔内部及び層間絶縁膜上に少なくとも２層以上からなる金属膜を形成した後、接続孔以外の金属膜をエッチング除去するエッチング方法において、反応性ガスとして、フッ素原子を含むガスと、酸素原子を含むガスとの混合ガスを用い、半導体基板温度を１５０℃以上あるいは１５０〜２５０℃の条件で接続孔以外の金属膜を各層とも実質的に同じエッチング速度でエッチングする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a solar battery having a semiconductor substrate 1 whose surface is formed like a rugged shape, an etching mask 14 is formed by applying a masking agent to a prescribed area on the surface of the semiconductor substrate 1, the mask 14 and the surface of the semiconductor substrate 1 which is not coated with the mask 14 are simultaneously etched to form rugged structure 15 on the surface of the semiconductor substrate 1.
表面が凹凸状に形成された半導体基板１を有する太陽電池を製造する方法であって、半導体基板１の表面の所定領域にマスク剤を塗布してエッチング用マスク１４を形成し、その後、このマスク１４とこのマスク１４に覆われていない半導体基板１の表面とを同時にエッチング処理して、半導体基板１の表面に凹凸構造１５を形成する。 - 特許庁 - There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.
金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁 - This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.
研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁 - The method for manufacturing a liquid ejecting head includes: a surface removing step of removing the surface contamination of the pressure generating element by magnetron dry etching; and a wiring step of laying wiring on the pressure generating element, wherein a magnetron application current in the surface removing step is configured based on a surface removal amount of the pressure generating element and a variation in hysteresis characteristic in association with the surface removal.
液体噴射ヘッドの製造方法は、圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去する表面除去処理工程と、圧力発生素子上に配線を形成する配線工程と、を有し、表面除去処理工程におけるマグネトロン印加電流を、圧力発生素子の表面除去量と表面除去に伴うヒステリシス特性の変化量に基づいて設定する。 - 特許庁 - In the nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, a low defect region having a defect density of 10^6 cm^-2 or less and a trench region with a recess formed in the surface of a nitride semiconductor substrate and the etching angle θ between the side face of the recess and its bottom side extension line ranges as 75° ≤ θ≤ 140° in a sectional view of the recess.
本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、７５度≦θ≦１４０度であることを特徴とする。 - 特許庁
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