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少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物質を形成する工程、３値以上の階調パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を放射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により得られる表面凹凸の断面形状が、非線対称である表面凹凸形成方法。 - 特許庁 - When these steps S1 to S4 are repeatedly carried out, the new processing fluid containing the etching reactant is supplied to a processing atmosphere where the work is arranged at the steps S3 and S4 which are carried out after the first step S1, so that the processing fluid near the work is increased in density than that at the first step S1.
これらの第１ステップＳ１〜第４ステップＳ４を繰り返し行う際、第１ステップＳ１の後に行われる第３ステップＳ３および第４ステップＳ４では、被処理物が配置された処理雰囲気に対して新たにエッチング反応種を含有する処理流体を供給し、被処理物の近傍における当該処理流体の密度を第１ステップＳ１よりも上昇させる。 - 特許庁 - To provide a technique efficiently producing micro-character-containing thread excellent in metal gloss without requiring complicate steps such as metal deposition and etching (paster processing), a technique enabling efficient production even in small lot, an anti-falsification paper in which the thread is inserted into paper and an anti-falsification printed matter in which prescribed printing is applied to the anti-falsification paper.
金属蒸着とエッチング（パスター加工）のような複雑な工程を必要とせず、金属光沢に優れたマイクロ文字入りのスレッドを効率的に製造する技術、小ロットでも効率的な生産が可能となる技術、そのスレッドを紙に抄き込んだ偽造防止用紙、及びこの偽造防止用紙に所定の印刷を施した偽造防止印刷物を得ることを課題とする。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.
下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing a photomask determines a drawing position of a transfer pattern so that, in a drawing step, at least a part of the defects existing in a thin film of the photomask blank and/or a surface of a resist film is within an area of the transfer pattern and the defects of the part disappear after etching processing on the basis of defect information of the photomask blank grasped beforehand.
描画工程において、予め把握したフォトマスクブランクの欠陥情報に基づき、フォトマスクブランクの薄膜及び／又はレジスト膜表面に存在する欠陥の少なくとも一部分が、転写パターンの領域内にあって、かつエッチング加工後には該一部分の欠陥が消滅するように、転写パターンの描画位置を決定するフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁 - The LED 10 is constituted so as to include a silicon substrate 11, a pair of electrodes 14, 15 which are formed in a horn 11a formed on the silicon substrate by anisotropic etching, the LED chip 12 which is mounted in the horn and are electrically connected to both the electrodes, and a resin mold 13 which is made up of a resin material filled into the horn.
シリコン基板１１と、このシリコン基板上に異方性エッチングにより形成されたホーン１１ａ内に形成された一対の電極１４，１５と、上記ホーン内にマウントされ且つ双方の電極に電気的に接続されたＬＥＤチップ１２と、上記ホーン内に充填された樹脂材料から成る樹脂モールド１３と、を含むように、ＬＥＤ１０を構成する。 - 特許庁 - To provide a new fluorine-containing polymerizable monomer and fluorine-containing high polymer compound that has high transparency in a very wide wavelength area from the ultraviolet area to the near infrared area, additionally have high adhesion to substrate, film-forming properties, heat resistance, solvent resistance, dielectric property, mechanical stability, further has high etching resistance and is useful as a resist material and photographic sensitive material.
紫外線領域から近赤外線領域に至るまでの幅広い波長領域で高い透明性を有し、かつ基板への高い密着性及び成膜性、耐熱性、耐溶剤性、誘電特性、機械的安定性、さらには高いエッチング耐性を有したレジスト材料や感光性材料に有用な新規な含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.
本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁 - A modified region 72 is formed in a part corresponding to the through-hole 24 in a machining object 1 by condensing laser beams onto the machining object 1, and modified regions 71, 73 extending in parallel in a Z direction and connecting to the modified region 72 are formed in a part 1p removed by anisotropic etching treatment in the machining object 1.
加工対象物１にレーザ光を集光させることにより、加工対象物１内において貫通孔２４に対応する部分に改質領域７２を形成すると共に、加工対象物１内において異方性エッチング処理による除去部分１ｐにＺ方向に平行に延在し且つ改質領域７２に繋がる改質領域７１，７３を形成する。 - 特許庁 - The printed matter includes: a synthetic resin sheet base material 3; a colored layer 5 provided on one surface of the base material 3; and an underlayer 4 located between the base material 3 and the colored layer 5 and having electrically conductive zinc oxide, wherein a configuration having a display region A obtained by the etching print by irradiating the laser L and separating the colored layer 5 is adopted.
合成樹脂製のシート状の基材３と、この基材３の一表面側に設けてなる有色層５と、これら基材３及び有色層５の間に位置し導電性酸化亜鉛を含む下地層４とを具備するものであって、レーザー光Ｌを照射し有色層５を剥離することによりエッチング印刷を施してなる表示領域Ａを有する構成を採用する。 - 特許庁 - To provide a production method of a gallium nitride-based compound semiconductor capable of forming an unevenness without performing a post-processing such as a dry or wet etching of the gallium nitride-based compound semiconductor after removing a substrate from the gallium nitride-based compound semiconductor and capable of suppressing largely a damage caused by the post-processing for preventing the gallium nitride-based compound semiconductor from being directly processed.
窒化ガリウム系化合物半導体から基板を除去した後、窒化ガリウム系化合物半導体にドライまたはウェットエッチング等の後加工を施すこと無しに凹凸を形成可能とし、窒化ガリウム系化合物半導体に直接加工をしないために、後加工によるダメージを大幅に抑えることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.
半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the micro mirror actuator is characterized by including a step for etching a trench corresponding area on a substrate, a step for laminating the film shaped organic film on the substrate so as to maintain a hollow state of the trench corresponding area, and a step for eliminating the film shaped organic film after depositing and patterning a metal film on the film shaped organic film.
マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This semiconductor device manufacturing method comprises a process, where a processed layer 11 with a stepped part 12 is processed, a mask layer 19 or an etching stopper layer is formed on the stepped part 12 provided to the processed layer 11, and the process is carried out by the use of the mask layer 19 or the stopper layer.
本発明の半導体装置の製造方法は、段差部１２を有する被加工層１１の加工を行う加工工程を含む半導体装置の製造方法において、あらかじめ段差部１２が形成された被加工層１１の段差部１２上部にマスク層１９あるいはエッチングストッパー層を形成し、前記マスク層１９あるいはストッパー層を用いて加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁 - The duplexer includes a substrate, a transmitter filter fabricated in a predetermined first area on a surface of the substrate, a receiver filter fabricated in a predetermined second area on the surface of the substrate and an air cavity fabricated in an area between the predetermined first and second areas by etching the substrate to isolate the transmitter and receiver filters from each other.
本デュプレックサーは、基板、基板の一表面上の所定の第１領域に製造された送信端フィルタ、基板の一表面上の所定の第２領域に製造された受信端フィルタ、及び、第１領域と第２領域との間の領域において基板をエッチングする形態で製造され、送信端フィルタおよび受信端フィルタを隔離させるエアキャビティと、を含む。 - 特許庁 - This surface unevenness forming method includes a process for forming an energy-sensitive negative resin composite layer containing at least one or more kinds of polymarizable monomers or oligomers, a process for irradiating activated energy rays at least once or more via a mask with the pattern formed or a process for directly plotting the pattern and a process for performing afterbaking without performing an etching operation.
少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor substrate comprises: a sandblasting step of performing surface treatment by sandblasting on a first surface of a silicon substrate in an as-sliced state, fabricated by slicing a silicon ingot; and a step of performing surface treatment on the silicon substrate using an etching solution containing either or both of hydrofluoric acid and nitric acid after the sandblasting step.
本発明の半導体基板の作製方法は、シリコンインゴットをスライスすることにより作製されたアズスライス状態のシリコン基板の第一の面に対して、サンドブラスト処理による表面処理を行うサンドブラスト工程と、前記サンドブラスト工程の後に、前記シリコン基板に対して、フッ酸、硝酸のいずれか１つ以上を含むエッチング溶液による表面処理を行う工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a laminate for an HDD suspension which has sufficient low moisture absorption and wherein dimensional change due to humidity environmental change can be prevented and etching work can be efficiently and reliably carried out by an alkali aqueous solution, in the laminate for the HDD suspension holding heat resistance and dimensional stability by thermal treatment which used to be required.
従来から要求されてきた耐熱性及び熱処理による寸法安定性を保持したＨＤＤサスペンション用積層体であって、吸湿率が十分に低く、湿度環境変化による寸法変化を十分に防止できるとともに、アルカリ水溶液によって効率よく且つ確実にエッチング加工をすることが可能なＨＤＤサスペンション用積層体を提供すること。 - 特許庁 - The peripheral chamfering part of a semiconductor wafer after being subjected to alkali etching is polished into specular surface while the polishing conditions for the chamfered part are changed according to the crystalline azimuth of the wafer, or otherwise specular polishing is performed while the polishing conditions for the chamfered part are changed according to the level of surface roughness of the chamfered part.
アルカリエッチング後の半導体ウエーハ外周面取り部の鏡面研磨において、前記半導体ウエーハの結晶方位により面取り部の鏡面研磨条件を変更して鏡面研磨する、あるいは前記面取り部の表面粗さのレベルに従い面取り部の鏡面研磨条件を変更して鏡面研磨する半導体ウエーハ外周部の鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置。 - 特許庁 - Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.
半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.
本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁 - An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.
GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁 - Following to baking at a temperature of about 200°C, hydrogen gas or mixture gas of hydrogen gas and an inert gas is subjected to plasma excitation and the surface of the resin film 11 is irradiated with hydrogen plasma 13 of hydrogen active species and unwanted resin film 11 on the surface of the cap layer 106 is removed by etching back of the resin film 11, thus forming a dummy plug 12 filling the via hole 110.
そして、２００℃程度の温度でベーク処理を施した後に、水素ガス、あるいは水素ガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ励起し、水素活性種である水素プラズマ１３を樹脂膜１１表面に照射して行う樹脂膜１１のエッチバックによりキャップ層１０６表面の不要な樹脂膜１１を除去し、ビアホール１１０を充填するダミープラグ１２を形成する。 - 特許庁 - In dry etching for forming a pattern involving isolated pattern regions and dense pattern regions on a substrate having conductive members formed thereon using a hard mask, the thickness of the hard mask is set so that the pattern size of the dry etched hard mask minus the size of a pattern formed on a resist film is less than a specified (allowable) value at the isolated pattern regions and the dense pattern regions.
導電部材が形成された基板上に、孤立パターンと密集パターンを含むパターンをハードマスクによりドライエッチングする場合に、ハードマスクの厚さを、レジスト膜に形成したパターン寸法からハードマスクをドライエッチングした後のハードマスクのパターン寸法を差し引いた値が、前記孤立パターン領域と前記密集パターン領域とで所定の値（許容値）以下となるような膜厚とする。 - 特許庁 - To provide a new polycarbosilane insolubilizable by high energy ray irradiation or heating in an inert gas atmosphere or in a reduced pressure atmosphere, having excellent etching resistance and solvent resistance and giving a film having excellent mechanical strength and low relative dielectric constant, a method for producing the polycarbosilane, a film-forming composition, a film and a method for forming the film.
高エネルギー線照射、あるいは不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下での加熱による不溶化が可能であり、エッチング耐性および溶剤耐性に優れており、かつ、機械的強度に優れた低比誘電率膜を製造することができる新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin.
遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chuck that never varies in leak amount of cooling gas even when a large-sized body to be sucked is repeatedly attached and detached to maintain uniform controllability for a temperature distribution of a suction surface by the cooling gas, and then enhances uniformity, reproducibility, and yield of processing such as etching processing on the body to be sucked and so on.
大形の被吸着物であっても、着脱の繰り返しによって、冷却ガスのリーク量が変化することはなく、吸着面の温度分布の冷却ガスによる制御性を均一に保つことができ、これにより、被吸着物に対するエッチング処理等の処理の均一性、再現性及び歩留まりの向上等を図ることができる静電チャックを提供する。 - 特許庁 - On one side of a base material film 25 constituted of a transparent resin, an anchor layer 24 constituted of the cured material of a polymerizable composition containing a vinyl monomer and/or a prepolymer, a barrier layer 23 containing a metal or a metal compound, an etching protective layer 22 having resistance to acid or alkali, and a transparent conductive layer 21 constituted of an inorganic compound are formed in turn.
透明樹脂で構成された基材フィルム２５の一方の面に、ビニル系モノマー及び／又はプレポリマーを含む重合性組成物の硬化物で構成されたアンカー層２４、金属又は金属化合物を含むバリア層２３、酸又はアルカリに対して耐性を有するエッチング保護層２２、無機化合物で構成された透明導電層２１をこの順序で順次形成する。 - 特許庁 - To provide a constituent material of a printed wiring board using a multilayer composite material having a structure for which at least a thin first bulk copper layer for forming a circuit pattern, a thick second bulk copper layer for forming a bump for obtaining inter-layer continuity of the printed wiring board and an etching barrier layer positioned between the first bulk copper layer and the second bulk copper layer are stacked.
少なくとも回路パターンを形成するための薄い第１バルク銅層、プリント配線板の層間導通を得るためのバンプを形成するための厚い第２バルク銅層及び第１バルク銅層と第２バルク銅層との間に位置するエッチングバリア層を積層した構造を持つ多層複合材料を用いたプリント配線板の構成材料等を提供する。 - 特許庁 - In the method for treating a copper chloride-containing waste etching solution, the pH of the solution to be treated is adjusted to the range of 5-14 in the presence of (i) phosphate ions, (ii) calcium ions, (iii) iron ions and (iv) a carboxyl-containing hydrophilic high polymer and/or its hydrolyzate and dissolved copper ions are precipitated as a slightly soluble material.
塩化銅含有エッチング廃液を処理する方法において、（ｉ）リン酸イオン、（ii）カルシウムイオン、（iii）鉄イオン及び（iv）カルボキシル基含有親水性高分子物質及び／又はその加水分解生成物の存在下で、該被処理液のｐＨを５〜１４の範囲に調整して、該溶存銅イオンを難溶性物質として沈殿させることを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液の処理方法。 - 特許庁 - In the upper electrode for a dry etching system comprising a silicon electrode plate and a base supporting it, (a) the base is composed of graphite, and (b) the silicon electrode plate and the base are bonded through organic adhesive containing a filler having Young's modulus of 6×109 to 68×109 N/m2.
シリコン製電極板と、該電極板を支持する台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電極において、 （ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ （ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッチング装置用上部電極を提供。 - 特許庁 - To provide a method of processing a semiconductor substrate so that it may be possible to fulfill acceptability about dopant quantity and dopant position, a method of processing the semiconductor substrate so that an extremely thin oxide film with excellent characteristics and excellent uniformity can be manufactured, and a method of processing the semiconductor substrate so that etching of a reactant of silicon and silicon oxide can be controlled carefully.
ドーパント量およびドーパント位置に関する許容性を満たすことが可能なように半導体基板を処理する方法、非常に薄い酸化膜を優れた特性および優れた均一性で製造することができるように半導体基板を処理する方法、シリコンおよび酸化シリコンの反応物のエッチングを慎重に制御できるように半導体基板を処理する方法を提供する。 - 特許庁 - In this polarization diffraction element 1 having a polymer birefringent film 3 on a transparent substrate 2 and a periodically projecting and recessed grating formed by etching the polymer birefringent film 3 and formed by coating or loading an isotropic overcoat agent 4 in the grating, the thickness (d) of the polymer birefringent film 3 is almost identical to the depth (h) of the periodically projecting and recessed grating.
本発明では、透明基板２上に高分子複屈折膜３を有し、該高分子複屈折膜３にエッチングにより形成された周期的凹凸格子を有し、該格子内に等方性オーバーコート剤４を被覆あるいは装荷してなる偏光回折素子１において、前記高分子複屈折膜３の厚さ（ｄ）が、周期的凹凸格子の深さ（ｈ）と略同じである構成とする。 - 特許庁 - A green sheet 100 for the barrier rib of a plasma display panel has a first film forming material layer 120 formed on one face of a base film 110 and a second film forming material layer 130 formed on one face of the first film forming material layer 120, and the first film forming material layer 120 and the second film forming material layer 130 have different etching rates.
本発明のプラズマ表示パネルの隔壁用グリーンシート１００は、ベースフィルム１１０の一面に形成された第１膜形成材料層１２０と、該第１膜形成材料層１２０の一面に形成された第２膜形成材料層１３０と、を備え、上記第１膜形成材料層１２０と第２膜形成材料層１３０とはエッチング速度が異なるものである。 - 特許庁 - The method includes etching a test workpiece 13 in a flat configuration in the chamber, determining the respective angle of a longitudinal portion of the features 16 relative to an axis passing orthogonally through the workpiece, and determining the curvature of the workpiece, which is required to reduce the angles, at least over a central portion of the workpiece, substantially to 0°.
該方法は、チャンバ内に平らに配置されている試験加工品１３をエッチングすること、加工品に直角に通る軸に対して特徴部分１６の長手方向の部分のそれぞれの角度を決定すること、及び少なくとも加工品の中央部分に渡って角度を略０°に低減するのに必要とされる加工品の曲率を決定することとを含んでいる。 - 特許庁 - The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.
金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁 - In this method for treating the etching waste liquid containing copper chloride as a liquid to be treated for recovering copper as a precipitate, the liquid to be treated is mixed with an alkaline liquid having ≥9 pH to form a mixed liquid having pH 6 to 11, and an oxidizing agent is added to precipitate the dissolved copper ions as copper to be recovered.
塩化銅含有エッチング廃液を被処理液として処理する方法において、該被処理液とｐＨ９以上のアルカリ液とを混合して、６〜１１のｐＨを有する混合液を形成するとともに、酸化剤を添加し、該溶存銅イオンを銅として沈殿させ、それを回収することを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液から銅を沈殿物として回収する方法。 - 特許庁 - The wet etching method includes: a process in which a groove extended along the protection target of a processed structure is formed to the processed structure; a process in which an etchant-resistant protection film covering the protection target and the groove and partially entering the groove is formed on the processed structure; and a process for making an etchant act on the processed structure.
本発明のウエットエッチング方法は、被加工構造体の保護対象箇所に沿って延びる溝部を被加工構造体に形成する工程と、保護対象箇所および溝部を覆い且つ当該溝部に一部が入り込むエッチング液耐性保護膜を被加工構造体上に形成する工程と、被加工構造体に対してエッチング液を作用させる工程とを含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of the polymer optical waveguide substrate comprising the processes of forming a polymer optical waveguide laminated body on a silicon substrate, removing the unnecessary part by performing the reactive ion etching via a resist pattern containing positive type silicon, and exfoliating the resist containing the silicon, is characterized in that an exfoliation liquid containing amino alcohol is used as an exfoliation liquid of the resist containing silicon.
シリコン基板上に、ポリマー光導波路積層体を形成し、ポジ型シリコン含有レジストパターンを介して反応性イオンエッチングを行って不要部を除去し、次いでシリコン含有レジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、シリコン含有レジストの剥離液としてアミノアルコール含有剥離液を使用することを特徴とする方法。 - 特許庁 - Then, after the metal gate substance layer is etched to form a metal gate pattern, a capping layer is formed on the metal gate pattern, and a selective oxidation process is performed for selectively oxidizing a substance containing silicon while suppressing oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern in order to cure any damage occurring upon etching for forming the metal gate pattern.
次いで、前記金属ゲート物質層をエッチングして金属ゲートパターンを形成した後、前記金属ゲートパターン上にキャッピング層を形成し、前記金属ゲートパターンを形成するためのエッチング時に発生したダメージをキュアリングするために前記金属ゲートパターンに含まれた前記金属層の酸化を抑制しつつ、シリコンを含有した物質を選択的に酸化させる選択的酸化工程を行う。 - 特許庁 - To provide a metal etched component which has achieved a high etching factor, can reproduce a metallic pattern so as to acquire a designed precision, and an etched cross-section having a high aspect ratio and high definition, and to provide a manufacturing method therefor.
金属層に開孔部を有する金属エッチング製品において、本発明の金属エッチング部品及びその製造方法では、従来の方法では不可能であった飛躍的な高エッチングファクターを達成し、かつ精度についても設計通りの金属パターンを再現できることを特徴とする高アスペクト比かつ高精細なエッチング断面形状の金属エッチング部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This probe pin manufacturing method for manufacturing the probe pin for supplying a signal to an electronic device is provided with a mask layer formation process for forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate, a groove part formation process for forming a groove part on the substrate by etching the substrate, and an accumulation process for accumulating a metal material in the groove part by using the mask layer as a mask.
電子デバイスに信号を供給するためのプローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板に所定のパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層をマスクとして、基板をエッチングし、前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、マスク層をマスクとして、溝部に金属材料を堆積する堆積工程とを備える。 - 特許庁 - This strain sensor is manufactured by a patterning process for forming a pattern having a beltlike aperture surrounding a predetermined point in one surface of the substrate, and a process for etching the substrate along the beltlike aperture by a predetermined amount after this patterning process, and integrally forming the diaphragm copying the outline of the beltlike aperture and the needlelike projection supported at the center of the diaphragm on the substrate.
この歪センサは、基板の一面に、所定の点を取り囲む帯状の窓を設けたパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程の後に帯状窓に沿って基板を所定量エッチングし、基板に帯状の窓の外形に倣ったダイアフラムとダイアフラムの中央に支持された針状突起とを一体に形成する工程によって製造される。 - 特許庁 - In this method, a positive electrode is formed, an insulation film is formed on the positive electrode, a plasma process is performed after forming an opening so as to expose a part of the positive electrode by etching the insulation film, a film containing an organic compound is formed on the insulation film and the exposed positive electrode, and a negative electrode is formed on the film containing the organic compound.
本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成した後にプラズマ処理をし、前記絶縁膜及び前記露出された陽極上に有機化合物を含む膜を形成し、前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - When a metal black film 11 is formed in a finely-worked semiconductor substrate 10 and lifted off by wet-etching using the sacrifice layer to form an infrared-ray absorbing layer in a desired area, the metal black film 11 is formed by injecting ultra micro-fine particulates at a high speed with a gas flow, from a nozzle 6 to the fine-worked semiconductor substrate 10, to be sprayed partially.
微細加工された半導体基板１０に金黒膜１１を成膜し、犠牲層を用いたウェットエッチングによってリフトオフさせて、所望の領域に赤外線吸収層を形成するに際して、微細加工された半導体基板１０に対して超微粒子をノズル６からガス流に乗せて高速噴射して部分的に吹き付けることにより、金黒膜１１を成膜する。 - 特許庁 - To provide a composition for an antireflection coating which prevents lowering of the dimensional accuracy of a pattern caused by interference of multiply reflected light in a photoresist film and enables formation of a resist pattern free of deterioration in the pattern shape such as T-top or round top shape adverse to an etching process caused chiefly by intermixing of a chemically amplified resist and an antireflection film.
フォトレジスト膜内における多重反射光の干渉によりもたらされるパターン寸法精度の低下を防止し、且つ化学増幅型レジストと反射防止膜とのインターミキシングなどにより引き起こされる、エッチング工程に不都合なＴ−トップ、ラウンドトップなどのパターン形状の劣化を起こさないレジストパターンを形成することのできる反射防止コーティング用組成物を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing diffraction lenses comprises a step for forming a stack having at least two phase shift layers which are separated from each other by an etching stop layer on the first face of each of transparent substrates 34, 144 capable of transmitting light of selected wavelengths between infrared rays and ultraviolet rays and a step for forming a pattern on the stack in order to form a layer of a diffracting optical element 50.
赤外線から紫外線の間で選択された波長の光を透過する透明な基板３４、１４４の第１の面上に、エッチング停止層で分離された少なくとも２つの位相シフト層を有するスタックを形成するステップと、回折光学素子５０の層を形成するために、前記スタックにパターン形成するステップとを含んでなる、回折レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Accordingly, since plasma formed in an upper part of the electrode plate 12 of the exhaust electrode 11 is made uniform, effects which enable constant etching are obtained, and also since the function of an exhaust pipe 4 is integrated with a function of an electrode, thereby functioning by the one exhaust electrode 11, a volume occupied by a process chamber is reduced and efficiency of a purity chamber is enhanced.
従って、排気エレクトロード１１の電極板１２の上部に形成されるプラズマが均一になって一定なエッチングを可能にする効果があるし、また排気管４の機能とエレクトロードの機能を統合して一つの排気エレクトロード１１によって機能するようにすることで工程チャンバーが占める体積が減り清浄室の効率を向上させる効果がある。 - 特許庁 - A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.
金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁 - This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.
本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁
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