「etching」を含む例文一覧(19972)
＜前へ 1 2 .... 387 388 389 390 391 392 393 394 395 .... 399 400 次へ＞- To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.
本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - A semiconductor layer constituting a laser resonator 2 is grown on an n-type GaAs substrate 1 and after a waveguide stripe 3 is formed on the semiconductor layer, the semiconductor layer is etched at a position in a part corresponding to the waveguide stripe 3 not intersecting the surface of the semiconductor layer thus forming a resonator end face 5 of etching end face.
ｎ型ＧａＡｓ基板１上にレーザ共振器２を構成する半導体層を成長し、半導体層に導波路ストライプ３を形成した後、導波路ストライプ３に対応する部分における半導体層の表面に交差しない位置で半導体層をエッチングすることにより、エッチング端面からなる共振器端面４，５を形成する。 - 特許庁 - This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.
本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁 - An Ellipsometer is arranged in the orienter chamber 55 and by measuring the thickness of ion implemented region (amorphous layer) in a substrate or the thickness of the formed film without exposing a wafer to the atmosphere outside a manufacturing device until a series of processes such as film forming, annealing, and etching is completed, the management of the condition setting of the next process etc. is made possible.
オリエンターチャンバ５５にエリプソメータが配設され、成膜，アニール，エッチング等の一連のプロセスが終了するまでウエハを製造装置外の大気にさらすことなく、基板内のイオン注入領域（アモルファス層）の厚みや、成膜した膜の厚みなどをエリプソメータにより測定することで、次の処理の条件設定などの管理が可能となる。 - 特許庁 - In the compound semiconductor light emitting element provided with a gallium nitride-based compound semiconductor which is formed by successively laminating the n-type layer and p-type layer upon a sapphire substrate in this order and etching the layers so that the electrode forming surface of the n-type layer may be exposed, the surface of the sapphire substrate on the same side as that of the electrode forming surface is exposed.
サファイア基板上にｎ型層及びｐ型層が順に積層されて、予めｎ型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体を前記サファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記電極形成面と同一面側にサファイア基板面が露出されている。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.
セラミック基板１上にグレーズ層２を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜３を形成して、エッチング処理後にレジスト膜３を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル５から粒子径が２５０μｍ以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜３を除去する。 - 特許庁 - The actuator substrate 1 comprises the diaphragm 12 and an electrode 14 which are disposed facing with each other via a void 13 formed by the sacrifice layer etching, and the sacrifice layer hole 30 to remove the sacrifice layer is sealed with a silicon oxide film 28 which constitutes a part of the diaphragm 12 as a sealing film, forming a corrosion resistant film 29 on the silicon oxide film 28.
アクチュエータ基板１は犠牲層エッチングで形成した空隙１３を介して対向する振動板１２と電極１４とを対向して配置し、犠牲層を除去するための犠牲層ホール３０を振動板１２の一部を構成するシリコン酸化膜２８を封止膜に用いて封止し、シリコン酸化膜２８上に耐腐食性膜２９を形成した。 - 特許庁 - A metal substrate in which ruggedness in accordance with a transfer pattern in accordance with information to be transferred to the magnetic recording medium is formed on a surface is formed, a master substrate having the prescribed shape is formed by separating from the metal substrate by etching, and a magnetic layer is formed so that at least ruggedness out of the surface of the master substrate is covered with the magnetic layer.
磁気記録媒体に転写すべき情報に応じた転写パターンに応じた凹凸が表面に形成された金属基板を成形し、金属基板からエッチングによって分離することで所定の形状を有するマスター基板を成形し、マスター基板の表面のうち少なくとも凹凸を覆うように磁性層を形成する。 - 特許庁 - This mask cleaning device for an organic EL element for cleaning a mask used for formation of an organic layer of the organic EL element is provided with: a chamber for housing the mask; a gas discharge part arranged in the chamber for discharging an etching gas toward the mask; and a metallic cooling member installed in the chamber, arranged separately from the mask, and facing to the mask.
有機ＥＬ素子の有機層の形成に用いられるマスクをクリーニングする有機ＥＬ素子用マスククリーニング装置であって、マスクを収容するチャンバと、チャンバ内に設けられ、マスクに向けてエッチング用ガスを吐出するガス吐出部と、チャンバ内に設けられ、マスクから離隔して配置されるとともに当該マスクと対向する金属製の冷却部材とを備える。 - 特許庁 - An insulation film is used, composed of an Si nitride film formed by the low pressure CVD method as an intermediate insulation film 107 which is inserted between insulation films 106, 108 having first and second contact holes 161, 162 and used for a mask in etching the second contact holes 162, and an Si nitride film formed by the plasma CVD method.
第１及び第２のコンタクト孔１６１、１６２が形成された絶縁膜１０６、１０８間に挿入され、第２のコンタクト孔１６２をエッチングする際のマスクに用いられる中間絶縁膜１０７として減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とから構成された絶縁膜を用いる。 - 特許庁 - In a dry etching device which is equipped with an He cooling mechanism for cooling a glass board 1 and a frame-shaped clamp 2 for pressing and fixing the periphery of the glass board all around from it upper side, the clamp 2 is inclined to be thicker from the inside periphery to outside periphery so that the flow of processing gas may be performed smoothly.
ガラス基板１を冷却するためのＨｅ冷却機構と、ガラス基板１周辺部を全周にわたって上側より押さえ固定する枠状のクランプ２を備えたドライエッチング装置において、クランプ２に、内周部から外周部に向かって肉厚となるような傾斜をつけ、処理ガスの流れがスムーズに行われるようにした。 - 特許庁 - The gas diffusion layer for a fuel cell is formed by laminating at least two metal plates 3, 4, and 5 each having a plurality of through holes 6 for gas diffusion and a through hole 7 for alignment formed by photo-etching, while aligning the through holes 7 for alignment so that the through holes for gas diffusion continuously run from the separator side to the catalyst layer side.
フォトエッチングにより複数のガス拡散用貫通孔６、および位置合わせ用貫通孔７が形成された少なくとも１つ以上の金属板３，４，５を、セパレータ側から触媒層側までガス拡散用貫通孔が連続するように、位置合わせ用貫通孔７を合わせて積層させて燃料電池用ガス拡散層を形成する。 - 特許庁 - The manufacturing method for the inkjet recording head includes a process of preparing the Si substrate where the heating elements and an orifice plate with ejection ports for ejecting ink formed therein are set at one primary face side, a process of forming the ink supply ports by etching the other primary face of the Si substrate by the method and by forming through-holes in the Si substrate.
発熱体とインクを吐出するための吐出口が設けられたオリフィスプレートとが一方の主面側に設けられたＳｉ基板を用意する工程；及びＳｉ基板の他方の主面を前記方法によってエッチングしてＳｉ基板に貫通孔を設けることによりインク供給口を形成する工程を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法。 - 特許庁 - A method for manufacturing the semiconductor device is characterized in that the contact hole is filled with a conductive material without causing a defect inside when the contact hole is filled with the conductive material in a succeeding stage by removing by anisotropic etching the barrier layer formed in the opening area of the contact hole filled with the conductive material forming the connection line.
本発明の半導体装置の製造方法は、接続線を形成する導電材料を埋め込むコンタクトホールの開口領域に形成されたバリア層を異方性エッチングにより除去することにより、後の工程で導電材料を埋め込むに際して、欠陥を内在させることなくコンタクトホールに導電材料を充填することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element to simplify processes and to improve productivity by selectively exposing amorphous indium tin oxide to light to convert into polycrystalline or crystalline indium tin oxide and selectively etching residual amorphous indium tin oxide to form a pixel electrode.
前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的に光で露光して、多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化物に変換させ、残りの前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチングして画素電極を形成することにより、工程を単純化させて生産性を向上させ得る液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - (4) Strengthening competitiveness of infrastructure/service business operators, including electric supply, urban transportation, ports and harbors, IT/public services, energy conservation/new energy, roads, etching order to put these actions plans into effect, the government intends to make "all-Japan" efforts to promote PPP by establishing the "Strategic Council on Asian PPP (provisional name)"comprising government authorities and organizations and the "Taskforce for Asian PPP Policy (provisional name)" comprising public and private representatives
④電力、都市交通、港湾、IT／公共サービス、省エネ・新エネ、道路等のインフラ・サービス事業者の競争力強化、これらのアクションプランを実現するため、今後、関係省庁・機関で構成する「アジアPPP戦略会議（仮称）」や官民からなる「アジアPPP政策タスクフォース（仮称）」を設立し、オールジャパンでのPPPを進める予定である。 - 経済産業省 - To provide copolyimide films which equally meet a high modulus, a low coefficient of thermal expansion, a low coefficient of hygroscopic expansion and a low water absorption and excel in alkali etching resistance when applied to flexible printed circuits provided with a metallic wiring in its surface or tape automated bonding tape(TAB tape) metallic wiring board substrate materials.
その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路またはテープ自動化接合（Tape Automated Bonding）テープ（ＴＡＢテープ）用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、低吸湿膨張係数、低吸水率を均衡に満たし、さらには耐アルカリエッチング性にも優れた共重合ポリイミドフィルムを提供する。 - 特許庁 - The chemical amplification-type negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching comprises (A) a photoacid generating agent, (B) at least one resin component selected from novolak resins, polyhydroxy styrene resins and acrylic resins, (C) at least one plasticizer selected from acrylic resins and polyvinyl resins, (D) a crosslinking agent and (E) an organic solvent.
（Ａ）光酸発生剤、（Ｂ）ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、およびアクリル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の樹脂成分、（Ｃ）アクリル樹脂およびポリビニル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の可塑剤、（Ｄ）架橋剤、（Ｅ）有機溶剤を含むことを特徴とする低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物。 - 特許庁 - A metal support 11 and a material (palladium alloy foil) 13 having hydrogen gas separation properties are subjected to cladding processing to be laminated each other and, thereafter, the portion of the metal support of a clad cut plate K is selectively etched using an etching liquid to expose the material 13 having gas separation properties to obtain the hydrogen gas separation unit A.
金属支持体１１と水素ガス分離性を有する材料（パラジウム合金箔）１３とをクラッド加工して積層し、その後クラッド切板Ｋの金属支持体１１の部分を、エッチング液を使用して選択的にエッチングすることによって、下層の水素ガス分離性を有する材料１３を露出させ、水素ガス分離ユニットＡを得る。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device comprises steps of forming a film 40 on a semiconductor substrate 10, forming a mask having a predetermined pattern on the film 40, etching the film 40 or the semiconductor substrate 10 using the mask, and conducting a treatment with a chemical containing at least one of primary to quarternary amines and fluorine.
半導体基板１０上に膜４０を形成するステップと、膜４０上に、所定のパターンを有するマスクを形成するステップと、マスクを用いて、膜４０又は半導体基板１０にエッチングを行うステップと、第１級乃至第４級アミンのうちの少なくとも１つと、フッ素とを含む薬液によって処理を行うステップとを備える。 - 特許庁 - To provide a resist composition which is suitably used in a super-microlithography process and other photofabrication processes such as manufacture of VLSIs and high capacity microchips and whose surface roughness in etching is reduced, and further a resist composition which has superior characteristics of sensitivity, resolving power, a profile, a pattern fall, a side lobe margin, roughness and fineness dependency, etc.
超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、エッチング時の表面荒れが低減されたレジスト組成物、また更には、感度、解像力、プロファイル、パターン倒れ、サイドローブマージン、疎密依存性などの諸特性にも優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - A dulling layer is formed on a substrate surface of a semiconductor light-emitting element and recesses and projections comprising the dulling layer are formed thereabove by etching, then epitaxial growth is started from the bottom surface of the recess, the recess is filled first with the epitaxial layer, and further, the projection is covered and an epitaxial layer structure is completed by self-bonding upward epitaxial growth.
半導体発光素子の基板表面に鈍化層を形成し、並びにエッチングにより凹部と上方に該鈍化層を具えた凸部を形成し、その後、凹部の底面よりエピタキシャルを開始し、エピタキシャル層で先にこれら凹部を充填し、その後更にこれら凸部を被覆し且つ自己接合上方向エピタキシャル成長によりエピタキシャル層構造を完成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.
銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a multilayer board that has capabilities of forming a low-resistance embedding electrode without use of the etching process and bringing the low-resistance embedding electrode into contact with an ITO transparent electrode to reduce the wiring resistance of the ITO transparent electrode, while increasing the light passing through the multilayer board, and to provide a manufacturing method for such a multilayer board.
エッチング工程を使用せずに、低抵抗の埋め込み電極を形成し、低抵抗の埋め込み電極をＩＴＯ透明電極に接触させて、ＩＴＯ透明電極の配線抵抗を低減させるとともに、多層基板を通過する光を増大する機能を有する多層基板及び多層基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In the processing method, a photosensitive resin composition comprising a polybenzoxazole precursor and a photosensitive diazoquinone compound is applied, prebaked, exposed and developed to form a pattern, curing is carried out at a temperature higher than the prebaking temperature and lower than the final curing temperature, and after etching, the photosensitive resin composition is finally cured.
ポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾキノン化合物からなる感光性樹脂組成物を塗布、プリベーク、露光、現像し、パターンを作成した後、プリベーク温度より高い温度、ただし、最終硬化温度より低い温度にて硬化を行い、その後、エッチングし、感光性樹脂組成物を最終硬化する感光性樹脂組成物の加工方法である。 - 特許庁 - The diffraction element with high light utilization efficiency can be achieved by utilizing a crystal transparent substrate 20 with retardation; forming a birefringent film 24 of a polymer liquid crystal on the transparent substrate; forming periodic lattices 27 in the polymer liquid crystal film by photolithographic method and dry etching; and filling the uneven parts of the formed lattices with an isotropic material 28.
位相差を有する水晶の透明基板２０を使用し、その上に高分子液晶の複屈折性膜２４を形成し、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により高分子液晶膜に周期的な格子２７を形成し、形成された格子の凹凸部を等方性材料２８で充填することで高い光利用効率を有する回折素子を実現した。 - 特許庁 - The plasma etching device 10 includes a chamber 11, a holding table 13 provided in the chamber 11 for holding the object 12 to be processed, a gas supply means 70 including a gas supply pipe 1 having a spout 2 for spouting a gas toward the object 12, a plasma generating means 25 and an exhaust means 80 for exhausting the air inside the chamber 11.
チャンバ１１と、チャンバ１１内に配置され被処理物１２を保持するための保持台１３と、被処理物１２に向けてガスを噴出させる噴出口２を有するガス供給管１を含むガス供給手段７０と、プラズマ発生手段２５と、チャンバ１１内を排気する排気手段８０とを備えるプラズマエッチング装置１０とする。 - 特許庁 - This substrate processing apparatus includes a processing chamber 36, a carrier roller 42 to horizontally carry the substrate W in the processing chamber, a spray nozzle 44 to discharge etching liquid 48 to the top of the substrate carried by the carrying roller, and a gas discharge nozzle 52 to discharge cold air or warm air to a required region on the top of the substrate carried by the carrier roller.
処理チャンバ３６と、処理チャンバ内で基板Ｗを水平方向へ搬送する搬送ローラ４２と、搬送ローラによって搬送される基板の上面へエッチング液４８を吐出するスプレーノズル４４と、搬送ローラによって搬送される基板上面の所要領域に対して冷風または温風を吐出する気体吐出ノズル５２とを備える。 - 特許庁 - The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.
ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁 - A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.
本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁 - A pattern for via holes is formed by photo etching on one or both sides of a polyamide film having copper layers on both sides thereof which are bonded without using adhesive, the polyamide is etched by alkali solution with the pattern as a mask to form blind via holes, and then laser is radiated using the pattern as a mask.
両面に銅層を有し、かつ銅層との接合に接着剤を用いないポリイミドフィルムの片面あるいは両面の銅層に、フォトエッチングによりビア開孔用パターンを形成し、該パターンをマスクとしてアルカリ溶液によるポリイミドエッチングによりブラインドビアホールを形成し、さらに該パターンをマスクとして、レーザーを照射することを特徴とする。 - 特許庁 - A photosensitive resin composition for an etching resist contains (component A) a polymer having a monomer unit (a1) having a residue in which a carboxy group or a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group and a monomer unit (a2) having an epoxy group and/or an oxetanyl group, (component B) an optical acid-generating agent, and (component C) a solvent.
（成分Ａ）カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位（ａ１）と、エポキシ基及び／又はオキセタニル基を有するモノマー単位（ａ２）とを有する重合体、（成分Ｂ）光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤、を含むことを特徴とするエッチングレジスト用感光性樹脂組成物。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material which is for a multilayer resist process, especially for a double layer resist process or a triple layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially against exposure with short wavelength light, that is, having high transparency and most suitable n and k values, and further is excellent in etching resistance in substrate working.
多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用又は三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なｎ値、ｋ値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁 - To prevent a silicon oxide film from decreasing by increasing the selection ratio of a titanium nitride film to a polysilicon film when a recess is formed by etching in the titanium oxide film and the polysilicon film formed, respectively, on an HfSiON film and a silicon oxide film arranged side by side, and to form the recess to have a good shape.
横並びに配置されたＨｆＳｉＯＮ膜と酸化シリコン膜との上に夫々形成された窒化チタン膜とポリシリコン膜とに対してエッチングにより凹部を形成するにあたり、ポリシリコン膜に対する窒化チタン膜の選択比を大きくすることにより、酸化シリコン膜の膜減りを抑えると共に、凹部を良好な形状となるように形成すること。 - 特許庁 - To provide a detergent composition for a fluorocarbon film which excels in the removal performance of a minute contamination particle adhering to the fluorocarbon film formed on a substrate and detachability after dry etching without corroding a metal and changing the physical property of the fluorocarbon film, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device using the detergent composition.
本発明の目的は、基板上に成膜されたフルオロカーボン膜に付着した微小汚染物粒子の除去性能およびドライエッチング後の剥離性に優れ、金属を腐食せず、かつ該フルオロカーボン膜の物性を変化させることのない洗浄剤組成物、および、該洗浄剤組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - A MOS gate device manufacturing process includes a first mask 30 for continuously forming a cell body 50 and a source region 51 in the cell body 50, and a second mask for forming a center opening in the silicon surface of each cell by silicon etching and consecutively for undercutting an oxide 60 surrounding the center opening.
ＭＯＳゲートデバイス製造プロセスであって、該プロセスは、セルボディ５０とセルボディ５０中のソース領域５１を連続して形成するための第１のマスク３０を有し、シリコンエッチにより各セルのシリコン表面に中央開口部８０、８１を形成し続いて中央開口部８０、８１を囲む酸化物６０をアンダーカットするための第２のマスク工程を有する。 - 特許庁 - In the etching protective material formed of a film made by forming a layer containing a polyolefin resin on a surface part of at least one surface of a polyolefin film, the polyolefin resin contains an olefin constituent (A) comprising 2-4C alkene as a main constituent, and containing 2-40 mass% of a (meta)acrylic acid ester constituent (B).
ポリオレフィンフィルムの少なくとも片面の表面部にポリオレフィン樹脂を含む層を形成したフィルムからなるエッチング保護材であって、前記のポリオレフィン樹脂が、炭素数２〜４のアルケンからなるオレフィン成分（Ａ）を主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル成分（Ｂ）を２〜４０質量％含むポリオレフィン樹脂であることを特徴とするエッチング保護材。 - 特許庁 - For the purpose of attaining a high integration of the flash memory to increase a coupling ratio of an interpolysilicon insulating film formed between polysilicons with use for floating and control gates, a second polysilicon film 18 for the floating gate is formed not by etching using a mask but by depositing a first polysilicon film 16 thereunder and selectively growing it.
フラッシュメモリで高集積化を達成して、フローティングゲートとコントロールゲートに用いられるポリシリコンの間に構成されたインタポリ絶縁膜のカップリング比を高めるために、フローティングゲート用第２ポリシリコン膜１８をマスクを用いた蝕刻で形成せずに、下部に第１ポリシリコン膜１６を蒸着してこれを選択的に成長させ第２ポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁 - Further, second cleaning liquid feeding nozzles which can feed the liquid containing hydrofluoric acid or the like to remove slurry from the periphery and to perform etching on unnecessary films in the periphery or the like are disposed around the peripheries of the upper and lower surfaces of the wafer W in a peripheral section cleaning box 300 for selectively cleaning the periphery of the wafer W.
また、ウエハＷの周縁部を選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするためのフッ酸などを含む液を供給することができる第２洗浄液供給ノズルが配設されている。 - 特許庁 - The process for producing a nozzle plate having a nozzle hole for ejecting a liquid drop comprises a step for forming a nozzle hole 22 by etching a silicon substrate 10 from the other side in such a state that the silicon substrate 10 having one side bonded with a substrate 50 for supporting the silicon substrate 10 is supported by the supporting substrate 50.
液滴を吐出するためのノズル孔を有するノズルプレートの製造方法であって、シリコン基板１０の一方の面に、シリコン基板１０を支持するための支持基板５０を接合して、シリコン基板１０を支持基板５０により支持した状態で、シリコン基板１０の他方の面からエッチングを施して、ノズル孔２２を形成するノズル孔形成工程を有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of: laminating a first adhesive tape 20 on a circuit surface 13 side of a semiconductor wafer with a circuit formed on the surface; grinding the backside of the semiconductor wafer; laminating a second adhesive tape 30 on the first adhesive tape 20; and subjecting the backside of the semiconductor wafer to chemical etching.
半導体装置の製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面１３側に、第１の粘着テープ２０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、第１の粘着テープ２０上に第２の粘着テープ３０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition which, as a chemically amplified resist, is high in transparency to radiation and superior in resolution and is not only superior in dry-etching resistance, sensitivity, and pattern shape or the like, but also remarkably improves the yield of semiconductor elements by suppressing the occurrence of development defects during microfabrication.
化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、かつ解像度が優れるとともに、ドライエッチング耐性、感度、パターン形状等にも優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥発生を抑制し、半導体素子の歩留りを著しく向上させることができる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.
基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.
ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.
半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁 - When a GaAs layer 14 in a laminated structure body 10 made up of the GaAs layer 14 and the other layer 18 is selectively etched by using an etching solution containing citric acid, hydrogen peroxide, and water, an InxAl1-x As layer in contact with the GaAs layer 14 is put between the GaAs layer 14 and the other layer 18.
ＧａＡｓ層１４とＧａＡｓ以外の層１８とを具えた積層構造体１０に対して、クエン酸、過酸化水素および水を含むエッチング溶液を用いて、上記のＧａＡｓ層を選択的にエッチングするに当たり、ＧａＡｓ層とＧａＡｓ以外の層との間に、ＧａＡｓ層に接してＩｎ_x Ａｌ_1-x Ａｓ層１６をエッチングストッパ層として設けておく。 - 特許庁 - However, since the etch rate of the region irradiated with ultraviolet light is higher than that of the region not irradiated with ultraviolet light, the etch rate of the region not irradiated with ultraviolet light is lower than that of the region irradiated with ultraviolet light, hardly causing side etching to the semiconductor thin film 2 below the ultraviolet light shielding film 3.
しかし、紫外光照射領域のエッチング速度が紫外光非照射領域のエッチング速度よりも速くなるので、紫外光照射領域のエッチング速度に対して紫外光非照射領域のエッチング速度が遅くなり、これにより紫外光遮蔽膜３下の半導体薄膜２にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with the interlayer insulating film 101; another interlayer insulating film 103 provided on the laminate; and the conductive plug penetrating through the interlayer insulating film 103 and the etching adjusting film 115 while being constituted of the other Ti film 117, the other TiN film 119, and a W film 121, and whose end surface is positioned in the TiN film 113.
半導体装置は、層間絶縁膜１０１および積層体上に設けられている層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３およびエッチング調整膜１１５を貫通し、端面がＴｉＮ膜１１３中に位置しているＴｉ膜１１７、ＴｉＮ膜１１９およびＷ膜１２１からなる導電プラグと、を備える。 - 特許庁 - This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.
このような電気光学装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - For example, when a manipulator probe and the minute test piece are connected by the beam assisting deposition film having carbon as a main component, and after fixing to the carrier, the prove and the minute test piece are separated, the assisting deposition film is selectively etched by the beam assisting etching using an assistant gas having water as a main component.
例えば、マニピュレータプローブと微細試料との接続を炭素を主な成分とするビームアシストデポジション膜で接続し、キャリアへの固定後にプローブと微細試料を分離する際、水を主成分とするアシストガスを用いたビームアシストエッチングにより、前記アシストデポジション膜を選択的にエッチングする、荷電粒子ビーム装置における微細試料のピックアップ方法である。 - 特許庁
