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Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁 - To provide a sheet type adhesive laminate capable of pasting a liquid crystal display element board to a flat board for transfer system, utilizing a liquid crystal display element manufacturing unit and process using conventional glass board as it is, and very easy to dismantle the liquid crystal display element after treatment such as resist formation, etching, cleaning, and directed film printing process, etc.
液晶表示素子用基板を平坦性を有する搬送用基板に貼着することができ、従来のガラス基板を用いた液晶表示素子製造装置や工程がそのまま利用でき、レジスト形成工程、エッチング工程、洗浄工程、配向膜印刷工程等の処理後に、該液晶表示素子用基板の取り外しがきわめて容易となるようなシート状粘着剤積層体を提供すること。 - 特許庁 - In the etching process, the specimen 21 is heated to a temperature not lower than the point where the surface mobility of deposit begins to grow large, which is a reaction product between plasma 40 and the specimen 21 or the product resulting from the sputtering of the resist pattern 30 by plasma 40, and lower than the point where the deposit is firmly fixed on the surface of the specimen 21.
該エッチング工程は試料２１を加熱し、試料２１の加熱温度は、プラズマ４０と試料２１とが反応してなる反応生成物又はレジストパターン３０がプラズマ４０によりスパッタされてなる生成物が試料２１の表面上に堆積物として堆積する際の堆積物の表面移動度が大きくなり始める温度以上で、且つ堆積物が試料の表面に固着する温度よりも低い温度に設定する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.
層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁 - In a semiconductor device in which an ion implantation process for ROM writing is performed after an interlayer insulating film is formed in order to shorten a TAT(turn around time), an etching stopper film consisting of a polysilicon film 12 acting as the bottom part of a through hole 20 for ion implantation lies at least at a desired position of the interlayer insulating film formed on a transistor 6 region where ROM writing is performed.
ＴＡＴ短縮を図るために層間絶縁膜を形成した後にＲＯＭ書き込み用のイオン注入工程が施される半導体装置において、前記イオン注入用のスルーホール２０の底部となるポリシリコン膜１２から成るエッチングストッパ膜が、少なくともＲＯＭ書き込みが行われるトランジスタ６領域上に形成された層間絶縁膜の所望位置に介在されていることを特徴とする。 - 特許庁 - When producing the bipolar semiconductor device formed of a silicon carbide epitaxial layer 2, grown from the surface of a silicon carbide substrate 1, at least a part of the region where electrons and positive holes recombine during applying of electric current, the surface of the silicon carbide substrate 1 is treated with hydrogen etching, and then silicon carbide is epitaxially grown from the treated surface to result in formation of the epitaxial layer 2.
通電時に電子と正孔が再結合する領域の少なくとも一部を、炭化珪素基板１の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル層２により形成したバイポーラ型半導体装置を製造するに際し、炭化珪素基板１の表面を水素エッチングで処理した後に、この処理面から炭化珪素をエピタキシャル成長させることにより前記エピタキシャル層２を形成する。 - 特許庁 - In the substrate-treating device 1, the substrate 9 is rocked at least once in a conveyance direction and its opposite direction within the jet range of the treatment liquid while the treatment liquid droplets are jetted toward a conveyance path from the plurality of nozzles 4, thus preventing treatment irregularities from being generated in the entire treatment region on the substrate 9 and performing the etching treatment to the substrate surface efficiently and uniformly.
基板処理装置１では、処理液の液滴が複数のノズル４から搬送経路に向けて噴出される間に、処理液の噴出範囲内にて基板９を搬送方向およびその反対方向に１回以上揺動させることにより、基板９の処理領域全体において処理ムラの発生を防ぐことができ、基板表面に対して効率よく均一にエッチング処理を行うことができる。 - 特許庁 - To provide a technique for dispensing with a trestle elevation mechanism and a turntable elevation mechanism being provided for improving the damage of a wafer and the poor surface treatment of the wafer, when the turntable on which the wafer is placed is rotated for surface-treating the wafer, for accurately positioning the wafer at an appropriate position, and performing each kind of treatment, such as film formation, etching, and cleaning treatment appropriately.
ウェハの表面処理を行う為にウェハが載せられているターンテーブルを回転せしめた場合のウェハの損傷やウェハの表面処理の拙さを改善する為に設けられる架台昇降機構とかターンテーブル昇降機構が無くても済み、そしてウェハが問題無い位置に正確に決められ、そして各種の処理（例えば、成膜・エッチング・洗浄処理）を好適に行えるようにする技術を提供する。 - 特許庁 - Uniformity of coating of an organic protective film can also be sufficiently secured by applying to make the thickness of the organic protective film 1.5 μm or less in the liquid crystal display element , and etching of a contact hole 42 for connecting the picture element electrode 50 and a TFT source electrode 46 is uniformized, and disconnection failure and dyeing failure between a transistor and the picture element electrode 50 can be minimized.
また、ここにいう液晶表示素子において有機保護膜の厚さを１．５μｍ以下に塗布することで有機保護膜のコーティングの均一性を充分に確保することができ、画素電極５０とＴＦＴのソース電極４６を接続させるためのコンタクトホール４２のエッチングを均一にしてトランジスタと画素電極５０の間の断線不良及び染色不良を最小化することができる。 - 特許庁 - When a semiconductor device provided with at least an organic material film on a semiconductor substrate is etched to form a gate electrode, or the organic material film is etched, or when the dimension of a resist mask pattern is adjusted, a process wherein the organic material film is etched by using an etching gas atmosphere containing oxygen-contained gas, chlorine- contained gas and bromine-contained gas, is contained, thereby solving the problem.
半導体基板上に少なくとも有機材料膜を有する半導体装置をエッチングしてゲート電極を形成し、又は有機材料膜をエッチングするにあたり、若しくはレジストマスクパターンの寸法を調整するにあたり、酸素含有ガスと塩素含有ガスと臭素含有ガスとを含むエッチングガス雰囲気を用いて、この有機材料膜をエッチングする工程を含むことにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - The method includes a step of filling a wiring groove or a contact hole, by stacking a wiring metal in the wiring groove or the contact hole formed on the insulation film on a semiconductor substrate, a step for exposing the insulating film by polishing the wiring metal, a step of cleaning the semiconductor substrate, and a step for recess etching the surface of the wiring metal embedded in the wiring groove or the contact hole.
半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。 - 特許庁 - The etching agent for copper or a copper alloy consists of an aqueous solution containing hydroxylamine keeping the solution alkaline, and suppressing the decomposition of an oxidizer, an oxidizer for oxidizing copper, and accelerating its dissolution into the solution, ammonium salt feeding ammonia ions into the solution, and accelerating the dissolution of copper, and an azole compound suppressing the dissolution of copper in the vertical direction, and accelerating the dissolution of copper in the horizontal direction.
液をアルカリ性に保って酸化剤の分解を抑制するヒドロキシルアミン、銅を参加して液中への溶解を促進するための酸化剤、液中にアンモニヤイオンを供給して銅の溶解を促進するアンモニウム塩および垂直方向の銅の溶解を抑制し水平方向の銅の溶解を促進するアゾール化合物を含有する水溶液からなる銅または銅合金のエッチング剤ならびにエッチング方法。 - 特許庁 - Further the photonic crystal can be manufactured by a method for providing cavities of similar shapes concentric to the in-plane direction by lithography and etching in multiple layer films having a periodic refractive-index structure in a lamination direction or by a method for providing a periodic refractive-index structure of the in-plane and lamination directions by self cloning on a base of a similar shape concentric to the in-plane direction.
また、本フォトニック結晶は、積層方向の屈折率周期構造を有する多層膜に対して、リソグラフィとエッチングにより面内方向の同心的な相似形状の空洞を設ける方法、または、面内方向の同心的な相似形状を形成したベース上に、自己クローニングにより面内方向と積層方向の屈折率周期構造を設ける方法で製造することができる。 - 特許庁 - The plating-method two-layer copper polyimide laminated film which keeps a metal vapor deposition layer overlying one side or both sides of a polyimide film with a conductive metal layer which is composed of copper overlaying the metal vapor deposition layer to unify them is characterized in that a surface modification depth index after eliminating the conductive metal layer by etching is 25 or smaller and a surface modification strength index is 1.1 or more.
ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。 - 特許庁 - To provide a light emitting device which reduces and thus facilitates processes of obtaining circuit patterns having bright surfaces by eliminating a plating step or an etching step, enables easy formation of high-density circuit patterns, and enables efficient formation of the circuit patterns having bright surfaces while omitting the bright surfaces where unnecessary.
めっき加工やエッチング加工を行うことなく光沢面を有する回路パターンを得ることができて工程を数少なくして簡略化することができ、また、高密度の回路パターンを容易に形成することができ、さらに、光沢が不要な回路パターンには光沢面が形成されないようにして、光沢面を有する回路パターンを効率よく形成することができる発光装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist.
各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the problems are prevented such as a short circuit, an adhesion failure, and focus deviation etc., due to over-etching of wiring because the areas of overlapping regions for connection are randomly different, in a method for forming fine wiring which is a test pattern and wide leads connected to it on a semiconductor substrate by double exposure using two masks.
テストパターンである微細配線とそれに繋がる幅広の引き出し配線とを２枚のマスクを用いた２重露光により半導体基板上に形成する方法において、繋ぎ合わせるオーバーラップ領域の面積がランダムに異なっていたため発生していた、配線のオーバーエッチングにより短絡、密着性不良、フォーカスずれ等の諸問題を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for treating the surface of the metal carbide substrate used in a semiconductor manufacturing process includes a process for forming a carbon surface layer (13) on the metal carbide substrate (10) by selectively etching the surface of the metal carbide substrate (10) by using a reactive gas mixture, and a process for removing the carbon surface layer (13) formed on the metal carbide substrate (10).
半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 - 特許庁 - The surface of the substrate 2 is formed in irregularity by etching, the epitaxial layer 3 is formed with its surface formed by allowing epitaxial growth to be performed on the principal plane of the substrate 2, the pn-composition plane 6 of the layer 4a and the layer 5 formed by ion implanting n-type and p-type impurities from the surface of the layer 3 is formed into irregularity.
エッチングにより半導体基板２の表面を凹凸状に形成し、半導体基板２の主面上でエピタキシャル成長することにより表面が凹凸状のエピタキシャル層３を形成し、Ｎ型およびＰ型の不純物をエピタキシャル層３の表面からイオン注入することにより形成された半導体層４ａおよび半導体層５のＰＮ接合面６を凹凸状に形成する。 - 特許庁 - This method of manufacturing the sub master mold 20 from a master pattern mold 30 for imprint having grooves corresponding to the minute pattern includes a minute pattern dimension fluctuation process of performing dry etching using oxygen gas with respect to a resist layer 4 which is formed on a hard mask layer formed on a substrate 1 for the sub master mold and to which the minute pattern of the master pattern mold 30 is transferred.
微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールド３０からサブマスターモールド２０を製造する方法において、前記サブマスターモールド用の基板１上にはハードマスク層が形成され、前記ハードマスク層上に形成され且つ元型モールドの微細パターンが転写されたレジスト層４に対して、酸素ガスを用いたドライエッチングを行う微細パターン寸法変動工程を有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the silicon carbide single crystal substrate includes a process (A) of preparing a silicon carbide single crystal substrate which has first and second principal surfaces and conductivity, the work-affecting layer being provided on at least one of the first and second principal surfaces; and a process (B) of removing at least a part of the work-affecting layer through electrolytic etching.
本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第１および前記第２の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程（Ｂ）とを包含する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.
透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁 - To provide an electrostatic chuck device capable of keeping constant the temperature of a focus ring during processing, stabilizing the temperature of the outer peripheral part of a planar sample, thereby uniformizing etching characteristics within a plane of the planar sample and preventing the deposition of deposit on the focus ring by adjusting the temperature of the focus ring provided so as to surround the planar sample of a silicon wafer or the like.
シリコンウエハ等の板状試料を囲むように設けられたフォーカスリングの温度を調整することにより、処理中のフォーカスリングの温度を一定に保持することができ、板状試料の外周部の温度を安定化することができ、よって板状試料の面内におけるエッチング特性を均一化することができ、フォーカスリング上に堆積物が堆積するのを防止することができる静電チャック装置を提供する。 - 特許庁 - Superposition of the flexible circuit and the cavity 36 is realized by the stages of filling the cavity 36 with a material capable of being selectively removed relative to the substrate and the flexible circuit; then forming at least one feedthrough 58 to access the filled cavity 36; and selectively etching the material that fills the cavity 36 via at least one feedthrough 58 in order to remove the material.
フレキシブル回路とキャビティ３６の重ね合わせは、キャビティ３６に、基板およびフレキシブル回路に関して選択的に取り除くことが可能な材料を充填し、次いで、充填されたキャビティ３６にアクセスするための少なくとも1つのフィードスルー５８を形成する段階と、少なくとも1つのフィードスルー５８を介してキャビティ３６を充填する材料を選択的にエッチングして材料取り除く段階とによって実現される。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.
本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a touch sensor device having a contact structure coming into electrical contact with a conductive transparent layer, achieving superior etching behavior, at the same time, having a good corrosion resistance and other resistance, high conductivity, a low moving resistance, and avoiding a disadvantageous effect occurring due to a stepwise change of mechanical stress in individual layers.
導電性透明層に電気的に接触する接触構造体を備えた、可能な限り優れたエッチング挙動を達成し、同時に、良好な耐腐食性及び他の耐性を有し、可能な限り高い導電性と同時に可能な限り低い移動抵抗を有し、個々の層における機械的応力の段階的変化により生じる不利な影響を可能な限りに回避するタッチセンサ装置を提供する。 - 特許庁 - The liner removing method includes the steps of: forming a groove in a substrate; stacking a conformal liner in the groove; packing the groove with the bulk packed material; and selectively removing an excessive part of the conformal liner by alternately forming a protective layer on the exposed surface of the bulk packed material and etching the conformal liner.
本発明の実施例によるライナ除去方法は、基板内に溝を形成する工程、前記溝内部にコンフォーマルなライナを堆積する工程、前記溝をバルク充填材料で充填する工程；及び、前記バルク充填材料の露出表面上への保護層の形成及び前記コンフォーマルなライナのエッチングを交互に実行することによって前記コンフォーマルなライナの余剰部分を選択的に除去する工程を有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an embedding layer on a base with a projecting pattern formed thereon to embed the projecting pattern; applying anisotropic etching to the embedding layer on the projecting pattern to form recessed parts on the embedding layer on the projecting pattern; and polishing a surface of an insulating layer by chemical mechanical polishing.
凸状パターンが形成された下地の上に埋め込み層を形成して前記凸状パターンを埋め込む工程と、前記凸状パターンの上の前記埋め込み層に異方性エッチングを施して、前記凸状パターンの上の前記埋め込み層に凹部を形成する工程と、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により研磨する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁 - To provide a detergent for a magnetic disk substrate, which has excellent solubility, for re-deposition of nickel ions originating from an Ni-P plated aluminum substrate, and iron ions originating from cleaning equipment made of stainless steel etc., has excellent dispersibility of particles once adsorbed on a substrate surface and then desorbed therefrom owing to possession of a suitable etching property, and is excellent in reattachment prevention property against particles.
Ｎｉ−Ｐメッキしたアルミ基板に由来するニッケルイオン、ステンレス製の洗浄設備等に由来する鉄イオンの再析出に対して優れた溶解性を有するとともに、適度なエッチング性を有することで一旦吸着した後、基板表面から脱離したパーティクルの分散性が良好であり、かつパーティクルの再付着防止性に優れた磁気ディスク用基板洗浄剤を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the field emission type electron source equipped with the cold cathode which discharges electrons by being applied with an electric field, by exposing the carbon material 10 to be a material of the cold cathode to a combustion flame 11 of a mixture of hydrogen and oxygen, an etching treatment to form a nanometer structure of carbon on a surface of the carbon material 10 is performed, and the cold cathode is formed of the obtained carbon material 10.
電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 - 特許庁 - A plasma etching device includes a processing vessel 100 for subjecting a wafer W to plasma processing in the inside thereof; an upper electrode 105 and a lower electrode 110, facing each other inside of the processing vessel 100 for forming a processing space between them; and a high-frequency power source 150 connected to at least either of the upper electrode 105 and the lower electrode 110 for outputting high-frequency power to the inside of the processing vessel 100.
プラズマエッチング装置は、内部にてウエハＷをプラズマ処理する処理容器１００と、処理容器１００の内部にて互いに対向し、その間に処理空間を形成する上部電極１０５及び下部電極１１０と、上部電極１０５及び下部電極１１０の少なくともいずれかに接続され、処理容器１００の内部に高周波電力を出力する高周波電源１５０と、を有する。 - 特許庁 - The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.
基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁 - The method of manufacturing an optical fiber probe includes steps of: providing an optical fiber having a coaxial core part and a protective layer; exposing the core part by stripping the protective layer of the optical fiber end; forming a probing end part by etching after immersing the exposed core part in an acid solution; and the stage of forming a metallic layer on the surface of the probing end.
本発明に係る光ファイバー探針の製造方法は、同軸の芯部及び保護層を有する光ファイバーを提供する段階と、前記光ファイバーの一端の前記保護層を除去して、前記芯部を露出させる段階と、前記露出の芯部を酸性溶液に浸漬させてエッチングして、探測端部を形成する段階と、前記探測端部の表面に金属層を形成する段階と、を含む。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a polarizing and splitting element and a polarizing and splitting element capable of improving yield in photo-lithography and dry etching which are processes for forming diffraction gratings on a double diffraction film by sticking an optical anisotropic film on an optically transparent substrate wafer so as to improve the flatness, and further, to provide a hologram laser unit and an optical pickup unit improved in reliability.
本発明は、光学的透明基板ウェハに光学的異方性膜を平坦性が向上するように貼り付け、複屈折膜上に回折格子を形成する工程であるフォトリソグラフィー、ドライエッチングにおいて歩留りを向上できる、偏光分離素子の製造方法及び偏光分離素子、更に信頼性の向上したホログラムレーザユニット及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The side surfaces of the grid elemental body 39 is formed into tapered shape by etching, and periodic or regular minute projections are formed on the tapered part 39C, along the extending direction of the grid elemental body 39.
両面エッチングにより形成された多数のスリット状のビーム透過孔３８を有し、各隣り合うビーム透過孔３８間にテープ状のグリッド素体３９が形成されてなる色選別用マスクがフレーム上に架張され、グリッド素体３９のエッチングによる縁辺側面がテーパ状に形成され、このテーパ部３９Ｃに、グリッド素体３９の延長方向に沿って周期的な、或いは規則的な微小突起が形成されて成る。 - 特許庁 - The photoresist composition has high transmittance at wavelengths of 193 nm and 157 nm, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity to a developer, thereby can improve the LFR.
本発明はフォトレジスト重合体及びフォトレジスト組成物に関し、より詳しくはフォトレジスト単量体に用いられる下記式（１）の化合物と、これを含むフォトレジスト重合体及びこの重合体を含む本発明のフォトレジスト組成物は １９３ｎｍ及び１５７ｎｍ波長で透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度が高いので、ＬＥＲを改善させることができる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device with a groove for burying gate electrode which can reduce variance in the radius of curvature of corners at the bottom of a gate electrode burying groove and suppress variance in the length of a channel, formed of the bottom part of the gate electrode burying groove, and electric field distribution without having influence of an etching characteristic nor causing bowing.
エッチング特性の影響を受けることなく、またボーイング化が生じることなく、ゲート電極埋め込み用溝の底部での角部の曲率半径のばらつきを低減でき、ゲート電極埋め込み用溝の底部で形成されるチャンネルの長さや電界分布のばらつきを押さえることができる溝埋め込み用ゲート電極構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method of processing a silicon wafer according to the present invention comprises steps of forming a thin film layer having different thicknesses on a silicon wafer, exposing the silicon wafer selectively by removing the thin film layer having different thicknesses successively and forming a plurality of U-shaped grooves each having a different depth corresponding to the thin film layer having different thicknesses by etching the exposed silicon wafer.
本発明に係るシリコンウェーハの加工方法は、シリコンウェーハに相異なる厚みを持つ薄膜層を形成する工程と、相異なる厚みの前記薄膜層を順次に除去して選択的にシリコンウェーハを露出する工程と、露出されたシリコンウェーハを食刻することにより、相異なる厚みを持つ前記薄膜層に対応して相異なる深さを有する複数のＵ溝を形成する工程とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - Hydrogen chloride and hydrogen fluoride in gas generated by decomposing chlorofluorocarbon containing chlorine or dry etching exhaust gas are collected by a dry process using a multi-stage solid substance layer which makes sodium hydrogencarbonate a major component, wherein chlorine component only is selectively fixed and collected as sodium chloride at the front layer and fluorine component is fixed and collected as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride at the back layer.
塩素を含有するフロンを破壊処理して生成したガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、炭酸水素ナトリウムを主成分とする多段の固形物層を用いた乾式法により、前方の層では塩素分だけを選択的に固定化した塩化ナトリウムとして回収し、後方の層ではフッ素分を固定化したフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収する。 - 特許庁 - To provide a new method for efficiently producing monomer useful for introducing a construction unit having a specific butyrolactone ring into an acrylic resin so as to obtain a chemical amplification type photoresist composition having good transparency to ArF excimer laser, exhibiting excellent sensitivity, resist pattern forms, dry etching resistance and adhesiveness and having high affinity to alkalis.
ＡｒＦエキシマレーザーに対して良好な透明性を有し、優れた感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び密着性を示し、アルカリに対し高い親和性を有する化学増幅型ホトレジスト組成物を得るため、アクリル系樹脂に、特定のブチロラクトン環をもつ構成単位を導入するが、その導入のために有用な単量体を効率よく製造するための新規な製造方法を提供する。 - 特許庁 - An etching device 10 is provided with carrying rollers 12 which carry the wiring board 1 in the direction of its flat surface in the etchant L, upper and lower paired water wheels 14 which transport the etchant L to the front and rear surfaces of the substrate 1 under pressure, and flow straightening plates 22 and 23 respectively positioned on both sides of the water wheels 14 and having curved surfaces 20.
また、エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送する搬送ローラ１２と、配線基板１の表裏面に対向して配設され、係る表裏面に上記エッチング液Ｌを圧送する上下一対ずつの水車１４と、各水車１４の両側に配置したカーブ面２０を有する整流板２２,２３と、を含む、配線基板の表面エッチング装置１０も提案する。 - 特許庁 - In the manufacturing step for the surface light laser with multiple wavelengths, after one surface light laser emitting one wavelength is formed on the substrate, the surface laser is partly removed by etching so that a space to laminate another surface layer is prepared, the surface light laser is wrapped with a protection film, and a different surface light laser emitting a light with different wavelength is formed on the substrate and protection film.
また、多重波長の表面光レーザ製造工程は一波長の光を照射する１表面光レーザを基板上に形成した後、蝕刻工程を通じてその一部を除去することにより基板上に他の表面光レーザが積層される空間を設け、この１表面光レーザに保護膜を包んだ後で基板及び保護膜上に違う波長の光を照射する異なる表面光レーザを形成する。 - 特許庁 - To provide a metal fine particle-containing resin particle, a metal fine particle-containing resin layer and a method for forming the metal fine particle-containing resin layer by which an efficient electroless plating is made possible and a more uniform metal conductive pattern layer is formed by forming a layer which allows an easy control of the etching thickness on the surface of an underlying pattern layer forming a pattern.
パターンを形成する下地パターン層の表面にエッチングする厚さを容易にコントロールすることができる層を形成することにより、効率的な無電解めっき処理が可能となり、より均一な金属導体パターン層を形成することができる金属微粒子含有樹脂粒子、金属微粒子含有樹脂層および金属微粒子含有樹脂層の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The machining method for silicon substrate comprises a step for forming a protective film, through thermal oxidation, on a silicon substrate produced from silicon single crystal by Czochralski method, a step for removing the protective film partially, and a step for etching silicon exposed after removal of the protective film wherein the concentration of interstitial oxygen contained in the silicon substrate is set not higher than 14×1017 atoms/cm3.
チョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶から作られたシリコン基板上に、熱酸化法により保護膜を形成する工程と、保護膜を部分的に除去する工程と、除去後に表出するシリコンをエッチングする工程を有するシリコン基板加工において、前記シリコン基板中に含まれる格子間酸素濃度を１４×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下とすることにより実現する。 - 特許庁 - A channel plate 12 having a large number of ink channels 14 provided to at least one surface thereof by etching, the actuators related to the ink channels in order to pressurize the ink in the ink channels and a means 10 demarcating the ink sumps communicating with the ink channels are included and the ink sump demarcating means is formed by a base member 10 formed from a substance different from that of the channel plate 12.
少なくとも１つの表面へエッチングされた複数のインク・チャネル（１４）を有するチャネル・プレート（１２）、インク・チャネルに含まれるインクを加圧するためインク・チャネルの各々に関連づけられたアクチュエータ（２２）、及びインク・チャネルと連通するインク溜め（３２）を画定する手段（１０）を含み、前記インク溜め画定手段が、チャネル・プレート（１２）とは異なった物質から作られたベース部材（１０）によって形成される。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.
実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain an etched product which retains flexibility fit for conveyance by a reel-to-reel system and has stabilized etching sizes and shapes of holes, etc., without impairing the flexibility a patterned resin layer mask when a photosensitive resin layer formed on the surface of a polyimide film is irradiated with UV through a photomask and developed to form the patterned resin layer mask and the polyimide film is etched with an alkaline solution.
ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、アルカリ性液でポリイミドフィルムをエッチングする場合において、樹脂層パターンマスクの可撓性を損わないでリールツーリール方式の搬送等に適した可撓性を保持し、しかも、穴等のエッチング寸法及び形状が安定化したエッチング製品を得ることができるようにする。 - 特許庁 - In the production process of a solar cell element comprising a step for forming micro protrusions/recesses on one major surface side of a semiconductor substrate having one conductivity type by dry etching and a step for providing a reverse conductivity type semiconductor region on one major surface side of a semiconductor substrate, the amount being dry etched is limited to 0.015 mg per 1 cm^2 of substrate area.
一導電型を有する半導体基板の一主面側にドライエッチングで微細な凹凸を形成する凹凸形成工程と、前記半導体基板の一主面側に逆導電型半導体領域を設ける逆導電型半導体形成工程とを具備した太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチングによりエッチングされる量が、基板面積１ｃｍ^２当たり０．０１５ｍｇを超えないようにした。 - 特許庁 - The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.
前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして１または２以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁 - After that, the copolymer thin film is further treated by an electric discharge with oxygen or an oxygen-containing gas as a plasma source, and the polymer component originated from the hydrocarbon-based monomer is removed by etching, and simultaneously, the silicon-based polymer part is oxidized and converted into silicon oxide to obtain the porous silicon oxide thin film.
一定割合のケイ素系モノマーと炭化水素系モノマーの混合ガスのプラズマ重合によって共重合薄膜を形成したのち、該共重合薄膜を更に酸素乃至は酸素含有ガスをプラズマ源とする放電にて処理を行い、炭化水素系モノマー由来ポリマー成分をエッチング除去すると同時にケイ素系ポリマー部を酸化して酸化ケイ素に変換して得られることを特徴とする多孔性酸化ケイ素薄膜。 - 特許庁
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