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モールドを押し付けて形成した転写層パターン３を形成し、転写層パターン３に被パターン形成膜４を形成し、その後、転写層パターン３を除去して、被パターン形成膜４形成時の会合界面（点線部）からエッチングを進行させて、被パターン形成膜４をエッチングして最終パターン７を形成する。 - 特許庁 - In this method of manufacturing the antenna sheet for the non-contact IC tag, an antenna pattern is formed by a wet etching method on a base film 11, an antistatic agent is applied to the antenna pattern surface of a film, and then the IC chip is mounted on the end section of the antenna pattern.
本非接触ＩＣタグ用アンテナシートの製法は、非接触ＩＣタグのアンテナシートを製造する工程において、ベースフィルム１１にウェットエッチング法によりアンテナパターンを形成した後に、静電防止剤をフィルムのアンテナパターン面に塗布し、その後に、アンテナパターンの端部にＩＣチップを実装することを特徴とする。 - 特許庁 - After the eave of eave-supporting shape substance is exposed from the surface of a photosensitive resin film by embedding a part or the entire part of the eave-supporting shape substance in the photosensitive resin film and then processing the photosensitive resin film with exposure and development, the eave is removed by an etching process using the photosensitive resin film as a mask.
庇部支持型形状物の一部あるいは全体を感光性樹脂膜中に埋め込み、露光および現像により感光性樹脂膜を加工して、感光性樹脂膜の表面から庇部支持型形状物の庇部を露出せしめた後、感光性樹脂膜をマスクとして庇部をエッチングし、除去する。 - 特許庁 - First, the relationship between the angle of incidence of an ion beam and an etching rate distribution in a shaping surface 12 is calculated beforehand each for tungsten carbide (WC) composing a substrate, chromium (Cr) composing an intermediate layer and chromium nitride (CrN) composing a surface layer, under the irradiation conditions identical to those applied at the time of surface treatment except the angle of incidence of the ion beam.
まず、予め基材、中間層及び表面層を構成するタングステンカーバイド（ＷＣ）、クロム（Ｃｒ）及び窒化クロム（ＣｒＮ）のそれぞれに対して、イオンビームの入射角度以外は表面処理時と同一の照射条件にして、イオンビームの入射角度と成形面１２内のエッチングレート分布との関係を求める。 - 特許庁 - At dry etching of a silicon nitride film deposited on copper using a mixture gas containing a fluorocarbon based gas and an inert gas as a reaction gas, the fluorocarbon based gas contains CF4 and CHF3 at a flow rate ratio of 3:7 to 0:1 or CF4 and CH2F2 at a flow rate ratio of 2.5:1 to 0:1.
銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがＣＦ_4とＣＨＦ_3とを３：７〜０：１の流量比、或いはＣＦ_4とＣＨ_2Ｆ_2とを２．５：１〜０：１の流量比で含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A plug electrode reaching an upper face of an inter-layer insulating film from a semiconductor substrate is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13, and the first plug electrode 5 and the second plug electrode 13 are connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and is used as an etching stop layer.
半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁 - The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.
ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁 - In the dry etching of an insulating film 10 containing silicon and carbon formed on a wafer 4 (substrate 9), a plasma 3 is generated from a gas mixture containing a first molecule gas containing carbon and fluorine and a second gas containing nitrogen, and RF bias of 2 MHz or lower is applied to an electrode 5 which installs the wafer 4.
ウエハ４（基板９）上に形成された、シリコンと炭素とを含む絶縁膜１０のドライエッチングにおいて、炭素と弗素とを含む第１の分子ガスと窒素を含む第２の分子ガスとを含む混合ガスからプラズマ３を生成し、且つ、ウエハ４を設置する電極５に２ＭＨｚ以下のＲＦバイアスを印加する。 - 特許庁 - The method of manufacturing semiconductor devices has a process step of selectively removing the build-up segments (projecting parts) of the projecting shape produced on the surface of the metallic film (copper plating film 15) by electrolytic etching and a process step for chemicomechanically polishing the surface of the metallic film 15.
電解エッチングによって金属膜（銅メッキ膜１５）の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部（凸状部）を選択的に除去する工程と、前記金属膜１５の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - The substrate transfer apparatus transfers the substrate during the etching process of the substrate, and includes a substrate support base which supports both sides of the substrate which is curved to cause the etchant to flow on both sides of the substrate, and a transfer drive section which moves the substrate support base to transfer the substrate.
本発明は、基板のエッチング工程中に基板を移送させる基板移送装置であって、基板が湾曲され、基板の両側にエッチング液が流れるように基板の両側を支持する基板支持台と、 基板が移送されるように基板支持台を移動させる移送駆動部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - Thus, even if minute holes 130 are formed through the source 114 or the drain 116 and the insulating layer 108 when contact holes 126 are formed by etching, and contact plugs 128 are short-circuited to the first semiconductor layer 106, diodes 6 arising from the n-type regions 4 are reversely biased and problems, such as short-circuiting between source and drain, do not arise.
よって、コンタクトホール１２６のエッチング時にソース１１４またはドレイン１１６ならびに絶縁層１０８を通じて微細孔１３０が形成されコンタクトプラグ１２８が第１の半導体層１０６に短絡されても、ｎ型領域４によるダイオード６が逆バイアスされ、ソース・ドレイン間の短絡などは発生しない。 - 特許庁 - The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18.
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１７は、Ｂｅの濃度が、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６側端が１．８×１０^18ｃｍ^-3であり、エッチングストップ層１８側端が１．０×１０^18ｃｍ^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。 - 特許庁 - To provide an electronic device cleaning method and electronic device cleaning system wherein, in a process for stripping and removing residues by etching, the residues floating on performing a foreign matter removing liquid discharge step is prevented from being stuck on the inner wall surface of a treating tank to have no effect on a material to be cleaned and treated in the next batch.
本発明は、エッチングにより残渣物を剥離除去する工程で異物除去液排出ステップの実行時に浮遊している残渣物の処理槽の内壁面への付着を回避し、次バッチで処理する被洗浄物に影響を及ぼさないようにできる電子装置洗浄方法および電子装置洗浄システムを得る。 - 特許庁 - The black layer 46 is subjected to dry etching to integrally form a peripheral light-shielding film 45 covering the peripheral region S of a pixel forming region A of the solid-state imaging element 10, and an aperture pattern to leave a black matrix 41 as boundaries among red, green and blue pixels 40R, 40G and 40B, respectively, on the pixel forming region A.
黒色層４６をドライエッチングして、固体撮像素子１０の画素形成領域Ａの周縁領域Ｓを覆う周縁遮光膜４５と、画素形成領域Ａ上に赤色・緑色・青色画素４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ間の境界となるブラックマトリックス４１を残すように開口パターンとを一体形成する。 - 特許庁 - After using an etching gas such as BCl_3 that BO_x is deposited on the surface of silicon, a plasma is excited using a gas which can etch silicon such as Cl_2 or a mixed gas of Cl_2 and CF_4, and BO_x attached to silicon in a chamber is removed, thereby always keeping plasma density constant.
ＢＣｌ_３など石英表面にＢＯ_Ｘが付着するエッチングガスを用いた後に、石英をエッチングできるガス、例えばＣｌ_２や、Ｃｌ_２とＣＦ_４の混合ガス等を用いてプラズマを励起し、チャンバー内の石英に付着しているＢＯ_Ｘを除去（クリーニング）することでプラズマ密度を常に一定に保つ。 - 特許庁 - Thereby, while controlling deposition of solid SiC through infiltration of raw material gases 3 or the like into the heat-insulating base material 10a by virtue of the graphite sheet 10b, further chemical reaction of the graphite sheet 10b with components contained in etching gases and raw material gases is controlled by virtue of the high-melting point metal carbide film 10c.
これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。 - 特許庁 - The fine shape is formed to a resist material and this resist material is used as a mold to mold a liquid ultraviolet curable resin or thermosetting resin and, after the molded resin is cured, the resist material used as the mold is removed by wet etching to manufacture the element having the fine shape large in aspect ratio.
レジスト材料に微細形状を形成し、このレジスト材料を成形型として液状の紫外線硬化樹脂あるいは熱硬化樹脂を成形し、硬化させた後、型として用いたレジスト材料をウエットエッチングにより除去することによって、アスペクト比の大きい微細形状を有する素子を作製する。 - 特許庁 - To provide a separator for a thin molten carbonate fuel cell having no warp and low contact resistance with an MEA by manufacturing the separator by etching a metallic material small in thermal expansion at 600°C of the operation temperature of a molten carbonate fuel cell, and to provide a fuel cell using the separator.
溶融炭酸塩型燃料電池動作温度の６００℃において熱膨張が小さい金属材料をエッチング加工しセパレータを作製することにより、反りが無く、ＭＥＡとの接触電気抵抗が小さい薄型の溶融炭酸塩型燃料電池用セパレータおよびそれを用いた燃料電池を提供すること。 - 特許庁 - To suppress the characteristics variation of MOS transistors due to charging by a plasma to lessen the influence causing the characteristics deterioration of an analog circuit on both gate electrodes of the MOS transistors paired in the analog circuit of a MOS type semiconductor integrated circuit device in a process of patterning a metal wiring layer by plasma etching.
ＭＯＳ型半導体集積回路装置におけるアナログ回路の互いにペアとなるＭＯＳトランジスタ対の双方のゲート電極への金属配線層をプラズマ・エッチングによりパターニングする工程で、プラズマの帯電によるＭＯＳトランジスタの特性変動を抑制し、アナログ回路の特性の悪化の原因となる影響を軽減する。 - 特許庁 - After having formed a first interlayer insulating film 106 on a laminated layer 105 for wiring, a first opening for plugs is formed by selectively etching the first interlayer insulating film 106, and a first contact plug 110 is formed subsequently by burying a first conductive film in the first opening for plugs.
配線用積層膜１０５の上に第１の層間絶縁膜１０６を形成した後、該第１の層間絶縁膜１０６に対して選択的にエッチングを行なって第１のプラグ用開口を形成し、その後、第１のプラグ用開口に第１の導電膜を埋め込んで第１の接続プラグ１１０を形成する。 - 特許庁 - (2) The apparatus for disposal of the optical recording medium is equipped with a means for setting the optical recording medium having the metal layer and the ultraviolet-curing resin layer on the polycarbonate resin base and a means for removing these layers from the medium by dry etching and recovering the polycarbonate resin.
（２）ポリカーボネート樹脂基板上に金属層及び紫外線硬化樹脂層を有する光記録媒体を載置する手段、該光記録媒体を乾式エッチングして金属層及び紫外線硬化樹脂層を除去し、ポリカーボネート樹脂を回収する手段を備えたことを特徴とする光記録媒体の処理装置。 - 特許庁 - When a high frequency electric power of 100 MHz is supplied to an antenna 5 which is provided in a vacuum vessel 1 by a high frequency power source 4 for the antenna, plasma is generated in the vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, deposition surface improvement and so on for a substrate 7 which is mounted on a substrate electrode 7 can be performed.
アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に設けられたアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁 - Surface layers of the 1st and 2nd wafers are subjected to etching collection to a depth of at least 5 μm from wafer surfaces, by using a mixed solution containing hydrofluoric acid and nitric acid respectively to obtain a 1st collected liquid from the 1st wafer and a 2nd collected liquid from the 2nd wafer.
第１及び第２ウェーハの表層をフッ化水素酸及び硝酸をそれぞれ含む混合溶液によりそれぞれウェーハ表面から少なくとも深さ５μｍのエッチング回収を行い、第１ウェーハから回収した第１回収液と第２ウェーハから回収した第２回収液とをそれぞれ得る。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device that manufactures a mesa-type semiconductor device in which a channel stopper is prepared at the bottom surface of its groove, which does not require a mask forming process for forming a channel stopper, and which has no need of precise etching techniques when forming the groove.
溝の底面にチャネルストッパを設けたメサ型の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、チャネルストッパを形成するためのマスク形成工程を必要とせず、かつ、溝を形成する際に精密なエッチング技術を必要としない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - As an etching stopper layer 25 being provided between interconnect line forming layers 24 (interlayer insulating film layers) or a hard mask layer 23 for protecting the surface of the interconnect line forming layers 24, a silica based coating being formed using coating liquid containing a hydrolysis product of mixture of trialkoxy silane and tetraalkoxy silane is employed.
配線形成層２４（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層２５、または配線形成層２４表面を保護するためのハードマスク層２３としてトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとの混合物の加水分解生成物を含む塗膜液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。 - 特許庁 - The hybrid element film is manufactured by emitting an ion beam to a heat-resistant resin film, chemically etching the resin film, and filling micro holes of an ion perforated film having several nanometers to several micrometers in diameter with metal, semiconductor or electroluminescent substance.
ハイブリッド素子膜の製造方法であって、耐熱性樹脂膜に、イオンビームを照射し、その後化学エッチング処理し、得られた孔径数ナノメートル〜数マイクロメートルの微細孔をもつイオン穿孔膜の微細孔に、金属、半導体または電界発光体を充填することから構成される方法、及びそれらの方法により製造されたハイブリッド素子膜。 - 特許庁 - The method of manufacturing a high-voltage transistor having an extended drain region contains the formation of a first conductive epitaxial layer on a first conductive substrate, and the formation of a pair of spaced groove sections which form the first and second sidewall sections of the epitaxial layer, by etching the epitaxial layer.
拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁 - To provide a compact temperature control plate that is directly bonded to the wall surface of an object with ease and heats and cools the object quickly and accurately, and semiconductor equipment for etching, etc., that has quick and accurate temperature control function and a simple structure.
被対象物の加熱及び冷却を迅速かつ高精度に行うことが可能であり、また被対象物の壁面に直接接着することが容易でありコンパクトな温度制御プレート及び迅速かつ高精度な温度制御機能を有し構造が簡素なエッチング等の半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor crystal capable of separating the nitride semiconductor crystal from a dissimilar substrate by dissolving a buffer layer in a short time by etching selectively even when using a material having a small dissolving rate difference from that of the nitride semiconductor crystal.
窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The source region 15 and the drain region 16 are formed, by etching a part of the thin film comprising amorphous silicon formed on the amorphous silicon film 14, until reaching at least the amorphous silicon film 14, with the amorphous silicon film 14 exposed to a plasma atmosphere containing hydrogen.
そして、ソース領域１５およびドレイン領域１６が、非晶質シリコン膜１４上に形成した非晶質シリコンからなる薄膜の一部を、少なくとも非晶質シリコン膜１４に到達するまでエッチングすることによって形成されており、非晶質シリコン膜１４が、水素を含むプラズマ雰囲気に暴露された膜である。 - 特許庁 - To provide a method which can enhance the efficiency of treating an etchant by electrolytic oxidation treatment, and besides, can facilitate the maintenance of an electrolytic treatment apparatus, in a method of recovering and/or maintaining etching performance by electrolytically anodizing the etchant containing a manganese salt as an effective component.
マンガン塩を有効成分として含むエッチング液を陽極電解酸化処理してエッチング性能を回復乃至維持する方法において、電解酸化処理によるエッチング液の処理効率をより向上させることができ、しかも電解処理装置のメンテナンスを容易にすることが可能な方法を提供する。 - 特許庁 - When a secondary ion 4 released from the surface of a sample 1 through sputter etching by ion beam radiation is detected, and the depth-wise distribution of the element containing in the sample 1 is measured, an ion beam is irradiated in a state where sample 1 is exposed to an oxygen atmosphere 2, and the element distribution on the extreme surface of the sample 1 is evaluated.
イオンビーム照射によるスパッタエッチングによって試料１の表面から放出される二次イオン４を検出し、試料１中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する際に、試料１を酸素雰囲気２に曝した状態でイオンビームを照射して、試料１の極表面での元素分布評価を行う。 - 特許庁 - The circuit board 1 using a glass epoxy board as a base material is provided with a plurality of units 2 corresponding to completed package single bodies, respectively, a peripheral part 4 located outside an effective part comprised of the units 2, and a peripheral pattern 6 that is formed by etching copper foil with a specified thickness on each of both surfaces of the peripheral part 4.
ガラスエポキシ板を基材とする回路基板１に、完成後のパッケージ単体に各々対応する複数個の単位部２と、複数個の単位部２からなる有効部の外側に位置する周辺部４と、周辺部４の両面において所定の厚さの銅箔をエッチングして形成された周辺パターン６とを備える。 - 特許庁 - This method for manufacturing the three-dimensional hollow structure comprises at least a step of partially forming a porous area in a silicon substrate, a step of forming a silicon layer on the substrate forming the porous area and of partially forming the porous area in the silicon layer, and a step of forming a hollow area by removing the porous area by etching.
シリコン基体中に部分的に多孔質領域を形成する工程、前記多孔質領域を形成した基体上にシリコン層を形成し、前記シリコン層中に部分的に多孔質領域を形成する工程、及び前記多孔質領域をエッチング除去して中空領域を形成する工程を少なくとも有する。 - 特許庁 - Due to the heat caused by friction between a projection part of a metal film existing in the face and the polishing pad 4, increase in temperatures is caused locally in the etchant, and the etching rate of the etchant is accelerated, and the projection part of the metal film is selectively etched to flatten, and thereafter it is uniformly etched to remove the metal film.
被研磨面内に存在する金属膜の凸部と研磨パッド４との摩擦により生じる摩擦熱によって、エッチング溶液に局部的な温度上昇を生じさせて、エッチング溶液のエッチングレートを促進させ、金属膜凸部を選択的にエッチングして平坦化し、その後、一様にエッチングして金属膜を除去する。 - 特許庁 - Thereafter, an emitter opening 114 is formed in an insulating layer 112 positioned on the single-crystal structure 111a and the damaged part of the single-crystal structure 111a positioned in the opening 114 is removed by thermally oxidizing the upper part of the structure 111a, and removing an oxide film 115 by wet etching.
単結晶構造部１１１ａ上に位置する絶縁膜１１２に、エミッタ開口部１１４を形成し、エミッタ開口部１１４内に位置する単結晶構造部１１１ａの上部を熱酸化して酸化膜１１５をウェットエッチングを行なうことによって除去することで単結晶構造部１１１ａのダメージを取り除く。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a printed wiring board which can perform a surface treatment of a resin surface without using a hazardous oxidizing agent, and can ensure an adhesion property between a plating metal and the smoothly conditioned resin surface capable of avoiding the etching accuracy failure caused by its surface roughness and variation of its conductor thickness.
有害な酸化剤を使用しなくとも樹脂表面の表面処理を行うことができ、表面の粗さおよび導体厚のばらつきに起因するエッチング精度不良が回避され、樹脂表面が平滑状態でめっき金属との密着性を確保することができるプリント配線板の製造方法の提供。 - 特許庁 - To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.
自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁 - Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁 - To provide a method of producing a plate-shaped precision metal component, e.g. a metal mask such as a vapor deposition mask by which level difference caused by swelling owing to plating does not occur, deterioration in the accuracy of etching is not caused, and a base material is not eroded and thus can be repeatedly reutilized.
メッキによる盛り上がりによる段差が生じることのない、エッチングの精度悪化を伴わない、母材を侵食することなく繰り返して再利用することが出来る、蒸着マスク等のメタルマスク等のプレート状の精密金属部品の製造方法を提供することが本発明の目的である。 - 特許庁 - To obtain a polysiloxane which can give a radiation-sensitive resin composition having a high transparency to light of a wavelength of 193 nm or shorter and being highly sensitive, and excellent in dry etching resistance, developability, adhesion to a substrate, or the like, to provide a method for producing the same, and to obtain a radiation-sensitive resin composition containing the polysiloxane.
１９３ｎｍ以下の波長において透明性が高く、高感度であり、かつドライエッチング耐性、現像性、基板への接着性等にも優れた感放射線性樹脂組成物を与えるポリシロキサン、該ポリシロキサンの製造方法、および該ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - When a high frequency electric power of 13.56 MHz is supplied to a coil 6 via a matching circuit 5 for a plasma generation device by a high frequency power source 4 for the plasma generation device, plasma is generated in a vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, piling and so on is performed for a substrate 8 which is mounted on an electrode 7.
プラズマ発生装置用高周波電源４により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路５を介して、コイル６に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁 - The window member for plasma processors such as film forming apparatus, etching apparatus, surface reformers, etc., is characterized in that at least a surface to be exposed to plasma of a halogen gas is made of a fluoride of at least one element selected among Mg, Ca, Sr and Ba, ZrF_4 glass or AlF_3 glass, each having a transparency.
少なくともハロゲン系ガスのプラズマに曝される面が、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの群から選ばれた少なくとも１種の透光性を有するＦ化物、ＺｒＦ_４系ガラスもしくはＡｌＦ_３系ガラスで形成されていることを特徴とする成膜装置、エッチング装置あるいは表面改質装置などのプラズマ処理装置用窓部材である。 - 特許庁 - The back face of a wafer is ground, and wet etching is carried out, and when a chip is joined to a junction object body using ultrasonic waves, surface roughness along the vibrating direction of ultrasonic waves is made substantially the same between chips, and ultrasonic wave combined thermal press-fitting is carried out, and the chip is joined through a golden ball bump to a lead frame.
ウェハの裏面を研削した後、ウエットエッチングを行って、チップを超音波を用いた被接合体へ接合するときに超音波の振動方向に沿った表面粗さがチップ間で実質的に同一となるようにした後、超音波併用熱圧着を行ってリードフレームにチップを金ボールバンプを介して接合する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.
活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having through holes arranged in a matrix form connected to the respective cells and formed by photolithography and etching, by which the dimensional variances in the diameters of the through holes in the outer peripheral cell region and in the internal cell region of a mat comprising the cells can be decreased.
行列をなして配置された各セルに接続するスルーホールが、フォトリソグラフィとエッチングにより形成される半導体装置の製造方法であって、各セルからなるマットの外周セル領域と内部セル領域におけるスルーホール径の寸法バラツキを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.
本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁 - The micromirror device is obtained by using a semiconductor anisotropic etching process to process a silicon substrate and has a structure, wherein a shear-type strain gauge 3 which measures the angle of rotation of a mirror 1 and utilizes a piezoresistance effect is provided in a torsion bar 2 divided p-type or n-type semiconductor areas in a perpendicular direction of the silicon substrate.
半導体異方性エッチングプロセスを使用してシリコン基板を加工したマイクロミラーデバイスであって、シリコン基板の厚さ方向にｐ型またはｎ型の半導体領域に分割したトーションバー２に、ミラー１の回転角を測定するピエゾ抵抗効果を利用したせん断型歪ゲージ３を設けた構造を特徴とする。 - 特許庁 - The etching equipment 20 is provided with: a reaction chamber 10 having an exhaust vent 9; a table 2 which is installed in the reaction chamber and on which a silicon substrate 1 is mounted; a rotatingly driving part 8 for rotating the table; and gas supply piping having a nozzle 3 which supplies gas to the silicon substrate in the reaction chamber.
エッチング装置２０は、排気口９を有する反応室１０と、前記反応室の内部に設けられ、シリコン基板１を載置するテーブル２と、前記テーブルを回転させる回転駆動部８と、前記反応室の内部で前記シリコン基板上にガスを供給するノズル３を有するガス供給配管とを備える。 - 特許庁 - The control device 41 instructs, when the plasma treatment apparatus 11 performs the actual device manufacturing process, the plasma treatment apparatus 11 to perform the predetermined etching process based on data detected by electric measuring devices 17, 20, gas flow rate sensors 27, 29, a temperature sensor 13b, a pressure sensor 12a, and a plasma emission spectroscope 31.
制御装置４１は、プラズマ処理装置１１がデバイス製造の実処理時には、電気測定器１７，２０、ガス流量センサ２７，２９、温度センサ１３ｂ、圧力センサ１２ａ、プラズマ発光分光器３１が検出した検出データに基づいてプラズマ処理装置１１に所定のエッチング処理を実行させる。 - 特許庁
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