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＜前へ 1 2 .... 365 366 367 368 369 370 371 372 373 .... 399 400 次へ＞- Thus, since the ink chamber with an optimum planar shape and an optimum depth can be formed of the side wall and the bottom wall, which serve as an anti-etching wall, the high-DPI inkjet print head, which can make an interval between the adjacent nozzles shorter and which can print a high-resolution image, can be embodied.
これにより、エッチング防止壁の役割をする側壁と底壁により最適の平面形状および深さを持つインクチャンバが形成できるので、隣接したノズル間の間隔を狭めることができて高解像度の画像が印刷できる高いＤＰＩのインクジェットプリントヘッドが具現できる。 - 特許庁 - To provide a Levenson type phase shift mask having no divot (defect) in an opening (opening A) where the phase difference of transmitted light is to be 0°, even when a pinhole is present in a protective film protecting the opening A in the process of engraving the Levenson phase shift mask by etching.
レベンソン型位相シフトマスクの掘込み部をエッチングによって形成する際に、透過光の位相差を０度とする開口部（開口部Ａ）となる部分を保護する保護膜にピンホールが存在しても、開口部Ａにディボット（欠陥）が形成されないレベンソン型位相シフトマスクを提供すること。 - 特許庁 - Using a condition that the interlayer insulating film is etched easier than the etching stopper film, the interlayer insulating film positioned below the first opening is etched until the upper surface of the wiring is exposed, and a second opening 15A forming a contact hole with the first opening, is formed.
エッチングストッパ膜よりも層間絶縁膜がエッチングされやすい条件を用いて、配線の上面が露出するまで第１の開口部の下方に位置する層間絶縁膜をエッチングして、第１の開口部と共にコンタクトホールを構成する第２の開口部１５Ａを形成する。 - 特許庁 - After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.
下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁 - The high dielectric thin film etching agent composition is an aqueous solution containing at least one of organic acids (preferably, oxalic acid, citric acid, malonic acid, succinic acid, acetic acid or propionic acid) or inorganic acid(preferably, sulfuric acid, nitric acid, hydrogen chloride, phosphoric acid or sulfamic acid) and a fluorine compound.
有機酸（シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。）又は無機酸（硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。）の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁 - To improve characteristics and reliability of an element by simplifying a process by pattering an MTJ cell and a connection layer simultaneously and by preventing generation of metallic polymer or the like by carrying out an etching process by using an insulating film spacer and a hard mask as a mask instead of a photosensitive film pattern.
ＭＴＪセルと連結層を同時にパターニングすることにより工程を単純化させ、感光膜パターンに代えて絶縁膜スペーサ及びハードマスク層をマスクにエッチング工程を行って金属性ポリマー等の発生を防ぎ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁 - Light is applied to the other surface side of the crystal substrate 15 to generate a hole/electron pair, the hole moves to one surface side of the crystal substrate 15, etching due to the combination of the hole and ions in the electrolyte is allowed to proceed, and a number of through holes are formed on the crystal substrate 15.
結晶基板１５の他面側に光照射してホールと電子の対を発生し、ホールが結晶基板１５の一面側に移動し、ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、多数の貫通孔を結晶基板１５に形成する。 - 特許庁 - This manufacturing method of the guide wire includes a step where a coil made of a metallic material and a core material 11 of a metallic wire are welded with a laser, and by the control of a time of dipping the core material 11 in etching solution 16, the tip portion of the core material 11 is worked into a tapered shape.
ガイドワイヤーの製造方法は、金属材料で作られたコイルと金属ワイヤーのコア材１１をレーザで溶接され、コア材１１がエッチング液１６に浸る時間を制御することにより、コア材１１の先端部分をテーパ形状に加工する工程を含む。 - 特許庁 - In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.
半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁 - To provide an apparatus for manufacturing a convenient and easy-to- spread printed wiring board, without causing increase of manufacturing cost and to produce a high density high accuracy printed wiring board with high yield by making uniform the etching accuracy of upper and lower surfaces, without lowering productivity.
製造装置の製造コスト高騰を招くことなく簡便かつ普及が容易なプリント配線板の製造装置を提供し、生産性を低下させることなく上下面のエッチング精度を均一にし、高密度・高精度のプリント配線板を歩留りよく生産することを目的とするものである。 - 特許庁 - To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.
例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - Therefore, a step of forming the vibration plate, a step of grinding the silicon single crystal substrate, and a step of forming a mask for etching the silicon single crystal substrate can be skipped, so that a method for manufacturing an inkjet type recording head 1 reduced in manufacturing cost can be obtained.
したがって、振動板の形成工程、シリコン単結晶基板を研削する工程およびシリコン単結晶基板をエッチングするためのマスク膜を形成する工程を省略でき、製造コストの低減したインクジェット式記録ヘッド１の製造方法を得ることができる。 - 特許庁 - Consequently, the overcoat is approximately kept in an initial state in which the overcoat is almost not dissolved while completely removing a part in the opening part by dissolving the rib material layer in accordance with an opening pattern of a resist film by regulating an acid concentration and a treating time of the etching treatment.
そのため、エッチング処理の酸濃度および処理時間を調節することにより、リブ材層をレジスト膜の開口パターンに従って溶解させ、その開口部内の部分を完全に除去しながら、オーバ・コートを殆ど溶解させられない当初の状態に略維持できる。 - 特許庁 - An active energy ray adhesive force vanishing type pressure sensitive adhesive 3 is laminated on one surface of a base film 2, metal foil 1 is stuck onto it, a metal mesh is formed by etching, and an electromagnetic wave shield mesh for display is completed by transferring black ink onto the surface of the metal mesh.
基材フィルム２の片面に活性エネルギー線粘着力消失型感圧性接着剤３を積層し、その上に金属箔１を貼り付け、エッチングで金属メッシュを形成し、次いで当該金属メッシュの表面に黒インクを転写してディスプレー用電磁波シールドメッシュが完成する。 - 特許庁 - An optically opaque silicon film 2 is deposited on an optically transparent base substrate 1 using a sputter deposition apparatus or the like, and then a portion of the silicon film 2 serving as a passage of light is removed with the specified slit width using a photolithography technique and an etching technique so as to produce the slit 3.
光学的に透明な基台１上にスパッタ成膜装置等により光学的に不透明なＳｉ膜２を成膜した後、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、所定の幅で光の通路となる部分のＳｉ膜２の一部を取り除き、スリット３を作製する。 - 特許庁 - While the silicon oxide film 9 is allowed to reside as a spacer along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD, an upper opening 11a leading to an upper surface of the SOG film is formed by anisotropic etching treatment, and the SOG film is removed through the upper opening 11a.
シリコン酸化膜９をゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面に沿ってスペーサとして残留させながらＳＯＧ膜の上面に通ずる上開口部１１ａを異方性エッチング処理によって形成し、当該上開口部１１ａを通じてＳＯＧ膜を除去する。 - 特許庁 - To provide a production method of a shadow mask for a color cathode-ray tube that can make such holes, through with narrow electron beams can pass, that cannot be made with photo-etching method, that can carry production without contaminating the environment and further that can easily change pattern of holes for passing the electron beams.
フォトエッチング法では明けることのできないような小径の電子ビーム通過孔も明けることができ、また環境を汚染することなく低コストで製造することができ、さらには容易に電子ビーム通過孔のパターンを変更できるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - When ions are implanted while holding the substrate temperature between 400-800°C, crystallinity aggravation of a silicon carbide layer is suppressed when ions are implanted, problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer and etching of the base contact portion 15 is suppressed in activated annealing, or the like.
基板温度を４００℃以上８００℃以下にしてイオン注入を行うことで、イオン注入時の炭化珪素層の結晶性悪化が抑制され、不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部１５のエッチングが抑制される。 - 特許庁 - Consequently, when the film thickness Da is made sufficiently thin, the penetration to the film 76 of the base 79a of the contact hole 79 can be prevented even if etching conditions are set so that the hole 78 is connected surely to the region 75 when each contact hole 78 and 79 is formed simultaneously.
そのため、膜厚Ｄａを十分に薄くすれば、各コンタクトホール７８，７９を同時に形成するとき、ホール７８が領域７５と確実に接続されるようにエッチング条件を設定しても、ホール７９の底面７９ａが膜７６を突き抜けるのを防止できる。 - 特許庁 - An etching device 10 is provided with a support base 12, a chemical tank 14 for containing an etchant 13 supplied to the substrate 11 held on the base 12, and a control mechanism 14 which controls the supply of the etchant 13 from the tank 14 to the substrate 11 held on the base 12.
支持台１２と、該支持台上に保持された半導体基板１１に供給されるエッチング液１３を収容する薬液タンク１４と、該薬液タンクから支持台１２上の半導体基板１１へのエッチング液１３の供給を制御するための制御機構１４とを含む。 - 特許庁 - To provide a base-layer film forming composition for lithography which is used for a lithography process of manufacturing a semiconductor device, has a faster dry etching speed than photoresist, and does not cause intermixing with the photoresist, and is for forming an organic base layer film having excellent charging property of a hole on a semiconductor substrate.
半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、半導体基板上のホールの充填性に優れた有機下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin which makes it possible to produce such a photoresist having excellent transparency and dry etching-proof property as a chemical amplification resist for a radiation, especially for KrF excimer laser, etc., and further having excellent characteristics in resolution, sensitivity, heat resistance, wide focus margin and wide exposure margin etc.
化学増幅型レジストとして特にＫｒＦエキシマレーザーなどの放射線に対する透明性、耐ドライエッチング性に優れ、さらに解像度、感度、耐熱性、広いフォーカスマージン、広い露光マージンなど優れた特徴をもつフォトレジストの製造を可能にする樹脂を提供する。 - 特許庁 - As a result, in the terminal portion of the area wherein the base electrode 8 and the emitter mesa 6a are confronted, abnormal etching can be prevented from occurring along with the base electrode or the emitter mesa, resistance between the base layer and the emitter layer can be prevented from becoming high, and the characteristics of the bipolar transistor can be improved.
その結果、ベース電極８とエミッタメサ６ａとが対向している領域の端部において、ベース電極やエミッタメサに沿って異常エッチングが生じることを防止でき、ベース層とエミッタ層との間の高抵抗化を防止し、バイポーラトランジスタの特性を向上させることができる。 - 特許庁 - The removing step is a step to apply a resist film 150 to the substrate 1, to expose the resist film 150 using a photomask with a desired pattern, subsequently to remove the resist film 150 in the recessed part 21 by developing and remove the coating film 22 using the remaining resist film 150 as an etching mask.
除去工程は、基板１上にレジスト膜１５０を塗布し、所望のパターンのフォトマスクを用いてレジスト膜１５０を露光した後、現像することにより、凹部２１のレジスト膜１５０を除去し、残ったレジスト膜１５０をエッチングマスクとして被膜２２を除去する工程である。 - 特許庁 - A protection metal layer 47 which is more hardly etched than adhesion layers 20, 31 is formed on portions corresponding to sidewalls of wirings 22, 23 formed on the upper surface 18A of the insulating layer 18, and thereafter, unnecessary portions of the adhesion layers 20, 31 are removed by etching to form the wirings 22, 23.
絶縁層１８の上面１８Ａに形成される配線２２，２３の側壁に対応する部分に、密着層２０，３１よりもエッチングされにくい保護金属層４７を形成した後に、エッチングにより不要な部分の密着層２０，３１の除去を行って、配線２２，２３を形成する。 - 特許庁 - A structure in which a plurality of thermocouples are connected in series is formed by press-fitting the plasma-treated surfaces of different kinds of conductive materials A and B to each other at a normal temperature after the materials A and B are plasma-treated and etching the materials A and B to conductive patterns 1 and 2.
互いに異なる導電性材料Ａ、Ｂをプラズマ処理した後に、各プラズマ処理面同士を常温で圧着接合し、しかる後にエッチング処理により前記導電性材料を導電性パターン１、２に加工して、複数の熱電対が直列に接続された構造を形成する。 - 特許庁 - A mixed gas, of CF4 and O2 fed from a gas-feeding part 3 to an alumina discharge tube 2 is discharged using plasma in a plasma generating part 1 to produce an F radical R and the F radical R, is jetted from a nozzle part 20 to a silicon wafer W on a chuck 93, whereby the wafer W is subjected to local etching.
ガス供給部３からアルミナ放電管２に供給されたＣＦ4とＯ2との混合ガスをプラズマ発生部１でプラズマ放電してＦラジカルＲを生成し、ＦラジカルＲをノズル部２０からチャック９３上のシリコンウエハＷに噴射することより、シリコンウエハＷを局所エッチングする。 - 特許庁 - The plating treatment device for applying plating treatment, etc., to objects to be treated, such as electronic parts substrates, is internally provided with respectively suitable numbers of plating treating vessels and treating vessels for cleaning, etc., and is constituted to continuously perform the plating treatment, etching treatment, cleaning treatment and drying treatment within the device.
電子部品基板等の被処理物にめっき処理等を施すめっき処理装置であって、この装置はめっき処理槽と洗浄等の処理槽とをそれぞれ適宜個数内設し、めっき処理・端部エッチング処理・洗浄処理・乾燥処理を、装置内で連続して行うよう構成される。 - 特許庁 - With the pattern of the oxide film as a mask, the exposed section of the face (100) of the silicon substrate 41 is etched through liquid-phase etching to form an inverted trapezoid groove 42, which has an inclination of 54.74° with respect to the face (100) of the silicon substrate 41 and having the same width as that of a semiconductor laser element 5.
酸化膜のパターンをマスクにして液相エッチングによりシリコン基板の（１００）面の露出部をエッチングして、シリコン基板４１の（１００）面に対して角度が５４．７４度傾いた傾斜面を有し、半導体レーザ素子５の幅と一致する逆台形状の溝４２を形成する。 - 特許庁 - An operation part 13 determines an exposure condition for the target area of another wafer for each type of semiconductor devices and each combination of lots and areas on the basis of the measured values (measured thickness value of an etching target film, measured thickness value of a resist film) in the target area of the wafer, the past exposure conditions, and the measured values.
演算部１３は、半導体デバイスの品種、ロットおよびエリアの組合せ毎に、新たなウエハの対象エリアへの露光条件を、当該ウエハの対象エリアにおける測定値（被エッチング膜厚測定値、レジスト膜厚測定値）と、過去の露光条件および測定値を基に決定する。 - 特許庁 - The manufacturing method of a light emitting element mounting substrate includes a process of selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 to form a metal protruded part 22b at a mounting position of a light emitting element; and a process of forming an electrode 23a in the vicinity of the metal protruded part 22b.
金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micro dimensions and capable of avoiding partial insolubilization in over-exposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.
パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide an IZO transparent conductive film forming method capable of attaining a state of high energy density plasma and forming a thin film with an excellent etching property in a high speed even if cheap and safe discharge gas like nitrogen is used, and a good-quality and high-performance IZO transparent conductive film.
窒素のような安価且つ安全な放電ガスを用いても、高密度プラズマ状態が達成出来、エッチング性が良好な薄膜を高速で製膜することが出来るＩＺＯ透明導電膜形成方法、及びこれにより良質で高性能なＩＺＯ透明導電膜を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a process of forming a gettering layer 19 in the SOI layer 16 surfaced by etching and removing the metal layer 18, and gettering a metal in the SOI layer 16; and a process of removing the gettering layer 19, and making the SOI layer 16 from which the metal is removed surface.
金属層１８をエッチング除去することにより表出したＳＯＩ層１６にゲッタリング層１９を形成してＳＯＩ層１６中における金属をゲッタリングさせる工程と、ゲッタリング層１９を除去して金属が除去されたＳＯＩ層１６を表出させる工程とを備える。 - 特許庁 - To provide a method of forming a multilayer conductive film, which can prevent a recessed region, which is generated in a polysilicon film, from being generated in the existing polyetchback process and can prevent a tungsten silicide film, which is formed on the polysilicon film in the succeeding etching process, from being cut in the succeeding process.
既存のポリエッチバック工程でポリシリコン膜上に発生されるリセス領域の発生を防止することができ、後続工程でポリシリコン膜上に形成されるタングステンシリサイド膜が後続エッチング工程で切られることが防止できる多層導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method which enables transfer with higher precision ultra-fine resist pattern by reducing light reflectivity of lower-layer metal and secures selection ratio of masks and metal to form ultra-fine metallizing by implementing the metal etching via a hard mask of an oxide film.
下地メタルの光反射率を低減させて微細なレジストパターンを高精度に転写すると共に、メタルエッチングを酸化膜のハードマスクを介して実施することでマスクとメタルのエッチング選択比を確保して微細なメタル配線を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The metal material member, that has improved anchor effects on the deposition silicon and corrosion resistance to the halogen etching gas, by machining the surface of a metal material to appropriate surface roughness, and the film-forming device is composed by selecting an optimum material according to the temperature environment of the film-forming device.
金属材料の表面を適正な表面粗さに加工することにより、析出シリコンに対する良好なアンカー効果とハロゲンエッチングガスに対する耐食性を兼ね備えた金属材料部材とし、成膜装置の温度環境に応じて最適な材質を選択して成膜装置を構成する。 - 特許庁 - In applying the weatherable resin 2 to the surface of the alloyed resin formed product 1, the ABS resin 1b in the vicinity of the surface of the alloyed resin formed product 1 is removed by chemically etching the surface of the alloyed resin formed product 1 and the surface of the alloyed resin formed product 1 is subsequently coated with the weatherable resin 2.
上記アロイ化樹脂成形品１の表面に耐候性樹脂２を被覆するに当たって、アロイ化樹脂成形品１の表面をケミカルエッチングにより表面付近のＡＢＳ樹脂１ｂ分を除去し、その後、アロイ化樹脂成形品１の表面に耐候性樹脂２を被覆する。 - 特許庁 - Then, ion in the plasma is irradiated while rotating the structure with its inclined by a prescribed angle θ in the same chamber, so that the electron emission film except for the electron emission film in the opening part is removed by etching and the electron emission layer 5 is formed into a desired shape.
続いて同一チャンバ内にて、構造体を所定角度θ傾けて回転させつつ、プラズマ中のイオンを照射することにより、開口部内の電子放出膜以外の電子放出膜をエッチングにより除去し、電子放出層５を所望の形状に形成する。 - 特許庁 - The waste solution used for etching and/or washing the electronic parts is used and adjusted to respective concentrations of 50-150 g/liter nitric acid, 10-75 g/liter hexafluoro silicic acid and ≤1 g/liter hydrogen fluoride to make the pickling solution, and the stainless steel is pickled by using this pickling solution.
電子部品のエッチングおよび／または洗浄に使用された廃液を用いて、硝酸濃度が５０〜１５０ｇ／リットル、ヘキサフルオロケイ酸濃度が１０〜７５ｇ／リットルおよびフッ化水素濃度が１ｇ／リットル以下に濃度調整して酸洗液とし、この酸洗液を用いてステンレス鋼を酸洗する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an electrode foil for an electrolytic capacitor of a reduced cost, which is suitable for making a multilayer solid electrolytic capacitor and has a higher capacity density than an etching Al foil and has an equivalent electrode resistance and further reduces consumptions of Ta and Nb which are expensive rare metals.
積層型固体電解コンデンサの作製に適し、エッチングＡｌ箔よりも高容量密度であり、かつ、同等の電極抵抗を有し、さらに、高価な希少金属であるＴａやＮｂの使用量を減らした低コストの電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The silicon ring having an inner step 14 for supporting a material under etching opposite to an upper electrode plate in a plasma etcher has an etch-durable film 24 formed on at least the supporting surface 21 of the inner step 14 of the ring.
プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁 - A release/washing system sub carrier path 40, a film formation system sub carrier path 50, an etching system sub carrier path 60, and an application/development system sub carrier path 70 are arranged at both the sides of the main carrier path successively from one end of the main carrier path 10 so that they nearly orthogonally cross the main carrier path 10.
主搬送路１０の両側には、主搬送路１０の一端から順番に剥離・洗浄系の副搬送路４０、成膜系の副搬送路５０、エッチング系の副搬送路６０、塗布・現像系の副搬送路７０が該主搬送路１０とほぼ直交するように配設されている。 - 特許庁 - To fully remove damage caused by recess-etching without deteriorating a worked shape of a device, thereby allowing an SiGe layer with good crystalline conditions to epitaxially grow sufficiently on an etched surface where a silicon substrate has been recess-etched.
デバイスの加工形状を悪化させることなくリセスエッチングによるダメージを十分に取り除くことが可能で、これによりシリコン基板をリセスエッチングしたエッチング面上に結晶状態の良好なＳｉＧｅ層を十分にエピタキシャル成長させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A core pattern 17 is formed by applying a core material onto the lower clad 16 from a dispenser 10, and the conventional resist-forming, etching, removal of the resist, or the like are abolished, and as a result, the manufacturing process is simplified and improved in workability.
そしてこの目的を達成するために本発明は下部クラッド１６上にディスペンサ１０からコア材料を塗布してコアパターン１７を形成するものであり、従来のようなレジストの形成、エッチング、レジストの除去などが廃止され、この結果として工程が簡素化され作業性を高めることができる。 - 特許庁 - In a wire-bonding jig for placing and supporting a lead frame subject to half etching upon the lead frame and a semiconductor chip placed on the lead frame being wire-bonded, a protruded etched portion supporter is provided at a position corresponding to a concaved half etched portion formed in a lower surface of the lead frame.
ハーフエッチングを施したリードフレームと、同リードフレーム上に載置した半導体チップとをワイヤボンディングする際に前記リードフレームを載置支持するワイヤボンディング用治具において、リードフレーム下面に形成された凹状のハーフエッチング部に対応する位置に凸状のエッチング部支持体を設けた。 - 特許庁 - The wiring circuit board 100 comprises a metallic film 101 consisting of copper foil of about 18μm thickness and prepared for forming wiring, and the bump 106 of about 80μm height which is formed on the surface of the metallic layer 101 through an etching stopper layer 107 consisting of Ni of about 2μm thickness.
配線回路基板１００は、厚さ約１８μｍの銅箔からなる配線形成用金属膜１０１と、その配線形成用金属層１０１の上に厚さ約２μｍのＮｉからなるエッチングストッパー層１０７を介して形成された、高さ約８０μｍのバンプ１０６とからなる。 - 特許庁 - The concave part 21 is formed by anisotropically etching a single crystal silicon wafer, with an opening of a square cone shape, whose bottom face 23 is in parallel with a crystal face (100) and four tilted side faces 24, 25, 26, 27 surrounding it are in parallel with a crystal face (111).
凹部２１は、単結晶シリコンウェハを異方性エッチングすることによって形成されたものであり、開口が正方形のすり鉢形状であり、底面２３は（１００）面であり、これを囲む周囲の４つの傾斜した側面２４，２５，２６，２７とは共に（１１１）面である。 - 特許庁 - To provide a base material having a negative photoresist layer for an optical disk, which has superior contrast obtained in a developing stage, using dry process and superior mask performance also in a substrate etching stage in subsequent developing stages, and to provide a method for manufacturing a stamper for the optical disk, using the base material.
ドライプロセスを用いた現像工程で優れたコントラストが得られ、その後の基板エッチング工程においても優れたマスク性能を有する、光ディスク用ネガ型レジスト層付き基材、上記基材を使用して光ディスク用スタンパを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁 - A gas separation membrane component is obtained by removing the base body 22 from the gas permeable layer joined body 12 and etching the supporting body 11 to form an opening joining material 30, or a gas separation membrane unit is obtained by laminating a mesh plate 34 or a base 36 to be applied for a hydrogen separation apparatus or the like.
ガス透過層接合体１２より基体２２を除去して支持体１１にエッチング加工を施して開口接合材３０を製造してガス分離膜部品とし、またはメッシュ板３４や基台３６を積層してガス分離膜ユニットとして、水素分離装置などに適用する。 - 特許庁
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