「form pattern」を含む例文一覧(4548)
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機能液に対する親液部及び撥液部を有する基板に機能液を塗布してパターンを形成する。 - 特許庁 - To prevent a defective injection of impurity due to deterioration in the accuracy of the form of a resist pattern by a trailing phenomenon.
すそ引き現象によるレジストパターンの形状精度劣化による不純物注入不良を防止する。 - 特許庁 - To provide a developing solution composition which can form a satisfactory thick-film resist pattern and has less in foaming.
良好な厚膜レジストパターンを形成できるとともに、泡立ちが少ない現像液組成物を提供する。 - 特許庁 - At this time, etching conditions are regulated so as to form a tapered section at the end part of the pattern of the oxide film (c).
このときエッチング条件を調整して酸化膜のパターン端部にテーパ部が形成されるようにする（ｃ）。 - 特許庁 - To form a wide-width pattern and ultra-fine patterns, which exceed a limit of the resolution of the today exposure art, simultaneously by a manufacturing method for semiconductor devices.
幅広のパターンと露光技術の解像度の限界以上の超微細パターンとを同時に形成する。 - 特許庁 - This concrete form device transfers a recess-projection pattern 3 to a placed concrete surface by the patterning sheet 2.
打設したコンクリート表面に凹凸模様３を模様付けシート２より転写するコンクリート型枠装置である。 - 特許庁 - Also, a cancellation condition includes the cancellation of the replay selection high state when a prescribed pattern is stopped, and the forms of stop control include the form of stopping the prescribed pattern and the form of not stopping the prescribed pattern in the case of performing a specific stop operation.
また、解除条件に、所定の図柄が停止したときに、再遊技選択高状態を解除することが含まれ、停止制御の態様に、所定の図柄が停止する態様と、特定の停止操作を行う場合には前記所定の図柄が停止しない態様とが含まれる。 - 特許庁 - Part of the second etching stopper film, second insulation film, and first etching stopper film is so etched as to form a storage node hole to expose part of the first insulation film to form a second etching stopper film pattern, second insulation film pattern, and first etching stopper film pattern.
第１絶縁膜の一部の表面を露出させるストレッジノードホールが形成されるように第２エッチング阻止膜、第２絶縁膜及び第１エッチング阻止膜の一部をエッチングして第２エッチング阻止膜パターン、第２絶縁膜パターン及び第１エッチング阻止膜パターンを形成する。 - 特許庁 - For etching a silicon nitride film 37/underlay silicon oxide film 36 to form a pattern of a trench mask, rf power is set to a level higher than that for the normal anisotropic etching or the flow rate ratio (CF4/CHF3) of the etching gas is set to a lower value so as to form a tapered pattern, thereby narrowing the trimmed pattern.
トレンチマスクとなるシリコン窒化膜３７／下敷きシリコン酸化膜３６のパターニング時のエッチングの際、通常の異方性エッチング時よりもＲＦパワーを高くする、あるいはエッチングガスの流量比（ＣＦ_4／ＣＨＦ_3）を低くすることで、パターンをテーパ形状に形成して抜きパターンを狭くする。 - 特許庁 - For example, after a correction film 8 is formed in the region including a white defect, the correction film 8 is partially removed according to the form and/or arrangement which produces the gray tone effect equivalent to the normal pattern to form a correction pattern 3a', 3b' having mutually different widths and position from the normal pattern 3a, 3b.
例えば、白欠陥を含む領域に修正膜８を形成した後、正常パターンと同等のグレートーン効果を奏する形状及び／又は配列にて前記修正膜８を部分的に除去して、正常パターン３ａ、３ｂとは幅や位置が異なる修正パターン３ａ’、３ｂ’を形成する。 - 特許庁 - A plurality of dot pattern information printed on paper is stored in a computer system, and unused dot pattern information is assigned when a form is printed, and the dot patterns and form information are linked, and the dot patterns and the form are printed on sheets so that paper can be prepared.
ペーパに印刷されたドットパターン情報をコンピュータシステム内に複数保持しておき、帳票を印刷する時に未使用のドットパターン情報を割当て、ドットパターンと帳票情報を紐付すると同時に、紙上にドットパターンと帳票を印刷してペーパを作成する。 - 特許庁 - A printing instruction including a printing document, a form pattern key and parameter information is transmitted from a client PC 110 to a print server 100, a control part 11 which receives the printing instruction via an interface part 10 analyzes the printing instruction and acquires a form stored in a storage part 12 based on the form pattern key.
クライアントＰＣ１１０から印刷文書、フォームパターンキー、パラメータ情報を含む印刷指示がプリントサーバ１００に送られ、インターフェース部１０を介して受信した制御部１１が印刷指示を解析し、記憶部１２に記憶されたフォームをフォームパターンキーに基づいて取得する。 - 特許庁 - In this pattern-forming apparatus 10B, ultrasonic vibration is applied to a form 100 using an ultrasonic horn 72 when releasing the form 100 from a substrate after forming a pattern on the substrate by pressing the form 100 heated by a heater block 41 at a temperature equal to or higher than the glass transition point of a substrate surface layer.
パターン形成装置１０Ｂでは、ヒータブロック４１で、基板表層部のガラス転移温度以上に加熱した型１００を押し付けて基板にパターンを形成した後、型１００を基板から離型させるに際し、超音波ホーン７２で型１００に超音波振動を加えるようにした。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method by which a pattern having high sensitivity and resolution, small line width roughness (LWR), and a superior exposure latitude (EL) and pattern form is formed, to provide a pattern formed by the pattern forming method, and to provide a chemically amplified resist composition used in the pattern forming method, and a resist film formed of the chemically amplified resist composition.
感度及び解像力が高く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、露光ラチチュード（ＥＬ）及びパターン形状に優れたパターンを形成できるパターン形成方法、該パターン形成方法から形成されたパターン、該パターン形成方法に用いられる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。 - 特許庁 - Then, the CPU temporarily stops a specific special pattern constituting a second special pattern array in a big winning display form, then displays the specific special pattern and a normal special pattern at the variable display device and executes the re-drawing performance of selecting either one of the displayed specific special pattern and normal special pattern.
続いて、ＣＰＵは、第２の特別図柄配列を構成する特殊特別図柄が大当たり表示態様で一旦停止させた後、可変表示装置に特殊特別図柄と通常特別図柄とを表示し、表示した特殊特別図柄と通常特別図柄とのいずれか一方を選択する再抽選演出を実行する。 - 特許庁 - Since an evaluation region 11 is placed at a specific location in the pattern, and whether there is of an abnormality in the pattern form inside the evaluation region 11 is evaluated, this evaluation prevents nonconformities where a pattern error, in a portion in the pattern which is not so critical, is regarded as being no good for the pattern as a whole and provides improvement in the production yield of the pattern.
パターン内の特定の場所に評価領域１１を設定し、その評価領域１１内のパターンの形状に異常があるか否かを評価するため、パターン内のあまり重要でない部分の形状誤差によりパターン全体がＮＧとみなされるような不具合が起きなくなり、パターンの製造歩留まりが向上する。 - 特許庁 - This correction method is comprised of a master pattern classifying step 100 classifying the master pattern according to a positional relationship between each master pattern form and mask patterns located in the neighborhood of each mask pattern, and OPC executing steps 101, 102 for executing the optical proximity effect correction to the mask pattern forms classified by the mask pattern classifying step 100.
各々のマスクパターンの形状、および各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップ１００と、このマスクパターン分類ステップ１００で分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正（以下、ＯＰＣ）を実施するＯＰＣ実施ステップ１０１，１０２とから構成されている。 - 特許庁 - A resist pattern 5 is formed on the interlayer insulation film 2 by photoengraving, and a substrate is etched while the resist pattern 5 is used as a mask, so as to form a trench 6 connected with the via hole 3.
層間絶縁膜２上に写真製版によりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をマスクとしたエッチングによりビアホール３に接続するトレンチ６を形成する。 - 特許庁 - To form a pattern with resolution exceeding that of a conventional exposure apparatus, in a method for forming fine pattern of a semiconductor element.
半導体素子の微細パターンを形成する方法であって、現状露光設備における解像度能力を上回って、より微細なパターンの形成が可能となるようにする。 - 特許庁 - A coating film of the resist compsn. is disposed on a substrate with a disposed thin film, exposed through a mask pattern, heated and developed to form the objective resist pattern.
また、薄膜を設けた基板上に、この組成物の塗膜を設け、マスクパターンを介して該塗膜を露光したのち加熱し、次いで現像処理して、レジストパターンを形成する。 - 特許庁 - The film thickness of the ultra-thin film 2 is determined to be as thin as possible necessary to form the phase shift pattern in the quartz substrate 1 by using the ultra-thin film pattern 2P as a mask.
極薄膜２の膜厚は、極薄膜パターン２Ｐをマスクにして石英基板１に位相シフトパターンを形成するために必要最小限の厚さに設定する。 - 特許庁 - To form a wiring pattern in high density by improving a method forming an electrical insulating layer and enhancing the adhesive properties of the electrical insulating layer and the wiring pattern.
電気的絶縁層を形成する方法を改良し、電気的絶縁層と配線パターンとの密着性を良好にして、高密度に配線パターンを形成可能とする。 - 特許庁 - Division is performed by the combination form (numerical value of pattern) of the win/loss image and the basic fluctuation pattern or is performed by a random number in the case that the propriety image is a race or a game.
振り分けは基本的変動パターンと当否画像の組み合わせ態様（図柄の数値）による、あるいは当否画像がレースやゲームのような場合は乱数により行う。 - 特許庁 - A wiring layer 6, having a predetermined pattern form according to a display pattern, is formed on a positive electrode board 2 constituting a part of an envelope of which inside is kept in a high-vacuum condition.
内部が高真空状態に保持された外囲器１の一部をなす陽極基板２には、表示パターンに応じた所定パターン形状の配線層６が形成される。 - 特許庁 - To form an isolated line pattern with high controllability by using a multiple resist layer having a two-layer structure with a LOF (lift-off) layer left in the lower part of the resist in the method for forming a fine resist pattern.
微細レジストパターンの形成方法に関し、ＬＯＦ層をレジスト下部に残した２層構造の積層レジスト層を用いて、孤立ラインパターンを制御性良く形成する。 - 特許庁 - To provide a resist treatment method that, in a multi-patterning method, can very finely and highly accurately form a pattern obtained by a resist composition for first resist pattern formation.
マルチパターニング法において、１回目のレジストパターン形成用のレジスト組成物によって得られたパターンを、極微細に、かつ精度良く形成するレジスト処理方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, the occurrence of a leak current is avoided because the solder pattern formed by the ultrasonic junction tool does not form an unnecessary solder pattern outside the convex-shaped bodies 157.
従って、当該ツールで成形された半田パターンは、突状体１５７の外側へ不要な半田パターンを成形させないので、リーク電流を発生させることから免れる。 - 特許庁 - To provide a method of forming a wiring pattern which can finely and accurately form a micro wiring pattern, and to provide a method of manufacturing a wiring substrate using the same.
微細な配線パターンを微細にかつ高精度に形成することを可能にする配線パターンの形成方法およびこれを用いた配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After that, the surface of the worked pattern is made smooth by applying, an etch to the roll surface of the mold roll base material so as to form a final molding pattern at the process 103.
その後、金型ロール基材のロール面に腐食処理（エッチング処理）を施して加工パターンの表面を滑らかにし、最終的な成型パターンを形成する（工程１０３）。 - 特許庁 - At one end of the conductor pattern 3 to form a coil, a through hole 4 for electric continuity with the conductor pattern 3 of the upper or lower coil sheet 1 is formed.
コイルとなる導体パターン３の一端部には、上側または下側のコイルシート１の導体パターン３との電気的導通を得るためのスルーホール４が形成されている。 - 特許庁 - To form a circuit pattern capable of forming a plating film with a predetermined thickness even in a minute circuit pattern and, further, excellent in the adhesiveness of the film by utilizing an electroless plating method.
精細な配線パターンであってもめっき被膜を所定厚さに形成でき、しかも付着性に優れた配線パターンを無電解めっき法を利用して形成する。 - 特許庁 - To provide a detection pattern most suitable for a particular head in a connection head and propose the form of a nondischarge detection pattern of a portion of each head where printing overlaps.
つなぎヘッドにおいて各々の個別ヘッドに最適な検出パターンを提供し、各ヘッドの印刷重複部分の不吐検出パターン構成を提案するものである。 - 特許庁 - To form a dense hole pattern having a hole pitch of not more than a resolution limit and an isolated hole pattern while preventing the lowering of throughput and the deterioration of dimensional accuracy.
スループットの低下や寸法精度の劣化を防止しつつ、解像限界以下のホールピッチを有する密集ホールパターンを孤立ホールパターンと共に形成できるようにする。 - 特許庁 - The film thickness of the ultra-thin film 2 is set to a minimum thickness necessary to form the phase shift pattern in the quartz substrate 1, by using the ultra-thin film pattern 2P as the mask.
極薄膜２の膜厚は、極薄膜パターン２Ｐをマスクにして石英基板１に位相シフトパターンを形成するために必要最小限の厚さに設定する。 - 特許庁 - A second amorphous silicon film 6 is formed and processed by spacer processing to form a side wall film 6a, and the core material pattern 5b is removed to obtain an independent mask pattern 6b.
第２のアモルファスシリコン膜６を形成してスペーサ処理をすることで側壁膜６ａを形成し、芯材パターン５ｂを除去して孤立したマスクパターン６ｂを得る。 - 特許庁 - A silicon oxide film 22 as a first film is formed on an amorphous silicon film 21 (a), and is processed into a predetermined line and space pattern to form an intermediate pattern 23 (b).
非晶質シリコン膜２１上に第１膜のシリコン酸化膜２２を形成し（ａ）、所定のラインアンドスペースのパターンに加工して中間パターン２３を形成する（ｂ）。 - 特許庁 - The plurality of sub-reflectors 50a-50d are combined with the low-beam light distribution pattern and form an additional light distribution pattern so that each of them may have different synthetic light distribution patterns.
複数のサブリフレクタ５０ａ〜５０ｄは、ロービーム配光パターンと組み合わされてそれぞれが異なる合成配光パターンとなるような付加配光パターンを形成する。 - 特許庁 - The resist film 102 that has been subjected to pattern exposure is heated, and the heated resist film 102 is developed to form a resist pattern 102a from the resist film 102.
続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁 - To form a pattern on a workpiece film on a substrate with a space ratio of 1:1 by accurately measuring the dimension of the pattern of a sacrificial film or the workpiece film on the substrate.
基板上の犠牲膜又は被処理膜のパターンの寸法を正確に測定し、基板上の被処理膜にスペース比率が１：１となるパターンを形成する。 - 特許庁 - To form a minute isolated line pattern by a narrowed sectional structure, in which a lower layer part is narrowed than an upper layer resist, with good controllability, in the forming method of a minute resist pattern.
微細レジストパターンの形成方法に関し、上層レジストよりも狭くした下層部となるクビレ断面構造で、微細な孤立ラインパターンを制御性良く形成する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the electrode substrate, a pattern is formed on a surface of the substrate by the intaglio offset printing method with the use of the conductive paste, and then, is calcinated to form the electrode pattern.
製造方法は、前記導電ペーストを用いて、凹版オフセット印刷法によって、基板の表面にパターン形成した後、焼成して電極パターンを形成する。 - 特許庁 - After the barrier film 103 is removed, the resist film 102 subjected to pattern exposure is developed to form a resist pattern 102a from the resist film 102.
続いて、バリア膜１０３を除去した後、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なうことにより、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁 - An anode 2 made of a transparent conductive film and having through holes 4 to form the pattern of a luminescence pattern 3 is provided on an element substrate 1 made of a glass substrate.
ガラス基板からなる素子基板１の上には、発光エリア３のパターンを形作るように透孔４を有して透明導電膜による陽極２が形成される。 - 特許庁 - To provide a method of treating substrate by which a process of working an organic film pattern into a new pattern form can be performed smoothly by performing second developing treatment.
２回目の現像処理により有機膜パターンを新たなパターン形状に加工する処理をスムーズに行うことを可能とする基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - The resist film 102 after pattern exposure is developed to remove the barrier film 103 to form a resist pattern 102a out of the resist film 102.
続いて、パターン露光が行なわれたレジスト膜１０２に対して現像を行なって、バリア膜１０３を除去すると共にレジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁 - Subsequently, the resist film 102 subjected to pattern exposure is developed to remove the barrier film 103 and form a resist pattern 102a from the resist film 102.
続いて、パターン露光されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、バリア膜１０３を除去すると共にレジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 - 特許庁 - A photomask includes an auxiliary pattern at a corner portion of a light-blocking portion, and (k+1) sides (k is a natural number of 3 or more) form k obtuse angles in the auxiliary pattern.
遮光部の角部に補助パターンを有し、当該補助パターンは、（ｋ＋１）本の辺（ｋは３以上の自然数）でｋ個の鈍角を構成するフォトマスクである。 - 特許庁 - To provide a wiring board which can surely form a wiring pattern in prescribed width and firmly adhere a wiring pattern and an insulating layer each other.
配線パターンを所定の幅で正確に形成することが可能であるとともに配線パターンと絶縁層とが強固に密着した配線基板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a pattern forming method for forming a conformal film with lower cost and higher throughput than deposition technologies and form a pattern, while maintaining irregularities of a substrate.
基板の凹凸を維持しながら、堆積技術よりも低コスト、かつ、高スループットでコンフォーマルな膜を成膜し、パターンを形成するパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To form a high resolution pattern by preventing multiple exposures against the pattern by directing the light beam transmitted through a glass substrate to the direction away from the substrate without rereflection.
ガラス基板を透過した光線を再反射せずに基板から遠ざかる方向に向け、パターンに対する多重露光を防ぎ、高い解像度のパターンを形成すること。 - 特許庁
- 特許庁
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