「form pattern」を含む例文一覧(4548)

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  • A large number of shallow grooves 26 are arranged so that the shallow grooves form a regular pattern and are not intersected with or brought into contact with each other.
    浅溝26は、規則的なパターンとなるように多数形成され、それぞれが交差及び接触しないように配置されている。 - 特許庁
  • Subsequently, the barrier film is removed and then, the resist film 102 is developed to form a resist pattern 102a out of the resist film 102.
    続いて、バリア膜を除去し、その後、レジスト膜102に対して現像を行って、レジスト膜102からレジストパターン102aを形成する。 - 特許庁
  • The photo-curable liquid adhesive resin is similarly applied again to an upper surface of the transparent resin sheet 57 to form the application pattern 81.
    この後、透明樹脂シート57の上面に再度同様にして光硬化性の接着剤樹脂液を塗布して塗布パターン81を形成する。 - 特許庁
  • After removing the first spacers, the insulating layers are etched to form second spacers for offsetting on both of the sidewalls of each gate pattern.
    前記第1スペーサを除去した後、前記絶縁膜をエッチングして前記ゲートパターンの両側壁にオフセット用第2スペーサを形成する。 - 特許庁
  • A game state display form corresponding to the game state notification pattern is displayed in an area 37b of a character display device 37.
    遊技状態報知パターンに対応した遊技状態表示態様がキャラクタ表示装置37の領域37bで表示される。 - 特許庁
  • Therefore, the occupation area can be reduced in comparison with a case when a plane wiring is used to form an impedance added pattern.
    よって、平面的な配線によりインピーダンス付加パターンを構成する場合と比較して占有面積を削減することが可能となる。 - 特許庁
  • To provide a resist composition which enables to form a pattern having a superior shape and proper focus margin.
    優れた形状及び良好なフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • Moreover, the second loop pattern 15 is connected between the square U shaped loop patterns 11 and 12 in series to form one conductor line CL.
    また、コ字形ループパターン11,12の間には第2のループパターン15を直列に接続し、1本の導体線路CLを形成する。 - 特許庁
  • To form a conductive pattern with ease, at a low cost, and with high precision, in a region where a flat surface and a step part of a substrate are formed.
    基板の平面と段差部が形成された領域に、導電性のパターンを簡便に、低コストで、かつ高い精度で形成する。 - 特許庁
  • To form a prescribed resist pattern on a substrate while reducing to be small the amount of a resist liquid to be fed in the second time in double patterning.
    ダブルパターニングにおける2回目のレジスト液の供給量を少量に抑えつつ、基板上に所定のレジストパターンを形成する - 特許庁
  • After the correction, photolithography processing and etching processing are carried out to form the predetermined pattern on the film to be processed on the wafer (steps S9, S10).
    補正後、フォトリソグラフィー処理とエッチング処理を行い、ウェハ上の被処理膜に所定のパターンを形成する(ステップS9、S10)。 - 特許庁
  • To form a light distribution pattern suitable for cornering without causing glare against an oncoming vehicle, and without increasing a light chamber size and cost.
    対向車へのグレアを生じさせることも灯室サイズやコストを増加させることもなく、コーナリングに適した配光パターンを形成する。 - 特許庁
  • To prevent a resist from falling caused by the cohesive force of a liquid present between the resist patterns and to form a fine resist pattern with a high aspect ratio.
    レジスト間に存在する液体の凝集力に起因するレジスト倒壊を防止し、高アスペクト比の微細レジストパターンを形成する。 - 特許庁
  • Likewise, a plurality of units are laminated in a stepped pattern with electrolyte films interposed to form an aggregate (a module).
    このような要領で複数のユニットを電解質膜5を介して階段状に積層することでセル集合体(モジュール)を形成する。 - 特許庁
  • By emitting the sound in the interference pattern in accordance with the respective winning forms of BB, RB and losing, the winning form is reported.
    この干渉パターンをBB、RB、ハズレの各入賞態様応に応じて出音させることにより入賞態様の報知を行う。 - 特許庁
  • To improve working efficiency regarding the processing of a fabric in order to form both of a watermark and an embossed pattern on the fabric.
    生地に透かし模様及び凹凸模様の双方を形成するための生地の加工に関してその作業能率をより向上させること。 - 特許庁
  • To inexpensively and simply form a three-dimensional pattern on the surface of an acetate resin plate used for cell frames of eyeglasses or accessories.
    メガネのセル枠や、アクセサリー類に使用されるアセテート樹脂板の表面に立体的な模様を安価に簡単に設ける様にする事。 - 特許庁
  • To provide a dot pattern formation method which can easily form two types of sizes of dot patterns with one liquid droplet ejection head.
    1つの液滴吐出ヘッドで、2種類のサイズのドットパターンを簡単に形成することができるドットパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • After developing processing is successively performed, the light shielding film 33 and the phase shift layer 32 are etched to form a dummy pattern 22 on the substrate 31.
    次いで、現像処理した後、遮光膜33及び位相シフト層32をエッチングして、基板31上にダミーパターン22を形成する。 - 特許庁
  • Then with the alignment pattern (106, 107) used as an etching mask, a base material member is etched to form micro steps (H1, H2).
    次に、アライメントパターン(106,107)をエッチングマスクとして用いて、下地部材をエッチングして微小な段差(H1,H2)を形成する。 - 特許庁
  • After developing processing is successively performed thereto, the light shielding film 33 and the phase shift layer 32 are etched to form a device pattern 21 on the substrate 31.
    次いで、現像処理した後、遮光膜33及び位相シフト層32をエッチングして、基板31上にデバイスパターン21を形成する。 - 特許庁
  • To form a fine pattern of uniform line width with high accuracy by reducing focus error caused by flexure of mask.
    マスクの撓みに起因するフォーカス誤差を低減することにより、均一な線幅の微細なパターンを高い精度で形成できるようにする。 - 特許庁
  • To easily form a predetermined mold pattern to the surface of a member for a mold with high precision without requiring much processing time.
    多大な加工時間を要することなく、所定の成型パターンを金型用部材の表面に対して高い精度で容易に形成する。 - 特許庁
  • A resist is coated onto the a-Si membrane 3, and the resist is minutely processed with electron beam exposure or photolithography to form a resist pattern 4.
    a−Si膜3上に、レジストを塗布し、電子線露光あるいはフォトリソでレジストを微細に加工して、レジストパターン4を形成する。 - 特許庁
  • Materials are each fed from a main tube 3 or a subsidiary tube 4, they form the main body material 1a of soap and the pattern material 2a.
    主管3および副管4からそれぞれ材料を供給し、石鹸本体材料1aおよび模様材料2aを成形する。 - 特許庁
  • A substrate P having a liquid repellent part H and a lyophilic part Pa to a functional fluid is coated with the functional fluid to form a pattern W.
    機能液に対する親液部Pa及び撥液部Hを有する基板Pに機能液を塗布してパターンWを形成する。 - 特許庁
  • To provide a negative photosensitive resin composition, forming a pattern having an excellent lithography performance and forward tapered sectional form.
    優れたリソ性能を有し、かつ順テーパー型断面形状を有するパターンを形成可能なネガ型感光性樹脂組成物の提供。 - 特許庁
  • The main spray E and the diffusion spray F are sprayed at the same time to form a spray pattern in a cross shape on the whole.
    この主噴射Eと拡散噴射Fが同時に噴射されることにより全体的に十字形状の噴霧パターンが形成される。 - 特許庁
  • To provide a resist composition which enables to form a pattern having excellent line edge roughness (LER) and mask error factor (MEF).
    優れたラインエッジラフネス(LER)及びマスクエラーファクター(MEF)を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • To obtain a density distribution mask which can form a pattern giving the exposure value for a region in which a low amount of exposure is obtained with high resolution.
    低露光量を得る領域において、その露光量を与えるパターンを、高い解像度で形成できる濃度分布マスクを得る。 - 特許庁
  • To display performance display by a performance form not to be boring even when it is made possible to shorten the time of pattern variable display.
    図柄の変動表示の時間を短縮することを可能にしても飽きのこない演出態様による演出表示を表示する。 - 特許庁
  • An anisotropic etching is carried out via a mask to form a pattern of holes extending through the support layer into the etchable material.
    異方性エッチングを、マスクを介して行い、支持体層を通り上記エッチング可能な材料中にまで伸びている孔パターンを形成する。 - 特許庁
  • The dividing variable resistance VR1 has a circular-arc-form pattern and the other end thereof is connected with one end of the dividing fixed resistance R2.
    分割可変抵抗VR1は円弧状パターンを有しており、その他端は分割固定抵抗R2の一端に接続している。 - 特許庁
  • To provide electron beam transfer equipment which can reduce defocusing due to space charge effect and can form a pattern with higher accuracy and high throughput.
    空間電荷効果によるボケを低減でき、より高精度・高スループットでパターン形成できる電子ビーム転写装置を提供する。 - 特許庁
  • The game machine includes a support means which supports a player to do the stop operation in the form avoiding the pattern combination corresponding to the regular flag.
    一般フラグに対応する図柄組み合わせを回避するかたちで停止操作が行われるよう支援する支援手段を備える。 - 特許庁
  • To provide a game machine such as a pachinko game machine appropriately supplying pattern information to a player and realizing an interesting game form.
    遊技者に図柄情報を適切に供与して、興趣ある遊技態様を実現し得るパチンコ遊技機等の遊技機を提供する。 - 特許庁
  • The composition can form a uniform pattern on the surface of a substrate, and does not exert harmful effect on work environment as well.
    この組成物は、基板表面に均一なパターンを形成することが可能であり、さらに、作業環境にも悪影響を与えない。 - 特許庁
  • To form an upper electrode with higher accuracy on a high stepped pattern including in a capacitance element including a lower electrode of a polar structure.
    柱状構造の下部電極を有する容量素子において、高段差パターン上に上部電極を加工精度良く形成する。 - 特許庁
  • The image of a test pattern is formed on the photoreceptor drums 21 for four primary colors YMCK so as to form the image of a test patch 51 on the transfer belt 11.
    4原色YMCK感光ドラム21上にテストパターンを作像して、転写ベルト11上にテストパッチ51を像形成する。 - 特許庁
  • By doing this, a lifting phenomenon is suppressed to form a finer pattern, and thus, the semiconductor element having high integration and microfabrication is formed.
    そのようにしてリフティング現象の発生を抑制し、より微細なパターンを形成し、高集積化と微細化された半導体素子とする。 - 特許庁
  • To efficiently form a digital image used in a subsequent pattern recognition process by highlighting a prominent object in the digital image.
    デジタル画像内の顕著な物体を強調して、後に続くパターン認識プロセスで使用されるデジタル画像を効率的に作成する。 - 特許庁
  • This curve is a set of at least substantially continuous functions from intervals to form a substantial repetitive pattern.
    この曲線は、実質的な反復パターンを形成するための、間隔からの少なくとも実質的に連続する関数の集合である。 - 特許庁
  • By this method, (1) a tapered form at the edge of the transparent electrode pattern can be easily obtained, which prevents failures in deposition of an insulating film and upper electrode.
    (1)透明電極パターン端部のテーパー形状確保が容易となり、絶縁膜,上層電極のつきまわり不良を防止できる。 - 特許庁
  • Or it is good to form the conductive pattern by the etching treatment after sticking the metallic plate on the resin being the base material.
    或いは,基材となる樹脂の上に金属板を貼り付けた後,エッチング処理により導電性パターンを形成するようにしてもよい。 - 特許庁
  • The second resist film 34 exposed to light by developing treatment is removed to form the second resist film 34 into a desired rewiring pattern.
    現像処理により露光された第2のレジスト膜34を除去して、第2のレジスト膜34を所望の再配線パターンにパターニングする。 - 特許庁
  • A first reflection side 22 is formed inside the first reflection plate to form a light distribution pattern by the first reflection side.
    第1の反射板の内側に第1の反射面22が形成され、この第1の反射面によって配光パターンが形成される。 - 特許庁
  • The resist film is subjected to exposure processing according to a conventional method and then developed to form a resist pattern 18 of a specified line width.
    次いで、従来の方法に従ってレジスト膜に露光処理を施し、現像して、所定線幅のレジストパターン18を形成する。 - 特許庁
  • The judgment patterns and character patterns are gradually assembled, and displayed to form one character pattern.
    この時、前記判定図柄とキャラクタ図柄とが徐々に組み立てられて構成され、共に1つのキャラクタ図柄を構成するように表示される。 - 特許庁
  • While the first mask film is being used as a mask, the first film 24 is etched to form a via pattern 33 in the first film 24.
    第1のマスク膜をマスクとして、第1の被エッチング膜をエッチングすることにより、第1の被エッチング膜にビアパターン33を形成する。 - 特許庁
  • Light shielding material C is applied, inpoured to the groove pattern 38 to form a frame part 39 approximately on the same surface as the surface of the glass substrate 32.
    溝パターン38に遮光性材料Cを塗布して流し込んで、ガラス基板3の表面と略面一の額縁部39を形成する。 - 特許庁
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