「form pattern」を含む例文一覧(4548)

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  • In this device, stitch data, which is location data on the points of needle locations to form an embroidery pattern is read from a floppy disk, and contour points to constitute the contour of the embroidery pattern are detected from the stitch data (S101).
    フロッピーディスクから刺繍模様を形成する針落ち点の位置データであるステッチデータを読み込み、そのステッチデータから刺繍模様の輪郭を構成する輪郭点を検出する(S101)。 - 特許庁
  • The substrate 14 and the ejection head 33 move relatively in two orthogonal directions to form a pattern, and ejection is controlled such that the thickness of the pattern becomes larger than the surface roughness of the patterning surface.
    基板14と噴射ヘッド33は直交する2方向に相対移動してパターンを形成し、パターンの厚さをそのパターンが形成される面の表面粗さ以上の厚さとなるべく噴射制御する。 - 特許庁
  • The substrate structure is a metallic mold structure which is used for a nanoimprint and has a predetermined pattern or a photomask structure which is exposed to form the predetermined pattern on the surface of the substrate and has a photomask.
    基体構造体が、所定のパターンを有するナノインプリント用金型構造体又は所定のパターンを基板表面に露光するために用いるフォトマスクを有するフォトマスク構造体である。 - 特許庁
  • Furthermore, surface treatment such as metallic plating, vapor-deposition or painting is applied to the surface of the decoration section 5 and a decoration pattern in the form of mat, sun ray, stripe or geometrical pattern is applied to the surface.
    また、装飾部5の表面には、金属メッキ、蒸着、塗装等の表面処理が施され、その表面に梨地状、旭光状、ストライブ状、幾何学状の装飾模様が施されている。 - 特許庁
  • This plush fabric having a three-dimensional pattern is obtained by partially attaching and solidifying a resin solution to the surface of a plush fabric by a printing operation to partially press the plush, and then dyeing the fabric to form the three-dimensional pattern.
    な染操作により立毛布帛の表面に部分的に樹脂溶液を付着して固化させ立毛を抑えた後、染色仕上げを施し立体的な柄模様を形成させて製造する。 - 特許庁
  • To attain the efficient and further accurate formation of a fine magnetizing pattern, in the technology to form the magnetizing pattern on a magnetic disk by combining the local heating and the application of external magnetic field.
    局所加熱と外部磁界印加を組み合わせて磁気ディスクに磁化パターンを形成する技術において、微細な磁化パターンを効率よく更に精度よく形成することができるようにする。 - 特許庁
  • To provide a seal pattern structure for a liquid crystal display panel which can minimize an overlap portion of a seal pattern that encompasses the outer edge of the image display part in a closed form, and to provide a forming method therefor.
    画像表示部の外郭を閉鎖された形態に取り囲むシールパターンの重なる領域を最小化できる液晶表示パネルのシールパターン構造及びその形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a resist composition excellent in a pattern profile, reproducibility of a beam form and resolution relating to pattern formation by irradiation of active rays or radiation, particularly electron beams, X-rays or EUV light.
    活性光線又は放射線、特に電子線、X線又はEUV光の照射によるパターン形成に関して、パターンプロファイル、ビーム形状再現性、解像力に優れたレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • Conductive particles 7 which have electrostatically been charged to a 2nd potential are supplied to the photoconductor surface to form and stick a joining pattern of the conductive particles 7 in conformity with the latent image pattern.
    その後、第2電位に帯電した導電性粒子7を光導電体表面に供給して潜像パターンに対応して導電性粒子7からなる接合パターンを付着形成する。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a roller-like developer carrier having an electrode pattern on a surface, which can inexpensively form the electrode pattern which is fine, has uniform line width, hardly causes disconnection, and has high quality.
    微細かつ線幅が均一で断線が生じ難い高品質な電極パターンを安価で形成できる、表面に電極パターンを有するローラ状の現像剤担持体の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To form a pattern while applying distortion correction to each thin film, and accurately overlay these patters in a photomask having the pattern for transfer by patterning a plurality of thin films.
    複数の薄膜をそれぞれパターニングして成る転写用パターンを備えたフォトマスクにおいて、各薄膜に対してそれぞれ歪み補正を施しつつパターンを形成し、これらのパターンを正確に重ね合わせる。 - 特許庁
  • A third reflector 32 and a fourth reflector 34 respectively form a third separate light-distribution pattern PH3 and a fourth separate light-distribution pattern PH4 by reflecting light from the second semiconductor light-emitting element 24.
    第3リフレクタ32および第4リフレクタ34は、第2半導体発光素子24からの光を反射して第3個別配光パターンPH3および第4個別配光パターンPH4を形成する。 - 特許庁
  • A first reflector 28 and a second reflector 30 respectively form a first separate light-distribution pattern PH1 and a second separate light-distribution pattern PH2 by reflecting light from the first semiconductor light-emitting element 22.
    第1リフレクタ28および第2リフレクタ30は、第1半導体発光素子22からの光を反射して第1個別配光パターンPH1および第2個別配光パターンPH2を形成する。 - 特許庁
  • After a resist pattern 14 is formed on the anti-reflection film 13, the patterned anti-reflection film 13 is dry-etched using the resist pattern 14 for the mask to form a patterned anti-reflection film 13A.
    反射防止膜13の上にレジストパターン14を形成した後、反射防止膜13に対して、レジストパターン14をマスクにドライエッチングしてパターン化された反射防止膜13Aを形成する。 - 特許庁
  • Then a metal mold, on the surface of which the minute grating is formed, is pressed to the photoresist layer 14 to transfer a metal mold pattern to the resist and then the metal mold is released to form a minute grating pattern as shown in Fig.1(d).
    次に微細格子が表面に形成された金型をフォトレジスト層14に押し付けて金型パターンをレジストに転写し、金型を離型して図1(d)のような微細格子パターンを形成する。 - 特許庁
  • By using the recovery time obtained from an approximate expression to form a discharge pattern as shown in Fig.1 and the battery is discharged in accordance with the discharge pattern to obtain a substantially constant response voltage.
    この近似式から求めた回復時間を用いて図1に示すような放電パターンを形成し、この放電パターンに従ってバッテリの放電を行うことで、略一定の応答電圧が得られる。 - 特許庁
  • Through switching between a frequency, at which the isotropic etching is performed, and a frequency at which the anisotropic etching is performed, it becomes possible to form a pattern having a uniform inner diameter by suppressing enlargement and reduction of the pattern.
    エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 - 特許庁
  • The dot pattern for the digital pen is formed while changing image forming requirements, they are read by the digital pen, and image forming requirements is set on the basis of the image forming requirements employed to form the reading dot pattern.
    画像形成条件を変えながらデジタルペン用のドットパターンを形成し、それらをデジタルペンで読みとり、読みとれたドットパターンを形成した画像形成条件を基に画像形成条件を設定する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a printed circuit board that can form a minute and precise circuit pattern through inkjet printing and improve adhesion between the circuit pattern and an insulation layer.
    インクジェット方式を用いて回路パターンを微細で精密に形成することができ、回路パターンと絶縁層との間の接着力を向上させることができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The correcting amounts of the end of the gate pattern 22 and the opposite end of the gate pattern 23 which are drawn back can be greatly set to such an extent that no retreat occurs in a finished form.
    引っ込んでいる方の、ゲートパターン22の端部およびゲートパターン23の対向端部について、仕上がり形状において後退が生じない程度に、補正量を大きく設定することができる。 - 特許庁
  • The right lighting fixture unit of the right and left can form a light distribution pattern for making a light shaded region appear in a part above a horizon by overlapping each light distribution pattern in front of a vehicle.
    左右の右灯具ユニットは、それぞれの配光パターンを車両前方で重ね合わせることによって水平線より上部に遮光領域を現出させる配光パターンを形成可能である。 - 特許庁
  • To form a high quality pattern with a high residual film ratio and a high contrast ratio, even if a mask substrate is composed of synthetic quartz with the thickness of 0.250 inch in forming a resist pattern with a chemically-amplified resist.
    化学増幅型レジストによるレジストパターン形成において、厚さ0.250インチの合成石英からなるマスク基板であっても、高い残膜率かつ高コントラストである、高品質なパターンを形成する。 - 特許庁
  • Thereafter, radiation of the energy beam 12 is stopped, and the heat is radiated from the surface of the raw material substrate 10 to deposit iron at a position corresponding to the thermal pattern 11 to form a pattern of deposition range.
    そののち、エネルギービーム12の照射を止めて素材基板10の表面を放熱させることにより、熱分布11に応じた位置に鉄を析出させて析出領域のパターンを形成する。 - 特許庁
  • Droplets are discharged at prescribed positions on a board 2 to form the alignment marks 10 and a pattern through the method, and the alignment marks 10 and the pattern are formed in the same process.
    液滴を基板2上の所定の位置に吐出してアライメントマーク10及びパターンを形成する方法であって、該アライメントマーク10と該パターンを同一工程で形成することを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a method of fabricating an electromagnetic wave shielding material which can form a fine metal pattern with high accuracy without carrying out an etching process, and which can achieve good adhesion between the metal pattern and a substrate.
    エッチング工程を行うことなく、微細な金属パターンを高精度で形成することができ、該金属パターンの基材との密着性も良好な、電磁波シールド材料の作製方法を提供すること。 - 特許庁
  • After a demand of the pattern is confirmed (108), the keypad semi-product is fetched and a hard coating is partially removed to form the confirmed pattern (109) to complete a keypad structure.
    パターンに対する要求が確認される(108)と、キーパッド半製品を取り出して、硬化被膜を部分的に取り除き、確認の取れたパターンを形成して(109)キーパッド構造を完成させる。 - 特許庁
  • To provide a method of forming a mask pattern capable of overcoming the limit of resolution even in an already-provided exposure apparatus when exposing a photosensitive film and of making it possible to form a fine pattern below the resolution.
    感光膜を露光する場合に既設の露光装備であっても解像度の限界を克服でき、解像度以下の微細パターンの形成を可能とするマスクパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • An area corresponding to a range to form the circuit pattern 14 of the substrate 11 are all covered with the magnetic substance core 12, while the circuit pattern 14 is exposed outside the range covered by the core 12.
    基板11の回路パターン14の形成範囲に対応する領域は、すべて磁性体コア12により覆われるが、回路パターン14は、コア12に覆われる範囲より外側に露出する。 - 特許庁
  • To form a finer pattern by appropriately adhering and fixing the dot pattern of an injection solution at a desired location on a substrate, when forming an organic EL light-emitting element by utilizing an ink jet injection principle.
    インクジェット噴射原理を利用して有機EL発光素子を形成する際に、噴射溶液のドットパターンを基板上の所望の場所に正しく付着/定着させ、より高精細なパターンを形成する。 - 特許庁
  • A reticle pattern RP is projected on a sensor pattern SP through a projection optical system 1 by illumination light IL from an optical source 2 to form a projection image.
    光源2からの照明光ILによってレチクルパターンRPが投影光学系1を介してセンサパターンSP上に投影された投影像の光量を、照明条件毎の焦点位置を計測する。 - 特許庁
  • In a second mode, the colored acrylic syrup pattern paint is sprayed on the article to be coated to form a desired pattern and a reinforcing layer comprising FRP is provided on the patterned article to be coated to produce an FRP product.
    本発明の第2は、被塗装物に着色アクリルシロップ模様塗料を吹き付け所望の模様を形成し、その上にFRPからなる補強層を設けるFRP製品の製造方法である。 - 特許庁
  • To restrain cracking of porcelain by lowering an internal stress between a conductor pattern and the porcelain when a conductive paste is coated direct on the porcelain and calcined to form a conductor pattern.
    導体ペーストを磁器に接するように塗布し、焼成することによって導体パターンを形成するのに際して、導体パターンと磁器との間の内部応力を低減し、磁器のクラック発生を抑制する。 - 特許庁
  • To form a light distribution pattern suitable for constituting a central part of the light distribution pattern for a high beam, after compactly constituting the vehicular lighting fixture, in the vehicular lighting fixture with a light emitting element as a light source.
    発光素子を光源とする車両用照明灯具において、これをコンパクトな構成とした上で、ハイビーム用配光パターンの中心部の構成に適した配光パターンを形成可能とする。 - 特許庁
  • The embossing plate for manufacturing the embossed release paper is constituted by carving the surface of a metal substrate to form the embossed pattern and providing a ceramic film to the surface of the metal substrate in which the embossed pattern is carved so as to cover the same.
    エンボス離型紙製造用エンボス版において、金属基体の表面にエンボス模様が刻設され、エンボス模様が刻設された金属基体の表面を被覆してセラミック皮膜が設けられている。 - 特許庁
  • The method for forming the geometrical pattern does not require large-scaled apparatus or troublesome and complex processes, and can accurately form the desired geometrical pattern on the surface of the work piece.
    この幾何学パターン形成方法では、大掛かりな装置や、手間の掛かる複雑な工程を必要とせずに、被加工物の表面に所望の幾何学パターンを正確に形成することが可能である。 - 特許庁
  • A part except for a division comprising heater pattern out of SOI layers in the SOI substrate used for formation of a thermal type flow sensor S1 is selectively oxidized to form silicon oxide film 13 around the heater pattern.
    熱式流量センサS1を形成するために用いるSOI基板のSOI層のうちヒータパターンとなる部分以外を選択酸化し、ヒータパターンの周囲にシリコン酸化膜13を形成する。 - 特許庁
  • A DRAM region 122 is included in the chip region 121, the first CMP monitor pattern 127B is formed near the DRAM region, and the second CMP monitor pattern 127C is formed apart form the DRAM region.
    チップ領域121にはDRAM領域122を含み、第1CMPモニタパターン127BはDRAM領域の近傍に、第2CMPモニタパターン127CはDRAM領域から離れた位置に形成されている。 - 特許庁
  • To provide a pattern forming device, which suppresses a temperature increase of a functional fluid in a liquid droplet discharging head and stabilizes a discharge rate of the liquid droplet to form a high-precision pattern, and to provide a circuit substrate.
    液滴吐出ヘッド内の機能液の温度上昇を抑制し、液滴の吐出量を安定させ、精度の高いパターンを形成するパターン形成装置及び回路基板を提供する。 - 特許庁
  • To enable to form a light distribution pattern suitable for structuring a center part of the light distribution pattern for high beam having a compact structure, in a lighting lamp for a vehicle using a light-emitting device as a light source.
    発光素子を光源とする車両用照明灯具において、これをコンパクトな構成とした上で、ハイビーム用配光パターンの中心部の構成に適した配光パターンを形成可能とする。 - 特許庁
  • The method is provided with a process of pasting a mask 22 on a substrate P having a wiring pattern, and a process of eliminating one part of the writing pattern via an opening 22a of the mask 22 to form a resistor element.
    配線パターンを有する基板Pに対してマスク22を貼着する工程と、マスク22の開口部22aを介して配線パターンの一部を除去して抵抗素子を形成する工程とを備える。 - 特許庁
  • The film-forming method makes the mask 20 closely contact with the substrate 10 by using the deflection due to the tare mass of the substrate 10 without using a permanent magnet or a pressing device, and can form a highly precise pattern without causing the deviation of the pattern.
    マグネットや押圧装置を用いることなく、基板10の自重によるたわみを利用してマスク20と基板10を密着させ、パターンずれ等のない高精度なパターンを形成することができる。 - 特許庁
  • To form an accurate upper electrode extraction line by eliminating deformation of a mask pattern by forming a film forming mask for the upper electrode extraction line in a luminescent display device with a stable pattern shape.
    発光表示装置における上部電極引き出し線の成膜用マスクを安定したパターン形状で構成し、マスクパターンの変形を無くすことで精度の高い上部電極引き出し線を形成する。 - 特許庁
  • Further, ink 13 is dripped in the pattern formation region 9 from an ink jet head 12 to form a pattern 14 comprising the ink 13 and the aggregate (wetting spread suppression part 11) of the metal particulates 10 (c).
    次いで、インクジェットヘッド12からパターン形成領域9内にインク13を滴下させ、インク13及び金属微粒子10の集合体(濡れ拡がり抑制部11)からなるパターン14を形成する(c)。 - 特許庁
  • To provide a photosensitive resin composition having i-beam transmit tance and low thermal expansion after imidization, and enabling to form a pattern with excellent thermal resistance, and to provide a method of forming such a pattern, and further to provide electronic parts with high reliability.
    i線透過性とイミド化後の低熱膨張性を有し、優れた耐熱性のパターンを形成できる感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び信頼性に優れる電子部品の提供。 - 特許庁
  • A CPU 40 calculates the inter-paper distance from a form in use, a linear speed, etc., and a color shift correction pattern selection section 45 selects a color shift correction pattern sized so as to be fit between sheets of paper.
    CPU40において、使用する用紙、線速等から紙間距離を算出し、この紙間に収まるような色ずれ補正パターンを色ずれ補正パターン選択部45において選択する。 - 特許庁
  • To provide a heat-resistant photosensitive polymer composition having high sensitivity and excellent pattern form, resolution and storage stability, to provide a method for manufacturing a pattern and to provide electronic parts having high reliability.
    本発明は、感度が高く、パタ−ン形状、解像性及び保存安定性に優れる耐熱性感光性重合体組成物、パターンの製造方法及び信頼性の高い電子部品を提供する。 - 特許庁
  • A photoresist film 30 is formed on the inorganic insulating layer 23, subjected to light exposure of a pattern shape, and then subjected to a developing treatment with use of a developer to form a resist pattern 30B' in a developing step.
    そして、この無機絶縁層23上にフォトレジスト膜30を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン30B’を形成する。 - 特許庁
  • To form an ink pattern highly accurately at a specified spot of a base material at the formation of an image pattern made of ink on the base material by a highly definite reversing printing method.
    本発明は、解像度の高い反転印刷法用いて基材上へインキからなる画像パターンを形成するにあたり、基材の特定の箇所へ精度良くインキパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁
  • The resist film 11 is selectively irradiated with electron beams at a ≤10 kV low acceleration voltage for pattern exposure and then developed to form a resist pattern 14.
    該レジスト膜11に対して、加速電圧が10kV以下の低加速電圧の電子線を選択的に照射してパターン露光を行なった後、該レジスト膜11を現像してレジストパターン14を形成する。 - 特許庁
  • Then, a resist pattern 5 is formed on the polycrystalline silicon film 3 and impurities 6 are implanted inside the polycrystalline silicon film 3 in an area to form the NMOS with the resist pattern 5 as a mask.
    次に、多結晶シリコン膜3上にレジストパターン5を形成し、このレジストパターン5をマスクとしてNMOSを形成すべき領域の多結晶シリコン膜3内に不純物6を注入する。 - 特許庁
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