「insulating layer」を含む例文一覧(15926)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 318 319 次へ＞- The charge trap memory device includes a tunnel insulating layer provided on a substrate, a charge trap layer provided on the tunnel insulating layer, and a blocking insulating layer provided on the charge trap layer, wherein the blocking insulating layer is composed of a substance containing a lanthanide element.
基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷トラップ層と、電荷トラップ層上にランタン族元素を含む物質からなるブロッキング絶縁膜と、を備える電荷トラップ型メモリ素子である。 - 特許庁 - After a second inter layer insulating film 150 which covers the metal layer is formed on the first inter layer insulating layer 140, the second inter layer insulating film 150 on the fuse is partially removed.
第１層間絶縁膜１４０上に前記１金属層を覆う第２層間絶縁膜１５０を形成した後、ヒューズ部上の第２層間絶縁膜１５０を部分的に除去する。 - 特許庁 - The wiring substrate 20 has an insulating resin layer 22, a wiring layer 50 provided on the L1 face of the insulating resin layer 22, and a wiring layer 50 provided on the L2 face of the insulating resin layer 22.
配線基板２０は、絶縁樹脂層２２、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０を有する。 - 特許庁 - The wiring substrate 20 has an insulating resin layer 22, a wiring layer 50 provided on an L1 face of the insulating resin layer 22, and a wiring layer 60 provided on an L2 face of the insulating resin layer 22.
配線基板２０は、絶縁樹脂層２２、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０、絶縁樹脂層２２のＬ２面に設けられた配線層６０を有する。 - 特許庁 - The layer structure body 3 of the common mode filter is obtained by laminating a conductor layer 10, an insulating layer 11, a conductor layer 12, an insulating layer 13 and a conductor layer 14.
コモンモードフィルタの層構造体３は、下から導体層１０、絶縁層１１、導体層１２、絶縁層１３及び導体層１４が積層されて成るものである。 - 特許庁 - The fixed layer 1 and the storage layer 14 are electrically insulated from each other by insulating layer 13.
固定層１２と記憶層１４は絶縁層１３で電気的に絶縁される。 - 特許庁 - In the multilayer board, a conducive layer is not arranged between a first upper insulating layer and a second lower insulating layer, and also a third insulating layer is arranged between the first upper insulating layer and the second lower insulating layer in such a way that the concentration of a pressure from the first and second insulating layers is relaxed and that the conductor layer is not deformed.
上下第１と第２の絶縁層の層間に導体層のみを配置するのではなくて、上下第１と第２の絶縁層からの圧力の集中を緩和し、導体層が変形しないように、上下第１と第２の絶縁層の層間に、第３の絶縁層を配置するようにした多層基板。 - 特許庁 - The holding capacitance is made of a semiconductor layer, where impurities of 1019 atoms/cm3 or higher are added, an insulating layer on the semiconductor layer, and a conductive layer on the insulating layer.
保持容量は、10^19atomic/cm^3以上の不純物が添加された半導体層と、半導体層上の絶縁層と、絶縁層上の導電層より形成する。 - 特許庁 - After that, a first insulating layer 8, a metal sacrifice layer, a second insulating layer 15 and a second metal layer 12 are formed in this order on the first metal layer 5.
その後、第１金属層５上に、第１絶縁層８、金属犠牲層、第２絶縁層１５、第２金属層１２がこの順に形成される。 - 特許庁 - Next, a thin upper-layer-side gate insulating layer 4b is formed and the upper-layer-side gate insulating layer 4b is used as a dielectric layer 4c of the retentive capacity 1h.
次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 - 特許庁 - In this case, the drain/gate connection layer 41a is connected to the gate electrode layer 21b without forming any contact pad layer between an inter-layer insulating layer 65 and an inter-layer insulating layer 71.
層間絶縁層６５と層間絶縁層７１との間にコンタクトパッド層を形成することなく、ドレイン−ゲート接続層４１ａとゲート電極層２１ｂとの接続を行っている。 - 特許庁 - An insulating layer modeling section 14 models the insulating layer of three-layer structure corresponding to the volume ratio of glass and resin constituting the insulating layer when a filler such as glass included in the insulating layer is fibrous.
絶縁層モデリング部１４は、絶縁層に含有されるガラスなどの充填材が繊維状である場合、絶縁層を構成するガラスと樹脂との体積比に応じた層厚の３層の層構造の絶縁層にモデル化する。 - 特許庁 - Next, an insulating layer is formed on the substrate so that the dummy gate insulator layer and a dummy gate electrode are embedded, and then the dummy gate insulating layer and the dummy gate electrode are removed from the insulating layer so as to form an opening in the insulating layer.
次に、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を埋め込むように、基板上に絶縁膜を形成し、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を、絶縁膜から除去して、絶縁膜に開口を形成する。 - 特許庁 - A second conductive layer 330 is formed on the insulating layer 320.
第２導電層３３０を絶縁層３２０の上に形成する。 - 特許庁 - An insulating flyer layer 25 is formed on the low-resisting layer.
その低抵抗層の上には、絶縁性のフライヤ層２５を形成する。 - 特許庁 - The heat-generating layer 4 is stacked on the main insulating layer 2.
主断熱層２の上に発熱体層４が積層されている。 - 特許庁 - GLASS COMPOSITION FOR FORMING INSULATING LAYER AND INSULATION LAYER FORMING MATERIAL
絶縁層形成用ガラス組成物および絶縁層形成材料 - 特許庁 - As a result, the insulating layer having the opening is formed on a conductive layer, and the conductive layer lying under the insulating layer is exposed on the bottom of the opening.
従って、導電層上に開口を有する絶縁層が形成され、絶縁層下の導電層が開口の底面に露出する。 - 特許庁 - Thereafter, a wiring 252 is formed in the superficial layer of the insulating layer 250.
次いで絶縁層２５０の表層に配線２５２を形成する。 - 特許庁 - A light reflection layer 11 is laminated on the insulating layer 7, wherein the light reflection layer 11 includes a metallic light-reflecting surface part C higher in optical reflectance than the insulating layer 7.
この絶縁層7より光反射率が高い金属製の反射面部位Ｃを有した反射層11を絶縁層7に積層する。 - 特許庁 - The first gate insulating layer 11 is a first cavity layer.
第１のゲート絶縁層１１は第１の空洞層となっている。 - 特許庁 - First, a metal layer is formed on an insulating layer in a step S101.
まず、ステップＳ１０１で、絶縁層の上に金属層を形成する。 - 特許庁 - The foundation protecting layer 3, the first inter-layer insulating film 5, and the second inter-layer insulating film 6 are composed of dielectric multi-layer films.
下地保護膜３、第１の層間絶縁膜５、および第２の層間絶縁膜６は、誘電体多層膜から構成されている。 - 特許庁 - This heat-insulating container has parts of different total layer thickness and different total layer density.
全層厚み及び全層密度が異なる部位を有している。 - 特許庁 - A magnetic shielding layer 4 is formed on the insulating layer 3.
さらに、絶縁層３上には、磁気シールド層４が形成されている。 - 特許庁 - The magneto-resistance effect element (1) includes the fixing layer (9), the tunnel insulating layer (10), and a free layer (11) formed on the tunnel insulating layer.
磁気抵抗効果素子（１）は、固着層（９）と、トンネル絶縁層（１０）と、トンネル絶縁層上に形成される自由層（１１）を含む。 - 特許庁 - In this case, the mounting part 5 is constituted of the laminate of a conductive layer and the insulating layer while the insulating part 6 is constituted of a single layer of the insulating layer.
そして、前記実装部５は導電層と絶縁層との積層体からなり、前記絶縁部６は絶縁層のみの単層からなることを特徴としている。 - 特許庁 - The laminated layer 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, a primary coil 9, an intercoil insulating layer 10, a secondary coil 14 and a second insulating layer 15, etc.
また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル９、コイル間絶縁層１０、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁 - The insulating separative layer 5 comprises an insulating film 5a and a conductive layer 5b, and separates in an insulating way the Si layer 12 of its MOS region from the Si layer 12 of an other region.
絶縁分離層５は、絶縁膜５ａおよび導電層５ｂからなり、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２と他領域のＳｉ層１２との間を絶縁分離する。 - 特許庁 - A lower insulating layer 23, a semiconductor layer 24 and an upper insulating layer 25 are laminated on a base 22, and a strip conductor 26 is wired on the upper surface of the upper insulating layer 25.
ベース２２の上に下絶縁層２３、半導体層２４及び上絶縁層２５を積層し、さらに上絶縁層２５の上面にストリップ導体２６を配線する。 - 特許庁 - A third insulating layer 1c for covering the central part of the first capacitor electrode layer 5a and compensating the second insulating layer 1b is formed on the first insulating layer 1a.
第１の絶縁層１ａ上に、第１のキャパシタ電極層５ａの中央部を覆いかつ第２の絶縁層１ｂを相補する第３の絶縁層１ｃを設ける。 - 特許庁 - The source electrode and the drain electrode are formed on the intermediate insulating layer, passed through the gate insulating layer and the intermediate insulating layer, and electrically connected to the channel layer.
ソース電極とドレイン電極は、中間絶縁層上に形成されており、ゲート絶縁層と中間絶縁層を貫通してチャネル層と電気的に接続している。 - 特許庁 - The heat-insulating layer 14 is formed from the material having electrically insulating nature.
断熱層１４は、電気絶縁性を有する材料から形成される。 - 特許庁 - BOARD TWO LAYER BONDED NOISE INSULATING WALL PANEL, STRUCTURE OF NOISE INSULATING WALL, AND ITS CONSTRUCTION METHOD
ボード二層貼り遮音壁パネル、同遮音壁の構造及び施工方法 - 特許庁 - The inter-gate insulating film 7 is made up in a laminated structure of a lower-layer insulating film 7a, a high-dielectric insulating film 7b and an upper-layer insulating film 7c.
ゲート間絶縁膜７が、下層絶縁膜７ａ／高誘電体絶縁膜７ｂ／上層絶縁膜７ｃの積層構造によって構成されている。 - 特許庁 - The heat insulating label stock includes a thermal insulating layer, which may be a fiberfill batt.
断熱ラベル素材は、繊維入りバットであってもよい断熱層を含む。 - 特許庁 - Next, the second interlayer insulating layer 9 is formed on the first interlayer insulating layer 5 as if covering the first wiring layer 8.
第１配線層８を覆うように第１層間絶縁層５の上に第２層間絶縁層９を形成する。 - 特許庁 - A wire 58 including a conductive layer pattern 54 and a second insulating layer pattern 56 is formed on the first insulating layer.
前記第１絶縁層上に、導電層パターン５４及び第２絶縁層パターン５６を含む配線５８が形成される。 - 特許庁 - The first transistor has: a first gate insulating layer; a first gate charge storage layer; and a second gate insulating layer.
第１のトランジスタは、第１のゲート絶縁層と、第１のゲート電荷蓄積層と、第２のゲート絶縁層とを有する。 - 特許庁 - In place of the insulating layer 3 having a high thermal conductivity, a metal layer having a high thermal conductivity and an insulating layer are provided.
熱伝導率が大きい絶縁性層３の代わりに、熱伝導率が大きい金属層と絶縁性層とを設けた。 - 特許庁 - Thus, the insulating layer 4 containing an alumina filler is formed so as to cover the conductive layer 3 and the insulating layer 4'.
そして、導電層３および絶縁層４’を覆うようにアルミナ充填材を含む絶縁層４が形成される。 - 特許庁 - A forth insulating layer 1d for covering the second capacitor electrode layer 5b is formed on the third insulating layer 1c.
第３の絶縁層１ｃ上に、第２のキャパシタ電極層５ｂを覆うように第４の絶縁層１ｄを設ける。 - 特許庁 - The gate insulating layer covers at least a part of the channel layer, and the gate electrode is formed on the gate insulating layer.
ゲート絶縁層はチャネル層の少なくとも一部を覆い、ゲート電極はゲート絶縁層上に形成されている。 - 特許庁 - An upper insulating layer 2 and a protective insulating layer 3 are laminated on each conductive layer 1 to form a lamination structure.
各導電層１上には上層絶縁層２と保護絶縁層３とが積層して積層構造が形成されている。 - 特許庁 - The substrate is formed with an insulating layer, and a semiconductor layer, including the source, drain, and channel formed on the insulating layer.
基板は、絶縁層と、絶縁層上に形成されたソース、ドレイン及びチャンネルを含む半導体層とで形成される。 - 特許庁 - COIL WITH INSULATING LAYER FORMED BY ELECTROPHORETIC COATING
電着塗装によって絶縁層を形成したコイル - 特許庁 - SURFACE ROUGHING APPARATUS FOR ROUGHING BUILD-UP SUBSTRATE INSULATING LAYER
ビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置 - 特許庁 - A thickness of the insulating layer 6 is 0.15-0.45 mm.
絶縁層６の厚さは、０．１５mm〜０．４５mmとする。 - 特許庁 - Then the insulating resin layer 8 is completely cured.
次いで、絶縁樹脂層８を完全に硬化する。 - 特許庁 - FORMING METHOD FOR ELECTRIC INSULATING LAYER AND ITS USAGE
電気絶縁層の形成方法及びその利用 - 特許庁
- 特許庁
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