「interconnection」を含む例文一覧(2610)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 52 53 次へ＞- ORGANIC EL ELEMENT AND OPTICAL INTERCONNECTION MODULE
有機ＥＬ素子及び光インターコネクションモジュール - 特許庁 - INTERCONNECTION STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR IC DEVICE
半導体集積回路装置の配線構造 - 特許庁 - Further, a cross interconnection 322 and interconnection portion 120 are connected by a first through electrode 306, and the cross interconnection 322 and interconnection portion 122 are connected by a second through electrode 307.
また、第１貫通電極３０６によってクロス配線３２２と配線部１２０とを接続し、第２貫通電極３０７によってクロス配線３２２と配線部１２２とを接続している。 - 特許庁 - FLIP-CHIP INTERCONNECTION METHOD BY NO-FLOW UNDERFILL
ノーフローアンダーフィルによるフリップチップ実装方法 - 特許庁 - ENCRYPTION PROCESSOR WITH SHARED MEMORY INTERCONNECTION
共用メモリ配線を有する暗号化プロセッサ - 特許庁 - SYSTEM INTERCONNECTION METHOD FOR WIND ENERGY CONVERSION SYSTEM
風力発電装置の系統連系方法 - 特許庁 - TRANSFORMERLESS SYSTEM INTERCONNECTION POWER INVERTER CIRCUIT
トランスレス型系統連係電力変換回路 - 特許庁 - METHOD FOR ELECTRICAL INTERCONNECTION AND CHARGE PLATE
電気的な相互接続方法及びチャ—ジ板 - 特許庁 - OPTICAL TRANSMISSION MODULE AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM
光送信モジュール及び光インターコネクションシステム - 特許庁 - MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD AND MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE
多層配線基板及び多層半導体装置 - 特許庁 - SPAM CHECK FOR INTERCONNECTION NETWORK MESSAGE
相互接続ネットワークメッセージのためのスパム・チェック - 特許庁 - MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD
多層配線構造部及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING MULTILAYER INTERCONNECTION SEMICONDUCTOR DEVICE
多層配線半導体装置の製造方法 - 特許庁 - TRANSDUCER ASSEMBLY HAVING Z-AXIS INTERCONNECTION
ｚ軸相互接続を有するトランスデューサアセンブリ - 特許庁 - INTERCONNECTION STRUCTURE HAVING TWO OR MORE WINGS
複数のウイングを有する相互接続構造 - 特許庁 - INTERCONNECTION NETWORK AND MULTIPORT MEMORY USING THE SAME
結合網およびそれを用いたマルチポートメモリ - 特許庁 - ELEMENT FORMATION METHOD AND INTERCONNECTION FORMATION METHOD
素子形成方法および配線形成方法 - 特許庁 - ARRANGEMENT INTERCONNECTION TECHNOLOGY OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
半導体集積回路の配置配線手法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING METAL INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体素子の金属配線形成方法 - 特許庁 - The arrangement pitch of interconnections 18 is 70 μm (an interconnection width is 35 μm, an interconnection interval is 35 μm).
配線１８の配線ピッチは７０μｍ（配線幅３５μｍ、配線間隔３５μｍ）とする。 - 特許庁 - To improve the property of an interconnection having a multilayer interconnection structure which uses a low dielectric constant insulation film.
低誘電率絶縁膜を用いた多層配線構造の配線の特性を向上する。 - 特許庁 - OPTICAL INTERCONNECTION CIRCUIT, METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL INTERCONNECTION CIRCUIT, ELECTROOPTICAL APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT
光インターコネクション回路、光インターコネクション回路の製造方法、電気光学装置および電子機器 - 特許庁 - An external interconnection unit is composed of a pad 2, a connection interconnection 3, and a bump electrode 4.
外部接続用配線体は、パッド２と、接続配線３と、バンプ電極４とで構成されている。 - 特許庁 - FORMING METHOD OF CARBON NANOTUBE INTERCONNECTION, AND FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT INTERCONNECTION USING THE SAME
炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを用いる半導体素子配線の形成方法 - 特許庁 - Furthermore, the substrate 111 will become a drain, the interconnection 116 a gate, and the interconnection 118 a source, respectively.
そして，基板１１１はドレイン，電極配線１１６はゲート，電極配線１１８はソースとなる。 - 特許庁 - NETWORK INTERCONNECTION DEVICE, NETWORK INTERCONNECTION METHOD, NAME SOLVING DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM
ネットワーク相互接続装置及びネットワーク相互接続方法、名前解決装置、並びにコンピュータ・プログラム - 特許庁 - ELECTRIC VEHICLE SYSTEM INTERCONNECTION CONTROL SYSTEM, ELECTRIC VEHICLE SYSTEM INTERCONNECTION CONTROL METHOD AND PROGRAM
電気自動車系統連系制御システム、電気自動車系統連系制御方法およびプログラム - 特許庁 - DC-DC CONVERTER AND INTERCONNECTION SYSTEM
ＤＣ−ＤＣコンバータ及び系統連系システム - 特許庁 - Along the outer peripheral edge of the first belt-like interconnection 12a, a second belt-like interconnection 13a is formed on the surface of the substrate outside the first belt-like interconnection 12a.
第一の帯状配線１２ａの外周縁に沿ってその外側の前記基板表面に第二の帯状配線１３ａを設ける。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF MULTI-LAYER INTERCONNECTION SEMICONDUCTOR DEVICE
多層配線の半導体装置の製造方法 - 特許庁 - STATION PLATFORM DISPLAY DEVICE AND STATION INTERCONNECTION SYSTEM
駅ホーム表示器および駅相互連絡システム - 特許庁 - THIN-FILM METAL BARRIER LAYER FOR ELECTRICAL INTERCONNECTION
電気的相互接続用薄膜金属バリア層 - 特許庁 - WAVE GUIDE-PRINTED WIRING BOARD (PWB) INTERCONNECTION
導波管‐プリント基板（ＰＷＢ）相互接続 - 特許庁 - Then, an interconnection 15a is formed contactless with the first belt-like interconnection 12a and the second belt-like interconnection 13a on the surface of the substrate.
第一の帯状配線１２ａと第二の帯状配線１３ａとに無接触状態で前記基板表面に配線１５ａを設ける。 - 特許庁 - Thus, oxidation of the interconnection portions 20 are inhibited.
そのため、配線部２０の酸化が防止される。 - 特許庁 - MAP INTERCONNECTION VIDEO MONITORING METHOD AND APPARATUS THEREOF
地図連携映像監視方法及びその装置 - 特許庁 - To provide a method, of forming an interconnection, in which a fine thin-film interconnection with a small contact resistance can be formed surely on a thick-film interconnection by a lift-off method.
厚膜配線上に、リフトオフ法により、接触抵抗の小さい、微細な薄膜配線を確実に形成することを可能ならしめる。 - 特許庁 - HORIZONTAL INTERCONNECTION ARCHITECTURE BASED ON CARBON NANOTUBE
カーボンナノチューブベースの水平相互接続アーキテクチャ - 特許庁 - METHOD OF VERTICAL INTERCONNECTION FOR SILICON SEGMENTS
シリコンセグメントのための垂直相互接続方法 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING INSULATING FILM AND MULTILAYER INTERCONNECTION
絶縁膜の形成方法および多層配線 - 特許庁 - INTERCONNECTION NETWORK PROVIDED WITH DYNAMIC SUB-NETWORK
動的サブネットワークを備えた相互接続ネットワーク - 特許庁 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND OPTICAL INTERCONNECTION
有機エレクトロルミネッセンス素子及び光インターコネクション - 特許庁 - PROCESS FOR FORMING INTERCONNECTION OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
半導体集積回路の配線製造方法 - 特許庁 - The conductor interconnection layer 30 comprises two outside conductor interconnection layers 30A, 30B positioning on the both sides in the thickness direction of the multilayer interconnection board, and inside conductor interconnection layers 30C, 30D positioning between two conductor interconnection layers 30A, 30B.
導体配線層３０は、多層配線板の厚さ方向の両側に位置する２つの外側導体配線層３０Ａ、３０Ｂと、２つの導体配線層３０Ａ、３０Ｂの間に位置する内側導体配線層３０Ｃ、３０Ｄとを備えている。 - 特許庁 - INTERCONNECTION PART AND ITS MANUFACTURING METHOD
相互接続部、及び相互接続部の製造方法 - 特許庁 - COAXIAL CONNECTOR WHICH CARRY OUT INTERCONNECTION OF PRINTED CIRCUIT BOARD
プリント回路板を相互接続する同軸コネクタ - 特許庁 - METHOD FOR FORMING INTERCONNECTION OF SUBSTRATE PENETRATION
基板貫通の相互接続部を形成する方法 - 特許庁 - The zener diode 9 has an N^+-type region 10 and a P-type region 11 that are connected between a gate interconnection 14 and a source interconnection 13 and are arranged alternately between the gate interconnection and the source interconnection.
ツェナーダイオード９は、ゲート配線１４とソース配線１３との間に接続され、そのゲート配線−ソース間において交互に並ぶＮ^＋型領域１０およびＰ型領域１１を有している。 - 特許庁 - MATING STANDOFF/MASK STRUCTURE FOR ELECTRICAL INTERCONNECTION
電気的相互接続のためのスタンドオフ／マスク構造 - 特許庁 - INTERCONNECTION STRUCTURE OF CONNECTOR AND WIRE HARNESS HOLDING MEMBER
コネクタおよびワイヤハーネス保持部材の連結構造 - 特許庁
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