「interconnection」を含む例文一覧(2610)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 52 53 次へ＞- A bandwidth control is associated with the network interconnection.
バンド幅コントロールは、上記のネットワークインターコネクションに関係する。 - 特許庁 - LAMINATED MATERIAL FOR REPAIRING INTERCONNECTION OF ELECTRONIC CIRCUIT BOARD, AND METHOD AND APPARATUS OF REPAIRING INTERCONNECTION OF ELECTRONIC CIRCUIT BOARD
電子回路基板の配線補修用積層材および電子回路基板の配線補修方法並びに配線補修装置 - 特許庁 - LAN INTERCONNECTION APPARATUS AND ITS UPNP DEVICE DISCLOSING METHOD
ＬＡＮ間接続装置及びそのＵＰｎＰデバイス公開方法 - 特許庁 - DEVICE INTERCONNECTION DEVICE, INTERCONNECTION METHOD, COMMUNICATION SYSTEM, COMMUNICATION CONTROL METHOD, MOBILE COMMUNICATION TERMINAL AND TERMINAL CONTROL METHOD
デバイス相互接続装置、相互接続方法、通信システム、通信制御方法、移動通信端末及び端末制御方法 - 特許庁 - VARIABLE PATH INTERCONNECTION CELL, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND ITS DESIGN METHOD, AND METHOD FOR FORMATION OF VARIABLE PATH INTERCONNECTION CELL
可変経路配線セル、半導体集積回路およびその設計方法ならびに可変経路配線セルの形成方法 - 特許庁 - INTEGRATED CIRCUIT AND INTERCONNECTION STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT
集積回路および集積回路用の相互接続構造 - 特許庁 - The system interconnection system is provided with a plurality of system interconnection inverters 11-1 to 11-n that operate in parallel with one another.
系統連系システム１は、互いに並列に動作する複数の系統連系インバータ１１−１〜１１−ｎを備える。 - 特許庁 - The first interconnection layer 2 is formed on the substrate 1.
基材１の上に第１の配線層２が形成される。 - 特許庁 - SYSTEM INTERCONNECTION INVERTER AND ITS REVERSE POWER DETECTION PROGRAM
系統連系インバータ、及びその逆電力検出プログラム - 特許庁 - LASER ELEMENT ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND OPTICAL INTERCONNECTION SYSTEM
レーザ素子アレイ、その製造方法、及び光インターコネクションシステム - 特許庁 - To form a barrier metal layer which perfectly prevents copper diffusion in a contact hole of a trench interconnection or between interconnection layers.
溝配線あるいは配線層間のコンタクト孔においてＣｕ拡散を完全に防止できるバリアメタル層を形成する。 - 特許庁 - RESIN COMPOSITION USED IN PRODUCTION OF MULTILEVEL INTERCONNECTION BOARD, PHOTOSENSITIVE ELEMENT AND PRODUCTION OF MULTILEVEL INTERCONNECTION BOARD
多層配線基板の製造の際に用いられる樹脂組成物、感光性エレメントおよび多層配線基板の製造方法 - 特許庁 - BURIED INTERCONNECTION OF SINGLE DAMASCENE STRUCTURE AND ITS FORMATION METHOD
シングルダマシン構造の埋め込み配線及びその形成方法 - 特許庁 - The ground terminals 127, 128 is electrically connected to an interconnection wiring 30 electrically isolated from the interconnection wiring 20.
接地端子１２７，１２８は、接続配線２０と電気的に絶縁された接続配線３０に、電気的に接続される。 - 特許庁 - OPTICAL INTERCONNECTION CONNECTING ELECTRONIC DEVICE AND OPTICAL FIBER ARRAY MODULE
光インターコネクション接続電子装置と光ファイバアレイモジュール - 特許庁 - To provide an electronic assembly with a high-density interconnection.
高密度相互接続を有する電子アセンブリを提供する。 - 特許庁 - INTER-LAYER INSULATING VARNISH FOR MULTI-LAYER INTERCONNECTION BOARD, INTER-LAYER INSULATING MATERIAL USING IT, MULTI-LAYER INTERCONNECTION BOARD, MANUFACTURING METHOD THEREFOR
多層配線板用層間絶縁ワニスとそれを用いた層間絶縁材料と多層配線板とその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE
多層配線構造を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁 - LOW DIELECTRIC CONSTANT INTERCONNECTION INSULATOR HAVING FULLERENE ADDITIVE
フラーレン添加剤を有する低誘電率相互接続絶縁体 - 特許庁 - INTERCONNECTION COMMUNICATION SYSTEM WITH IP PHONE AND COMMUNICATION METHOD
ＩＰ電話との相互接続通信システムおよび通信方法 - 特許庁 - CONNECTION PORT FOR INTERCONNECTION MODULE IN INTEGRATED CIRCUIT
集積回路における相互接続モジュール用の接続ポート - 特許庁 - SVC INTERCONNECTION SYSTEM AND METHOD FOR ATM-FR
ＡＴＭ−ＦＲのＳＶＣ相互接続システム及び方法 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR INTERCONNECTION STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
半導体相互接続構造体およびその製造方法 - 特許庁 - Further, This MCM structure facilitates a test of mutual interconnection and interconnection between two or more chips.
このＭＣＭ構造は、更に、２つ又はそれ以上のチップの間の相互接続部／接続部のテストも実施し易くする。 - 特許庁 - MULTILAYER INTERCONNECTION, METHOD FOR FORMING THE SAME AND RESIST-SOFTENING APPARATUS
多層配線とその形成方法およびレジスト軟化装置 - 特許庁 - HIGH-SPEED ELECTRONIC INTERCONNECTION UTILIZING DEMOUNTABLE SUBSTRATE
取り外し可能な基板を利用する高速な電子相互接続 - 特許庁 - MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
多層配線構造およびその形成方法、半導体装置 - 特許庁 - There is provided a multilayer interconnection structure on a silicon substrate 1.
シリコン基板１上に多層配線構造を有している。 - 特許庁 - ELECTRIC INSULATING RESIN COMPOSITION FOR MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD, FORMATION METHOD FOR VIA HOLE, AND MANUFACTURE OF THE MULTILAYER INTERCONNECTION BOARD
多層配線基板用の電気絶縁性樹脂組成物、バイアホールの形成法および多層配線基板の製造方法 - 特許庁 - SUBSTRATE HAVING MULTILAYER INTERCONNECTION LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
多層配線層を有する基板及びその製造方法 - 特許庁 - MULTILAYER INTERCONNECTION STRUCTURE USING LIQUID CRYSTAL POLYMER DIELECTRICS
液晶ポリマー誘電体を使用する多層相互接続構造 - 特許庁 - a novel multi-layer optical interconnection architecture using fiber pins
ファイバピンを使う新しい多層光相互接続アーキテクチャ - コンピューター用語辞典 - an appropriate topology for a parallel computer interconnection network
並列コンピュータ相互接続ネットワークに対する適切なトポロジ - コンピューター用語辞典 - INTERCONNECTION STRUCTURE OF WIRING BOARD, AND WIRING BOARD EQUIPPED WITH THE SAME
配線板の配線構造およびこれを備えた配線板 - 特許庁 - The tip portion 1A of the tail body 1 externally equipped onto the interconnection auxiliary tool P3 is inserted into the gap Pa for interconnection, as well as the interconnection auxiliary tool P3 and the tail body 1 are interconnected with each other.
連結補助具Ｐ３に外装したテール本体１の先端部１Ａを該連結用間隙Ｐａの中に差し込むと共に、該連結補助具Ｐ３とテール本体１とを連結する。 - 特許庁 - An opening 14 for exposing the diffusion layer 13 and an interconnection trench 15 are made and filled with an interconnection material principally comprising a Cu interconnection member 16.
この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁 - One end of a main interconnection 17 is connected to a part near the middle point of the main interconnection 19 via a through hole 18, and the other end of the main interconnection 17 is connected to a through hole 16.
主配線１７の一端は、スルーホール１８を介して主配線１９の中点付近に接続されており、主配線１７の他端は、スルーホール１６に接続されている。 - 特許庁 - Then, interconnection in the internal region is made to pass to an area I/O leaf 1 by arranging the interconnection in the internal region wired in the internal region 101 using cells for interconnection.
その際、内部領域１０１に配線される内部領域内配線を、配線用セルを使用して配置することでエリアＩ／Ｏリーフ１に内部領域内配線を通過させる。 - 特許庁 - Interconnection dielectric layers 220a, 220b, 220c, and 220d are arranged on the substrate and an integrated circuit has interconnection sections 230 arranged in the interconnection dielectric layers.
相互接続誘電体層２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｄが基板上に配置され、集積回路がその相互接続誘電体層内に配置された相互接続部２３０を有する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit having a small area of a power supply interconnection arranged in a circumference of a macro cell, and suitable for an automatic interconnection easily connected to an upper layer power supply interconnection and the macro cell.
マクロセルの周辺に配置される電源配線の面積が小さく、上層電源配線とマクロセルとの接続が容易な、自動配線に適した半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - To easily remove a Cu oxide formed on the surface of a Cu interconnection and thereby to reduce the wire resistance of the Cu interconnection including vias in the formation of the Cu interconnection using a damascene method.
ダマシン法を用いたＣｕ配線形成において、Ｃｕ配線の表面に形成されるＣｕ酸化物を容易に除去し、ビアを含むＣｕ配線抵抗の低減を図る。 - 特許庁 - To achieve a method for forming an interconnection of a seiconductor device in which a via can be formed while ensuring a predetermined thickness and a thick interconnection can be formed easily, and to obtain the interconnection.
所定の厚さを確保したビアを形成可能で、かつ、膜厚が厚い配線を良好に形成することができる半導体装置の配線形成方法及び配線を実現する。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a capacitive element 150 is provided over (M-N) or (M-N+1) interconnection layers, where M is the number of interconnection layers, each having an interconnection constituting the logic circuit, N is the number of interconnection layers, each having an interconnection constituting the memory circuit, M and N are natural numbers, and M>N.
半導体装置においては、ロジック回路を構成する配線を有する配線層の層数をＭとし、メモリ回路を構成する配線を有する配線層の層数をＮとしたとき（ＭおよびＮは自然数であって、Ｍ＞Ｎ）、（Ｍ−Ｎ）層あるいは（Ｍ−Ｎ＋１）層の配線層にわたって、容量素子１５０が設けられている。 - 特許庁 - Namely, if it is necessary to provide the interconnection WL which is orthogonal to the interconnection WU due to the change of the design, the interconnection WR 2 in the upper layer is connected to a redundant via hole VR, thereby providing a structure by the redundant interconnection WR1 and the redundant via hole VR which allows an orthogonal interconnection.
すなわち、設計の変更により、配線ＷＵと直行させる配線ＷＬを設ける必要が生じた場合、冗長ヴィアホールＶＲに対して上層の配線ＷＲ２の結線を行い直行配線を可能とする冗長配線ＷＲ１及び冗長ヴィアホールＶＲによる構造を備える。 - 特許庁 - ORGANIC LIGHT RECEIVING ELEMENT AND OPTICAL INTERCONNECTION APPARATUS USING THE SAME
有機受光素子およびそれを用いた光インターコネクション装置 - 特許庁 - An upper interconnection 20 is formed in that upper interconnecting trench 18.
その上部配線溝１８に上部配線２０を形成する。 - 特許庁 - The width of an interconnection 21 of the inside conductor interconnection layers 30C, 30D is formed not less than 5 μm nor more than 30 μm.
内側導体配線層３０Ｃ、３０Ｄの配線２１は幅が５μｍ以上３０μｍ以下の寸法で形成されている。 - 特許庁 - The hole 18t is one for interconnection, and is embedded with an interconnection plug member 19t and has its lower end connected to a gate electrode 14.
ホール１８ｔは、配線用ホールで、配線プラグ部材１９ｔが埋め込まれ、下端部はゲート電極１４に接続されている。 - 特許庁 - To realize integration or interconnection of existing communication networks.
既存の通信網の統合あるいは相互接続を実現する。 - 特許庁 - To simplify data processing, interconnection and a system.
データ処理の簡素化、相互接続の簡素化、システムの簡素化を図る。 - 特許庁
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