「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 50 51 次へ＞- To provide a fuel cell which has a sufficient ability of protonation in an electrolyte surface at an interface of an electrolyte and a hydrogen separation membrane layer.
電解質と水素分離膜層との界面における電解質表面において十分なプロトン化能を有する燃料電池を提供する。 - 特許庁 - The laminate also comprises an intermediate layer made of a reaction product of an alumina with an yttria compound along an interface between the base and the yttrium compound film.
基体とイットリウム化合物膜との界面に沿って、アルミナとイットリア化合物との反応生成物からなる中間層を備えている。 - 特許庁 - By forming a dicing blade DC of narrow width, the interface exposed at dicing is protected with the coating material H and the insulating resin layer R.
またダイシングブレードＤＣを幅狭で形成すれば、被覆材Ｈや絶縁樹脂層Ｒで、ダイシング時に露出する界面を被覆保護できる。 - 特許庁 - Ion-implantation of hydrogen is made in the substrate 1, and an implanted defect layer 5 is formed at a position deeper than the P-N junction interface.
そして、半導体基板１に水素のイオン注入を施し、Ｐ−Ｎ接合界面より深い位置に注入欠陥層５を形成する。 - 特許庁 - To obtain an epitaxial wafer which can be used for manufacturing a semiconductor laser diode, having higher output by reducing the resistance components of the interface of a compound semiconductor layer.
化合物半導体層の界面の抵抗成分を低減し、より高出力な半導体レーザダイオードを作製可能なエピタキシャルウェハを得る。 - 特許庁 - The number of silicon (Si) atoms per one cm^3 in the interface of the GaN substrate 1 and the epitaxial growth layer 5 is 1×10^20 or smaller.
ＧａＮ基板１とエピタキシャル成長層５との界面における１ｃｍ^3当りのシリコン（Ｓｉ）原子の個数は１×１０^20以下である。 - 特許庁 - The common switch interface (CSIX) lies between the core interconnect fabric and the upper layer switch processor for data and telecommunications switching systems.
共通スイッチ・インタフェース（CSIX）は、中核相互接続ファブリックとデータおよび電気通信交換システム向けの上位層のスイッチ・ブロセッサとの間に置かれる。 - コンピューター用語辞典 - To provide a process for producing an SOI wafer in which failure due to a void occurring on the interface of a wafer for active layer and a supporting wafer is reduced.
活性層用ウェーハと支持用ウェーハとの界面に発生するボイド不良を低減するＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Because an interface between the gentle slope 14a and the air layer 16 or an interface between the steep slope 14b and the air layer 16 exists in the region of the air layer 16, light propagating inside the light guide plate 12 is not emitted from the light guide plate 12, and the light is propagated to a position farther away from the light source inside the light guide plate 12.
空気層１６の領域では、緩斜面１４ａと空気層１６との間の界面又は急斜面１４ｂと空気層１６との間の界面が存在するので、導光板１２を伝搬する光が導光板１２から出射されず、導光板１２内のより光源から離れた位置まで光を伝搬させることができる。 - 特許庁 - To provide a concrete floor slab waterproofing construction method, eliminating the interface between a concrete floor slab and a waterproof layer by integrating the concrete floor slab with the waterproof layer, preventing water from entering the interface between the concrete floor slab and the waterproof layer, and repairing cracks caused in the concrete floor slab to improve the durability of the concrete floor slab;.
コンクリート床版と防水層を一体化してコンクリート床版と防水層の間の界面を無くし、コンクリート床版と防水層間の界面への水の浸入を防止できるようにすると共に、コンクリート床版に発生しているクラックを補修してコンクリート床版の耐久性を向上させることが可能なコンクリート床版防水施工方法を提供する。 - 特許庁 - To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.
電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁 - An optical element 10 comprises: a light transmission layer in which one major face contains an interface section in which a plurality of concave or convex sections arranged in one dimension or two dimensions are prepared with a distance between centers of 200 to 500 nm; and a light transmission reflection layer of a single layer structure, in which at least a part of the interface section is covered.
本発明の光学素子１０は、一次元的又は二次元的に配列した複数の凹部又は凸部が２００ｎｍ乃至５００ｎｍの中心間距離で設けられた界面部を一方の主面が含んだ光透過層と、前記界面部の少なくとも一部を被覆した単層構造の光透過性反射層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a USB test monitor circuit for monitoring interface signals between a physical layer transmitting/receiving differential signals flowing in a USB bus and a serial interface engine conducting communication of the physical layer, for identifying a transaction flowing in the USB bus, and for evaluating validity of a part independent of the physical layer without using an additional measurement apparatus.
ＵＳＢバスを流れる差動信号を送受信する物理層と物理層の通信を行うシリアル・インタフェース・エンジンとの間のインタフェース信号をモニタしてＵＳＢバスを流れるトランザクションを識別し、物理層に依存しない部分の正当性の評価を新規に測定器を用いることなく行うＵＳＢテストモニタ回路を提供する。 - 特許庁 - In a heterojunction bipolar transistor, in which a GaAs base layer 14 and a GaAs emitter cap layer 12 are formed on a GaAs substrate 17 via an InGaP emitter layer 13, an interface between the InGaP emitter layer 13 is doped with a prescribed amount of Se; and the GaAs emitter cap layer 12 and GaAs base layer 14, whereby recombinations near the InGaP emitter layer 13 are decreased.
ＧａＡｓ基板１７上にＩｎＧａＰエミッタ層１３を介してＧａＡｓベース層１４およびＧａＡｓエミッタキャップ層１２を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層１３とＧａＡｓエミッタキャップ層１２およびＧａＡｓベース層１４との界面に所定の量のＳｅをドープすることにより、ＩｎＧａＰエミッタ層１３近傍における再結合が減少する。 - 特許庁 - The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused.
支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。 - 特許庁 - After crystal growth, when the temperature is reduced, a large strain occurs in the interface between the sapphire substrate 10 and the ZrB_2 layer 11 in a nano-column state, and thereby, the crystal growth layer 18 is easily separated from the sapphire substrate 10.
結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 - 特許庁 - In this case, since the suppressing layer 61 is disposed at least in one of the first and second liquid collection parts, a liquid droplet layer can be uniformly formed on the interface S.
この場合、第１の集液部及び第２の集液部２７のうちの少なくとも一方に泡層形成抑制部６１が配設されるので、界面Ｓ上に液滴層を均等に形成することができる。 - 特許庁 - Further, in the jointing interface to the intermediate layer 18 in the anode side electrode 14, the interval distance of the particles 28, 28 adjoining jointing to the intermediate layer 18 is 1 μm or less.
さらに、アノード側電極１４における中間層１８に対する接合界面において、中間層１８に接合して隣接する粒子２８、２８同士の離間距離は、１μｍ以下である。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses a weak layer from growing on the interface of a barrier metal layer and a silicon oxide film of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.
ボンディングパッド部のバリアメタル層とシリコン酸化膜の界面に脆弱層が生成されるのを抑制することにより、ボンディング時のパッド剥がれを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent the unstable factor of a device characteristic by solving the problem that a Ge layer is formed in the growth interface of an SiGe layer in a conventional technique.
本発明は、従来技術においてSiGe層成長界面にGe層が形成される可能性があるという課題を解決することにより、デバイス特性の不安定要因を回避しようとするものである。 - 特許庁 - In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.
この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁 - The interface can be created by bonding surfaces which are treated in different methods, by a layer which is buried and embrittled in a different methods in the zones, or by an intermediate porous layer.
前記界面は、異なる方法で処理された表面を、前記領域に異なる方法で埋め込まれ脆化する層、または中間多孔質層によって接合させることによって形成することができる。 - 特許庁 - When these epitaxial layers are applied to the clad layer of a light emitting element, crystal defect on the interface of the emission layer 4 and the clad layers 5, 11 can be reduced significantly resulting in the enhancement of emission efficiency.
これらのエピタキシャル層を発光素子のクラッド層に適用すれば、発光層４とクラッド層５、１１との界面の結晶欠陥を大幅に低減でき、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁 - The first low density substance layer 22 and the second low density substance layer 32 are stacked in the order in which they are directly in contact with each other at an interface between the multilayer film structure 20 and the upper stacked structure 30.
多層膜構造２０と上部積層構造３０との界面において、第１の低密度物質層２２と第２の低密度物質層３２とが直接接するような積層順序とされる。 - 特許庁 - In the printed-wiring board, an insulating reinforcing layer containing a thermosetting resin having a minimum melt viscosity of 2,000 Pa s or more is mounted on an interface between an insulating base material that includes a wiring circuit and the insulating layer.
配線回路を含む絶縁基材と絶縁層の界面に、２０００Ｐａ・ｓ以上の最低溶融粘度を有する熱硬化性樹脂が含まれている絶縁強化層を設けたプリント配線板。 - 特許庁 - In this way, an electric resistance in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10 can be reduced, and crystal quality of the epitaxial layer 22 can be improved.
これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。 - 特許庁 - When a solder is made to reflow, a Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and a solder composition metal is formed at an interface between a Ni layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46 (Fig.8 (B)).
半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁 - The partition wall 1012 is formed on the substrate 100, the insulation layer 124 is formed on the diaphragm 121, and the substrate 100 and the diaphragm 121 are bonded with the insulation layer 124 as an interface.
基材１００に隔壁部１０１２が形成され、振動板１２１に絶縁層１２４が形成され、絶縁層１２４を界面として基材１００と振動板１２１とが接合される。 - 特許庁 - Holding characteristics under a polarized state are enhanced by the improvement of the crystallizability of the first ferroelectric layer 6 and the elimination of an electric field in the vicinity of an interface between each ferroelectric layer 5, 6.
第１の強誘電体層６の結晶性の向上と各強誘電体層５，６間の界面付近における電界の解消とにより、分極状態の保持特性が向上する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can reliably secure mutual bonding intensity at a contact interface between an insulating layer and a wire buried into the insulating layer, and also a method for manufacturing the semi conductor device.
絶縁層とその絶縁層への埋め込み配線とが接触する界面における相互の密着強度を確実に確保することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a technique for preventing formation of a heavily-doped n-type region on an interface between a semiconductor base layer and a semiconductor layer, in a crystal growth method of a group III-V compound semiconductor.
III-V族化合物半導体の結晶成長方法において、半導体下地層と半導体層の界面に高濃度なｎ型領域が形成されることを抑制する技術を提供すること。 - 特許庁 - In addition, the maximum height Rz of an interface for adhesion between the insulating rubber layer 3 and the semiconducting rubber layer 4, is 0.5 to 80 μm, and the mean length RSm of an uneven contour curve factor, is 25 to 150 μm.
絶縁ゴム層３と半導電ゴム層４との接着する界面の最大高さＲｚが０．５〜８０μｍ、かつ、凹凸の輪郭曲線要素の平均長さＲＳｍが２５〜１５０μｍである。 - 特許庁 - By making the vicinity of the interface of the electrolyte film 11 with the periphery edge part 12a of the catalyst layer 12 nearly plane, product water is restrained from collecting at the periphery edge part 12a of the catalyst layer 12.
電解質膜１１と触媒層１２の周縁部１２ａとの境界近傍を略平面にすることにより、触媒層１２の周縁部１２ａに生成水が溜まることを抑制する。 - 特許庁 - Further, if a difference in refractive index of the transparent resin layer 33 and the base sheet 3 is 0.06 or more, light transmitting inside the base sheet 3 can be made totally reflected at an interface with the transparent resin layer 33.
さらに透明樹脂層３３とベースシート３との屈折率の差を０．０６以上とすれば、ベースシート３の内部に伝わる光を透明樹脂層３３との界面で全反射させることができる。 - 特許庁 - To provide a floor slab waterproofing construction method and a floor slab waterproofing structure capable of following crack initiation while eliminating an interface between a concrete floor slab and a waterproof layer by integrating concrete and a waterproof layer.
コンクリートと防水層を一体化してコンクリート床版と防水層間の界面をなくすと共に、クラックの発生にも追従できる床版防水施工方法及び床版防水構造体を提供する。 - 特許庁 - Due to this ion implantation, part of the silicon layer 3 near an interface with the BOX layer 2 below a gate oxide film 7a is doped with the P-type impurity at a concentration P2.
また、このときのイオン注入に起因して、ゲート酸化膜７ａの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３内には、Ｐ型不純物が不純物濃度Ｐ２で注入されている。 - 特許庁 - On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.
この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁 - The light emitting element comprising a negative electrode, the organic compound layer and the positive electrode is characterized in that a protection body is formed on an interface between the positive electrode served as the light take-out electrode and the organic compound layer.
陰極と、有機化合物層と、陽極とからなる発光素子において、光取り出し電極である陽極と有機化合物層との界面に保護体を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - The light beams reflected by the dichroic film 4g are reflected by an interface between a layer 5 having a first refractive index and a layer 6 having a second refractive index, to be introduced into dichroic films 4r composed of contiguous pixels.
そして、ダイクロイック膜４ｇで反射させた光線を第１の屈折率層５と第２の屈折率層６との界面で反射させて、隣接する画素のダイクロイック膜４ｒに導入する。 - 特許庁 - To provide a production method for partial matting transfer sheet, capable of exfoliating in an interface between a mask layer and an exfoliation layer on a transfer work and steadily getting a decoration with partial matting on a surface of transferred object.
転写加工時にマスク層と剥離層との界面で剥離して被転写物の表面に確実に部分的にマットを有する加飾ができる部分マット転写シートの製造方法の提供。 - 特許庁 - By this the structure, an influence of a positive electric charge in the thermal oxide film 6 is weakened and an extension of a depletion layer into the N-type semiconductor layer 2 at the interface with the thermal oxide film 6 is secured.
係る構成を採ることにより熱酸化膜６中の正電荷による影響を弱め熱酸化膜６との界面におけるＮ−型半導体層２への空乏層の拡がりを確保する。 - 特許庁 - The optical laminate comprises the hardcoat layer provided on the light translucent base material, the interface between the translucent base material and the hardcoat layer having been rendered substantially absent.
光透過性基材の上にハードコート層を備えてなる光学積層体であって、前記光透過性基材と前記ハードコート層の界面が実質的に存在しないものとされてなるものである。 - 特許庁 - To manufacture a composite optical element, which is composed of a glass substrate and a resin layer, by one-time molding, and to impart characteristics wherein a loss of light on an interface between the glass substrate and the resin layer is reduced to a low level.
ガラス基材と樹脂層からなる複合型光学素子を１回の成形により製造すると共に、ガラス基材と樹脂層との界面での光の損失を小さく抑えた特性を付与する。 - 特許庁 - To provide a joint for DC coaxial power cables, which is excellent in return insulation performance without such a risk that an air gap might arise at the interface between a joint return internal semiconductor conductive layer and a return reinforcing insulating layer.
接続部帰路内部半導電層と帰路補強絶縁層の界面に空隙が生じるおそれのない、帰路絶縁性能が良好な電力用直流同軸ケーブルの接続部を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, wherein after a copper wiring layer is formed by CMP(chemical-mechanical polishing), the copper wiring layer does not exfoliate from an interface after the CMP.
ＣＭＰ（化学的・機械的研磨）により銅配線層を形成する場合に、ＣＭＰ後に銅配線層が界面から剥がれてしまうことがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When reflow soldering is performed, an Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 with Ni and a solder composition metal can be made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.
半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図６（Ｂ））。 - 特許庁 - To reduce cross leak to a counter electrode of a fuel such as methanol, and to secure electron conductivity between a catalyst layer and a diffusion layer of an MEA and a separator to reduce interface resistance.
メタノールなどの燃料の対極へのクロスリークを低減するとともに、ＭＥＡ中の触媒層、拡散層、セパレータ間での電子伝導性の確保し、界面抵抗を小さくしようとすること。 - 特許庁 - The complex electrolyte film formed by applying an electric field to ion-conductive resin containing a hydrocarbon bond is made to have an anti-redox layer at an interface of the electrolyte film and the catalyst layer.
炭化水素結合を含むイオン伝導性樹脂に電界を印加して形成した複合電解質膜において、該電解質膜と触媒層との界面に抗酸化還元層を設けたことを特徴とする。 - 特許庁 - Then the interface between the semiconductor layer 13 and the base substrate 11 is irradiated with laser light to separate the semiconductor layer 13 from the base substrate 11 to form a nitride semiconductor substrate.
次に、半導体層１３における母材基板１１との界面にレーザ光を照射して、半導体層１３を母材基板１１から剥離することにより、窒化物半導体基板を形成する。 - 特許庁 - When reflow soldering is performed, the Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and solder composition metal is made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.
半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁
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