「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 50 51 次へ＞- Therefore, the interface between the light-emitting layer 10a and the hole-blocking layer 10b is stabilized, so that element defects such as crystallization at the time of forming of the hole-blocking layer 10b will not be given rise to, and the element will be excellent in stability and enjoy a longer life.
従って、発光層１０ａとホールブロッキング層１０ｂとの界面が安定するし、ホールブロッキング層１０ｂを形成したときに結晶化等の素子欠陥も生じず、素子の安定性に優れ、素子寿命が長くなる。 - 特許庁 - Since a channel is formed in the n-type channel layer located beneath the p-type channel layer touching a gate oxide film 7 and a current can be fed thereto when a PN junction is formed in the surface channel layer 5, a channel can be formed regardless of the roughness or residual defect of the interface (MOS interface) between the gate oxide film 7 and the surface channel layer 5.
このように、表面チャネル層５にＰＮ接合を形成することにより、ゲート酸化膜７と接するｐ型チャネル層の下部に位置するｎ型チャネル層にチャネルを形成して電流を流すことができるため、ゲート酸化膜７と表面チャネル層５との界面（ＭＯＳ界面）のラフネス又は残留欠陥とは関係なく、チャネルを形成することができる。 - 特許庁 - A relaying apparatus 100 is provided with NIC (Network Interface Card) drivers 1a, 1b respectively connected to networks 200, 300, and with a network layer and a transport layer including the "TCP/IP"2 for stipulating a communication method for the communication between two optional nodes while carrying out routing for a physical layer and a data link layer including the NIC drivers 1a, 1b.
中継装置１００には、それぞれネットワーク２００、３００と接続されるＮＩＣ（Network Interface Card）ドライバ１ａ、１ｂが設けられ、これらのＮＩＣドライバ１ａ、１ｂを含む物理層とデータリンク層に対して、任意の２つのノード間で、ルーティング（routing）を行いながら通信するための通信方法を規定する「ＴＣＰ／ＩＰ」２を含むネットワーク層とトランスポート層が設けられる。 - 特許庁 - In the nonaqueous electrolyte secondary battery is quipped with a negative plate, a positive plate, and a separator or a lithium ion conductive layer, a porous insulation layer having a low compression deformation ratio is installed in at least one of an interface between the separator or the lithium ion conductive layer and the negative plate and an interface between the separator or the lithium ion conductive layer and the positive plate.
負極板と、正極板と、セパレータまたはリチウムイオン導電性層と、非水電解液とを備えた非水電解液二次電池であって、セパレータまたはリチウムイオン導電性層と負極板との界面か、セパレータまたはリチウムイオン導電性層と正極板との界面の少なくとも一方に、圧縮変形率の小さい多孔質状の絶縁層を設ける。 - 特許庁 - A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm.
半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a semiconductor substrate; an interface layer formed on the semiconductor substrate and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more; a metal semiconductor compound layer formed on the interface layer and containing S of 1×10^20 atoms/cm^3 or more in approximately whole region; and a metal electrode on the metal semiconductor compound layer.
半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁 - By making a first laser beam which has characteristics of passing through the covering layer, reflecting on the interface between the covering layer and the ground member and peeling a part of the covering layer from the ground member in the reflecting position enter the object to be machined from the surface of the covering layer, the part of the covering layer is peeled from the ground and a peeled part is formed.
被覆層を透過し、被覆層と下地部材との界面で反射し、反射位置の被覆層を下地部材から剥離させる性質を有する第１のレーザビームを、被覆層の表面から加工対象物に入射させて、被覆層の一部を下地部材から剥離させ、剥離部分を形成する。 - 特許庁 - The user interface includes a first menu layer of a ring type including one or more menus, and a second menu layer of a ring type to display sub-menus of the menus included in the first menu layer, wherein the first menu layer and the second menu layer move the menus around a common center axis.
本発明に係るユーザインタフェースは、１つ以上のメニューを含むリング型の第１メニュー層と、第１メニュー層に含まれたメニューの下位メニューを表示するリング型の第２メニュー層とを含み、第１メニュー層及び第２メニュー層は共通の中心軸を中心にメニューを移動することを特徴とする。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the photoelectric conversion device formed by sequentially laminating an n-type charge transfer layer, an interface layer, and a p-type charge transfer layer, the n-type charge transfer layer is formed by growing a needle crystal of zinc oxide, and the p-type charge transfer layer is formed by growing Cu_2O by electrolytic deposition.
ｎ型の電荷輸送層、界面層、ｐ型の電荷輸送層を順次に積層形成した光電変換装置の製造方法であって、ｎ型の電荷輸送層は酸化亜鉛針状結晶を成長させることによって形成し、ｐ型の電荷輸送層は電着でＣｕ_2Ｏを成長させることによって形成する。 - 特許庁 - In the control method of magnetic anisotropy, a heterostructure is prepared on a single crystal ferroelectric layer by epitaxially growing a ferromagnetic layer, and the magnetic anisotropy of the ferromagnetic is changed by a distortion occurring on the junction interface of the ferroelectric layer and the ferromagnetic layer by applying a voltage to the ferroelectric layer.
単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 - 特許庁 - The multi-layered transparent gel composition comprises an outer layer composition and an inner layer composition each exhibiting a solid state at the ordinary temperature, wherein at least one portion of the inner layer composition is placed, while forming an interface in the outer layer composition, and the inner layer composition can visually be checked.
常温において固化状態を呈する外層用組成物と内層用組成物とからなり、外層用組成物の内部に内層用組成物の少なくとも一部を境界面を形成させつつ位置させ、外層用組成物を透して内層用組成物を外部から視認可能としたことを特徴とする。 - 特許庁 - An Ni layer 32 and a Cr layer 33 are formed to touch each other by wet plating method and heat treated in non-oxidizing atmosphere so that Ni and Cr are diffused mutually and alloyed on the interface of the Ni layer 32 and the Cr layer 33 thus forming an NiCr alloying layer 34.
Ｎｉ層３２とＣｒ層３３とが互いに接するようにそれぞれ湿式めっき法により形成し、非酸化性雰囲気中で熱処理することによりＮｉ層３２とＣｒ層３３の界面においてＮｉとＣｒを相互拡散させて合金化し、ＮｉＣｒ合金化層３４を形成する。 - 特許庁 - To solve a problem wherein, when an electric characteristic of an SOI wafer is evaluated by a pseudo-MOSFET, and a gate voltage is applied through a BOX layer, a current flows on a surface of an SOI layer in the case where a depletion layer does not reach the surface of the SOI layer, and an SOI/BOX layer interface can not be evaluated.
Ｐｓｅｕｄｏ−ＭＯＳＦＥＴによってＳＯＩウェーハの電気特性を評価する際、ＢＯＸ層を通じてゲート電圧を印加した際、空乏領域がＳＯＩ層表面にまで届いていない場合、ＳＯＩ層表面で電流が流れてしまい、ＳＯＩ／ＢＯＸ層界面の評価が不可能になってしまう。 - 特許庁 - To obtain a method and apparatus for measuring the interface position whereby the this position can be accurately measured with a little number of terminals even if the interface is between an oil and water layers having near values of specified gravity or an emulsion layer interposes.
比重が近い油層と水層であっても、またエマルジョン層が介在しても、少ない端子数で正確に界面位置を測定することができる界面位置の測定方法および測定装置を提供すること。 - 特許庁 - This fiber-reinforced plastic composite material is characterized in that a plurality of fiber-reinforced plastic layers are laminated and highly heat conductive ceramic particles are interposed at a lamination interface between the plastic layers as a single layer where the particles are dispersed within the interface.
複数の繊維強化プラスチック層を積層するとともに、それらの積層界面に高熱伝導性のセラミック粒子を面内において単一粒子分散させた層として介在したことを特徴とする。 - 特許庁 - The binder 4 contains at least one kind of metal selected from Cr, Ti, Mn and Si as main component, and an interface reactive layer 5 is formed on the interface of the abrasive grains 3 and the binder 4.
結合材４はＮｉを主成分としてＣｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｉのうちの少なくとも１種類の金属を含有しており、砥粒３と結合材４の界面には界面反応層５が形成されている。 - 特許庁 - An interface (opening portion interface) between an n type GaN cap layer 18 and opening portion 28 includes a plurality of substantially vertical surface S1 and an inclined surface S3, formed to interpolate between each surface S1.
ｎ型ＧａＮキャップ層１８の開口部２８との界面（開口部境界面）は、複数のほぼ鉛直な面Ｓ１と、各面Ｓ１の間を補完するように形成された傾斜した面Ｓ３により構成されている。 - 特許庁 - To readily and in approximation compute interface state density on the interface of an SOI(silicon-on-insulator) thin-film and an insulating layer, in an SOI substrate, even when impurity concentration in the SOI thin-film cannot be obtained accurately.
ＳＯＩ薄膜中の不純物濃度が正確に求められない場合にも、ＳＯＩ基板のＳＯＩ薄膜と絶縁層との界面における界面準位密度を簡便にかつ近似的に算出する。 - 特許庁 - To prevent peelings from occurring at an interface between a barrier conductor film of an embedded wiring formed on the insides of a wiring groove and a connecting hole and a main conductive layer and at the interface between its barrier conductor film and an insulating film.
配線溝および接続孔の内部に形成された埋め込み配線のバリア導体膜と主導電層との界面、およびそのバリア導体膜と絶縁膜との界面において剥離が発生することを防ぐ。 - 特許庁 - Further, photocurrent is generated when the interface between the n-type Si substrate 1 and the n-type Mg_XZnO layer 2 has received light, however, the photocurrent flows through the interface between Mg_XZnO and Si as a two-dimensional carrier.
また、ｎ型Ｓｉ基板１とｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Ｍｇ_ＸＺｎＯとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁 - An interface state density caused by dangling bonds is a little on the interface between the silicon carbide epitaxial layer 3 and the gate insulating films 5a and 5b, so that the silicon carbide semiconductor apparatus 1 can be improved in a driving force.
また、炭化珪素エピタキシャル層３とゲート絶縁膜５ａ，５ｂの界面には、未結合手に起因する界面準位が少ないので、炭化珪素半導体装置１の駆動力を向上させることができる。 - 特許庁 - The element further comprises oxide films 15 and 17 that are formed at the interface between the cathode electrode 14 and the interlayer dielectric film 18, and at the interface between the gate electrode 16 and the interlayer dielectric film 18, respectively, by oxidation annealing, and are mainly composed of constituent elements of the underlying layer.
カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laminated film in which flatness is obtained at an interface between an Si substrate and a metal layer formed adjacent thereto so as to reduce junction leakage at the Si/metal interface in a semiconductor device or the like.
半導体デバイスなどにおけるＳｉ／金属界面では接合リークを抑制すべく、Ｓｉ基板と、これに隣接して形成される金属層との界面平坦性を確保した半導体積層膜を提供する。 - 特許庁 - To provide an organic EL element, in which the transport of holes or electrons at the interface of an electrode and an organic thin-film layer and/or at the interface between the mutual organic thin-film layers is carried out efficiently, and in which the driving voltage can be reduced.
電極と有機薄膜層との界面および／または有機薄膜層同士の界面での正孔あるいは電子の輸送が効率的に行われ、駆動電圧を低減可能な有機ＥＬ素子を提供すること。 - 特許庁 - To realize the thinning of a gate insulating film by reducing a parasitic low dielectric-constant interface layer on the interface of a gate-electrode material film/a high dielectric-constant gate insulating film formed when the gate-electrode material film is formed.
ゲート電極材料膜形成時に形成されたゲート電極材料膜／高誘電率ゲート絶縁膜の界面における寄生低誘電率界面層を還元し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁 - An external fine input signal (external field) is received by the interface level control layer 5, and formation and elimination of the interface level are alternated to take out an amplified output signal with high sensitivity.
微小な外部からの入力信号（外場）をこの界面準位制御層５で受け、界面準位の形成−消滅を切り替えることにより増幅された出力信号として高感度に取り出す。 - 特許庁 - Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.
これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁 - Thus, despite the presence of the pattern of irregularities at the internal interface of the decorative sheet S, it is possible to clearly recognize the pattern from outside by light reflection upon the internal interface of the decorative sheet S due to the presence of the decorative layer 2 on the back of the pattern.
装飾シートＳの内部界面に凹凸模様があっても、その裏面に装飾層２が存在するため、界面での光反射によって外部から凹凸模様を鮮明に認識することができる。 - 特許庁 - The organic semiconductor device includes a conductive electrode and an organic semiconductor layer contacting with the conductive electrode; and a vacuum level shift at a bonding interface between the conductive electrode and the organic semiconductor layer is adjusted by irradiating the bonding interface with light.
導電性電極と、前記導電性電極と接する有機半導体層とを含む有機半導体素子であって、前記導電性電極と前記有機半導体層との接合界面における真空準位シフトが、前記接合界面への光照射により調整された、有機半導体素子。 - 特許庁 - To provide a nonaqueous electrolyte battery capable of stably performing excellent battery characteristics without degradation of charge and discharge cycle characteristics by forming an interface layer without a risk of peeling off on an interface with a solid electrolyte layer while restraining growth of Li through absorption of Li^+ at charging.
充電時にＬｉ^＋を吸収してＬｉの成長を抑制しながらも、固体電解質層との界面で剥離する恐れがない界面層を形成して、充放電サイクル特性が劣化することなく、良好な電池特性を安定して発揮することができる非水電解質電池を提供する。 - 特許庁 - The acetabular cup component 34 includes an inner bearing surface part 39 formed of a ceramics material, an outer bone-interface layer 40 of porous alumina having cavities for bone growth and a hydroxyapatite coating 41 of a bone growth stimulant substance applied to the outer bone-interface layer 40.
この寛骨臼用カップコンポーネント３４は、セラミック材料から形成された支承内面部分３９と、骨成長用キャビティを有する多孔性アルミナの骨境界面外層４０と、該骨境界面外層４０に適用される、骨成長刺激物質のヒドロキシアパタイトコーティング４１とを備えている。 - 特許庁 - The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6.
誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 - 特許庁 - To stabilize the surface state of an interface layer to a lower electrode as an underlayer of a capacitance insulating film formed of a metal oxide and also control thickness of the interface layer, and moreover to surely supply oxygen at a lower temperature to the capacitance insulating film formed of the metal oxide.
金属酸化物からなる容量絶縁膜の下地層となる下部電極との間の界面層の表面状態を安定化し且つ界面層の厚さを制御可能とし、また、金属酸化物からなる容量絶縁膜に低温で酸素補給を確実に行なえるようにする。 - 特許庁 - A level (interface level) capable of delivering/receiving charges to/from the vicinity of interface between an SiO_xN_y layer and the second SiO_2 layer and the interior of the SiO_xN_y has a function similar to that of fine particles of small particle size effectively and can retain stored charges stably.
ＳｉＯ_x Ｎ_y 層と第２のＳｉＯ_2 層の間の界面付近およびＳｉＯ_x Ｎ_y 層内部に電荷を授受することのできる準位（界面準位）が、実効的に粒径の小さな微粒子体と同様の機能を有し、蓄積された電荷を安定に保持することができる。 - 特許庁 - Upon the formation of the aluminum oxide film on the silicon substrate, a silicon nitride film is previously provided under the aluminum oxide film as an underlying interface layer, a nitride-based high-permittivity film is formed on the aluminum oxide film on the underlying interface layer to thereby form a laminated gate insulating film.
シリコン基板上にアルミニウム酸化膜を形成する際、アルミニウム酸化膜の下部にシリコン窒化膜を下地界面層として設けておき、当該下地界面層上のアルミニウム酸化膜上に、窒化物系高誘電率膜を形成することにより、積層ゲート絶縁膜を構成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a solar cell capable of uniformly forming an interface layer contributing to improvement of a characteristic of a chalcopyrite-type solar cell at an appropriate film thickness, and improving photoelectric conversion efficiency while balancing suppression of resistance increase of a back electrode with suppression of interface peeling off from a light absorption layer.
カルコパイライト型太陽電池の特性の改善に寄与する界面層を均一に、また、適切な膜厚で形成することができ、裏面電極の抵抗上昇の抑制、光吸収層との界面剥離の抑制を両立しながら光電変換効率を向上させる。 - 特許庁 - The mixing is performed by making the walls move within a plane of the liquid layer, balancing the movement with capillary force produced by the walls in contact with the liquid, and selecting an interface between the liquid layer and the surrounding medium so that the interface functions as an elastic film.
混合は、壁を実質的に液体層の平面内で運動させ、前記運動を液体に接した壁によって生じた毛管力と釣り合わせ、液体層と周囲の媒体の間の界面をこの界面が弾性膜として機能するように選択することによって行われる。 - 特許庁 - This alloyed galvanized steel sheet has a peculiarity, in which the recessing and projecting parts having ≤ 0.5 μm pitch and ≥ 10 nm depth exist at one or more pieces per 5 μm length of an interface at the interface between the alloyed galvanized layer and the base steel sheet formed with this alloyed galvanized layer.
本発明の合金化溶融亜鉛めっき鋼板は、合金化溶融亜鉛めっき層と、該合金化溶融亜鉛めっき層が形成される素材鋼板との界面に、0.5μｍ以下のピッチで10ｎｍ以上の深さの凹凸が、界面の長さ５μｍ当たりに１個以上存在することを特徴とする。 - 特許庁 - In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.
ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁 - Here, since the difference in the refraction of the refractive-index interface between a reticle substrate 21 and glued layer is equal to 0.1 or smaller and the refraction difference of the refractive-index interface between an absorbing plate 22 and a glued layer is also equal to 0.1 or smaller in the reticle 2 for projecting light, illuminating light is hardly reflected at both reflective-index interfaces.
ここで、投光用レティクル２は、レティクル基板２１と接着層の屈折率界面の屈折差が０．１以下であり、吸収板２２と接着層の屈折率界面の屈折差も０．１以下であるので、両屈折率界面における照明光の反射は極めて少ない。 - 特許庁 - To provide a magnetic detection element, that can prevent oxygen contained in a mirror reflection layer form diffusing into the upper and lower layers of the mirror reflection layer, and can maintain uniformity at the interface of the mirror reflection layer, in the magnetic detection element having mirror reflection layer made of an insulating oxide.
絶縁酸化物からなる鏡面反射層を有する磁気検出素子において、鏡面反射層の上下の層に鏡面反射層に含まれる酸素が拡散することを防ぎ、鏡面反射層の界面の均一性を保つことのできる磁気検出素子を提供する。 - 特許庁 - High reflectivity is assured by multilayer reflecting films 23 and 24 of a material different from a light emitting layer 26, a multilayer reflecting film of the same material as that of the light emitting layer is formed thereon, then the light emitting layer is formed, and the distance from an interface for switching the material to the active layer is increased.
発光層２６と異なる材料系の多層反射膜２３，２４により高い反射率を確保し、その上に発光層と同じ材料系の多層反射膜を形成した後、発光層を形成して、材料系の切り替え界面から活性層までの距離を大きくする。 - 特許庁 - To provide a method for measuring the conductivity of the interface between the metal layer and a dielectric board of a sample having the metal layer formed in the board or the surface of the layer by suppressing the warp of the sample in the measurement of the conductivity of the layer.
金属層界面の導電率測定において、試料の反りの発生を抑制し、同時に誘電体基板の内部に金属層が形成された試料における金属層の誘電体基板との界面や金属層の表面における導電率の測定方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an electronic part built-in type multi-layer substrate having such highly reliable connection structure that cracks originated from a contact point of an edge of a transition layer and a passivation layer as a start point are not caused, also processing liquid does not enter an interface of a die pad and a resin layer through a wall surface of a bump.
トランジション層のエッジとパッシベーション層との接点を起点にした亀裂を生じず、しかも、処理液がバンプの壁面を通じてダイパットと樹脂層の界面に侵入しない信頼性の高い接続構造を有する電子部品内蔵型多層基板を提供する。 - 特許庁 - For instance, a translucent resin protection layer (8) integrally molded so as to cover the transparent electrode (7) may be provided on the transparent layer (7), and liquid or hardening resin may be intercalated at an interface between the translucent resin protection layer (8) and the color conversion layers (13a, 13b, 13c) to form a sealing layer (9).
例えば透明電極(7)の上に、透明電極(7)を覆うように一体成形した透光性樹脂保護層(8)を設けても良いし、透光性樹脂保護層(8)と色変換層(13a,13b,13c)との界面に液体又は硬化性樹脂を介在させてシール層(9)を形成してもよい。 - 特許庁 - To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.
半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁 - By appropriately adjusting Al composition and In composition of the n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14, a band gap is provided, which is larger than the energy corresponding to the emission wavelength of the active layer 13, and the effect of polarization field is relaxed at the interface with an adjoining layer.
ｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４のＡｌ組成とＩｎ組成とを適切に調整することにより、活性層１３の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。 - 特許庁 - In the single cell for the fuel cell, a solid electrolyte layer 9 is arranged in a groove or a hole providing an air electrode layer 5 and a fuel electrode layer 6 on a substrate 10, an electrochemical reaction fluid is formed in a solid electrolyte layer interface, and a conductive material 3 is inserted in the substrate 10.
固体電解質層９を空気極層５及び燃料極層６を基板１０に設けた溝又は孔に配置して成り、該固体電解質層界面に電気化学的な反応場を形成し、基板１０に導電性材料３を貫入した燃料電池用単セルである。 - 特許庁 - A first material layer 11 can be separated clearly by a physical means in a second material layer 12 or on the interface by previously performing a processing (laser light, pressurization, or the like) for partially lowering adhesion of the first material layer 11 and the second material layer 12.
剥離前に第１の材料層１１と第２の材料層１２との密着性を部分的に低下させる処理（レーザー光、加圧など）を行った後、物理的手段で剥離を行うことによって容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.
絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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