「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 50 51 次へ＞- At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.
この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁 - The light absorption layer 18 includes, as a sensitizing dye, a metal sulfide (such as SnS) having a surface reforming layer containing a predetermined amount of an element having a higher electronegativity than sulfur, the metal sulfide being provided on an interface with respect to the hole transport layer.
光吸収層１８は、増感色素として、正孔輸送層との界面に硫黄より電気陰性度の高い元素を所定量含む表面改質層を持つ金属硫化物（例えばＳｎＳ）を含んでいる。 - 特許庁 - To improve cell characteristics, such as a cell voltage, by preventing stay of water in an electrode layer, especially stay of water near an interface of a gas diffusion layer and a catalyst layer in a fuel cell.
燃料電池において、電極層内における水の滞留、特にガス拡散層と触媒層との界面付近における水の滞留を防止することによって、セル電圧などの電池特性を向上させる。 - 特許庁 - In the transistor, a carrier storing layer is also formed by utilizing the discontinuous section of a conduction band existing in the hetero interface between the layers 14n and 13n, and electrons run through the carrier accumulating layer by using the layer as a channel.
このＳｉＧｅＣ層１４ｎとＳｉ層１３ｎとのヘテロ界面に存在する伝導帯の不連続部を利用したキャリア蓄積層が形成されており、このキャリア蓄積層をチャネルとして電子が走行する。 - 特許庁 - To provide a method for preventing peeling in an interface between an insulating film layer of especially a low dielectric constant and a diffusion preventing film layer when wiring is formed on the insulating film layer of a low dielectric constant by a damascene method.
低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method and a device quickly and easily measuring foam characteristics such as the position of the interface between a foam layer and a liquid layer, the volume of the foam layer, and the specific gravity in sparkling drink.
発泡飲料における、泡沫層と液体層との界面の位置、泡沫層の体積、あるいは、比重といった泡沫特性を、迅速且つ簡便に測定することが可能な方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - It is desirable to further incorporate ≤15%, in total, of either or both of Sn and Si into the galvanizing layer, and further, it is desirable to provide a precoating layer containing either or both of Ni and Co to the interface between the galvanizing layer and base steel sheet.
めっき層に更にＳｎ，Ｓｉの１以上を合計で１５％以下含有すること、更にはめっき層と地鉄の界面にＮｉ，Ｃｏの１以上を含有するプレめっき層を有することが望ましい。 - 特許庁 - When an excited light absorbing layer is arranged in the protective layer 20, excitation light scattered/reflected on the interface of the protection layer can be absorbed, and consequently, the sharpness of the radiographic image conversion panel can be improved.
また、保護層２０に励起光吸収層を設けることで、保護層の界面で散乱、反射した励起光を吸収することができ、放射線画像変換パネルの鮮鋭性を向上させることができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a single crystal SiC substrate, capable of obtaining an SiC layer having good crystallinity by uniforming an interface between an SiC layer and an embedded insulation layer such as SiO_2, at low cost and with excellent productivity.
ＳｉＣ層とＳｉＯ_２等の埋め込み絶縁層との界面を均一な状態にして結晶性のよいＳｉＣ層が得られ、しかも低コストで生産性のよい単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a SOI wafer whose manufacturing process itself is not complicated, whose number of defects on a bonding interface is at a level of no practical matter and which has a high interface level (Dit) for trapping carriers on an interface between a BOX layer and a base wafer, and to provide a method of manufacturing the same.
製造工程自体が複雑ではなく、貼り合わせ界面での欠陥数が実用上問題にならないレベルであり、ＢＯＸ層とベースウェーハの界面にキャリアをトラップする界面準位（Ｄｉｔ）が高いＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A layer 2 processing section 45 grasps at which position of LAN interface sections 46-1 to 46-n a packet is transmitted/received, and an IP routing section 43 applies routing to the IP packet received by the LAN interface sections 46-1 to 46-n and a WAN interface section 44.
レイヤ２処理部４５ではＬＡＮインタフェース部４６−１〜４６−ｎのどの位置でパケットが送受信されているかを把握し、ＩＰルーティング部４３はＬＡＮインタフェース部４６−１〜４６−ｎ、ＷＡＮインタフェース部４４で受信されたＩＰパケットをルーティングしている。 - 特許庁 - Thus, the gate oxide film is made even, the interface state density at the interface of the gate oxide film and epitaxial layer can be reduced, and the excellent MOSFET with channel resistance reduced can be achieved.
したがって、ゲート酸化膜が均一で、且つゲート酸化膜とエピタキシャル層の界面における界面準位密度を低減でき、チャネル抵抗が低減された優れたＭＯＳＦＥＴが実現できる。 - 特許庁 - A packet repeating apparatus 10 comprises a WAN interface 11, a LAN interface 12, an automatic IP address acquisition part 14, a layer-2 address rewriting part 13, and an automatic IP address acquisition monitoring part 15.
パケット中継装置１０は、ＷＡＮインタフェース１１と、ＬＡＮインタフェース１２と、ＩＰアドレス自動取得部１４と、レイヤ２アドレス書換え部１３と、ＩＰアドレス自動取得監視部１５と、からなる。 - 特許庁 - Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.
また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁 - There are independently provided: a dispensing station 18 for performing dispensing treatment; and an interface detection station 14 for detecting the interface of the upper and lower sides of a layer of the serum (specimen) 86 of an original specimen container 12.
分注処理を行う分注ステーション１８と、元検体容器１２の血清（検体）８６の層の上側、下側の界面を検出する界面検出ステーション１４とを独立して設ける。 - 特許庁 - Then the interface to be used for transferring data and a data link address of an interface of an opposite party to which the data are to be transferred are decided by retrieving this path table in the network layer.
そして、ネットワーク層において、この経路表を検索することにより、データを転送するのに使用すべきインターフェイスとともに、そのデータを転送すべき相手のインターフェイスのデータリンクアドレスが決定される。 - 特許庁 - The channel is annealed in a non-oxided atmosphere, then, the impurity is distributed in a higher concentration near an interface with a gate insulating film rather than near an interface with an implanted insulating film in the SOI layer.
また、非酸化雰囲気中でチャネルアニールすることにより、前記ＳＯＩ層中の埋め込み絶縁膜との境界付近よりもゲート絶縁膜との境界付近に、前記不純物を高濃度に分布させる。 - 特許庁 - The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over.
半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０^21ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁 - The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.
本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁 - To provide an antireflection film with high chemical resistance, in which crosslinking of an interface adjacent to a high refractive index layer (especially, crosslinking of an interface between the adjacent low-refractive index layer and the high refractive index layer) is enhanced, physical strength such as contactness, abrasion resistance is raised and further more, the physical strength is not impaired, even when saponification processing is performed.
高屈折率層と隣接する界面の架橋（特に隣接する低屈折率層と高屈折率層の界面の架橋）を強化し、密着性、耐擦傷性などの物理強度を向上し、さらに鹸化処理を行ってもその物理強度が損なわれない高い耐薬品性を有する反射防止フィルムを提供すること。 - 特許庁 - Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.
エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁 - A compound layer L comprising at least one kind of intermetallic compound is formed on the bonding interface between dissimilar metallic materials 1, 2, wherein the intermetallic compound layer L is formed in an area 52% or greater of an area of the bonding interface and has a thickness of 0.5 to 3.2 μm.
異種金属材料１，２の接合界面に、少なくとも１種の金属間化合物を含む化合物層Ｌを形成し、この金属間化合物層Ｌが接合面積の５２％以上の領域に、０．５〜３．２μｍの厚さに分布するようにする。 - 特許庁 - The first interface film 53A has a film thickness with which electrical connection between the lower-layer electrode 51A and the upper-layer electrode 52A is maintained, and the second interface film 53B has a film thickness with which epitaxial growth between the substrate 15 and the diode electrode 52B is inhibited.
第１の界面膜５３Ａは、下層電極５１Ａと上層電極５２Ａとの電気的接続を維持する膜厚であり、第２の界面膜５３Ｂは、基板１５とダイオード電極５２Ｂとの間におけるエピタキシャル成長を阻害する膜厚である。 - 特許庁 - The synthetic resin molding 4 is molded by the simultanenous injection of a first synthetic resin composition 2 into the front-surface side of an interface layer sheet 1 positioned in the substantial middle of the thickness direction, and a second synthetic resin composition 3 into the back-surface side of the interface layer sheet.
厚み方向の略中間に位置する界面層シート１の表面側に第１の合成樹脂組成物２が、裏面側に第２の合成樹脂組成物３が同時に注入されて形成されることで成形された合成樹脂成形品４である。 - 特許庁 - The gate insulation layer 12 has regions containing nitrogen at the opposite end parts thereof wherein the concentration distribution of nitrogen atoms exhibits a first peak in the vicinity of interface with the gate electrode 14 and a second peak in the vicinity of interface with the semiconductor layer 10.
ゲート絶縁層１２は、両端部に窒素含有領域１２ａを有し、かつ、ゲート電極１４との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第１のピークを有し、さらに、半導体層１０との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第２のピークを有する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element with small distortion occurring at the interface with an organic material layer and a second conductive layer arranged on it, in which thickness of the light-emitting layer is maintained uniformly and loss of conductivity of the second conductive layer can be suppressed.
有機材料層とその上に配される第二導電層との界面に生じる歪みが小さく、発光層の厚みが均一に保持されるとともに、第二導電層が有する導電性の損失も抑制することが可能な発光素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a decorative permeable composition, which does not have an adhesive interface between a foundation and a decorative finished layer and in which a foundation material layer, the mixed layer of a foundation material and a decorative finishing material and the finishing material layer have a continuous gradient functionality, and its manufacturing method.
下地と化粧仕上げ層間に接着界面を有しない、下地材料層、下地材料と化粧仕上げ材料の混合層及び仕上げ材料層が連続した傾斜機能性を有する化粧性透水組成物及びその製造法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, a corner 16 formed by an interface between the front surface of the sealing resin layer 4 and the post 5 of the sealing resin layer 4 contacts with a border between the embedded portion 14 embedded in the sealing resin layer 4 of the post 5 and the projection 15 projecting from the sealing resin layer 4.
これにより、封止樹脂層４の表面および封止樹脂層４のポスト５との界面により形成される角部１６は、ポスト５の封止樹脂層４に埋設された部分と封止樹脂層４から突出した部分との境界に当接している。 - 特許庁 - The lattice type conductor layer wherein a roughened layer 5 is formed on a side surface is formed on a substrate of a multilayer printed wiring board, so that cracks which are generated by difference of thermal expansion coefficients of the conductor layer and the interlayer resin insulating layer on an interface of them are restrained.
多層プリント配線板の基板上に、その側面に粗化層５が形成された格子状の導体層を形成することにより、導体層と層間樹脂絶縁層の境界で両者の熱膨張率差に起因して発生するクラックを抑制する。 - 特許庁 - Part of the outer peripheral side of the void 6 is formed above an interface between a barrier metal layer 4c and a metal wiring layer 4b, and part of the outer peripheral side is formed below a barrier metal layer 4a and the metal wiring layer 4b.
このボイド６は、その外周側の一部がバリアメタル層４ｃおよび金属配線層４ｂ間の界面よりも上方に形成されていると共に、外周側の一部がバリアメタル層４ａおよび金属配線層４ｂ間の界面よりも下方に形成されている。 - 特許庁 - The first light guide layer has a first refractive index n_1 and a first critical angle (θ_C1), the second light guide layer has a second refractive index n_2, and a boundary surface between the first light guide layer and the second light guide layer has a critical angle (θ_C12) of a first interface.
前記第１導光層は第１屈折率n_１と第１臨界角(θ_Ｃ１)を持っており、前記第２導光層は第２屈折率n_２を持っており、第１導光層と第２導光層との境界面は第１界面の臨界角(θ_Ｃ１２)を持っている。 - 特許庁 - However, in the subsequent step, (a second) photosensitive resin layer 4A for forming an over-cladding layer is formed with a non-solvent type photosensitive resin composition and is heated prior to exposure and, thereby, the interface part between the core 3 and the photosensitive resin layer 4A is formed into a mixed layer 5.
しかし、その後、オーバークラッド層形成用の（第２の）感光性樹脂層４Ａを、非溶剤系の感光性樹脂組成物で形成し、露光に先立って加熱することにより、コア３と感光性樹脂層４Ａとの界面部分を、混合層５に形成する。 - 特許庁 - The plastic-cladding optical fiber 1 has a cladding layer 3 which is formed by curing curable resin composition on the outer periphery of a core layer 2 composed of quartz glass, wherein the adhesion strength of the interface between the core layer and the cladding layer is 1.5-4.0 g/mm.
石英ガラスからなるコア層２の外周に、硬化性樹脂組成物を硬化することにより形成されたクラッド層３を設けたプラスチッククラッド光ファイバ１であって、該コア層と該クラッド層との界面の密着力が１．５ｇ／ｍｍ〜４．０ｇ／ｍｍである。 - 特許庁 - In an internal structure of the treated face of the outer peripheral face of the cylinder liner, a diffusion layer 2 in which nitrogen is diffused, and a compound layer 3 at an interface area between the diffusion layer 2 and a plating layer 4, dispersedly exist, and are firmly adhered and integrated with the base 1.
製造されるシリンダライナの外周面の処理面における内部構造は、母体(1) に窒素が拡散された拡散層(2) と、その拡散層(2) とメッキ層(4) との界面領域の化合物層(3) が分散して存在し、強固に密着一体化している。 - 特許庁 - The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.
さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁 - A pn junction is formed in the gate electrode region generated by two dimensional electron gas generated in the interface between the undope AlGaN layer 604 and the undope GaN layer 603, and by the first p-type AlGaN layer 605 and the second p-type AlGaN layer 607.
アンドープＡｌＧａＮ層６０４とアンドープＧａＮ層６０３との界面で発生する２次元電子ガスと第１のｐ型ＡｌＧａＮ層６０５および第２のｐ型ＡｌＧａＮ層６０７とによって生じるｐｎ接合がゲート領域に形成される。 - 特許庁 - The front face substrate and the back face substrate are sealed through a sealing layer 33 at peripheral parts, and a diffusion layer including components of the sealing layer is formed on the plate side of the interface between at least one of the front face substrate and the back face substrate and the sealing layer.
前面基板および背面基板は封着層３３を介して周辺部が封着され、前面基板および背面基板の少なくとも一方と封着層との界面の上記板側に、封着層の成分を含有した拡散層が形成されている。 - 特許庁 - A bonding area 14a is formed on the whole outer peripheral part of the interface between the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13, and the soft tissue layer 12 and the surface skin layer 13 are partially bonded together so that the area surrounded by the bonding area 14a is a non-bonding area 14b.
軟組織層１２と表皮層１３とは、軟組織層１２と表皮層１３との界面の外周部全周に接着部１４ａが形成され接着部１４ａに取り囲まれた領域が非接着部１４ｂとなるように部分的に接着されている。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a photoelectric conversion element 10 including laminated layers of a back electrode 12, a photoelectric conversion layer 13, an interface layer 14 and a translucent conductive layer 16, a first zinc oxide film 15 is deposited on the interface layer 14 using an organic metal chemical vapor deposition method, and a second zinc oxide film is deposited on the first zinc oxide film 15 using a sputtering method as the translucent conductive layer 16.
裏面電極１２と光電変換層１３と界面層１４と透光性導電層１６とが積層されてなる光電変換素子１０の製造方法であって、界面層１４上に、有機金属化学気相蒸着法を用いて第１の酸化亜鉛膜１５を成膜し、第１の酸化亜鉛膜１５上に、スパッタ法を用いて第２の酸化亜鉛膜を透光性導電層１６として成膜する。 - 特許庁 - A layer formed of polyethylene terephthalate is laminated on the front and rear surfaces of a layer formed of polyolefin, a void is densely formed on the interface between the layer formed of polyethylene terephthalate and the layer formed of polyolefin, the polyolefin is polyethylene or admar (R) SE800, and the sizes of the voids formed on the interface between the layer formed of polyethylene terephthalate are 5-100 μm.
ポリオレフィンからなる層の表裏両面にポリエチレンテレフタレートからなる層が積層されており、該ポリエチレンテレフタレートからなる層の該ポリオレフィンからなる層との界面に空隙が密に形成されており、該ポリオレフィンがポリエチレンまたは三井化学株式会社のアドマーＳＥ８００であり、該ポリエチレンテレフタレートからなる層との界面に形成されている空隙の大きさが５〜１００μｍである易層間剥離性シート。 - 特許庁 - The optical recording medium 20 comprises a reflective layer 21, a recording layer 22 primarily consisting of pigment, an interface layer 30, and a cover layer 24 sequentially laminated on a substrate 21 on which a guide groove is formed, and facilitates determination of the optimum recording power by selecting a proper interface layer 30 to achieve a linear relation between the β value and the recording power.
案内溝を形成した基板２１上に、順次積層された反射層２１と、色素を主成分とする記録層２２と、界面層３０と、カバー層２４と、を備える膜面入射型の光記録媒体２０であって、適当な界面層３０を選択することにより、βと記録パワーとの間に線形の関係を有するようにし、最適記録パワーの決定を容易にした光記録媒体２０。 - 特許庁 - When a metal layer 11 is provided over a substrate, an oxide layer 12 is provided to be in contact with the metal layer 11, a layer to be peeled 13 is formed, and the metal layer 11 is irradiated with a laser beam to perform oxidization to form a metal oxide layer 16, complete separation can be achieved inside the metal oxide layer 12 or at an interface between the metal oxide layer 16 and the oxide layer 12 through a physical means.
基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い、金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。 - 特許庁 - The display body 10 includes a light-transmitting layer having an interface part included in one main surface, the interface part having a plurality of one-dimensionally or two-dimensionally arrayed recesses or projections which are spaced at a center-to-center distance of 150 nm to 200 nm, and an inorganic thin film layer at least partially covering the interface part; and diffracting UV rays.
本発明の表示体１０は、一次元的又は二次元的に配列した複数の凹部又は凸部が１５０ｎｍ乃至２００ｎｍの中心間距離で設けられている界面部を一方の主面が含んだ光透過層と、前記界面部の少なくとも一部を被覆した無機薄膜層とを具備し、紫外光を回折することを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device including SOI-MISFET comprises an insulating layer 14, a semiconductor layer 13 including Ge formed on the insulating layer 14, a plurality of semiconductor dots 15 formed in the area near the interface with the semiconductor layer 13 in the insulating layer 14 to include higher Ge composition than the semiconductor layer 13, and a MIS transistor formed on the semiconductor layer.
ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されたＧｅを含む半導体層１３と、絶縁層１４中の半導体層１３との界面付近に形成された、半導体層１３よりも高いＧｅ組成を有する複数の半導体ドット１５と、半導体層に形成されたＭＩＳトランジスタとを備えた。 - 特許庁 - The Tg of the primer layer is 30°C or below and the Tg of the upper coating film is 40°C or above and the surface roughness Ra of the interface of the primer layer and the upper coating film is 0.25 μm or above.
プライマー層のＴｇが３０℃以下であり、上層塗膜のＴｇが４０℃以上であり、且つ、プライマーと上層塗膜との界面の表面粗さＲａが、０．２５μｍ以上である。 - 特許庁 - To provide an ATM-PDS output interface circuit with high general-purpose performance and a simple configuration where a cell interval between information cells at an ATM layer side and a PDS layer side is equal to each other.
ＡＴＭレイヤ側及びＰＤＳレイヤ側での情報セルのセル間隔が等しく、汎用性が高く、構成が簡単なＡＴＭ−ＰＤＳ出力インタフェース回路を提供する。 - 特許庁 - To flatten an interface and an uppermost surface while a duty ratio of a non-reversed layer and a reversed layer in an under part structure is maintained, when an artificial phase matching wavelength conversion element is formed.
疑似位相整合型波長変換素子の作成の際において、下部構造の非反転層と反転層とのデューティー比を維持しつつ、界面と最表面を平坦にする。 - 特許庁 - Further, a distance from an interface between the N^- drift layer 1 and P^+ base layer 4 to a boundary between the first gate insulating film 11a and second gate insulating film 11b is 2 to 5 μm.
また、Ｎ^-ドリフト層１とＰ^+ベース層４との界面から第１ゲート絶縁膜１１ａと第２ゲート絶縁膜１１ｂとの境界までの距離は２μｍ以上５μｍ以下である。 - 特許庁 - A first three-dimensional structure 12 is provided at an interface between the water soluble film 10 and the inorganic layer 11, and a second three-dimensional structure 13 is provided at a light emitting surface S2 of the inorganic layer 11.
水溶性フィルム１０と無機層１１との界面に第１立体構造１２が設けられており、無機層１１の光射出面Ｓ２に第２立体構造１３が設けられている。 - 特許庁 - Further, in the interface between the rigid portion 802 and the flexible portion 801, the end surface of the base-material layer 300 retreats to the side of the rigid portion 802 relatively to the end surface of the interlayer bonding layer 200.
そして、リジッド部８０２とフレキシブル部８０１との境界において、層間接着層２００の端面に対して、基材層３００の端面が、リジッド部８０２側へ後退している。 - 特許庁
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