「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 13 14 15 16 17 18 19 20 21 .... 50 51 次へ＞- In addition, a water vapor permeation resistant layer 6, having a coefficient of moisture permeability of 250 g/m2.h or smaller is formed at the interface between the front and rear surfaces of the metal foil 4 and the insulation layer 3.
そして、上記金属箔４の表裏両面と絶縁層３との界面に、透湿率が２５０ｇ／ｍ^2 ・ｈ以下の耐透湿層６が形成されている。 - 特許庁 - To provide MQW structure which raises the crystallinity of the barrier layer having a hetero interface by suppressing the deterioration of the well layer, and to provide its manufacturing method of the structure.
井戸層の劣化を抑制しつつ障壁層の結晶性を向上させた、ヘテロ界面を有するＭＱＷ構造と該構造の製造方法とを提供する。 - 特許庁 - Thus, the base layer 14 and the emitter layer 15 can be formed (an interface bond of 1:1) continuously in a space, and a satisfactory Schottky junction is obtained.
したがって、ベース層１４とエミッタ層１５とを空間的に連続して形成(１：１の界面結合)することが可能となり、良好なショットキー接合が得られる。 - 特許庁 - To provide a photodiode capable of accurately detecting the total amount of ultraviolet rays by avoiding the influence of the reflection at the interface between a silicon semiconductor layer and an insulating layer.
シリコン半導体層と絶縁層との界面での反射の影響を避けて紫外線の総量を正確に検出することが可能なフォトダイオードを提供する。 - 特許庁 - The interface for a trench 62 between a gate oxide film 64 and a p-base layer 56 acts as a channel, when the positive hole accumulated at an n- epitaxial layer 54 flows to an emitter electrode 72.
トレンチ６２のゲート酸化膜６４とｐベース層５６との境界面は、ｎ^-エピタキシャル層５４に蓄積された正孔がエミッタ電極７２へ流れる際のチャネルとなる。 - 特許庁 - Moreover, when a joint with high reliability is necessary, a connection having a sufficient interface strength is obtained by providing a Cu layer under the layer of Sn-Bi.
更に高信頼性の継ぎ手が要求される場合には、Ｓｎ−Ｂｉ層の下にＣｕ層を施すことによって、十分な界面強度を有する接続部を得る。 - 特許庁 - To provide a compound semiconductor light emitting diode and a light emitting diode array having a high emission efficiency by reducing crystal defect on the interface of an emission layer and a clad layer.
発光層とクラッド層との界面の結晶欠陥を低減させ、発光効率の高い化合物半導体発光素子及び発光ダイオードアレイを提供する。 - 特許庁 - To provide semiconductor wiring where a barrier layer different from a TiO_2 layer is formed without increasing electric resistivity on an interface between an insulating film and Cu wiring.
絶縁膜とＣｕ配線の界面に、ＴｉＯ_2層とは異なるバリア層をＣｕ配線の電気抵抗率を高めることなく形成した半導体配線を提供する。 - 特許庁 - In detailed words, the layer is irradiated with laser light once and, when an interface to a sapphire substrate of the GaN layer becomes gallium (Ga), it is irradiated with laser light again through the sapphire substrate.
詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 - 特許庁 - This can complete the accumulation of the positive charges in the oxide semiconductor layer or at an interface between the oxide semiconductor layer and a gate insulation film in a short period of time.
これにより、酸化物半導体層内又は酸化物半導体層及びゲート絶縁膜の界面への正電荷の蓄積を短期間で収束させることができる。 - 特許庁 - A metal area 65 containing a metal element or a metal ion is formed on the interface between the hole injection-transportation layer 60 and the light emitting layer 70.
正孔注入・輸送層６０と発光層７０との間の界面に、金属元素または金属イオンが存在してなる金属領域６５が設けられている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can suppress introduction of nitrogen atom to an interface layer and a high-permittivity insulating film lower layer portion, and a substrate processing apparatus.
界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。 - 特許庁 - To provide a solid oxide fuel cell in which resistance of oxygen ion conduction is greatly reduced since there exists no interface between an electrolyte layer and an electrode layer.
電解質層と電極層の間に界面が存在しないため、酸素イオン伝導の抵抗が大幅に減少した固体酸化物型燃料電池を提供する。 - 特許庁 - A low oxidation concentration layer of indium tin oxide whose oxygen concentration is low as compared with that of the other part is arranged in the vicinity of an interface between the transparent electrode and the doped layer.
透明電極とドープ層との界面近傍に、それ以外の部分と比べて酸素濃度を少なくしたインジウム錫酸化物の低酸化濃度層を設ける。 - 特許庁 - Counter diffusion of a metal element is produced on an interface between the Ni-P plating layer 32 and the Cr plating layer 33 to generate a liquid phase of an eutectic composition (Step S3).
Ｎｉ−Ｐめっき層３２とＣｒめっき層３３の界面に金属元素の相互拡散を発生させ、共晶組成の液相を生成する（ステップＳ３）。 - 特許庁 - In the interface between an organic compound layer (1) 102 and an organic compound layer (2) 103, a mixture layer 105 made of a material composing the organic compound layer (1) 102 and a material composing the organic compound layer (2) 103 is formed and an energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 is mitigated.
有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との界面に有機化合物層（１）１０２を構成する材料及び有機化合物層（２）１０３を構成する材料からなる混合層１０５を形成することにより、有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。 - 特許庁 - The method comprises a step of forming a first metal layer 3 on a semiconductor substrate 1 having a diffused layer 2 on the surface, a step of heating it to form an alloy layer 4 on the interface of the semiconductor substrate and the first metal layer and a step of forming a second metal layer 5 on the first metal layer, after the alloy layer is formed.
表面に拡散層２の形成された半導体基板１上に、第1のメタル層３を形成する工程と、これを加熱して前記半導体基板と前記第1のメタル層の界面に合金層４を形成する工程と、前記合金層を形成した後、前記第1のメタル層上に第2のメタル層５を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.
従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁 - The oxidation-resistance layer 12 is inserted between the lower part ferromagnetic body layer 82 and the tunnel barrier layer 84 of oxide so that, when the material of the tunnel barrier layer 84 is oxidized, the oxidation stops at the interface between the material of the tunnel barrier layer 84 and the oxidation-resistance layer 12, preventing the lower part ferromagnetic body layer 82 from being oxidized.
本発明によれば、下部強磁性体層８２と酸化物からなるトンネルバリア層８４との間に耐酸化層１２を挟んだことにより、トンネルバリア層８４の原材料を酸化させるときに、その酸化がトンネルバリア層８４の原材料と耐酸化層１２との界面で止まるので、下部強磁性体層８２の酸化を防ぐことができる。 - 特許庁 - By forming a mixture layer 105 consisting of a material constituting an organic compound layer (1) 102 and a material constituting an organic compound layer (2) 103 on the interface of the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103, energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 can be alleviated.
有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との界面に有機化合物層（１）１０２を構成する材料及び有機化合物層（２）１０３を構成する材料からなる混合層１０５を形成することにより、有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。 - 特許庁 - The buffer layer 3 has a refractive index which incliningly varies in the layer so that the refractive index on the transparent electrode layer 4 side may be higher and the refractive index on the light scattering portion 2 side may be smaller, and the refractive index at the interface with the transparent electrode layer 4 of the buffer layer 3 is same or smaller than that of the transparent electrode layer 4.
緩和層３が、透明電極層４側の屈折率が高く、光散乱部２側の屈折率が低くなるように、層内で傾斜して変化する屈折率を有し、且つ緩和層３の透明電極層４との界面の屈折率が透明電極層４の屈折率と同じか低い。 - 特許庁 - When a voltage is applied to be a reverse bias, the second semiconductor layer 4 is thin enough for a depletion layer 7 formed on an interface between a Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 to extend in the thickness of the second semiconductor layer 4 to reach the first semiconductor layer 3.
逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁 - To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.
リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁 - To improve a problem resulting from a defect at the interface between an insulation layer and a SiGe crystal layer not to give adverse effect on the leak current characteristic in a MIS type field effect transistor in which a strain Si layer joined with the SiGe crystal layer formed on an insulation layer is used for channel layer.
本発明では絶縁層上に形成されたＳｉＧｅ結晶層に接合するひずみＳｉ層をチャネル層に用いるＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、絶縁層とＳｉＧｅ結晶層との界面の欠陥等に起因する問題が、リーク電流特性等に悪影響を与えないよう改良する。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 4 is thin to the extent that a depletion layer 7 generated on the interface between the Schottky metal layer 5 and the second semiconductor layer 4 is extended in the thickness direction of the second semiconductor layer 4, for reaching the first semiconductor layer 3 when voltage is applied to cause the reverse bias.
逆方向バイアスとなるように電圧を印加した場合に、ショットキー金属層５と第２の半導体層４との界面で生じる空乏層７が第２の半導体層４の厚み方向に延びて第１の半導体層３に達する程度に第２の半導体層４は薄い厚みを有している。 - 特許庁 - Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.
磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁 - In the solid oxide fuel cell having a power generating cell formed by arranging a fuel electrode layer and an air electrode layer on both surfaces of a solid electrolyte layer 3, respectively, a first fuel electrode layer 4a composed of a mixture 10 of Ni and samarium-containing ceria is formed at an interface of the fuel electrode layer and the solid electrolyte layer 3.
固体電解質層３の両面に燃料極層と空気極層を配置した発電セルを備える固体酸化物形燃料電池において、前記燃料極層の前記固体電解質層３との界面にＮｉとサマリウム添加セリアの混合体１０による第１燃料極層４ａを形成する。 - 特許庁 - This semiconductor device is provided with a semiconductor layer including N and Ga, a conductive layer ohmic-connected to the semiconductor layer, a metal distributed region existing on an interface between the semiconductor layer and the conductive layer with metal distributed, and a metal intrusion region wherein the atoms of the metal exist by entering the semiconductor layer.
ＮおよびＧａを含む半導体層と、半導体層にオーミック接続される導電層と、半導体層と導電層との界面に金属が分布して存在する金属分布領域と、半導体層に金属の原子が侵入して存在する金属侵入領域と、を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The multilayer wiring structure of semiconductor device includes a first insulating layer (2) formed on a semiconductor wafer (1), a Cu wiring layer (4) formed on the first insulating layer (2), a second insulating layer (6) formed on the Cu wiring layer (4), and a metal oxide layer (5) formed at the interface between the Cu wiring layer (4) and the second insulating layer (6).
半導体装置の多層配線構造は、半導体ウェハ（１）上に形成した第１の絶縁層（２）と、前記第１の絶縁層上（２）に形成されるＣｕ配線層（４）と、前記Ｃｕ配線層上（４）に形成される第２の絶縁層（６）と、前記Ｃｕ配線層（４）と前記第２の絶縁層（６）との界面に形成される金属酸化物層（５）と、を備える。 - 特許庁 - The organic EL element includes an organic EL layer at least having an organic light emitting layer and an electron transport layer touching the cathode side of the organic EL layer between an anode and a cathode wherein the ionization potential of the organic light emitting layer is different from that of the electron transport layer by 0.2 eV or more on the interface of the organic light emitting layer and the electron transport layer.
陽極と陰極との間に、有機発光層と有機発光層の陰極側に接する電子輸送層とを少なくとも有する有機ＥＬ層を含む有機ＥＬ素子であって、有機発光層と電子輸送層との界面において、有機発光層のイオン化ポテンシャルが電子輸送層のイオン化ポテンシャルより０．２ｅＶ以上異なることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁 - Light signals can be transmitted along the optical waveguide layer 3 by total reflection on the interface between the core layer 1 and the cladding layer 2, and at the same time electric signals can be transmitted by the conductive metal layer 4 that is formed on the optical waveguide layer 3 having electric insulating properties.
コア層１とクラッド層２の界面で全反射させることによって光導波層３に沿って光信号を伝送させることができると共に、電気絶縁性を有する光導波層３の表面に形成した導電金属層４によって電気信号を伝送させることができる。 - 特許庁 - The read durability can be improved by introducing a thermally stable diffusion prevention layer between a signal reading layer comprising Sb or Te and a protection layer to block or regulate reaction due to temperature rise in the interface between the signal reading layer and the protection layer.
本願発明においては、Ｓｂ又はＴｅから成る信号再生機能層と保護層との間に、熱的に安定な拡散防止層を導入することにより、信号再生機能層と保護層界面の昇温に伴う反応を阻止または抑制し、再生耐久性を上げることができる。 - 特許庁 - Here, the metal base layer 12 includes an interface with an adjacent layer of the plurality of layers and is provided with a layer 14 formed by an amorphous alloy containing the group V metal and a layer 15 formed by a crystalline metal containing the group V metal common to the above layer 14.
ここで、金属ベース層１２は、上記複数の層の内の隣接する層との界面を含むと共に、５族金属を含むアモルファス合金により形成される層１４と、上記層１４と共通する５族金属を含有する結晶質金属により形成される層１５と、を備える。 - 特許庁 - A ferroelectric layer includes a first ferroelectric layer, having a first crystalline aggregate system forming a main part of a ferroelectric layer and a second ferroelectric layer, having a second separate crystalline aggregate system forming an interface layer between a main part and one electrode.
強誘電体層は、強誘電体層の主要部を形成する第１の結晶集合組織を備えた第１の強誘電体層と、主要部と一方の電極との間に界面層を形成する第２の別の結晶集合組織を備えた第２の強誘電体層とを含む。 - 特許庁 - The laminate for laser processing is provided with a polymer layer for laser processing composed by crosslinking a polymer composition containing an ethylene copolymer, and a base layer laminated on one face of the polymer layer for laser processing, wherein the polymer layer and the base layer can be peeled on an interface.
本レーザー加工用積層体は、エチレン系共重合体を含む重合体組成物を架橋してなるレーザー加工用重合体層と、レーザー加工用重合体層の一面に積層された基材層を備え、レーザー加工用重合体層と基材層とを界面剥離することができる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a substrate, a first semiconductor layer provided on the substrate, and an energy band gap provided on the first semiconductor layer and larger than the first semiconductor layer and induces a two-dimensional electron gas on an interface between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer.
半導体装置が、基板と、基板の上に設けられる第１の半導体層と、第１の半導体層の上に設けられ、第１の半導体層より大きなエネルギーバンドギャップを有し、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に２次元電子ガスを誘起する。 - 特許庁 - The graded semiconductor layer between a GaN layer 120 and an AlGaN layer 118 of the nitride-based semiconductor laser structure 100 reduces the threshold voltage of the laser structure by reducing the electric potential barrier at an interface between the GaN layer 120 and the AlGaN layer 118.
窒化物系半導体レーザ構造１００のＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との間の勾配つき半導体層は、ＧａＮ層１２０とＡｌＧａＮ層１１８との界面における電位障壁を低減することで、レーザ構造の閾値電圧を低減する。 - 特許庁 - The laminate having a surface layer and the polyester film layer includes an easily releasable resin layer prepared by mixing a polyolefin and cyclic olefin copolymer wherein the interface between the polyester film layer and the easily releasable rein layer is a releasing plane.
表面層と、ポリエステル系フィルム層と、を有する積層体であって、表面層とポリエステル系フィルム層との間に、ポリオレフィンと、環状オレフィンコポリマーとを混合した易剥離樹脂層とを有し、ポリエステル系フィルム層と易剥離樹脂層との界面が剥離面となることを特徴とする。 - 特許庁 - The antireflection layer 138 has a refractive index n between the refractive index of the first layer and the refractive index of the second layer; and has a thickness of λ/4n when λ represents a wavelength of the light-emitting element, whereby a reflection loss at the interface between the barrier layer 137 and the organic intermediate layer 139 can be reduced.
反射防止層１３８は、第１層の屈折率と、第２層の屈折率と、の間の屈折率ｎを備え、発光素子波長をλとした場合λ／４ｎの厚さを備えることで、バリア層１３７と有機中間層１３９界面での反射損失低減を可能とした。 - 特許庁 - The optical film is made by disposing a hard coat layer, a high gradient-index hard coat layer and a low refractive index layer on a substrate, wherein a refractive index in the neighborhood of an interface between the hard coat layer and the substrate is continuously changed or a refractive index of the hard coat layer is approximated to the refractive index of the substrate.
基材上にハードコート層、高屈折率傾斜ハードコート層、及び低屈折率層を設けた光学フィルムであって、ハードコート層と基材の界面近傍の屈折率が連続的に変化してなるか、又はハードコート層の屈折率が基材の屈折率と近似してなる光学フィルム。 - 特許庁 - This MgB_2 superconductive wire has a MgB_2 super-conductor in its center, a first metal layer on its outside, and a second metal layer on the outside of the first metal layer, and the size of the crystal grain of metal in the first metal layer and the second metal layer decreases as the location of the crystal grain approaches the interface between both metal layers.
本発明のMgB_2超電導線材は、中心のMgB_2超電導体と、その外側の第１の金属層と、その外側の第２の金属層と、を有し、第１の金属層と第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、両者の界面に近づくに従って小さくなっている。 - 特許庁 - With a phosphorescent luminous element having at least an electrode, a luminous layer containing a host material and a phosphorescent material, and a hole block layer, a high-efficiency and long-life luminous element is realized by providing a layer made of the host material on an interface of the luminous layer and the hole block layer.
少なくとも電極と、ホスト材料と燐光材料とを含む発光層と、正孔ブロック層とを有する燐光発光素子において、発光層と正孔ブロック層の界面に、前記ホスト材料からなる層を設けることにより、高効率で長寿命の発光素子を実現することができる。 - 特許庁 - To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.
高融点金属層／金属バリア層／シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁 - In the epitaxial wafer for semiconductor devices wherein a collector layer (3) consisting of at least a group III-V compound semiconductor, a base layer (4), and an emitter layer (5) are laminated and formed on a substrate (1), C density distribution in the base layer (4) is low near an interface between the emitter layer (5) and it.
基板(1)上に、少なくともIII−Ｖ族化合物半導体からなるコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)が積層形成された半導体装置用エピタキシャルウェハにおいて、ベース層(4)中のＣ濃度分布が、エミッタ層(5)との界面近傍において低濃度になっている。 - 特許庁 - The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.
この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁 - A separable tape having a pressure sensitive adhesive layer on the lowest layer and multi-layer structure capable of peeling off in a layer on an interface is stuck on a current collector made of a long metal foil, and the active material layer is formed on the current collector part of which is covered with the separable tape.
長尺状の金属箔からなる集電体上に最下層に粘着剤層を有し、界面で層状にはがすことが可能な多層構造を有する剥離性テープを貼り付けて、前記剥離性テープに一部が被覆された集電体上に活物質層を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate.
拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a silicon wafer for lowering an interface level between a surface silicon layer of an SOI substrate having an embedded oxide film and the embedded oxide layer, and also to provide a silicon wafer having a lower interface level manufactured by the manufacturing method.
埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ基板の表面シリコン層と埋め込み酸化層との界面準位を低減できるシリコンウェーハの製造方法およびその製造方法で製造した界面準位の低いシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁 - To provide a power module substrate with a heat sink and a power module with a heat sink, which can prevent the occurrence of a warp and the occurrence of peeling at an interface between a circuit layer and an insulating substrate and an interface between a metal layer and the insulating substrate under the load of a thermal cycle.
反りの発生や熱サイクル負荷時の回路層と絶縁基板の界面及び金属層と絶縁基板の界面での剥離を防止することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュールを提供する。 - 特許庁 - The separation structure 50 is a layer for generating distortion energy in at least one of the inside of the separation structure 50, the interface between the separation structure 50 and solar cell layer 20, and the interface of the separation structure 50 and seed substrate 1.
分離用構造体５０は、分離用構造体５０の内部、分離用構造体５０と太陽電池層２０との界面、及び、分離用構造体５０とシード基板１との界面、の少なくとも１つに歪みエネルギーを生じさせる層である。 - 特許庁
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