「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 .... 50 51 次へ＞- To provide a wiring board in which delamination or the like is hard to occur in the vicinity of an interface between an insulating layer and an electrode pad formed in a recess of the insulating layer.
絶縁層と、絶縁層の凹部に形成される電極パッドとの界面近傍にデラミネーション等が生じにくい配線基板を提供する。 - 特許庁 - The ultrasonic flaw detector 7 inspects the peeling damage state at the interface of a ceramic layer X and a corrosion-resistant alloy layer Y at the position of a moving destination in a non-destructive state.
超音波探傷器７は、移動先位置でセラミック層Ｘと耐食合金層Ｙの界面における剥離損傷状況を非破壊検査する。 - 特許庁 - This method can be applied to an interface between an a-Si layer and an active semiconductor layer, and the method can be also applied to a back channel type or an etching stop type TFT.
この方法はａ−Ｓｉの活性半導体層との界面であれば応用でき、またバックチャンネルエッ型やエッチストップ型ＴＦＴにも応用可能である。 - 特許庁 - This can reduce a stress at an interface between the n-type SiC drift layer 23 and the n-type SiC buffer layer 22, so that a forward voltage can be reduced.
これにより、ｎ型ＳｉＣドリフト層２３とｎ型ＳｉＣバッファ層２２との界面の応力を低減でき、順方向電圧を低減できる。 - 特許庁 - A particle 6 having hardness higher than that of the material constituting the intermediate layer 3 is driven into a part of the intermediate layer 3, adjacent to the jointing interface.
中間層３のセラミックス部材２との接合界面近傍には、中間層３の構成材料より高硬度の粒子６が打ち込まれている。 - 特許庁 - The thick silicon oxide film (second insulating film) 25a prevents oxygen from entering an interface between an embedded insulating layer 12 and the semiconductor layer 13.
この厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａによって埋込み絶縁層１２と半導体層１３との界面への酸素の侵入を防ぐ。 - 特許庁 - A buffer layer 13 composed of AlxGa1-xN (0<x<1) is arranged below a GaN electron transit layer 14, and negative piezoelectric charges are accumulated in this interface.
ＧａＮ電子走行層１４の下側にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）バッファ層１３を設けこの界面に負のピエゾ電荷を蓄積する。 - 特許庁 - To obtain a system and a method for ashing, in which the interface between the hardened surface layer and the unhardened inner layer of resist can be detected by implanting ions.
アッシング装置およびアッシング方法において、イオン注入によってレジストの表面硬化層と内部の非硬化層との界面を検知できるようにする。 - 特許庁 - To provide a transistor with an excellent interface state between an oxide semiconductor layer and an insulation film in contact with the oxide semiconductor layer, and a manufacturing method for the transistor.
酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。 - 特許庁 - Thus the number of PHY layer functions in subscriber interface functions 2A to 2N is increased to 32×N to connect them to the ATM layer function 1.
これにより、ＡＴＭレイヤ機能１に対して加入者インタフェース機能２Ａ〜２Ｎ内のＰＨＹレイヤ機能を３２×Ｎに増大して接続可能となる。 - 特許庁 - A pair of the electrodes 16 and the heating resistor layer 15 is connected through a solid solution layer 22 formed on these interface regions.
そして、これ等の一対の電極１６と発熱抵抗体層１５は、これ等の界面領域に形成した固溶体層２２を介して接続する構造になる。 - 特許庁 - The surface density of dangling bonds at the interface between the semiconductor layer 3 and the first tunnel insulating layer T1 is 3×10^14/cm^2 or less.
半導体層３と第１トンネル絶縁層Ｔ１との間の界面におけるダングリングボンドの面密度が３×１０^１４／ｃｍ^２以下である。 - 特許庁 - The lower-layer insulating film 7a is made up in a laminated structure of a silicon nitride film 7aa, a silicon oxide film 7ab, an interface layer 7ac and a silicon oxide film 7ad.
下層絶縁膜７ａがシリコン窒化膜７ａａ／シリコン酸化膜７ａｂ／界面層７ａｃ／シリコン酸化膜７ａｄの積層構造により構成されている。 - 特許庁 - 5B element is contained as a major compound element on an interface (middle layer 104), between the p-type semiconductor layer 103 and the p-side electrode 105.
ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 - 特許庁 - The negative electrode layer 14 in this lithium battery 1 contains at least Li, and the interface layer 16 contains at least fourteenth group element in the Periodic Table.
このリチウム電池１における負極層１４は、少なくともＬｉを含有し、界面層１６は、少なくとも周期律表第１４族元素を含有する。 - 特許庁 - Doping of zirconium oxide with an effective amount of the lanthanide series oxide results in the formation of a dense reactive layer at an interface between the outer layer of TBC and CMAS.
ジルコニウム酸化物に有効量のランタン系列酸化物をドープすると、ＴＢＣの外側層とＣＭＡＳとの界面に稠密な反応層が形成される。 - 特許庁 - The organic thin film transistor element comprises a gate insulation layer containing titanium oxide and an organic semiconductor layer having an oriented film formed on at least one interface.
酸化チタンを含有するゲート絶縁層及び、少なくとも一方の界面に配向膜が形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ素子。 - 特許庁 - The soluble material is applied on the interface between the resist and the uppermost layer of the semiconductor disk 1 to adhere with the uppermost layer of the semiconductor disk 1.
この可溶性の材料は、半導体ディスク１の最上層との境界面において半導体ディスク１の最上層と接着するために、塗布されている。 - 特許庁 - A p^+ impurity area 4 is formed in the n^- semiconductor layer 3 from the surface of the n^- semiconductor layer 3 to the interface of the p^- semiconductor substrate 1.
ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の表面からｐ^-半導体基板１との界面にかけてｎ^-半導体層３内部に形成されている。 - 特許庁 - The electron transit layer 16 and the electron supply layer 12 are formed into a heterojunction structure, and a two-dimensional gas channel 13 can be formed on the junction interface.
電子走行層１６と電子供給層１２とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１３を形成可能とする。 - 特許庁 - To provide a solid oxide fuel cell with low interface resistance between an electrolyte layer and a fuel electrode layer and high output performance.
電解質層と燃料極層との間の界面抵抗が低く、出力性能の高い固体酸化物形燃料電池を、提供することである。 - 特許庁 - An inorganic conductive layer is formed in an interface between the cathode and an organic compound layer with a material of a smaller work function than a cathode material.
本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁 - In a region on the interface between the buffer layer 13 and the electron gas layer 14, the end of the conduction band is less than the Fermi energy, and an electron gas can be accumulated.
バッファ層１３と電子ガス層１４との界面において伝導帯端がフェルミエネルギーを下回る領域には、電子ガス蓄積することができる。 - 特許庁 - The soluble material is applied on the interface between the resist and the uppermost layer of the semiconductor disk so as to adhere with the uppermost layer of the semiconductor disk.
この可溶性の材料は、半導体ディスクの最上層との境界面において半導体ディスクの最上層と接着するために、塗布されている。 - 特許庁 - A two-dimensional electron gas (2DEG) 212 is formed at a heterojunction interface of the group III-V semiconductor layer and the second group III-V intrinsic layer.
前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層と前記第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層とのヘテロ接合界面に二次元電子ガス（２ＤＥＧ）２１２が形成される。 - 特許庁 - The source electrode 4 is formed so as to contact the source region 16 and has an adhesion layer 41 in which the interface between the adhesion layer 41 and the source region 16 is silicided.
ソース電極４は、ソース領域１６に接するように形成され、ソース領域１６との界面がシリサイド化された密着層４１を有する。 - 特許庁 - An inorganic electric conduction layer is formed using a material, which has a smaller work function for the interface between the negative electrode and an organic compound layer rather than the negative electrode material.
本発明では、陰極と有機化合物層との界面に陰極材料よりも仕事関数が小さい材料を用いて無機導電層を形成する。 - 特許庁 - In the information recording medium, having a substrate and a recording layer for recording information by a phase change reaction by the application of laser beams, a first interface layer containing at least one element among Bi, Sn, and Pb is provided in contact with the recording layer, and a first protective layer containing Sn and oxygen is provided at a side opposite to the recording layer of the first interface layer.
基板と、レーザービームの照射による相変化反応により情報の記録が行われる記録層とを備えた情報記録媒体において、記録層と接してＢｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有された第１界面層を設けると共に、当該第１界面層の記録層とは反対側に、Ｓｎと酸素が含有された第１保護層を備える。 - 特許庁 - A thin insulating layer are sandwiched between a substrate of semiconductor containing no impurity and a metal layer in contact with each other, a voltage is applied between the semiconductor and the metal layer so that the metal layer becomes negative, and a hole is induced in a thin layer just below an interface of the semiconductor on the interface of the insulating layer and semiconductor to produce the superconductivity by hole conduction due to hole inducement.
不純物を含まない半導体の基板と金属層との間に薄い絶縁層を接触挟持させ、更に半導体と金属層の間に金属層を負になるように電圧をかけ、絶縁層と半導体の境界面に於いて、半導体の境界面直下の薄い層内にホールを誘起させ、ホール誘起によるホール伝導で超伝導を出現させる。 - 特許庁 - The semiconductor layer has a hetero structure that a first layer (SiGe layer 14) containing at least Si and Ge, and a second layer (Si layers 13, 16) having a composition different from the first layer and containing at least an Si are laminated in such a manner that a carbon exists in the interface region between the first layer and the second layer.
半導体層は、少なくともＳｉおよびＧｅを含む第１層（ＳｉＧｅ層１４）と、前記第１層と異なる組成を有し、かつ少なくともＳｉを含む第２層（Ｓｉ層１３，１６）と、が積層されたヘテロ構造を有し、前記第１層と前記第２層との界面領域に炭素が存在する。 - 特許庁 - The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.
下部シールド層１０と上部シールド層１９との間に、ピン層１４ａ、１４ｂとフリー層１７とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層１４ａの下層に、界面にMn層２２を挟んで、Mｎ系反強磁性材からなる反強磁性層１３が設けられている。 - 特許庁 - Then, the microcrystalline grains and amorphous silicon layer come into contact with each other to improve the interface area.
よって、微結晶粒とアモルファスシリコン層とが接触することとなり、界面積を向上させることができる。 - 特許庁 - METHOD FOR PREVENTING EMBRITTLEMENT AND ENHANCING BONDING FORCE OF INTERFACE BETWEEN TITANIUM USING SILVER DIFFUSION-CONTROLLED LAYER AND DISSIMILAR METAL
銀拡散制御層を使用したチタンと異種金属接合部の脆性防止及び接合力向上方法 - 特許庁 - To improve device characteristics by suppressing or preventing deterioration in a Schottky interface caused by a material of a bonding metal layer.
ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。 - 特許庁 - In the gate insulation film 120, an interface layer 110 and a high dielectric constant film 112 are stacked.
ゲート絶縁膜１２０は、界面層１１０と高誘電率膜１１２とを積層した構成を有している。 - 特許庁 - Light from the organic layer 20 is reflected at an interface between the side face and the bonding part 12, and irradiated outside.
有機ＥＬ層２０からの光は、側面と接着部１２の界面において反射しつつ、外部に出射する。 - 特許庁 - To measure the conductivity of the interface of a metal layer and a dielectric substrate.
金属層と誘電体基板との界面の導電率を測定することのできる新規な測定方法を提供する。 - 特許庁 - DYNAMIC EXECUTION LAYER INTERFACE FOR EXPLICITLY OR TRANSPARENTLY EXECUTING APPLICATION OR SYSTEM BINARIES
アプリケーション・バイナリ又はシステム・バイナリを明示的又は透過的に実行するためのダイナミック・エグゼキューション・レイヤ・インターフェイス - 特許庁 - To form a good interface between a III-V compound semiconductor and an oxide layer by a practically simple method.
実用的に簡単な手法で、良好な３−５族化合物半導体と酸化層との界面を形成する。 - 特許庁 - Moisture absorption of the interface after dehydration is prevented and performance deterioration due to contained moisture of the organic EL layer is avoided.
脱水後のインターフェースの水分吸収を防ぎ、有機ＥＬ層の含水による性能劣化を回避する。 - 特許庁 - A signal applied to this formed cycle start packet is outputted outside via a physical layer interface 20.
この生成サイクル・スタート・パケットにかかる信号は、物理層インターフェース２０を経由して外部に出力される。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of non-light-emitting recombination in an interface of a GaAs layer in which a diffraction grating is formed.
ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。 - 特許庁 - To manufacture a membrane electrode assembly low in proton conductivity resistance at an interface between an electrolyte membrane and a catalyst layer.
電解質膜と触媒層との界面におけるプロトン伝導抵抗が低い膜電極接合体を製造する。 - 特許庁 - To provide a high electron mobility transistor having an indium/gallium/nitride layer in which stress on a buffer interface is reduced.
バッファ界面のストレスが低減した、インジウムガリウムナイトライド層を有する高電子移動度トランジスタを提供する。 - 特許庁 - Two diffraction gratings 23A and 23B are formed on the interface between a substrate 10 and an n-type cladding layer 11.
基板１０とｎ型クラッド層１１との界面に２つの回折格子２３Ａ，２３Ｂが形成されている。 - 特許庁 - A higher rank layer is constituted so as not to be made dependent or a hardware driver 30 or a hardware 40 by a second interface 22.
第２のインタフェース２２により上位レイヤーはハードウェアドライバ３０とハードウェア４０に依存しない構成とする。 - 特許庁 - The optical information recording medium 100 has interface layers 103 and 105 adjacent to a recording layer 104.
光学的情報記録媒体１００は、記録層１０４に隣接して、界面層１０３、１０５を有する。 - 特許庁 - To prevent increase in the on-state resistance, due to interface level generated between a gate insulated film and a channel layer.
ゲート絶縁膜とチャネル層との間に発生する界面準位に起因したオン抵抗の増加を防止する。 - 特許庁 - To provide an X-ray detector suppressing interface peeling of a protection layer, and ensuring various characteristics and reliability.
保護層の界面剥離を抑制し、諸特性および信頼性を確保したＸ線検出器を提供する。 - 特許庁 - To improve device characteristics by suppressing or preventing deterioration of a Shottky interface due to the material of a bonding metal layer.
ボンディングメタル層の材料によるショットキ界面の劣化を抑制または防止して、デバイス特性を改善する。 - 特許庁
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