「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 50 51 次へ＞- The interface of the unevenness pattern 11a and the carbon layer 2 is separated to obtain a mold 1A for molding a fine structure.
凹凸パターン１１ａとカーボン層２の界面を剥離し、微細構造体成形用型材１Ａを得る。 - 特許庁 - When TBC is manufactured by the above method, a thin aluminum oxide layer is formed on a top coat/bond coat interface.
上述の方法でＴＢＣを作製すると、トップコート／ボンドコート界面に薄い酸化アルミの層が生成する。 - 特許庁 - Moreover, the interface of a solid electrolyte layer 20 becomes easy to be adhered, and the formation of an ion conductive path becomes dense.
また固体電解質層２０はその界面が密着し易くなり、イオン伝導パスの形成が密となる。 - 特許庁 - Protective agent 6 for protecting a wiring 1 is dispersively arranged in spots on an interface between a via 3 and a wiring layer 2.
ビア３と配線層２との間の界面に配線１を保護する保護剤６を斑状に分散配置する。 - 特許庁 - If the interface is with the active semiconductor layer of amorphous silicon, the process can be applied to other purposes.
アモルファスシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異なプロセスを応用することが可能である。 - 特許庁 - A small amount of the substrate is also oxidized to create a good interface between the substrate and the oxide layer formed.
基板の少量もまた酸化されて、基板と形成される酸化物層との間の優れた界面を作り出す。 - 特許庁 - A wire interface portion 204 transmits the packet to which the VLAN-ID has been added, to a VLAN layer 2 switch 103.
有線インターフェース部２０４は、そのＶＬＡＮ−ＩＤが付与されたパケットをＶＬＡＮレイヤ２スイッチ１０３に送信する。 - 特許庁 - This structure functions as a nonvolatile memory which can prevent a back flow of ions by an ion transfer barrier layer of an interface.
界面のイオン輸送障壁層によってイオンの逆流を防ぐことができ不揮発性メモリとして機能する。 - 特許庁 - The optical recording medium 10 includes: a recording layer 2 which is formed on a substrate 1 and made of a In-Co based alloy or an Sn-Co based alloy to record data by ablative recording; an interface layer 11 formed on the recording layer 2 and made of a tungsten oxide; and a light transmission layer 3 formed on the interface layer 11.
基板１上に形成され、Ｉｎ−Ｃｏ系合金又はＳｎ−Ｃｏ系合金から成り、穴あけ記録により記録が行われる記録層２と、この記録層２上に形成され、タングステン酸化物から成る界面層１１と、この界面層１１上に形成された光透過層３とを含む光記録媒体１０を構成する。 - 特許庁 - Here, a separate collar 130 is arranged, by covering a separate collar nitride interface barrier layer 125 provided between a separate collar oxide layer and the trench sidewall 32, and a vertical gate oxide film 160 is arranged, covering the gate nitride interface layer 1250 provided between the gate oxide layer and trench sidewall 32.
ここで、分離カラー１３０は分離カラー酸化物層とトレンチ側壁３２との間に設けられた分離カラー窒化物界面障壁層１２５を覆って配置されており、垂直ゲート酸化膜１６０はゲート酸化物層とトレンチ側壁３２との間に設けられたゲート窒化物界面層１２５０を覆って配置されている。 - 特許庁 - There is provided a method for evaluation of the chemical state and/or the electronic state in vicinity of an interface between a conductive layer and an organic layer contained in a sample which is target to be measured by measuring energy of photoelectron generated by irradiation of the interface between the conductive layer and the organic layer with hard X ray.
評価対象の試料が導電性層と有機層を有し、該導電性層と該有機層の界面に硬Ｘ線を照射することにより発生する光電子のエネルギーを測定することによる該導電性層と該有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法。 - 特許庁 - A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.
ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁 - A host interface module 60, an encryption decoding module 70, a physical layer transmission interface module 81, and a physical layer reception interface module 82 receiving a request from a control section 10 or a physical layer module 90 receive an access permission signal from an arbiter 40 according to the priority with respect to accesses and thereafter access the shared memory 50.
制御部１０または物理層モジュール９０からの要求を受けてホストインターフェースモジュール６０、暗号復号モジュール７０、物理層送信インターフェースモジュール８１および物理層受信インターフェースモジュール８２は、アクセスに関する優先順位に従ってアービタ４０からアクセス許可信号を供給された後に共有メモリ５０にアクセスする。 - 特許庁 - To provide a physical layer interface capable of detecting a transmission defect of the physical layer interface itself or informing of occurrence of a fault of a transmission apparatus body on the TCP/IP protocol basis without the need for installing excess hardware and software to the transmission apparatus body.
伝送機器本体に過剰なハードウェアおよびソフトウェアを実装することなく、物理層インタフェース自体の伝送不具合の検出、またはＴＣＰ／ＩＰプロトコルベースの伝送機器本体の障害発生の通知ができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which oxide films each having a uniform and optimum film thickness are formed on an interface between a lower-layer electrode and an upper-layer electrode of a memory cell, and an interface between a substrate and a diode electrode of a protective diode.
メモリセルにおける下層電極と上層電極との界面及び保護ダイオードにおける基板とダイオード電極との界面に、均一で且つ最適な膜厚の酸化膜が形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - A photodiode chip 1B has a first p-n junction region, formed at an interface between a region 13 and an epitaxial layer 12, and a second p-n junction region formed at an interface between a region 17 and an epitaxial layer 12.
フォトダイオードチップ１Ｂは、領域１３とエピタキシャル層１２との界面に形成される第１のｐｎ接合領域と、領域１７とエピタキシャル層１２との界面に形成される第２のｐｎ接合領域とを有する。 - 特許庁 - In addition, since contact resistances can be reduced in an interface between the source electrode 3 and the organic semiconductor layer 8 and an interface between the drain electrode 4 and the organic semiconductor layer 8, the mobility of electric charges of the thin-film organic transistor 1 is improved.
さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 - 特許庁 - The void aggregate defects in a silicon layer 3 is set to 1×10^4/cm^2 or more, and the interface defects 6 on the interface at least between a surface oxide film 4 and the silicon layer 3 is set to 1×10^11/cm^2 or less.
シリコン層３中の空孔集合体欠陥５を１×１０^4 個／ｃｍ^2 以上にするとともに、少なくとも、表面酸化膜４／シリコン層３の界面の界面欠陥６を１×１０^11個／ｃｍ^2 以下にする。 - 特許庁 - To decrease interface resistance and suppress transmission loss of electrons by increasing the adhesion strength on the interface between a transparent conductive film layer for a dye-sensitized solar cell and a layer comprising a fine particle group.
色素増感太陽電池用の透明導電膜層と金属酸化物の微粒子群からなる層との界面における密着強度を向上させることにより、該界面抵抗を低下させ、電子の伝達損失を抑制する。 - 特許庁 - To appropriately suppress variations in a reflection factor due to the mutual interference of each reflection light on the upper surface of an SOI wafer, an interface between an SOI layer and an insulating film, and an interface between the insulating layer and a support substrate for the application of laser beams related to dicing.
ダイシングに係るレーザ光照射に際しての、ＳＯＩウェハ上表面、ＳＯＩ層＝絶縁膜界面、絶縁層＝支持基板界面における各反射光の相互干渉による反射率の変動を好適に抑制する。 - 特許庁 - In the layer 9, a hybrid alignment 13 is formed, wherein the director is controlled to be aligned in a nearly horizontal direction in an interface with the underlayer 4 and gradually becomes vertical to the substrate surface as being apart from the interface in the layer thickness direction.
層９では、ディレクタの配向方向が、下地層４との界面ではほぼ水平方向へ制御され、界面から層厚方向へ遠ざかるほど、基板面に垂直な方向へ徐々に近づくハイブリッド配向１３が形成される。 - 特許庁 - To provide an interface regulation method by an ion exchange resin which rapidly locates a separation interface between an anion exchange resin layer and a cation exchange resin layer in a desired position when separating the ion exchange resin in a separation tower.
イオン交換樹脂を分離塔内で分離する際、アニオン交換樹脂層とカチオン交換樹脂層との分離界面を所望の位置に迅速に位置付けることができるイオン交換樹脂の界面調整方法を提供する。 - 特許庁 - The interference light 56 is generated by interference of first reflection light 54a from a first interface 52a of the visible information recording layer 24 and second reflection light 54b from a second interface 52b of the visible information recording layer 24.
この場合、干渉光５６は、可視情報記録層２４の第１界面５２ａからの第１反射光５４ａと、可視情報記録層２４の第２界面５２ｂからの第２反射光５４ｂとの干渉によって発現する。 - 特許庁 - The crystal-growth inhibitor layer 22, by inhibiting crystal growth of the layer formed thereon, limits an average in-surface particle diameter of the inner ferromagnetic layer 26a to a range between 3 nm and 8 nm, so that an interface between the inner ferromagnetic layer 26a and the coupling layer 26b is flattened.
結晶成長抑制層２２は、その上に形成される層の結晶成長を抑制することにより、強磁性内側層２６ａの平均面内粒径を３ｎｍ〜８ｎｍとし、これにより結合層２６ｂの界面を平坦化するようになっている。 - 特許庁 - When a bias voltage is applied to the electrode layer 105 in the positive direction, a band on an interface between the p-type semiconductor layer 103 and the insulating layer 104 is distorted, so as to make the bottom of the band equal to or lower than Fermi energy on the p-type semiconductor layer 103 side and to form a population inversion layer.
電極層１０５に正の方向にバイアス電圧を印加すると、ｐ型半導体層１０３と絶縁層１０４との界面のバンドが歪み、ｐ型半導体層１０３の側でバンドの底がフェルミエネルギー以下となり反転分布層が形成される。 - 特許庁 - Further, the wiring layer 50 in the wiring region 54 is partially buried in the insulating resin layer 40, and an interface between the insulating resin layer 40 and a protective layer 70 is positioned in at least a part of a side face of the wiring layer 50 in the wiring region 54.
さらに、配線領域５４における配線層５０は、絶縁樹脂層４０に部分的に埋め込まれており、配線領域５４における配線層５０の側面の少なくとも一部に絶縁樹脂層４０と保護層７０との境界が位置している。 - 特許庁 - A method for manufacturing a compound semiconductor device comprises a step of forming a delta-doped layer 112, having impurity concentration higher than that of a collector layer 103 on a region of about 10 nm or smaller, from a heterojunction interface to a set-back layer 104 of a collector layer 103, having a band gap larger than that of a base layer 105.
ベース層１０５よりもバンドギャップが大きいコレクタ層１０３におけるセットバック層１０４とのヘテロ接合界面から１０ｎｍ程度以内の領域に、コレクタ層１０３よりも不純物濃度が高いデルタドープ層１１２が形成されている。 - 特許庁 - The p-type clad layer of a GaN semiconductor laser is constituted of two or more semiconductor layers having different band gaps and, in addition, the part of the p-type clad layer near the active layer-side interface of the layer is constituted of a semiconductor layer having a larger band gap than the other part has.
ＧａＮ系半導体レーザのｐ型クラッド層を互いにバンドギャップの異なる２以上の半導体層により構成し、かつ、ｐ型クラッド層の活性層側の界面近傍の部分を他の部分に比べてバンドギャップの大きい半導体層により構成する。 - 特許庁 - The first layer 31 and the second layer 33 are made of the same material, and stresses, caused by the difference in the thermal expansion coefficients and degradation in bond strength, are reduced at the interface of the jointing faces of the first layer 31 and the second layer 33 and sealed state of the scintillator layer 32 is maintained.
第１の保護層31と第２の保護層33とを同じ物質で形成し、第１の保護層31と第２の保護層33との接合面の界面における結合強度の劣化や熱膨張係数差による応力を低減し、シンチレータ層32の密閉状態を維持する。 - 特許庁 - The physical layer device 21 is equipped with a link layer interface 2, a physical layer logic circuit 3 and boards 4-6 and further is equipped with a testing link layer circuit 22 in the inside, a testing physical layer logic circuit 23 and switches 24-26.
この物理層デバイス２１は、リンク層インターフェース２、物理層ロジック回路３、およびポート４〜６の他に、物理層ロジック回路３とポート４〜６の動作をテストするために、テスト用リンク層回路２２、テスト用物理層ロジック回路２３、およびスイッテ２４〜２６を内部に備えている。 - 特許庁 - By this method, the metal layer 4 is prevented from being easily peeled from the resin layer before used but the metal layer 4 is easily transferred when the transfer sheet is used if the resin layer 3 and the base film 2 are peeled at the interface of both of them.
これによって、使用以前には、樹脂層３から金属層４が容易に剥離されることを防止でき、また、使用時には、樹脂層３とベースフィルム２とを、それらの界面で剥離させれば、金属層４を容易に転写できる。 - 特許庁 - The film has a coating structure consisting of three layers of: a black layer containing a low-order oxide of zinc on an interface between itself and the plated surface; a phosphated layer thereon; and a zinc-free oxide layer of chromium/phosphorus on the outermost layer.
この皮膜は、めっき表面との界面の亜鉛の低次酸化物を含んだ黒色層と、その上のリン酸塩層と、最上層の亜鉛を含有しないクロム／リンの酸化物層の３層からなる皮膜構造を有する。 - 特許庁 - Since a different kind of material is eliminated from the interface between the carrier transporting layer 2 and the organic light-emitting layer 1, the injection efficiency of the carriers (electron and hole) from the carrier transporting layer 2 into the organic light-emitting layer 1, is heightened.
キャリア輸送層２と有機発光層１の間に異種材料の界面が存在しないようにすることができ、キャリア輸送層２から有機発光層１へのキャリア（電子やホール）の注入効率を高めることができる。 - 特許庁 - The optical waveguide is produced by forming clad layers 2 on both faces of a core layer 1 and forming a grating layer 10 on the interface between the core layer 1 and one clad layer 2.
コア層１の両面にクラッド層２を形成し、コア層１と一方のクラッド層２の境界面に回折格子層１０を形成してなる光導波路の外側に、該光導波路の導波面と平行して記録層４を配置する。 - 特許庁 - By corrugating the interface 4 between a heat resistant resin layer 2 and the PFA layer 3, the adhesion of the PFA layer 3 to the heat resistant resin layer 2 is improved, and the heat resistant, non-sticky precoated metal sheet utilizing the excellent non-stickiness and durability of the PFA is obtained.
耐熱樹脂層２とPFA層３との界面４を波形化することにより、耐熱樹脂層２に対するPFA層３の密着性が向上し、PFAの優れた非粘着耐久性を活かした耐熱非粘着プレコート金属板となる。 - 特許庁 - The display device includes a liquid crystal layer 22 and a pair of substrates 12 and 14 between which the liquid crystal layer 22 is sandwiched, where a liquid crystal molecule state in the vicinity of the substrate side interface of the liquid crystal layer 22 is fixed irrespective of a voltage applied to the liquid crystal layer.
液晶層22と、液晶層22を挟持する一対の基板12,14と、を有し、液晶層22の基板側界面近傍における液晶分子の状態が、液晶層に印加される電圧によらず固定されている。 - 特許庁 - A single dielectric stack comprising a gate dielectric layer 1, a dielectric capping layer 2, and a dielectric capping layer 2", and one metal layer overlying the dielectric stack, are first deposited, forming a metal-dielectric interface.
ゲート誘電体層１と誘電体キャップ層２および誘電体キャップ層２’’とを含む１つの誘電体スタックと、誘電体スタックを覆う１つの金属層とが、最初に形成され、金属−誘電体界面を形成する。 - 特許庁 - Preferably, the interface between the primer layer and the conductive ink printed layer intrudes each other alternately, and mixture regions wherein a primer component and a conductive ink component are mixed are present in the primer layer and the conductive ink printed layer.
なお、好ましくは、プライマー層と導電インキ印刷層の界面が交互に入り組んでいたり、プライマー層と導電インキ印刷層との領域中に、プライマー成分と導電インキ成分とが混合している混合領域が存在する。 - 特許庁 - In this case, nitrogen is prevented from being transmitted through the high dielectric metal oxynitride film 21-1 in the first layer to reach the surface of the silicon layer(first electrode 12), and a silicon nitride(SiN) layer will no longer be prevented from being formed on the interface of the silicon layer.
このとき、窒素が１層目の高誘電体金属酸窒化膜２１−１を突き抜けてシリコン層（第１電極１２）の表面に到達することがなく、ＳｉＮ層がシリコン層の界面に形成されることがなくなる。 - 特許庁 - The method for producing the silica inclusion body of the medicament includes preparing a two-layer separated liquid comprising a layer of an aqueous solution of the medicament and a liquid layer of an alkoxysilane to form the silica inclusion body of the medicament at the interface of the two-layer separated liquid.
薬物の水性溶液の層とアルコキシシランの液層からなる二層分離液を調製して、該二層分離液の界面において薬物のシリカ封入体を生成させる、薬物のシリカ封入体の製造方法。 - 特許庁 - On the regrowth interface regulation layer 18, an n-type clad layer 19 and an n-type contact layer 20 are formed by selective horizontal growth method to cover the opening of the current constriction insulating layer 17.
再成長界面調整層１８の上には、選択的水平方向成長法により電流狭窄絶縁層１７の開口部を覆うように再成長したｎ型クラッド層１９及びｎ型コンタクト層２０が形成されている。 - 特許庁 - The Al composition x of the second graded layer 105 linearly increases 0.1 to 0.3 from the interface between the layer 105 and the first graded layer 104 toward a surface opposite to the first graded layer 104.
第２グレーデッド層１０５のＡｌ組成ｘは、第１のグレーデッド層１０４との界面から第１のグレーデッド層１０４とは反対側の表面に向かって０.１から０.３にＡｌ組成ｘが直線的に増加している。 - 特許庁 - On the interface of the first metal layer M1 and a p-type contact layer 105b, nickel composing the first metal layer M1 bonds strongly to unnecessary matters such as dirt adhering to the contact layer 105b or its surface.
この時、この第１金属層Ｍ１とｐ型コンタクト層１０５ｂとの界面では、この第１金属層Ｍ１を構成するニッケルがｐ型コンタクト層１０５ｂやその表面に付着している汚れなどの不要物と強く結び付く。 - 特許庁 - Vapor-deposited molecules and molecule groups of an organic low molecule based material are diffused by heat-treatment in the vicinity of the interface of the organic low molecule layer 5 and the light emitting layer 4, and adhesive force of the organic low molecule layer 5 and the light emitting layer 4 is improved.
蒸着される有機低分子系材料の分子や分子団は加熱処理によって有機低分子層５と発光層４との界面付近で拡散し、有機低分子層５と発光層４との密着力が向上する。 - 特許庁 - A semiconductor element 1 is constituted by stacking an interface level control layer 5, a semiconductor layer 4, a source electrode 2, a drain electrode 3, a gate electrode 7, a gate insulating film 6, and a substrate 8 in layers, the gate insulating film 6 being provided on one side surface of the interface level control layer 5.
半導体素子１は、界面準位制御層５と、半導体層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、ゲート電極７と、ゲート絶縁膜６と、基板８とを層状に積層してなり、界面準位制御層５の１側面にゲート絶縁膜６を設けて構成する。 - 特許庁 - Since an In composition near the hetero-interface of a channel layer 30 constituted of InGaAs is similar to that of an electron supply layer 4, constituted of InGaP and In composition in the channel layer 30 changes continuously, the diffusion of In atoms is suppressed, and superior interface steepness is obtained.
ＩｎＧａＡｓからなるチャネル層３０のヘテロ界面付近でのＩｎ組成が、ＩｎＧａＰからなる電子供給層４の組成と同じ組成であり、チャネル層３０内のＩｎ組成が連続的に変化しているので、Ｉｎ原子の拡散が抑止され優れた界面急峻性が得られる。 - 特許庁 - To provide a catalyst layer forming method for forming a catalyst layer on a solid polymer electrolyte membrane for a fuel cell that increases power generation performance by increasing adhesion at the interface between the catalyst layer and the solid polymer electrolyte membrane and improving a voltage drop by interface resistance.
燃料電池の固体高分子電解質膜上に触媒層を形成する触媒層形成方法において、触媒層と固体高分子電解質膜との間の界面における密着性を増し、界面抵抗による電圧降下を改善して、発電性能を向上させる。 - 特許庁 - Thus, the occurrence of microcrystallization, defects or interface state, which may otherwise occur at an interface between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30, is reduced because a thin layer of the silicon-oxide thin film 20 is provided between the silicon substrate 10 and the amorphous silicon layer 30.
従って、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との間に薄層の酸化シリコン薄膜２０が設けられているため、シリコン基板１０とアモルファスシリコン層３０との界面において生じ得る微結晶化や欠陥あるいは界面準位の発生が低減される。 - 特許庁 - To provide a technology for stabilizing the bonding interface between a thin layer made of a semiconductor material and a support substrate onto which the thin layer is to be transferred without reducing the quality of the thin layer.
半導体材料薄層の品質の低下をもたらすことなしに、半導体材料薄層と該薄層が転写される支持基板との間の接合界面を安定化させる技術の提供。 - 特許庁 - The uppermost part of the buried layer 111 contains Al, a buried protective layer whose Al composition ratio is smaller than that of the uppermost part of the buried layer 111 is provided thereon so as to protect a re-grown interface 132b against oxidation.
また、埋め込み層１１１の少なくとも最上部がＡｌを含み、その上にそれよりもＡｌ組成比が小さい埋め込み保護層を設けて再成長界面１３２ｂの酸化を防ぐ。 - 特許庁
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