「interface layer」を含む例文一覧(2528)

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  • The juncture layer 14 has a juncture interface 15 on the boundary between the juncture layer 14 and the plate member.
    接合層１４は、板状部材との境界に接合界面１５を有する。 - 特許庁
  • An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.
    GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁
  • The barrier layer 13 includes pores 13c in the vicinity of an interface 17 between the barrier layer 13 and the buffer layer 16.
    バリア層１３は、バリア層１３と緩衝層１６との界面１７近傍に、気孔１３ｃを備える。 - 特許庁
  • To provide a composite material having an epoxy resin adhesive layer at the interface of a polyimide layer and an epoxy resin layer.
    ポリイミド層とエポキシ樹脂層との界面にエポキシ樹脂接着層を有する複合材料の提供。 - 特許庁
  • The protocol conversion layer converts down data Q from the interface layer to the respective formats of the wired communication layer and the radio communication layer and converts up data P from the wired communication layer and the radio communication layer to the common format for the interface layer.
    プロトコル変換層は、インタフェイス層からの下りデータＱを有線通信層、無線通信層用の各様式に変換し、有線通信層、無線通信層からの上りデータＰをインタフェイス層用の共通様式に変換する。 - 特許庁
  • The optical information recording medium which has a substrate, a recording layer, a protective layer containing sulfur, an interface layer adjacent to the protective layer, and a reflection layer adjacent to the interface layer and consisting essentially of Ag, and which is characterized in that the interface layer consists essentially of Nb and/or Mo, is used.
    基板、記録層、硫黄を含有する保護層、前記保護層に接する界面層、及び前記界面層に接するＡｇを主成分とする反射層を有し、前記界面層がＮｂ及び／又はＭｏを主成分とすることを特徴とする光学的情報記録媒体を用いる。 - 特許庁
  • The joining part 6 has a main layer 14 contacting with the metallic member, and an interface glass layer 13 present at the interface of the second member 4 and the main layer 14.
    接合部６が、金属部材に接する主層１４、および第二の部材４と主層１４との界面に存在する界面ガラス層１３とを備えている。 - 特許庁
  • The active material membrane is made of a lithium oxide, and has an interface layer formed on the current collector and an upper layer formed on the interface layer.
    活物質膜は、リチウム金属酸化物からなり、集電体上に形成される界面層とこの界面層上に形成される上部層とを備える。 - 特許庁
  • The oxide-layer/substrate interface is relatively pristine and defect-free.
    酸化層／基板界面は比較的にプリスチンであり、欠陥がない。 - 特許庁
  • X25 sockets provide an interface to the X.25 packet layer protocol.
    X25 ソケットは X.25 パケット層プロトコルに対するインターフェースを提供する。 - JM
  • INTERFACE LAYER GROWTH FOR HIGH-K GATE DIELECTRIC AT HIGH TEMPERATURE
    高温度における高ｋゲート誘電体用の界面層成長 - 特許庁
  • The upper end height (the interface height with an air layer) of a foamy layer B in an ozone reaction tank 11 is measured by using an interface detector L.
    オゾン反応槽１１内の泡沫層Ｂの上端（空気層との界面）高さを界面検出器Ｌで測定する。 - 特許庁
  • In the interface reaction layer, oxide or hydroxide of a bulb metal and fluoride of the bulb metal are made to coexistence on the interface reaction layer.
    界面反応層には、バルブメタルの酸化物又は水酸化物とバルブメタルのフッ化物が界面反応層に共存している。 - 特許庁
  • In the electron transit layer 11 side of the interface (hetero junction interface) between the two layers, a two-dimensional electron gas (2DEG) layer 13 is formed.
    これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層１１側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。 - 特許庁
  • Further, a mixed region is provided on an interface between the oxide semiconductor layer and the silicon oxide layer.
    また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 - 特許庁
  • To suppress stresses from generating in the interface between a hydrogen-permeable metal layer and an electrolyte layer.
    水素透過性金属層と電解質層の界面に発生する応力を抑制する。 - 特許庁
  • MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING METALLIC WIRING LAYER FORMED BY UTILIZING INTERFACE ADJUSTMENT LAYER
    界面調節層を利用して金属配線層を形成する半導体素子の製造方法 - 特許庁
  • A diffraction grating 36 is formed along an interface between the SCH layer 52 and the cladding layer 16.
    ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、回折格子３６が設けられている。 - 特許庁
  • In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer.
    半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 - 特許庁
  • A metal silicide layer or a metal oxide layer may be formed on an interface between the core and the cover layer as a tightly adhered layer.
    芯材と被覆層との界面に密着層として金属シリサイド層あるいは金属酸化物層を形成してもよい。 - 特許庁
  • The reflection layer and the light guiding layer are extrusion molded integrally and there exists no air interface between the reflection layer and the light guiding layer.
    反射層及び導光層が一体に押し出し成型され、反射層及び導光層の間は、空気界面を有さない。 - 特許庁
  • The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.
    Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁
  • At an interface neighborhood of the electron carrier layer 42 in the positive hole layer carrier 41, a luminous layer 43 is formed.
    正孔輸送層４１内の電子輸送層４２との界面付近には、発光層４３が形成されている。 - 特許庁
  • To prevent cracking likely generated during thermal loading in the interface between the upper layer and lower layer of friction material of double layer structure.
    熱負荷時に、２層の摩擦材の上層材と下層材との界面に発生し易い亀裂を未然に防ぐ。 - 特許庁
  • The battery comprises an interface layer 16 mainly composed of Si between the negative electrode layer 14 and the solid electrolyte layer 15.
    この電池は、負極層14と固体電解質層15との間に、Siを主成分とする界面層16を備える。 - 特許庁
  • The joining interface layer comprises a metal layer and a carbon layer, and preferably the metal layer has a thickness of 1-50 nm and the carbon layer has a thickness of 1-20 nm.
    そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 - 特許庁
  • In this case, an interface between layers denotes an interface between an insulating layer and an adhesive layer, the insulating layer is formed of polyimide resin, and the protective member is formed of metal which forms a conductor wiring layer.
    なお、層の界面が、絶縁層と接着層の界面であること、絶縁層が、ポリイミド樹脂であること、保護部材が、導体配線層である金属からなることも含まれる。 - 特許庁
  • Furthermore, Mg_1-xCa_xO is epitaxially grown on the channel layer 4 so that an interface modification layer 7 can be formed, and a gate insulating layer 8 and a gate electrode 9 are formed through the interface modification layer 7.
    さらに、その上に、Ｍｇ_1-xＣａ_xＯをエピタキシャル成長させて界面改質層７を形成し、界面改質層７を介してゲート絶縁層８およびゲート電極９を形成する。 - 特許庁
  • This fuel cell comprises a contact interface between an anode intermediate layer 12 and an anode catalyst layer 13, as well as, a contact interface of ruggedness form between a cathode intermediate layer 15 and a cathode catalyst layer 16.
    アノード中間層１２とアノード触媒層１３との接触界面、及び、カソード中間層１５とカソード触媒層１６との接触界面を凹凸形状で構成する。 - 特許庁
  • The nonaqueous electrolyte battery is provided with a positive electrode layer 1 and a negative electrode layer 2 as well as a solid electrolyte layer 3 between the both layers, and an interface layer 4 is provided to form an interface with the negative electrode layer 2 between the negative electrode layer 2 and the solid electrolyte layer 3.
    非水電解質電池は、正極層1と負極層2、及びこれら両層の間に固体電解質層3を有し、負極層2と固体電解質層3との間に、負極層2と界面を形成する界面層4が設けられている。 - 特許庁
  • To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.
    ＡｌＧａＡs／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁
  • A preferable thickness of the interface layer is to be from 10 to 100 nm.
    前記界面層の好ましい厚さは、１０〜１００ｎｍである。 - 特許庁
  • The thickness of the interface layer 16 is changed in a range of 0.01-10.0 μm.
    界面層の厚さは、０．０１〜１０．０μｍの範囲で変化する。 - 特許庁
  • METHOD OF MEASURING LAYER THICKNESS, AND METHOD OF MEASURING SMOOTHNESS OF INTERFACE
    層厚さ測定方法及び層の界面平滑度の測定方法 - 特許庁
  • The layer-2 address rewriting part rewrites a layer-2 address of a packet while repeating the packet between the LAN interface and the WAN interface.
    レイヤ２アドレス書換え部は、ＬＡＮインタフェースとＷＡＮインタフェースの間でパケットを中継しつつ、パケットのレイヤ２アドレスの書換えを行う。 - 特許庁
  • Peeling is caused on the interface between the element forming layer and separating layer, on the interface between the substrate and separating layer, or inside the separating layer, and the element forming layer is separated from the substrate by winding the element forming layer and supporting base material using a roller.
    素子形成層と剥離層との界面、基板と剥離層との界面、又は剥離層の内部で剥離を生じさせ、素子形成層と支持基材とをローラを用いて巻き取ることにより、基板から素子形成層を分離する。 - 特許庁
  • The value of amplitude in roughness of the interface between the second ferromagnetic layer 23 and the non-magnetic layer is h2.
    第２強磁性層２３と非磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ２である。 - 特許庁
  • The value of amplitude in roughness of the interface between the non-magnetic layer and the first ferromagnetic layer is h1.
    非磁性層と第１強磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ１である。 - 特許庁
  • The first interface 20-1 is made of a first layer 13-1 and a second layer 13-2.
    第１の界面２０−１は、第１の層１３−１および第２の層１３−２からなる。 - 特許庁
  • The first interface 20-1 is made of a first layer 14-1 and a second layer 14-2.
    第１の界面２０−１は、第１の層１４−１および第２の層１４−２からなる。 - 特許庁
  • An interface section 31 captures an IP packet and terminates the physical layer and the data link layer.
    インタフェース部３１はＩＰパケットのキャプチャを行い、物理層及びデータリンク層の終端を行う。 - 特許庁
  • A plurality of micro structures are formed at the interface between the connecting layer and the carbon layer.
    複数の微小構造が前記接続層とカーボン層との間の境界部に形成されている。 - 特許庁
  • The distance from the interface between the retaining substrate and the buffer layer to the active layer is at least 2 μm.
    支持基板とバッファ層との界面から活性層までの距離が２μｍ以上である。 - 特許庁
  • The second interface 20-2 is made of the second layer 13-2 and a third layer 13-3.
    第２の界面２０−２は、第２の層１３−２および第３の層１３−３からなる。 - 特許庁
  • The nitrogen-containing layer is formed from the high dielectric constant film 112 to the interface layer 110.
    窒素含有層は高誘電率膜１１２から界面層１１０に渡って形成されている。 - 特許庁
  • Irregularities are formed on an interface between the reflecting layer 115 and the phosphor containing layer 114.
    反射層１１５と蛍光体含有層１１４との界面には凹凸が形成されている。 - 特許庁
  • The second interface 20-2 is made of the second layer 14-2 and a third layer 14-3.
    第２の界面２０−２は、第２の層１４−２および第３の層１４−３からなる。 - 特許庁
  • The n-layer 3 can be formed on the p-layer at a low temperature, resulting in preventing the interface from deteriorating.
    ｎ層３を低温にてｐ層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。 - 特許庁
  • Two-dimensional electron gas is generated on the interface of the Mg_XZnO layer 2 and an Mg_YZnO layer 3.
    Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。 - 特許庁
  • For this reason, bumps and dips are formed at the interface between the silicide layer 15 and the semiconductor layer 7.
    このため、シリサイド層１５と半導体層７との間の界面には、凹凸が形成されている。 - 特許庁
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