「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 50 51 次へ＞- ELECTRON INJECTED LAYER GIVING MODIFIED INTERFACE BETWEEN ORGANIC LIGHT EMITTING STRUCTURE AND CATHODE BUFFER LAYER
有機発光構造体と陰極緩衝層との間に改質界面を与える電子注入層 - 特許庁 - To enhance reproducibility of recording information by increasing flatness of an interface between a core layer and a clad layer.
コア層とクラッド層との界面の平坦性を高め、記録情報の再現性を向上させる。 - 特許庁 - A uniform diffraction grating 36 is provided on the interface of the SCH layer 52 and the clad layer 16.
ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面には、均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁 - The joining part 6 has a main layer 14 which is in contact with the metal member and an interface glass layer 13 which is present at the interface between the second member 4 and the main layer 14.
接合部６が、金属部材に接する主層１４、および第二の部材４と主層１４との界面に存在する界面ガラス層１３とを備えている。 - 特許庁 - To solve a problem of the generation of a low-permittivity interface layer at the interface between a high-permittivity gate insulating layer and a gate electrode, a problem of reduction in permittivity of the entire insulating layer, and a problem of the shifting of a threshold caused by silicide reaction.
高誘電率ゲート絶縁層と、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。 - 特許庁 - The belt includes a surface layer and an underlayer, and the interface between the surface layer and the underlayer is roughened so that the light made incident on the interface between the surface layer and the underlayer can be reflected irregularly.
最表面と下層との界面への入射光を、界面において乱反射させることができるように、最表面と下層との界面を粗面化する。 - 特許庁 - The first interface part 2 forms the relief structure-forming layer that forms relief structure DS to the interface part between the metal thin film layer 12 and the light transmitting layer 11.
第１界面部２は、レリーフ構造ＤＳを形成するレリーフ構造形成層を、金属薄膜層１２と光透過層１１との界面部に形成している。 - 特許庁 - A magnetic random access memory according to an embodiment has a magnetic resistance effect element, on which a first magnetic layer, a first interface magnetic layer, a non-magnetic layer, a second interface magnetic layer, and a second magnetic layer are sequentially laminated.
実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、第１の磁性層、第１の界面磁性層、非磁性層、第２の界面磁性層、及び第２の磁性層が順に積層された磁気抵抗効果素子を有する。 - 特許庁 - Since a rough is provided at an interface S1 between the insulating layer 11 and a semiconductor layer on it, in other words, at the interface between the insulating layer 11 and the n-type semiconductor layer 1 as well as at the interface between the insulating layer 11 and the p-type well region 4, the area of interface S1 is larger compared to a case of flatness.
絶縁層１１と絶縁層１１上の半導体層との界面Ｓ１、つまり絶縁層１１とｎ形半導体層１との界面および絶縁層１１とｐ形ウェル領域４との界面に凹凸が設けられているので、平坦な場合に比べて界面Ｓ１の面積が大きい。 - 特許庁 - The interface 10 between the first layer 1 and the second layer 2 is formed to have a plurality of recessed parts 10 recessed on the first layer 1 side.
第１層１と第２層２との界面１０が、第１層１側に凹んだ複数の凹部１０を形成している。 - 特許庁 - To easily form a charge transport layer on an interface between an organic semiconductor layer and another organic semiconductor layer.
有機半導体層と別の有機半導体層との界面に電荷移動層を容易に形成することを可能にする。 - 特許庁 - To suppress formation of a transition layer in an AlGaAs/InGaP interface.
ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ界面の遷移層の形成を抑制する。 - 特許庁 - The concentration of the element in an interface region IFR containing an interface 25 between the first metallic layer and the second semiconductor layer is set to be higher than a first metallic internal region 51c separated from the interface in the first metallic layer.
第１金属層と第２半導体層との界面２５を含む界面領域ＩＦＲにおける前記元素の濃度は、第１金属層のうちの界面から離れた第１金属内部領域５１ｃよりも高い。 - 特許庁 - The material may deposit a thin layer of graphite at the wear interface.
この材料により、摩耗接触面に黒鉛の薄層が堆積する。 - 特許庁 - An interface is provided between the conductive paste via-hole and the second circuit layer.
導電ペーストバイアおよび第２回路層間に境界面を有する。 - 特許庁 - REFLECTIVE INTERFACE BETWEEN LIGHT EMITTING DIODE LAYER AND BONDED WAFER
発光ダイオード層と接合されたウェーハとの間の反射性境界面 - 特許庁 - METHOD FOR FORMING INTERFACIAL OXIDE LAYER ON INTERFACE OF SEMICONDUCTOR/DIELECTRIC
半導体／誘電体の界面に面間酸化物層を形成する方法 - 特許庁 - In this layer structure, a p-type impurity density at the area near the hetero interface of the interface 1 is specified as follows.
この層構成において、界面１のヘテロ界面近傍のｐ型不純物密度を以下のように規定する。 - 特許庁 - To provide a method enabling evaluation of the chemical state and/or electronic state of an interface between a conductive layer and an organic layer even when the thickness of both the conductive layer and the organic layer is ca.
本発明は、導電性層と有機層との界面近傍の化学状態および／または電子状態の評価方法に関する。 - 特許庁 - This circuit protection unit is equipped with a low resistive layer and potential barrier layer, and barrier potential exists along an interface between the low resistive layer and potential barrier layer.
回路保護ユニットは、低抵抗層および電位バリア層を備え、低抵抗層と電位バリア層の間の界面にはバリア電位が存在する。 - 特許庁 - Reflection layers 50 and 52 are formed on the interface between the n-type GaN layer 12 and the AlGaN cladding layer 14, and on the interface between the AlGaN cladding layer 18 and the p-type GaN electrode formation layer 20 respectively.
ｎ型ＧａＮ層１２とＡｌＧａＮクラッド層１４との界面及びＡｌＧａＮクラッド層１８とｐ型ＧａＮ電極形成層２０との界面に反射層５０、５２を形成する。 - 特許庁 - The reaction prevention film 130 comprises two layers including: one layer of a porous layer 131 having an interface with the electrolyte membrane 120; and one layer of a dense layer 132 having an interface with the air electrode 140.
反応防止膜１３０は、電解質膜１２０との界面を有する１層の多孔質層１３１と、空気極１４０との界面を有する１層の緻密層１３２と、の２層からなる。 - 特許庁 - Nitrogen is added to the vicinity of an interface of an oxide semiconductor layer for improving the interface state between the oxide semiconductor layer and an insulation film (gate insulation layer) in contact with the oxide semiconductor layer.
酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。 - 特許庁 - A subscriber network 300 is provided with adapters 30 and 50 to convert an I' interface from a base station into an IP interface, and a physical layer interface is made optical.
加入者網３００にアダプタ３０，５０を設けて基地局からのＩ′インタフェースをＩＰインタフェースに変換するとともに、物理層インタフェースを光化する。 - 特許庁 - This membrane-electrode assembly is formed by forming an adhesive layer on an assembly interface of a catalyst layer and a gas diffusion layer and strongly joining a membrane-catalyst layer and a gas diffusion layer.
触媒層とガス拡散層の接合界面に接着剤層を形成し、膜−触媒層とガス拡散層を強固に接合した膜−電極接合体。 - 特許庁 - On the interface of the first silicon layer 5 and the second silicon layer 6, a stress relaxation layer 7 comprising SiO_2 for instance is formed.
第１シリコン層５と第２シリコン層６との界面には、たとえば、ＳｉＯ_２からなる応力緩和層７が形成されている。 - 特許庁 - To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.
ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁 - An oxygen surface-active layer may be formed between each [CoFe/Ni]_X interface.
各［ＣｏＦｅ／Ｎｉ］_X層間に酸素界面活性層を形成してもよい。 - 特許庁 - METHOD FOR CONTROLLING INTERFACE LAYER FOR DEPOSITION OF HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM
高誘電率膜の堆積のための界面層を制御するための方法 - 特許庁 - The computer system has an upper layer for controlling a graphics device interface.
コンピュータシステムは、グラフィックス・デバイス・インターフェースを制御する上層を有する。 - 特許庁 - Then, the gate insulation film 120 has a nitrogen-containing layer containing nitrogen near an interface between the high dielectric constant film 112 and the interface layer 110.
そしてゲート絶縁膜１２０は、高誘電率膜１１２と界面層１１０の界面近傍に、窒素を含有する窒素含有層を有している。 - 特許庁 - A bridge connection part 26 connects a VPN virtual LAN interface 25 and a communication device LAN interface 27 via a data link layer which is a second layer of the OSI reference model.
ブリッジ接続部２６は、ＶＰＮ仮想ＬＡＮインタフェース２５と通信装置ＬＡＮインタフェース２７とをＯＳＩ参照モデルの第２層であるデータリンク層で接続する。 - 特許庁 - The layer 5 and the layer 3 formed by laminating have excellent adhesive properties in the interface, and perform a function of diffusing the liquid in the circumference from the interface.
ラミネートで形成された第１層５と液吸収層３は、その界面での密着性が優れ、前記界面が液を周囲に拡散する機能を発揮する。 - 特許庁 - This suppresses the leakage from the device layer to an interface between the substrate 21 and the buffer layer and the storage of leaking electrons on such interface.
これにより、低抵抗基板とバッファー層との間の界面へのデバイス層からのリーク、およびかかる界面におけるリークした電子の蓄積を抑制できる。 - 特許庁 - The active material layer contains lithium metal oxide, and includes interface part formed on the current collector, and the upper layer part formed on this interface part.
活物質層は、リチウム金属酸化物を含み、集電体上に形成される界面部とこの界面部上に形成される上層部とを備える。 - 特許庁 - To prevent a flame coating repair layer of a furnace wall from being separated out of an interface between a wall furnace brick and the flame coating repair layer.
炉壁の溶射補修層が炉壁れんがと溶射補修層との界面より剥離するのを防止する。 - 特許庁 - The refractive index variation 25 is formed on the interface between the dielectric layer 19a and dielectric layer 19b.
誘電体層１９ａと誘電体層１９ｂとの界面には屈折率変化２５が形成される。 - 特許庁 - To improve junction strength on the interface between a dielectric layer and an electrode layer in a multilayer ceramic board.
多層セラミック基板において、誘電体層と電極層と界面での接合強度を向上させる。 - 特許庁 - In the photoelectric converting element, a concavo-convex structure is formed on an interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer and the interface between the organic semiconductor layer A and the photoelectric converting layer has a specific surface area which is 1.5 to 10 times larger than that of an interface between the transparent conductive layer and the organic semiconductor layer A.
また、有機半導体層Ａと光電変換層の界面に凹凸構造を形成し、透明導電層と有機半導体層Ａとの界面に対して、有機半導体層Ａと光電変換層との界面が１.５〜１０倍の比表面積を有する光電変換素子としたことを特徴とする。 - 特許庁 - Then, when the thickness of the negative electrode layer 14 is set to Tn, the thickness of the interface layer will be Tb, and the relation 0.005<Tb/Tn<0.5 is satisfied.
そして、負極層の厚さをＴｎ、界面層の厚さをＴｂとした場合、０．００５＜Ｔｂ／Ｔｎ＜０．５を満たす。 - 特許庁 - On the interface between the Ni layer 25 and the solder bump 27, an alloy layer 26 of Ni and Sn is formed.
Ｎｉ層２５と半田バンプ２７との界面には、ＮｉとＳｎとの合金層２６が形成されている。 - 特許庁 - The composite layer (21), the fin (22), and a metal layer (23) of the heatsink (20) are integrally molded with no interface.
ヒートシンク(20)の複合層(21)とフィン(22)と金属層(23)とは境界面を有しない一体成形品である。 - 特許庁 - A mixture layer 6 containing the main component forming the carrier transport layer and the other components is provided at the interface between the carrier transport layer and the organic light emitting layer 3.
キャリア輸送層と有機発光層３との界面に、キャリア輸送層を構成する主成分と他の成分とを含有する混合層６が設けられている。 - 特許庁 - The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.
界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁 - For a ferroelectric layer of the magnetoresistive device, an exchange coupling type ferrimagnetic layer or an amorphous layer and interface magnetic layer is used to reduce a diamagnetic field.
磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。 - 特許庁 - The space layer 2 functions as a low-refractive-index layer such that light incident from a transparent electrode layer 3 is refracted by the interface between the space layer 2 and the substrate 1.
空間層２は低屈折率層として機能し、透明電極層３側より入射してきた光は空間層２と基板１との界面で屈折する。 - 特許庁 - A second conductor layer 58 thicker than a third conductor layer 68 is disposed at an interface between the first resin insulating layer 50 and the second resin insulating layer 60.
第１樹脂絶縁層５０と第２樹脂絶縁層６０との界面に第３導体層６８よりも厚い第２導体層５８が配置されている。 - 特許庁 - Then, the reflection layer and the light guiding layer are extrusion molded integrally and there exists no air interface between the reflection layer and the light guiding layer.
そのうち、該反射層及び該導光層は、一体に押し出し成型され、且つ該反射層及び該導光層の間は、空気界面を有さない。 - 特許庁 - A GaxIn1-xP composition-graded electron supplying layer in which the gallium compositional ratio is reduced from the function interface with a GaInAs channel layer toward the junction interface with a GaAs contact layer is formed.
ＧａＩｎＡｓチャネル層の接合界面からＧａＡｓコンタクト層との接合界面に向けて、ガリウム組成比を減少させたＧａ_XＩｎ_1-XＰ組成勾配付電子供給層を形成する。 - 特許庁 - The organic light emitting device has an organic layer and an inorganic layer, and the sealing layer in which a mixed region of an organic substance forming the organic layer and an inorganic substance forming the inorganic layer is present on the interface between the organic layer and the inorganic layer.
有機層及び無機層を備え、有機層と無機層との界面に、有機層をなす有機物と無機層をなす無機物との混合領域が存在する封止層を備えた有機発光装置である。 - 特許庁
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