「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 50 51 次へ＞- Specifically, the concentration of nitrogen is gradient in the oxide semiconductor layer and a region containing much nitrogen is provided for the interface with the gate insulation layer.
具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。 - 特許庁 - This makes easier a composition ratio control of In, and can offer the fine active layer and the interface of the active layer simultaneously.
これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁 - The interface 15 is provided between a first light transparent layer 20 and a second light transparent layer 21 and inclined toward an outer side.
界面１５は、第１の透光性層２０および第２の透光性層２１の間に設けられており、外側に向かって傾斜している。 - 特許庁 - Thus, the composition ratio of In can be easily controlled, and a high-quality active layer and interface of the active layer can be provided.
これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁 - This ATM-PDS output interface circuit 8 is placed between an ATM layer side having an ATM switch and a PDS layer side.
ＡＴＭ−ＰＤＳ出力インタフェース回路８は、ＡＴＭスイッチ１を有するＡＴＭレイヤ側とＰＤＳレイヤ側との間に配置される。 - 特許庁 - The high-order layer 1 transfers the management information 5 with the physical layer 2 in a cell form through a data interface 3 for general data transfer.
上位レイヤ１は、マネージメント情報５をセル形式で、かつ、一般データ授受用のデータ・インターフェース３を介して、物理レイヤ２と授受する。 - 特許庁 - According to the present invention, the concentration of two-dimensional electron gas generated on the interface between the channel layer 14 and the electron supply layer 16 can be increased.
本発明によれば、チャネル層１４と電子供給層１６との界面に発生する二次元電子ガスの濃度を高めることができる。 - 特許庁 - The interface layer 5, a diffusion suppressing layer 6 and a high dielectric constant insulating film 7 are sequentially formed in this order on one surface 2a of a silicon substrate 2.
シリコン基板２の一つの面２ａに界面層５と拡散抑制層６と高誘電率絶縁膜７とがこの順で形成されている。 - 特許庁 - The dopant can have its peak concentration within the layer of silicon or SiGe near an interface with the underlying layer of the gate electrolyte material.
このドーパントは、シリコン又はSiGe層の、下にあるゲート誘電体材料の層との界面近くのシリコン又はSiGe層内でピーク濃度を有し得る。 - 特許庁 - Therefore, a dip is formed in a valence band instead of a conduction band in the interface between the light-emitting layer SP- and the gallium nitride semiconductor layer P.
このため、発光層ＳＰ−と窒化ガリウム系半導体層Ｐとの界面には、伝導帯ではなく価電子帯にディップが形成される。 - 特許庁 - To provide a lithium battery reducing internal resistance on the interface between a negative electrode layer and a solid electrolyte layer and enhancing discharge characteristics.
負極層と固体電解質層との界面における内部抵抗を低減し、もって、放電特性を向上させたリチウム電池を提供する。 - 特許庁 - A high performance double layer capacitor having an electric double layer formed in the interface between activated carbon and an electrolyte is disclosed.
活性炭素と電解質との間の境界面に形成された電気的二重層を有する高性能二重層キャパシタが開示されている。 - 特許庁 - The bonding step of the conductive substrate includes a step of locally heating a metal bonding layer by applying microwave to a bonding interface while bringing the metal bonding layer into contact with the bonding interface.
上記導電性基板の接合段階は、金属接合層を接合界面に接触させた状態で上記接合界面にマイクロ波を印加して上記金属接合層を局部的に加熱する段階を含む。 - 特許庁 - The display device 10 translates the extracted character string and displays translation results on the user interface screen in an overlapping manner by disposing the translation results on an upper layer above a layer where the user interface screen is disposed.
表示装置１０は、抽出された文字列を翻訳し、ユーザインタフェース画面が配置されているレイヤよりも上層のレイヤに翻訳結果を配置することで、ユーザインタフェース画面に翻訳結果を重ね合わせて表示する。 - 特許庁 - In the light-diffusing member, the vicinity of the interface opposite to the monomer absorption layer is, preferably, an area within 50% relative to the total thickness, in the thickness direction from the interface opposite to the monomer absorption layer.
前記光拡散部材では、モノマー吸収層とは反対側の界面近傍は、モノマー吸収層とは反対側の界面から厚み方向の全厚みに対して５０％以内の領域であることが好ましい。 - 特許庁 - The step of joining the conductive substrate comprises a step of locally heating a metal joining layer by applying a microwave to the joining interface while bringing the metal joining layer into contact with the joining interface.
上記導電性基板の接合段階は、金属接合層を接合界面に接触させた状態で上記接合界面にマイクロ波を印加して上記金属接合層を局部的に加熱する段階を含む。 - 特許庁 - Accordingly, the interfacial reflection generated, at the interface of the liquid crystal layer 12 on the side of the overcoat layer 13, is prevented, and the optical unevenness generated due to the orientation of the liquid crystal molecule at the interface is prevented.
これにより、液晶層１２のうちオーバーコート層１３側の界面で生じる界面反射が抑制され、当該界面における液晶分子の向きに起因して生じる光学的なムラが防止される。 - 特許庁 - First, the interface layer is formed on the substrate surface for which hydrogen passivation has been carried out, and after, a high-k film is formed by depositing one or more high-k dielectric films on the interface layer.
また、最初に、水素パッシベート基板の表面上に界面層を形成し、その後、１つ以上のｈｉｇｈ−ｋ誘電体膜を堆積することによって、ｈｉｇｈ−ｋ膜を形成する方法が提供される。 - 特許庁 - This locates the interface charge sufficiently distant from the lower layer doped by the n-type impurity serving passage of the current even though the interface charge exists.
これにより、たとえ界面電荷が存在する場合であっても、電流の通り道であるｎ型不純物によりドープされた下層とは充分離れた位置にあることとなる。 - 特許庁 - By the addition of nitrogen, a highly crystalline region can be formed in the vicinity of the interface of the oxide semiconductor layer and a stable interface state can be obtained.
この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 - 特許庁 - To provide an optical laminate in which occurrence of interface reflection and interference fringes can be prevented effectively, by substantially eliminating the interface between a translucent base material and a hardcoat layer.
光透過性基材とハードコート層の界面を実質的に解消することにより、界面反射と干渉縞の発生を有効に防止した光学積層体を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device in which accumulation and movement, etc. of charges at the neighborhood of an interface including the interface between a semiconductor substrate and an insulating layer are suppressed, and to provide its manufacturing method.
半導体基板と絶縁層との界面を含んだ界面近傍での電荷の蓄積や移動が抑制された半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An interface between the buffer layer and the retaining substrate is defined by a method wherein distribution of oxygen concentration in the thickness direction has a peak at a position corresponding to the interface between them.
厚さ方向に関する酸素濃度分布が、バッファ層と支持基板との界面に相当する位置にピークを有することにより両者の界面が画定される。 - 特許庁 - To enable a thin film having a low impurity content to be effectively formed on a substrate preventing a low-permittivity interface layer from being formed on an interface between the thin film and the substrate.
薄膜と基板との界面に低誘電率界面層が形成されるのを防止しつつ、不純物含有量の少ない薄膜を基板上に効率良く形成する。 - 特許庁 - To manufacture a membrane-electrode assembly provided with a porous catalyst layer formed with an excellent three-phase interface by substantially eliminating an interface from a membrane-electrode junction.
膜−電極の接合を実質的に界面レス化し、ポーラスで良好な三相界面が形成された触媒層を備える膜電極接合体を製造する。 - 特許庁 - This oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber is characterized by having an oxide interface layer capable of expressing a slipping effect even in a high temperature oxidizing atmosphere.
繊維表面に、高温酸化雰囲気でも滑り効果を発現できる酸化物界面層を有することを特徴とする酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, capable of preventing dispersion and fluctuation of the resistance of a resistive element on account of wiring potential in a wiring layer, charges or interface levels in an insulating film, even if a wiring layer runs above the resistance layer, much charges exist in the isolation film coating over the resistance layer, and many interface levels exist in the interface between the isolation film and the resistance layer.
抵抗層上方を配線層が走り、抵抗層上方を被覆する絶縁膜中に多くの電荷が存在し、絶縁膜と抵抗層との界面に多くの界面準位が存在しても、これら配線層の配線電位や絶縁膜中の電荷や界面準位による抵抗素子の抵抗値のばらつきや変動を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A distance W_1 between the drain end of the gate electrode and the drain end P_1 of the strain applying layer 3 parallel to a first interface 21 between the carrier travelling layer 1 and the barrier layer 2 falls within 5 times the film thickness d_1 of the barrier layer 2.
ゲート電極のドレイン端と歪み印加層３のドレイン端Ｐ_1との、キャリア走行層１と障壁層２との第１界面２１と平行な距離Ｗ_1が、障壁層２の膜厚ｄ_1の５倍以内である。 - 特許庁 - To provide multilayer molded cosmetics having a transparent layer and a nontransparent layer arranged so as to contact each other, wherein neither blur nor instability is present at the interface between the transparent layer and the nontransparent layer.
透明層と不透明層とが接触するように配置された多層成型化粧料において、透明層と不透明層との界面部分におけるにじみや不安定化が生じない多層成型化粧料を提供する。 - 特許庁 - Carriers (electrons) are supplied from the carrier supply layer 152 to the carrier transit layer 151, allowing the electrons to be accumulated in an area near an interface with the carrier supply layer 152 inside the carrier transit layer 151.
キャリア供給層１５２からキャリア走行層１５１へとキャリア（電子）が供給され、キャリア走行層１５１内におけるキャリア供給層１５２との界面近傍の領域に、電子を蓄積させることができる。 - 特許庁 - The light-emitting layer can make polarization formed reversed from a conventional wurtzite group III nitride layer so that, across an interface between the light-emitting layer and the p-type region, a wurtzite c-axis is oriented toward the light-emitting layer.
発光層は、発光層とｐ型領域の間の界面にわたってウルツ鉱ｃ軸が発光層の方向に向くように、従来のウルツ鉱ＩＩＩ族窒化物層とは極性形成を逆転させることができる。 - 特許庁 - A bottom wall layer 2a of a mounting substrate 2 formed of laminated ceramic has a 2-layered construction, which is constructed of a first layer 2a1 and a second layer 2a2, and an intermediate layer 14 formed of a metal film is provided to a lamination interface of the layers 2a1, 2a2.
積層セラミックからなる実装基板２の底壁層２ａを第１の層２ａ１と第２の層２ａ２の２層構成としてこれら層２ａ１，２ａ２の積層面に金属膜からなる中間層１４を設ける。 - 特許庁 - By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12.
上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。 - 特許庁 - On a part exposed form the current constriction insulating layer 17 of the n-type guide layer 16, an n-type regrowth interface regulation layer 18 having a composition substantially similar to that of the n-type guide layer 16 is formed.
ｎ型ガイド層１６の電流狭窄絶縁層１７から露出する部分上には、ｎ型ガイド層１６とほぼ同等の組成を持つｎ型の再成長界面調整層１８が形成されている。 - 特許庁 - Utilizing the fact that the temperature of a wafer 15 increases abruptly at transition from a hardened layer to an unhardened layer during ashing, interface between the hardened layer and the unhardened layer is detected by providing a temperature probe 1 which makes contact with the wafer 15.
アッシング中に硬化層から非硬化層に至るときウェハ１５の温度が急激に上昇することを利用して、ウェハ１５と接触する温度プロ−ブ１を設け、硬化層と非硬化層の界面を検出する。 - 特許庁 - An interface 34 between the light-shielding layer 29 opposing the core layer 30 and the planarizing layer 31 is formed so that the interval between itself and the core layer 30 is gradually increased from the light-receiving section 10 side toward the light incidence side.
コア層３０に対向する遮光層２９と平坦化層３１との界面３４は、受光部１０の側から光の入射する側に向かって、コア層３０との間隔が漸増されるように形成されている。 - 特許庁 - This battery 1 is equipped, between the positive electrode layer 13 and the SE layer 15, with a buffer layer 16 for buffering deviation of lithium ions in the vicinity of the interface of these both layers, and the density of the positive electrode layer 13 is 70 to 90% of the theoretical density.
この電池1は、正極層13とSE層15との間に、これら両層の界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩衝する緩衝層16を備え、正極層13の密度が、理論密度の70〜90％である。 - 特許庁 - Content ratio of Al in the composition of the transition layer 5 is set equal to the content ratio of Al of the emitter layer 6 and is made to reduce linearly toward the side which is in contact with the base layer 4 with noncontinuous changes at the interface with the base layer.
遷移層５の組成中Ａｌの含有率をエミッタ層６のＡｌ含有率と等しく、ベース層４に接する側に向けて直線的に減少させ、ベース層との界面で不連続に変化させる。 - 特許庁 - The interface becomes steep between the quantum well active layer 107 and the upper guide layer 109 and between the quantum well active layer 107 and the lower guide layer 105 and epitaxial growth is improved.
上記量子井戸活性層１０７と上ガイド層１０９との間および量子井戸活性層１０７と下ガイド層１０５との間の界面が急峻になるとともに、結晶のエピタキシー成長が良好になる。 - 特許庁 - The virtual controller includes an application layer 104 that receives application layer inputs and provides outputs to the simulation interface, and an input/output (I/O) layer 108 coupled to the system model 114 and the application layer.
仮想コントローラは、アプリケーション層入力を受け取り出力をシミュレーションインタフェースに供給するアプリケーション層１０４と、システムモデル１１４およびアプリケーション層に結合された入出力（Ｉ／Ｏ）層１０８とを含む。 - 特許庁 - In a region where a slit portion 22S of the common electrode 22 is formed, on the other hand, an interface D between a pixel electrode 20 and an insulating film 21 which is an inorganic film, an interface E between the inorganic film 23 and first alignment layer 24, and an interface F between the first alignment layer 24 and liquid crystal LC are present in this order.
一方、共通電極２２のスリット部２２Ｓの形成領域では、画素電極２０と無機膜である絶縁膜２１との界面Ｄ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｅ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｆが、この順で存在する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.
シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The packaged two-layer jelly is such that the interface between the upper layer gel and the lower layer gel has almost the same shape of the inner bottom of a jelly container, and the inner bottom of the jelly container is not flat.
上層のゲルと下層のゲルとの界面が、ゼリー容器の内底面と略同一形状であり、該ゼリー容器の内底面が平面ではないことを特徴とする容器入り二層ゼリー。 - 特許庁 - The ESD protection device further comprises, at an interface between the seal layer and the ceramic substrate, a reaction layer containing a reaction product produced by reaction between constitutive materials of the seal layer and ceramic substrate.
また、シール層とセラミック基材の界面に、シール層とセラミック基材の構成材料の反応により生成した反応生成物を含む反応層を備えた構成とする。 - 特許庁 - To provide a nonaqueous electrolyte battery that has an interface layer which resists cracking, and can maintain a junction between a negative electrode layer and a solid electrolyte layer even if charging and discharging are repeated.
クラックの入り難い界面層を有し、充放電を繰り返しても、負極層と固体電解質層との接合を維持することができる非水電解質電池を提供する。 - 特許庁 - The layer is heat treated in a range from 70 to 130°C so as to form an appropriate a mixture layer 4 in an interface between the cores 2A and 2B and the photosensitive resin layer 3.
そして、７０〜１３０℃の範囲内で加熱処理することにより、上記コア２Ａ，２Ｂと上記感光性樹脂層３Ａとの界面部分を、適正な混合層４に形成する。 - 特許庁 - The second recording structure includes a second recording layer disposed between the substrate and the cap layer, and Nb_2O_5 interface layers disposed between the substrate and the cap layer and between the second recording layers.
第２記録構造が、基板およびキャップ層間に配置される第２記録層と、基板およびキャップ層間ならびに第２記録層間に配置されるＮｂ_２Ｏ_５インターフェース層とを含む。 - 特許庁 - A positive potential is put on the electrode layer EL making an upper electrode of the capacitive element C, whereby electrons in the interface carrier layer SCL opposed to the electrode layer EL are fixed.
そして、この容量素子Ｃの上部電極となる電極層ＥＬに正電位を印加することにより、電極層ＥＬに相対する界面キャリア層ＳＣＬの電子を固定している。 - 特許庁 - To provide an information recording medium wherein high reliability, satisfactory repetitive rewriting performance and high recording sensitivity are secured even if an interface layer is not provided between a recording layer and a dielectric layer.
記録層と誘電体層の間に界面層を設けなくても、高い信頼性と良好な繰り返し書き換え性能と高記録感度が確保された情報記録媒体を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent to the drift zone.
この半導体デバイスは、第１のフィールドプレートを、ドリフトゾーンに隣接する誘電層の界面付近の誘電層内の電荷およびドリフトゾーンから電気的に分離する誘電層を含む。 - 特許庁
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