「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 50 51 次へ＞- A SIM command is received from a radio interface layer (RIL) to access resources of the SIM.
ＳＩＭコマンドが、ＳＩＭの資源にアクセスするために無線インターフェース層（ＲＩＬ）から受け取られる。 - 特許庁 - intermateability details defined in the IBM Enterprise Systems Architecture/390, ESCON I/O interface, and Physical Layer specification SA23-0394
IBMのESA/390, ESCON入出力インタフェースおよび物理層仕様SA23-0394で定義される接続性の詳細 - コンピューター用語辞典 - To provide a fixing member including an interface layer, and a method for forming the fixing member.
界面層を含む定着部材、および定着部材を形成するための方法を提供する。 - 特許庁 - A barrier layer (h) is provided to an interface between the semiconductor substrate (a) and the solid electrolyte secondary cell.
半導体基板ａと固体電解質二次電池の接する部分にバリア層ｈを有する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a semiconductor device adopts, as means for suppressing the movement of electrons making up an interface carrier layer SCL, providing an electrode layer EL between MISFETQ_N1 and MISFETQ_N2 thereby forming a capacitive element C between the electrode layer EL and interface carrier layer SCL.
界面キャリア層ＳＣＬを構成する電子の移動抑制手段として、ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ１とＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎ２の間に電極層ＥＬを設けて電極層ＥＬと界面キャリア層ＳＣＬとの間に容量素子Ｃを形成する手段をとっている。 - 特許庁 - Interfaces between all layers in the multilayer film (interface between the p-type semiconductor layer 13P and an insulating layer 14, and interface between the insulating layer 14 and the metal layer 15) are configured so as to be substantially perpendicular to the elongation direction (Z-axis direction) of the emitting portion 10.
また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。 - 特許庁 - The second transistor includes a second interface layer 536 formed on a second channel region of the substrate, a second gate dielectric layer 538 formed on the second interface layer, second gate electrodes 540, 542 formed on the second gate dielectric layer.
第２のトランジスタは、基板の第２のチャネル領域上に形成された第２の界面層５３６と、第２の界面層上に形成された第２のゲート誘電体層５３８と、第２のゲート誘電体層上に形成された第２のゲート電極５４０，５４２とを具備する。 - 特許庁 - The first transistor includes a first interface layer 516 formed on a first channel region of the substrate, a first gate dielectric layer 518 formed on the first interface layer, first gate electrodes 520, 522 formed on the first gate dielectric layer.
第１のトランジスタは、基板の第１のチャネル領域上に形成された第１の界面層５１６と、第１の界面層上に形成された第１のゲート誘電体層５１８と、第１のゲート誘電体層上に形成された第１のゲート電極５２０，５２２とを具備する。 - 特許庁 - Since the thickness of the Cu-coated layer 3 is 5% or larger and 7% or smaller of the diameter of the resin core 2, stress at the interface between a Cu land 22a and the solder layer 4 and the interface between an Ni plated layer 13 of the circuit board 10 and the solder layer 4 is alleviated.
Ｃｕ被覆層３の厚さは、樹脂コア２の直径の５％以上かつ７％以下であるので、Ｃｕランド２２ａと半田層４との界面、および、回路基板１０のＮｉめっき層１３と半田層４との界面における応力が緩和される。 - 特許庁 - The organic EL device 10 is formed so as to include a metal compound Li_2O layer on the interface of a first negative electrode 5A with an organic luminous layer 4 and to have a concentration gradient in which the Li_2O layer is more highly concentrated at the interface side with the organic luminous layer 4.
有機ＥＬ装置１０は、第１の陰極５Ａの有機発光層４との界面に金属酸化物であるＬｉ_2Ｏ層を含有し、Ｌｉ_2Ｏ層が有機発光層４との界面側で高濃度となる濃度勾配を有するように形成されている。 - 特許庁 - On a linear portion 22F of a common electrode 22, an interface A between the linear portion 22E and an inorganic film 23, an interface B between the inorganic film 23 and a first alignment layer 24, and an interface C between the first alignment layer 24 and liquid crystal LC are present in this order.
共通電極２２の線状部２２Ｅ上では、線状部２２Ｅと無機膜２３との界面Ａ、無機膜２３と第１の配向膜２４との界面Ｂ、第１の配向膜２４と液晶ＬＣとの界面Ｃが、この順で存在する。 - 特許庁 - By using amorphous In-Ga-Zn-O as the n-layer 3; occurrence of discontinuation, a void or the like can be prevented on a joint interface between the n-layer 3 and the p-layer 2, thereby forming a good joint interface.
ｎ層３としてアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを用いることから、ｎ層３とｐ層２との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。 - 特許庁 - The concentration distribution of nitrogen atom in the insulation layer 12 has a first peak 91 in the vicinity of the interface 12a with the conductive layer 14, and a second peak 92 in the vicinity of the interface 12b with the semiconductor layer 10.
絶縁層１２は、導電層１４との界面１２ａ近傍に窒素原子の濃度分布の第１のピーク９１を有し、かつ、半導体層１０との界面１２ｂ近傍に窒素原子の濃度分布の第２のピーク９２を有する。 - 特許庁 - To provide a method not for detecting only an interface between a sludge accumulation layer and a supernatant water phase but capable of detecting also an interface between each layer in the sludge accumulation layer, and to provide a management method of a solid-liquid separation tank using the method.
汚泥堆積層と上澄水相との界面のみを検出するのではなく、汚泥堆積層内の層同士の界面を検出することができる方法と、この方法を用いた固液分離槽の管理方法を提供する。 - 特許庁 - The carpet having the water cutting-off ability and the sound absorbing ability is obtained by applying a water resin emulsion containing a water repellent agent to the interface where the surface material layer is superposed on a sound absorbing layer and making the interface an adhesive resin layer.
撥水剤を含有した水系樹脂エマルジョンを、表皮材層と吸音層の重ね合わせ面に塗布して接着樹脂層とすることにより、止水性と吸音性のあるカーペットが得られることを見出し本発明に到達した。 - 特許庁 - The composition of the layer 104 is almost the same as the composition of the layer 103 on an interface of both the layers 104, 103 and almost the same as the composition of the layer 104 on an interface between the layers 104, 105.
この傾斜組成１０４は、その組成がベース層１０３との界面では該ベース層１０３の組成とほぼ同一であり、活性層１０５との界面では該活性層１０５の組成とほぼ同一となるように構成されている。 - 特許庁 - A magnetoresistive element containing a laminated structure comprising a ferromagnetic fixed layer, a barrier layer, a ferromagnetic free layer and a non-magnetic layer brought into contact with another interface of the ferromagnetic free layer is used as the tunnel magnetoresistive element, and the non-magnetic layer consists of MgO.
トンネル磁気抵抗素子は、強磁性固定層と、バリア層と、強磁性自由層と、強磁性自由層のもう一方の界面に接する非磁性層からなる積層構造を含む磁気抵抗素子であって、非磁性層がＭｇＯである。 - 特許庁 - The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.
SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁 - In this case, a rate of an interface IF 2 of the P+collector layer 9 and the collector electrode 10 occupying the interface IF is a value within the range of 30 to 80%.
この場合、界面ＩＦ中、Ｐ＋コレクタ層９とコレクタ電極１０との界面ＩＦ２が占める割合は、３０％〜８０％の範囲内の値となる。 - 特許庁 - INTERFACE ROUGHNESS MITIGATING FILM, FORMING MATERIAL OF INTERFACE ROUGHNESS MITIGATING FILM, WIRING LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING THESE FILM AND MATERIAL AS WELL AS MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
界面ラフネス緩和膜、界面ラフネス緩和膜形成材料、これらを用いた配線層および半導体装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide an optical laminate which effectively prevents the occurrence of interface reflection and an interference fringe on an interface between an optically transparent base material and a hard coat layer.
光透過性基材とハードコート層の界面における界面反射と干渉縞の発生を有効に防止した光学積層体の提供。 - 特許庁 - To provide an optical laminate, in which the occurrence of interface reflection and interference fringes at the interface between a light translucent base material and a hardcoat layer can be prevented effectively.
光透過性基材とハードコート層の界面における界面反射と干渉縞の発生を有効に防止した光学積層体を提供すること。 - 特許庁 - Specific polarization components are selectively scattered at an interface between the light guide plate and the upper layer, or at an interface between the matrix and the PSSE.
導光板と上部層との間の界面、またはマトリックスとＰＳＳＥとの間の界面では、特定の偏光成分が選択的に散乱する。 - 特許庁 - A dielectric layer is provided at an interface between two silicons by the use of nitrogen, by which each wafer can be controlled in electric resistance at an interface.
２つのシリコン界面に、窒素を利用して誘電体層を設けることにより、ウェハ毎に、界面での電気抵抗を制御することが可能となる。 - 特許庁 - As a result, an electron reflection factor in an interface between the free layer 14 and the buffer layer 14 can be increased, which increases a rate of change in resistance.
これにより、フリー層１４とバッファ層１３との界面における電子の反射率が向上し、抵抗変化率が向上する。 - 特許庁 - To provide an electrocatalyst for fuel cell which can increase an area of a three layer interface in an electrocatalyst layer.
電極触媒層における三層界面の面積を増大し得る燃料電池用電極触媒を提供することを目的とする。 - 特許庁 - Thereby, formation of a high resistance layer is prevented in the interface between the epitaxial layer 22 and the group III nitride semiconductor substrate 10.
これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。 - 特許庁 - Thus, the interface between the low-molecular hole transport layer 3 and the luminescent layer 4 has high adhesiveness and has a high carrier injection properties as well.
このために、低分子ホール輸送層３と発光層４との界面は、密着性が高く、キャリア注入性も高い界面となる。 - 特許庁 - To improve charge matching performance and grid matching performance on a channel layer interface in a transistor using zinc oxide as a channel layer.
チャネル層として酸化亜鉛を用いたトランジスタにおいて、チャネル層界面における電荷整合性および格子整合性を向上させる。 - 特許庁 - The protocol stack generating apparatus is provided with a protocol layer having a standardized interface and a management instance for a protocol stack including the protocol layer.
標準化されたインタフェースを有するプロトコル層と；このプロトコル層を含んだプロトコル・スタックの管理用インスタンスとを具えている。 - 特許庁 - The concentration of p-type dopant is increased locally in a region of the second layer 20b in the vicinity of an interface with the first layer 20a.
第２層２０ｂにおける第１層２０ａとの界面の近傍領域には、ｐ型ドーパントの濃度が局所的に増大している。 - 特許庁 - Also, the layer 2 includes a part wherein a composition of A1 increases as the distance from the interface with the layer 1 increases.
また、層２には、層１との境界から層の厚さが増すにつれてＡｌ組成が増加する層状部分が含まれる構成とする。 - 特許庁 - The first sheet 21 and the second sheet 22 can be separated only at an interface between the first polyethylene terephthalate layer and the first polyethylene layer.
第１シート２１と第２シート２２とは、第１のポリエチレンテレフタレート層と第１のポリエチレン層との界面でのみ剥離することができる。 - 特許庁 - SURFACE COATED CUTTING TOOL MADE OF CERMET HAVING PROPERTY-MODIFIED ALPHA TYPE Al2O3 LAYER OF HARD COATING LAYER HAVING EXCELLENT CRYSTAL GRAIN INTERFACE STRENGTH
硬質被覆層の改質α型Ａｌ２Ｏ３層がすぐれた結晶粒界面強度を有する表面被覆サーメット製切削工具 - 特許庁 - The thin silicon layer serves to significantly reduce the accumulation of halogen atoms at the interface between the tantalum-based layer and an insulator.
薄いシリコンの層は、タンタルを基礎とする層及び絶縁体の界面のハロゲン原子の蓄積を著しく還元することに役立つ。 - 特許庁 - The first sheet 21 and the second sheet 22 can be separated only at an interface between the first resin layer 41 and the second resin layer 42.
また、第１シート２１と第２シート２２とは、第１の樹脂層４１と第２の樹脂層４２との界面でのみ剥離することができる。 - 特許庁 - In the organic EL element, an electron injection layer including a reducible dopant is preferably arranged on an interface between the negative electrode and the organic layer.
本発明の有機ＥＬ素子において、陰極と有機層との界面に還元性ドーパントを含む電子注入層を設けてもよい。 - 特許庁 - The transference into water and the reaction with water of the benzyl cation are carried out on an interface 16 between the toluene layer 14 and the water layer 15, by molecular diffusion.
又、水への移行および水との反応は、トルエン層１４と水層１５間の界面１６で、分子拡散により行われる。 - 特許庁 - Each of the storage layer 17 and the magnetization fixed layer 15 has a film thickness so as to make interface magnetic anisotropy energy larger than diamagnetic field energy.
さらに記憶層及び磁化固定層が、界面磁気異方性エネルギーが反磁界エネルギーよりも大きくなる膜厚とされている。 - 特許庁 - In this state, the impurity atoms are integrated at an interface between the recrystallized layer 4 and the amorphous ion implantation layer 2 and form the concentration peak.
このとき、再結晶化層４と非晶質のイオン注入層２との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。 - 特許庁 - The source electrode S10 is formed so as to come into contact with an interface between the first semiconductor layer 110 and second semiconductor layer 120.
ソース電極Ｓ１０は、第１の半導体層１１０と前記第２の半導体層１２０との界面と接するように形成される。 - 特許庁 - To detect a P type abnormal diffusion layer 103 produced on the interface of an N type epitaxial 8 and a P type high resistivity epitaxial layer 30.
Ｎ型エピタキシャル８とＰ型高比抵抗エピタキシャル層３０との界面に発生するＰ型異常拡散層１０３を検出する。 - 特許庁 - A controller controls operation of the image processor entirely through a hierarchic software arrangement of an interface driver layer 50, a system OS layer 51 and an application layer 54.
コントローラ装置が、インタフェースドライバ層５０とシステムＯＳ層５１とアプリケーション層５４とに階層化されたソフトウェア構成によって装置全体の動作を制御する。 - 特許庁 - A strong electric field is generated in an interface between the photoelectric conversion layer and the interfacial layer by the n-type amorphous silicon interfacial layer, thereby remarkably improving the open voltage.
ｎ型アモルファスシリコン界面層により、光電変換層と界面層の界面で強い電界を発生させ開放電圧を大幅に改善させることができる。 - 特許庁 - The electrons are reflected specularly on the interface between the free layer and the insertion layer, and hence a high GMR ratio is assured, even if the free layer is very thin.
また、フリー層と挿入層との界面において電子が鏡面反射することにより、フリー層が極めて薄い場合においても高ＧＭＲ比が確保される。 - 特許庁 - A first layer film 120 is formed on the surface of a substrate 110 and a second layer film 130 is formed on the surface of the first layer film 120, by direct bonding by interface activation.
界面活性化による直接接合によって、基板１１０の表面に第一層膜１２０、第一層膜１２０の表面に第二層膜１３０を形成する。 - 特許庁 - In addition, the layer 14 is caused to emit light by forming SiN in the interface between GaN and AlGaN and increasing the resistance value of the layer 14, and then, injecting holes into the layer 14.
さらに、ＧａＮとＡｌＧａＮとの界面にＳｉＮを形成し、Ｎ型ＧａＮ系層１４の抵抗値を高め、ホールを注入してこの層で発光を生じさせる。 - 特許庁 - To reduce a carrier re-coupling loss by reducing a transparent electrode/p-layer interface defect (or relaxing a composition mismatching between p-layer and i-layer).
透明電極／ｐ層界面欠陥を減少させる（又はｐ層とｉ層の組成不整合を緩和させる）ことにより、キャリア再結合損失を低減することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a bipolar semiconductor element capable of keeping a forward voltage low by reducing a stress at an interface between a drift layer and a layer adjacent to the drift layer.
ドリフト層とドリフト層に隣接する層との界面の応力を低減して、順方向電圧を低く抑えることができるバイポーラ半導体素子を提供する。 - 特許庁 - This organic electroluminescent element has a luminescent layer clamped between an anode and a cathode, on a substrate, and a hole blocking layer on the cathode side interface of the luminescent layer.
基板上に、陽極および陰極により挟持された発光層を有し、発光層の陰極側の界面に正孔阻止層を有する有機電界発光素子。 - 特許庁
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