「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 50 51 次へ＞- The Al layer 17 is made to react on the Ti oxide 16 through vacuum annealing to form an Al oxide layer 18 at an interface between the Al layer 17 and the Ti oxide 16 (d).
真空アニールを行ってＡｌ層１７とＴｉ酸化物１６とを反応させて、Ａｌ層１７とＴｉ酸化物１６との界面にＡｌ酸化物層１８を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁 - The separation preventive layer 19 is formed of a dielectric substance different from that of the dielectric layer 20 and improves the adhesion in a joining interface between the dielectric layer 20 and other components.
剥離防止層１９は、誘電体層２０とは異質な誘電体から構成され、誘電体層２０と他の構成要素との間の接合界面における密着性を向上させる。 - 特許庁 - Part of the silicon layer 3 near the interface with the BOX layer 2 below a capacitor dielectric film 7b has the same impurity concentration as the original impurity concentration P0 of the silicon layer 3.
一方、キャパシタ誘電体膜７ｂの下方において、ＢＯＸ層２との界面付近におけるシリコン層３の不純物濃度は、シリコン層３のそもそもの不純物濃度Ｐ０である。 - 特許庁 - To obtain a highly efficient photovoltaic apparatus by inhibiting the generation of a generation layer containing a large amount of hydrogen at the interface region between the generation layer and the ground layer of the photovoltaic apparatus.
光起電力装置の発電層の下地層との界面領域での高水素量含有発電層の発生を抑制し、高効率光起電力装置を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To inhibit increase of the contact resistance at an interface between a metal layer and a silicon plug in a wiring structure, in which the silicon plug is formed on the top of the metal layer and connected to the metal layer.
金属層の上部にシリコンプラグを形成して両者を接続する配線構造において、金属層とシリコンプラグとの界面の接触抵抗の増大を抑制する。 - 特許庁 - The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.
ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁 - The lining layer 22 is constituted of a plurality of laminated soft magnetic films, and a middle layer 23 is inserted into an interface thereof to suppress the generation of a magnetic wall in the lining layer 22.
裏打ち層２２は積層された複数の軟磁性膜より成るものであってそれらの界面には、裏打ち層２２における磁壁発生を抑制する中間層２３が挿入されている。 - 特許庁 - Since particles are included in the layer 4', the total reflection on the interface between the layer 4' and the layer 3 is also reduced to improve the light taking-out efficiency.
低屈折率層４’に粒子を含有させているので、低屈折率層４’と透明電極層３との界面での全反射も減少し、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁 - Consequently, the organic EL layer 10 has functions of reducing total reflection of the light at the interface between the capping layer 17 and the negative electrode layer 16, and heightening a light take-out efficiency.
したがって、本発明における有機ＥＬ素子１０は、キャッピング層１７と陰極層１６との界面で全反射する光を低減し、光の取り出し効率を高める機能を有する。 - 特許庁 - A vessel 30 contains a first liquid layer 32 containing a first liquid, and a second liquid layer 34 containing a second liquid layer forming the liquid-liquid interface with the first liquid.
容器３０は、第１の液体を含む第１の液体層３２と、第１の液体と液液界面を形成する第２の液体を含む第２の液体層３４とを収容する。 - 特許庁 - A matrix structure made of the active material and the solid electrolyte is formed inside the electrode layer, and the interface resistance between the electrode layer and the electrolyte layer is reduced to realize enlargement of the battery capacity.
電極層内に活物質と固体電解質からなるマトリックス構造が形成され、電極層と電解質層間の界面抵抗が低減され、電池の大容量化が実現できた。 - 特許庁 - The second conductive layer 26 contains titanium and has a mixture layer 26b further containing silicon or nitrogen at a part including an interface which touches at least the first conductive layer 28.
第２導電層２６は、チタンを含むとともに、少なくとも第１導電層２８と接する界面を含む部分にシリコン又は窒素をさらに含む混合層２６ｂを有している。 - 特許庁 - To suppress the degradation of durability which is caused by the occurrence of air bubbles at the interface between a hydrogen transmission metal layer and an electrolyte layer of a hydrogen transmission metal layer/electrolyte composite.
水素透過性金属層・電解質複合体における水素透過性金属層と電解質層との界面での空泡発生に起因する耐久性の低下を抑制する。 - 特許庁 - At least one of the cathode layer and the anode layer comprises a first layer arranged at the interface with the electrolyte membrane and a second layer arranged on the surface on the opposite side to the surface opposed to the electrolyte membrane of the first layer.
カソード電極層とアノード電極層との少なくとも一方は、電解質膜との界面に配置された第１の層と、第１の層の電解質膜と対向する表面とは反対側の表面に配置された第２の層とを含む。 - 特許庁 - The lithium battery uses lithium nickelate as a positive electrode active material to constitute the positive electrode layer 13, so that the inclination of lithium ions in the vicinity of interface of the positive electrode layer 13 and the SE layer 15 is alleviated and formation of a depletion layer in the SE layer 15 is controlled.
このリチウム電池1は、正極層13を構成する正極活物質としてニッケル酸リチウムを用いることで、正極層13とSE層15との界面近傍におけるリチウムイオンの偏りを緩和し、SE層15に空乏層が形成されることを抑制する。 - 特許庁 - In a body 3 of the semiconductor device 1, a semiconductor layer 33 and a second semiconductor layer 34 are laminated and a channel region 36 is formed in the side of the semiconductor layer 33 on an interface between the semiconductor layer 33 and the second semiconductor layer 34.
半導体デバイス１において、本体部３では、半導体層３３と第２の半導体層３４とが積層し、半導体層３３と第２の半導体層３４との間の界面の半導体層３３側にチャネル領域３６が形成される。 - 特許庁 - This laminated foil comprises the intermediate layer formed of the aluminum or the aluminum alloy, arranged in such a manner that the intermediate layer is sandwiched between the metallic foils, and has an oxide layer with 0.1 μm or less thickness, formed on the intermediate layer side of an interface between the intermediate layer and the metallic foil.
AlまたはAl合金でなる中間層を金属箔で挟持するように配置した積層箔において、前記中間層と前記金属箔との界面の中間層側に形成される酸化物層の厚さが0.1μｍ以下である積層箔。 - 特許庁 - Since the interval of the first free layer and the stopper layer can be increased by the second free layer, Ru in the stopper layer can be prevented from adhering to the tunnel insulating film, and thereby prevented from appearing on the interface of the first free layer.
第１自由層とストッパー層との間隔を第２自由層により大きくできるため、ストッパー層のＲｕがトンネル絶縁膜に付着することを防止でき、ストッパー層のＲｕが第１自由層の界面に現れることを防止できる。 - 特許庁 - Satisfactory sensitivity can be obtained, while preventing a reaction layer insoluble in a developer from being formed in the interface between the under layer 2 and the inorganic resist layer 3 at exposure by providing the under layer 2 between the substrate 1 and the inorganic resist layer 3.
基板１と無機レジスト層３との間に下地層２を設けることにより、良好な感度を得ることができると共に、露光時に下地層２と無機レジスト層３との界面に現像液に不溶な反応層が形成されることを防止できる。 - 特許庁 - The thermoelectric transducer 1 has such a structure that a metal layer 10, a semiconductor layer 11 and the metal layer 10 are joined sequentially, and the size of a Schottky barrier formed in a joint interface between the metal layer 10 and the semiconductor layer 11 is 0 to 0.4 eV.
熱電変換素子１を、金属層１０、半導体層１１、金属層１０が順に接合され、金属層１０と半導体層１１との接合界面で形成されるショットキー障壁の大きさが０〜０．４ｅＶである構造とする。 - 特許庁 - Alternatively, a collector having a first layer having pores and a second layer arranged on the first layer and provided with a porosity lower than that of the first layer is arranged, and interface resistance with the active material layer is lowered, while the physical binding force with the active material layer is increased.
または、空隙を有する第１層と、この第１層に設けられ、第１層よりも空隙率が小さい第２層とを有する集電体を備えており、活物質層との界面抵抗が小さくなっていると共に、活物質層との物理的な結着力が強化されている。 - 特許庁 - The electrochromic element includes an electrochromic layer 18, an electrolyte layer 16, and a relative electrode layer 14, and is characterized in that a solid inorganic electrolyte film is included as a protective film 22 in the interface between one of the electrochromic layer 18 and relative electrode layer 14, and the electrolyte layer 16.
エレクトロクロミック層１８、電解質層１６及び相対電極層１４を含み、前記エレクトロクロミック層１８及び相対電極層１４のうちどちらか一方の層と前記電解質層１６との界面に固体無機電解質膜を保護膜２２として含むことを特徴とする。 - 特許庁 - An upper dielectric layer 12, an interface layer 13, a recording layer 14, a lower dielectric layer 15 and a reflection layer 16 are sequentially layered from an incident direction of recording and reproducing light on a first substrate 11 and a second substrate 18 is provided thereon via a protective layer 17.
第１の基板１１上に、記録再生光の入射方向から順に、上層誘電体層１２、界面層１３、記録層１４、下層誘電体層１５、反射層１６が順次積層されて、その上に保護層１７を介して第２の基板１８が設けられる。 - 特許庁 - A magnetoresistive effect element having a high magnetoresistive effect is obtained by forming a high-polarizability layer having a thickness of ≤10 nm in contact with the interface between a nonmagnetic layer and an intermediate layer as an Fe-rich Fe-O layer and heat-treating the Fe-O layer into a ferromagnetic Fe-O layer.
非磁性層中間層界面に接して１０ｎｍ以下の厚さの高分極率層を、ＦｅリッチなＦｅ—Ｏ層として形成し、熱処理によって強磁性Ｆｅ−Ｏ層の積層膜とし、これによって高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁 - A non-adhesive layer 11 and an intermediate rubber layer 12 are arranged in order between a second inside carcass layer 8 and a buffer layer 9, and an interface between the non-adhesive layer 11 and the second inside carcass layer 8 is made to communicate with a leakage detecting means 3 disposed at a hose axial end.
第２内側カーカス層８とバッファ層９との間に非接着層１１と中間ゴム層１２とを順に配置すると共に、非接着層１１と第２内側カーカス層８との界面をホース軸方向端部に設置された漏洩検知手段３に連通させる。 - 特許庁 - The adhesive strength of the adhesion layer 4 to the sound absorption layer 2 and the resonance layer 3 is set to 1-20N/25mm in peeling at 180° and at peeling width of 25 mm, and the adhesion layer 4 is adhered to the whole interface of the sound absorption layer 2 and the resonance layer 3 in 50-100% of area.
そして、吸音層２と共振層３に対する接着層４の接着強度が剥離幅２５mmで１８０度の剥離にて１〜２０Ｎ／２５mmに設定され、接着層４は、吸音層２と共振層３の全界面に対して５０〜１００％の面積で接着されている。 - 特許庁 - The image forming apparatus includes an unified interface layer composed of an interface library group made to have unified interface between the application and the communication protocol daemons, and the application can be developed according to the unified interface, and the time for development can be shortened and the cost can be reduced.
本発明の画像形成装置は、アプリケーションと通信プロトコルデーモンとの間に統一したインタフェースを持たせたインタフェースライブラリ群からなる統一インタフェース層を備えることにより、アプリケーションは前記統一インタフェースに従って開発を行えばよく、開発の時間及びコストを削減可能となった。 - 特許庁 - Furthermore, an interface(s) between the MREL and an active layer into which it has been inserted may be bridged by a thin layer of a highly conductive metal such as copper so as to ensure an ohmic contact across the full interface between the MREL and the active layer.
さらに、ＭＲＥＬと、それが挿入される活性層との間の界面全体にわたってオーミック接触を確保するために、ＭＲＥＬと活性層との間の界面の隙間を、銅などの高導電性金属からなる薄い層によって埋めるようにしてもよい。 - 特許庁 - This compatible software module for the remote operation bus of a system realizing the access to an application of the equipment using a GPIB(General Purpose Interface Bus) interface specification from other interfaces except for the GPIB interface is provided with a software library between a device layer of the corresponding interface and an application layer of the described equipment.
ＧＰＩＢインターフェース規格を採用した機器のアプリケーションに対して、前記ＧＰＩＢインターフェース以外のインターフェースからのアクセスを可能にしたシステムの遠隔操作バスの共通化ソフトウエアモジュールにおいて、対応インターフェースのデバイスレイヤと、前記機器のアプリケーションレイヤ間のソフトウエアライブラリを設けたことを特徴とする遠隔操作バスの共通化ソフトウエアモジュール。 - 特許庁 - To provide an organic EL element capable of restraining degradation of light extraction efficiency caused by reflection of light at an interface between a carrier supply layer and a light-emitting layer.
キャリア供給層と発光層との界面における光の反射に起因する光取り出し効率の低下を抑制できる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - To enhance moisture-proof effect against water entry into lateral face side on a substrate from interface between a scintillator layer and the substrate, while using hot melt resin as a scintillator protective layer to achieve process simplification, drastic reduction in work man-hour, and sharp cost-reduction.
基板の側面側における、シンチレータ層と基板との界面からの水分の浸入に対する防湿効果を向上させる。 - 特許庁 - This suppresses a weak layer from growing on the interface of the barrier metal layer 15 and the SiO2 film 13 of bonding pads to suppress the pad peeling in bonding.
これにより、バリアメタル層１５とＳｉＯ_2膜１３の界面において脆弱層の生成を抑制でき、ボンディング時のパッド剥がれを抑制できる。 - 特許庁 - To provide a highly reliable light emitting device in which detachment is prevented at the interface of the sealing layer and the optical lens layer of a light emitting element and the luminance does not fall easily.
発光素子の封止層と光学レンズ層との界面での剥離が防止され、輝度低下が生じにくく信頼性の高い発光装置を提供する。 - 特許庁 - To suppress the formation of a conductive layer at an interface with a substrate in a state that heat generated at a resistor layer is easily conducted to the substrate side.
抵抗層で発生する熱が基板の側に伝導しやすい状態で、基板との界面への導電層の形成が抑制できるようにする。 - 特許庁 - To reduce a leakage current and parasitic resistance by suppressing diffusion of metallic elements from a silicide layer while keeping interface resistance between the silicide layer and a silicon low.
シリサイド層とシリコンの界面抵抗を低く保ちつつ、シリサイド層からの金属元素の拡散を抑制し、リーク電流および寄生抵抗を小さくする。 - 特許庁 - In this case, since the first base metal layer 7 is deposited on an upper surface of the alteration layer C of the network structure, the adhesion strength at an interface between the layers 7 and C is high.
この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 - 特許庁 - When light wave-guided into a first electrode is fully reflected from an interface between the first electrode and a buffer layer, evanescent light is produced on the side of the buffer layer.
第１電極内を導波する光が、第１電極とバッファ層の界面で全反射した場合、バッファ層側にエバネッセント光が生じる。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor light emitting element, etc. in which the deterioration of an interface between a metal electrode layer and a transparent conductive layer is reduced to raise the quality.
金属電極層と透光性導電層との界面の劣化を低減して品質を高めた窒化物半導体発光素子等を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device with MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) whose resistance is low on an interface between a silicide layer and an Si layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.
シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A cap layer 15 composed of AlyGa1-yN (0<x<y<1) is arranged above the GaN electron transit layer 14, and positive piezoelectric charges are accumulated in this interface.
またＧａＮ電子走行層１４上にＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０＜ｘ＜ｙ＜１）キャップ層１５に設けこの界面に正のピエゾ電荷を蓄積する。 - 特許庁 - The resistance of the positive electrode 9 of ITO as a whole is small, and the Ip of the interface with the hole injection transporting layer 8 approximates that of the hole injection transport layer 8.
ITO の陽極９は、全体としての抵抗が小さく、かつ正孔注入輸送層８との界面のＩ_p が正孔注入輸送層８に近い。 - 特許庁 - Since a heterobarrier wall is high at the interface of the emission layer 3 and the p-type clad layer 5, such a structure as carrier overflow does not occur easily on the conduction band side is attained.
したがって、発光層３とｐ型クラッド層５との界面のヘテロ障壁が高く、伝導帯側でキャリアオーバーフローが生じ難い構造になっている。 - 特許庁 - As a result, an electric field concentration at an interface between the semiconductor layer 10 and the BOX layer 2 is relaxed, and the breakdown voltage of the diode can be made high.
その結果、半導体層１０とＢＯＸ層２との界面における電界集中は緩和され、当該ダイオードの高耐圧化を図ることができる。 - 特許庁 - A second lens array 13 which crosses the first lens array 12 almost at right angles is formed on the interface between the first lens layer 14 and second lens layer 15.
第１のレンズ層１４と第２のレンズ層１５の界面に、第１のレンズ列１２とほぼ直交する第２のレンズ列１３が形成されている。 - 特許庁 - To suppress the collapse or the like of a leak current and a drain current by reducing an interface state between an electron supply layer and an insulating layer.
電子供給層と絶縁層との間の界面準位を低減させ、リーク電流やドレイン電流のコラプス等の抑制を可能とすること。 - 特許庁 - The acid is then generated in the resist pattern by heating or exposure, and a crosslinked layer produced on the interface is formed as a coating layer of the resist pattern to thicken the resist pattern.
加熱又は露光によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせる。 - 特許庁 - In addition, the bonding interface of the p^+ type bonding layer 4a and the n^+ type bonding layer 4b which constitute such a tunnel diode structure 4 is formed into an irregularity form.
そして、このようなトンネルダイオード構造４を構成するｐ^+型接合層４ａとｎ^+型接合層４ｂとの接合界面を凹凸形状とする。 - 特許庁 - A user earth terminal(UET) 20 has an ATM network interface card(NIC) 38, a media access control(MAC) layer 24 and a physical layer 26.
ユーザ地球端末（ＵＥＴ）２０は、ＡＴＭネットワーク・インターフェース・カード（ＮＩＣ）３８とメディア・アクセス制御（ＭＡＣ）レイヤ２４と物理レイヤ２６とを有している。 - 特許庁 - Further, an i/n interface layer with a wider band gap than the (i) layer is inserted between the (n) and (i) layers, thus further improving the conversion efficiency.
更に、ｎ層とｉ層との間にｉ層よりもバンドギャップの広いｉ／ｎ界面層を挿入することにより、一層の変換効率の向上が実現される。 - 特許庁 - The bus 100 is formed of layer buses 101-104 for each layer, and a DMA controller 114, a memory interface part 115 and a bridge 125 are connected thereto.
バス１００は、レイヤ毎のレイヤバス１０１〜１０４から構成されており、ＤＭＡコントローラ１１３、メモリインターフェイス部１１５及びブリッジ１２５が接続されている。 - 特許庁
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