「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 50 51 次へ＞- The protection layer has a thin skin layer laminated to cover a surface of the electrode and a diffusion layer formed by diffusing metallic particles in the thin skin layer in the vicinity of an interface between the thin skin layer and the surface of the electrode and forming alloy.
この保護層は、電極表面を被覆するように積層される薄皮層と、薄皮層と電極表面との界面近傍に薄皮層中の金属粒子が拡散して合金化されて形成される拡散層とを有する。 - 特許庁 - The fuel cell uses the electrolyte film-electrode joined body of which, a catalyst layer and a gas diffusion layer are adhered by an adhesive layer made of polymer electrolyte formed on a part of a junction interface of the catalyst layer and the gas diffusion layer.
触媒層とガス拡散層が、それらの接合界面に部分的に形成された高分子電解質からなる接着剤層により接着されている電解質膜−電極接合体とそれを用いた燃料電池。 - 特許庁 - An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.
非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁 - Since the second piezoelectric layer 72 contains the same lead zirconate titanate as a third piezoelectric layer 73 formed on the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 formed on the lower electrode 60, a composition unstable phase can be made hard to be generated in the vicinity of an interface between the first piezoelectric layer 71 and the second piezoelectric layer 72 and in the vicinity of an interface between the second piezoelectric layer 72 and the third piezoelectric layer 73.
第２圧電体層７２が、下電極６０に形成された第１圧電体層７１および第２圧電体層７２上に形成される第３圧電体層７３と同じチタン酸ジルコン酸鉛なので、第１圧電体層７１と第２圧電体層７２との界面付近および第２圧電体層７２と第３圧電体層７３との界面付近で組成不安定相を生じにくくできる。 - 特許庁 - It is preferable that the interface glass layer 13 and the impregnated glass phase 10 are formed from glass having substantially an identical composition.
好ましくは、界面ガラス層１３と含浸ガラス相１０とが実質的に同組成のガラスからなる。 - 特許庁 - To realize a liquid droplet ejection apparatus in which ink hardly infiltrates into the interface between a plate member and an adhesive layer.
プレート部材と接着層との界面にインクが浸入し難い液滴噴射装置を実現する。 - 特許庁 - An interface layer 106 is formed in an insulation sealing material 102 side adhesion face of rear face protection material 105.
裏面保護材１０５の絶縁性封止材１０２側接着面に界面層１０６を形成する。 - 特許庁 - To quickly insert a material having a low work function into a vicinity of an interface between an organic layer and a cathode.
仕事関数の低い材料を迅速に有機層と陰極との界面近傍に挿入する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device small in leakage current flowing in an interface between a protective film and a semiconductor layer.
保護膜と半導体層との界面を流れる漏れ電流の小さい半導体装置を提供する。 - 特許庁 - It has been demonstrated experimentally that generally the case in which interface layer is generated occurs more frequently.
むしろ、一般にこの界面層が生じる場合の方が多いことが実験的に明らかになった。 - 特許庁 - To provide a magnetic random access memory whose interface magnetic layer is sufficiently crystallized, and a manufacturing method thereof.
界面磁性層が十分に結晶化された磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Preferably, the interface glass layer 13 and the impregnating glass phase 10 are substantially composed of the glass having the same composition.
好ましくは、界面ガラス層１３と含浸ガラス相１０とが実質的に同組成のガラスからなる。 - 特許庁 - To improve insulating characteristics of an interface between a center conductor and an insulating layer formed by molding.
中心導体と注型により形成した絶縁層との境界面の絶縁特性を向上させる。 - 特許庁 - A binding layer 20 formed of a moisture hardening type adhesive is interposed in an interface between the vulcanized rubber and the metal.
加硫ゴム／金属界面間に湿気硬化型接着剤からなる結合層２０を介在させる。 - 特許庁 - To provide a method and device for displaying the second layer information in a graphical user interface.
グラフィカル・ユーザ・インターフェース内に第２層の情報を表示する装置および方法を提供すること。 - 特許庁 - A new MOSFET provided with the metal gate electrode, a gate dielectric and an interface layer is disclosed.
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。 - 特許庁 - SiO_2 or a metal may be also deposited on the interface between the sapphire substrate 10 and the GaN layer 14.
サファイア基板１０とＧａＮ層１４との界面にＳｉＯ_２あるいは金属を蒸着してもよい。 - 特許庁 - The layer decreases an intrinsic tilt angle of RM on the interface 108 with air from 25° to 0°.
この層がＲＭの空気との界面における固有の傾斜角を２５°から０°の間へと低下させる。 - 特許庁 - Consequently, a normal Au-Al alloy layer 54b is formed over the entire bonding interface.
これにより、接合界面の全域に亘って正常なＡｕ−Ａｌ合金層５４ｂが形成される。 - 特許庁 - A film 60 is provided at an interface between the gasket 50 and the porous body layer 30 as well as the separator 40.
フィルム６０が、ガスケット５０と、多孔質体層３０、セパレータ４０との界面に設けられている。 - 特許庁 - The falling speed of a dispensing nozzle 62 is controlled on the basis of the positional data of the interface of a serum layer.
血清層の界面の位置の情報に基づき、分注ノズル６２の降下速度を制御する。 - 特許庁 - The first high-dielectric film 103 is prepared on the interface oxidation layer 102, containing nitrogen.
第１の高誘電体膜１０３は、界面酸化層１０２の上に設けられ、窒素を含有している。 - 特許庁 - A crosslinking combination layer 19 is formed on the interface between the photoresist pattern and the polymer containing silicon by performing exposure and baking.
露光、ベークしフォトレジストパターンとシリコン含有ポリマーの界面に架橋結合層１９を形成する。 - 特許庁 - To obtain a high quality semiconductor active layer and a MOS interface with high throughput but with very reduced impurities.
高いスループットで極めて不純物の少ない高品質な半導体能動層、ＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁 - In this case, a protonation ability is improved on the interface between the hydrogen separation membrane layer (10) and the electrolyte (20).
この場合、水素分離膜層１０と電解質２０との界面におけるプロトン化能が向上する。 - 特許庁 - Here, a mutually diffused layer 4 is formed at a joint interface between the copper electrode 2 and the bump electrode 3.
このとき銅電極２とバンプ電極３との接合界面には相互拡散層４を形成する。 - 特許庁 - The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers.
Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。 - 特許庁 - To improve power generating efficiency by making higher the performance of an interface between a current collector and an electrode layer.
集電体と電極層の界面における性能を高めることで、発電効率のアップを図る。 - 特許庁 - The light emitting device contains an n-type β-Ga_2O_3 substrate or n-type (AlGa)_2O_3 substrate, an interface control layer formed on the substrate, and a light emitter arranged with an AlGaN semiconductor layer formed on the interface control layer.
ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板あるいはｎ型（ＡｌＧａ）_２Ｏ_３基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたＡｌＧａＮ半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。 - 特許庁 - Thus, constituent atoms constituting the carrier injection layer can be prevented from separating off the surface of the carrier injection layer and the density of interface state of an interface between the carrier injection layer and the surface protective film can be reduced.
このことによって、キャリア注入層の表面からキャリア注入層を構成する構成原子が脱離すること及び酸化や汚染に起因する、キャリア注入層と表面保護膜との界面に形成される界面準位の密度を低減できる。 - 特許庁 - Then, by the structure, the upper end face α of a depletion layer including a pn junction interface does not reach the interface of the first non p-type layer 104 and a second non p-type layer 105 near respective electrodes S and D for conduction.
そして、これらの構造によって、ｐｎ接合界面を内包する空乏層の上端面αは、各導通用電極Ｓ，Ｄの近傍においては第１非ｐ型層１０４と第２非ｐ型層１０５との界面に到達していない。 - 特許庁 - The reflective element contains an interface layer 65 comprising a thermoset material, such as an epoxy resin, and the interface layer 65 is formed between the substrate 55 and the reflective layer 75 to improve the smoothness of the substrate.
反射性素子は熱硬化性材料を含むインターフェース層６５を含み、熱硬化性材料、例えばエポキシレジンを含むインターフェース層を含み、このインターフェース層６５を基板５５と反射層７５との間に形成して基板の平滑さを向上させる。 - 特許庁 - A laser beam, which is provided with a property of transmitting the second layer, reflecting on the interface of the first layer 11 and the second layer 12, and peeling the second layer in the area on which the laser beam is incident from the first layer, is made incident on the laminated base plate from the surface of the second layer.
第２の層を透過し、第１の層と第２の層１２との界面で反射し、レーザビームの入射した領域の第２の層を第１の層から剥離させる性質を有するレーザビームを、第２の層の表面から積層基板に入射させる。 - 特許庁 - An arrester part 5 to avoid development of peeling between a surface layer 4 and a core layer is provided in an interface region of the surface layer 4 and the core layer 2 by laminating the surface layer 4 made of a composite material on a surface 3 of the core layer 2 made of a foaming synthetic resin material.
発泡合成樹脂材料から成るコア層２の表面３に、複合材料から成る表層４を積層し、表層４とコア層２との界面領域に、表層４およびコア層２間の剥離の進展を阻止するためのアレスタ部５を設ける。 - 特許庁 - In the plasma display device, an antireflective layer is arranged on a surface layer of an optical filter disposed via an air layer, and an antireflective layer different in the lowest reflectivity wavelength from the antireflective layer of the surface, is arranged on an interface with another air layer.
空気層を介して設置された光学フィルターの表層に反射防止層が配置され、さらに別の空気層との界面に、表層の反射防止層と最低反射率波長の異なる反射防止層が配置されたプラズマディスプレイ表示装置を提供する。 - 特許庁 - INTERFACE BINDER, RESIST COMPOSITION CONTAINING INTERFACE BINDER, LAMINATE FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM FORMATION HAVING LAYER OF INTERFACE BINDER, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING INTERFACE BINDER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURED BY MANUFACTURING METHOD
界面結合剤、該界面結合剤を含有するレジスト組成物、及び該界面結合剤からなる層を有する磁気記録媒体形成用積層体、並びに該界面結合剤を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法により製造された磁気記録媒体 - 特許庁 - To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.
界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁 - Although a value of source-side interface resistance of a spin MOSFET is essentially different from a value of drain-side interface resistance, these values are made to approximately coincide with each other by adjusting the thickness of a tunnel barrier layer in the interface.
スピンＭＯＳＦＥＴにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面におけるトンネル障壁層の厚みを調整することにより、これらを略一致させる。 - 特許庁 - Compositional ratio of In is thereby controlled easily, and a good quality active layer and the interface of the active layer are provided.
これによりＩｎの組成比を制御することが容易となり、かつ良質の活性層および活性層の界面を提供することができる。 - 特許庁 - To obtain stable releasing characteristics between a photosensitive fluorescent material layer and a cushion layer irrespective of the change of a stripping interface profile by an existing formed picture element.
既形成画素による剥離界面形状の変化に係わらず、感光性蛍光体層とクッション層間で安定した剥離性を得る。 - 特許庁 - A junction interface 18 between the diffusion layer 15 that is a silicon portion of the SOI layer 12 and the metal silicide 17 is a silicon plane 111.
そして、ＳＯＩ層１２のシリコン部分である拡散層１５と金属シリサイド層１７との接合界面１８が（１１１）シリコン面である。 - 特許庁 - In the compound layer 2, a barrier layer is formed by Cu6Sn5 phase deposition on or migration to a surface of the Ni plating, whereby an interface reaction is suppressed.
化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 - 特許庁 - To provide a GeOI substrate with a Ge layer having very flat junction interface with an oxidized layer, and having good quality characteristics.
Ｇｅ層と酸化膜との接合界面の平坦性が良く、良好な品質特性を有するＧｅ層を備えたＧｅＯＩ基板の提供。 - 特許庁 - To attain a low profile of the interface between a conductive layer and an insulating resin surface for a high frequency and also enhance the contact reliability of the layer and the surface.
高周波化対応のために導体層と絶縁樹脂表面の界面をロープロファイル化するとともにその密着信頼性を高める。 - 特許庁 - When the semiconductor device is irradiated with radiation, a large amount of holes are accumulated in a BOX layer 2 adjacent to the interface with a silicon layer 3.
半導体装置に放射線が照射されると、シリコン層３との界面付近におけるＢＯＸ層２内に多量の正孔が蓄積される。 - 特許庁 - To provide a laminated ceramic capacitor having a small rate of resistance change to a DC voltage of interface between a dielectric layer and an internal electrode layer.
誘電体層と内部電極層との界面のＤＣ電圧に対する抵抗変化率の小さい積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁 - Then the BPSG film 8 is separated into a side of a source diffusion layer 41 and a side of a drain diffusion layer 42 with a gate electrode disposed therebetween as an interface therebetween.
次いで、ゲート電極を境にしてＢＰＳＧ８膜をソース拡散層４１側の部分とドレイン拡散層４２側の部分とに分離する。 - 特許庁 - As a result, a semiconductor substrate in which a defect in an interface between the single crystal semiconductor layer and the insulating layer is reduced can be provided.
これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 - 特許庁 - In this case, since the first base metal layer 7 is formed on the top surface of the quality-changed layer C having the mesh structure, adhesion force at the interface is high.
この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 - 特許庁 - The laser device comprises a laser slab (10) having ion layer (12) and a nonion layer (14) coupled through an optical interface (16).
レーザー装置は光学質のインターフェース（１６）を介して結合されたイオン層（１２）及びノンイオン層（１４）を有するレーザースラブ（１０）を使用する。 - 特許庁
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