「interface layer」を含む例文一覧(2528)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 50 51 次へ＞- In the wave range of light that enters the substrate 1 and reaches the first reflection layer 5, reflectivity at an interface between the first reflection layer 5 and the second reflection layer 6 is higher than the reflectivity at an interface between the translucent conductive oxide layer 4 and the first reflection layer 5.
基板１から入射する光のうち第１の反射層５に到達する光の波長域において、第１の反射層５と第２の反射層６の界面での反射率が、透光性導電酸化物層４と第１の反射層５の界面での反射率よりも高い。 - 特許庁 - An interface layer which has both functions of an adhesive layer and a high resistance layer (thermal resistance layer) and comprises extremely thin insulator or a semiconductor is inserted between a chalcogenide material layer and an interlayer insulating film, and between the chalcogenide material layer and a plug.
接着層と高抵抗層（熱抵抗層）の機能を兼ね備えた、極薄の絶縁体または半導体からなる界面層をカルコゲナイド材料層／層間絶縁膜間、及びカルコゲナイド材料層／プラグ間に挿入する。 - 特許庁 - The synthetic resin molding has a three-layer structure composed of a front surface layer 5 formed of the first synthetic resin composition 2, a back surface layer 6 formed of the second synthetic resin composition 3 and the interlayer layer sheet 1 formed in an interface between the front surface layer 5 and the back surface layer 6 and integrated with the front surface layer 5 and the back surface layer 6.
第１の合成樹脂組成物２よりなる表面層５と、第２の合成樹脂組成物３よりなる裏面層６と、表面層５と裏面層６との界面に設けられて表面層５及び裏面層６と一体となった界面層シート１の３層構造となっている。 - 特許庁 - In this method for forming a BeTe/CdS hetero interface where a ZnSe layer is interposed between a BeTe layer and a CdS layer and a quantum well where the CdS layer is interposed between the BeTe layers, the ZnSe layer is interposed between the BeTe layer and the CdS layer, and an electronic supply substrate is doped to the CdS layer so that the quantum well can be configured.
BeTe層とCdS層の間に、ＺｎＳe層を介在させるBeTe/CdSヘテロ界面の形成方法、及びCdS層をBeTe層ではさむ構造の量子井戸であって、BeTe層とCdS層の間に、ＺｎＳe層を介在させ、かつCdS層に電子供給物質をドーピングしてなる量子井戸。 - 特許庁 - In the buffer layer 2, the concentration of the dopant is reduced linearly from C1 to C2 toward the interface with the silicon carbide drift layer 3 from the interface with the silicon carbide substrate 1.
バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 - 特許庁 - Receiving light at the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 generates a photocurrent which flows along the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 as a two-dimensional carrier.
また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁 - Multilayer antireflective films 21 and 22 are formed on the interface between a ghost prevention member 5 and the adhesion layer 23, and the interface between the adhesion layer 23 and a half-prism 2.
ゴースト防止部材５と接着層２３との界面、および接着層２３とハーフプリズム２との界面に、各々多層の反射防止膜２１、２２を介在させるようにしている。 - 特許庁 - The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer.
本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。 - 特許庁 - The thickness of an interface layer 2A of a gate insulating film 52a in the first MIS transistor is thicker than that of an interface layer 2b of a gate insulating film 52b in the second MIS transistor.
第１のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ａの界面層２Ａの厚さは、第２のＭＩＳトランジスタにおけるゲート絶縁膜５２ｂの界面層２ｂの厚さよりも厚い。 - 特許庁 - The oxidation is carried out on an interface 17 between a laminar flow layer 14 of toluene and the photocatalyst 4, and on an interface 18 between a laminar flow layer 15 of water and the photocatalyst 4, by molecular diffusion.
酸化反応は、層流のトルエン層１４と光触媒４の界面１７や、層流の水層１５と光触媒４の界面１８で、分子拡散により行われる。 - 特許庁 - A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer.
半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a magnetic tape which controls the thickness of a magnetic layer and interface fluctuations in an interface between the magnetic layer and an intermediate layer-combined layer just under the magnetic layer as a simultaneous layer-overlapping coated magnetic tape, consequently reduces PW 50 values of a solitary waveform and modulation noise and shows an excellent C/N characteristic.
同時重層塗布型の磁気テープとして、磁性層の厚みと、磁性層と直下の中層結合層との界面における界面変動を制御することができ、その結果、孤立波形のＰＷ５０値の低減と変調ノイズの低減とが図られて良好なＣ／Ｎ特性を示す磁気テープを提供する。 - 特許庁 - During the dicing, a decrease in adhesive power of the pressure-sensitive adhesive layer is suppressed to suppress peeling on an interface between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer, and a decrease in adhesive power of the adhesive layer is suppressed to suppress peeling on an interface between a semiconductor chip with the adhesive layer in the form of an individual piece and the adhesive layer.
ダイシング時に、粘着剤層の粘着力の低下が抑制され、粘着剤層と接着剤層の界面での剥離が抑制されると共に、接着剤層の接着力の低下が抑制され、個片化した接着剤層付き半導体チップと接着剤層との界面での剥離が抑制される。 - 特許庁 - A hardly soluble layer 4 is formed on an interface between the low molecular hole transportation layer 3 and the high molecular light emission layer 5 by performing surface processing of the low molecular hole transportation layer 3 by using an ether compound.
低分子ホール輸送層３をエーテル化合物にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層３と高分子発光層５との界面に難溶化層４を形成する。 - 特許庁 - Then, the dielectric layer 2 includes a plurality of pore-like pits (recesses) 2a extending in a thickness direction of the dielectric layer 2 towards the anode body 1 from an interface between the dielectric layer 2 and the conductive polymer layer 3.
そして、誘電体層２は、導電性高分子層３との界面から陽極体１に向って誘電体層２の厚さ方向に孔状のピット（凹部）２ａを複数有している。 - 特許庁 - The refractory fiber layer 2 accepts the expansion of the conduit 1 to the refractory support 7 by the slide of the interface of the layer 2 and the deformation of the layer 2 and the contraction of the layer 2.
耐火物繊維層２は、耐火物支持体７に対する導管１の膨張を、層２の界面による滑りおよび層２の変形、ならびに層２の収縮により許容する。 - 特許庁 - The Hall generated in the NTCDA layer 4 by light application shifts within the NTCDA layer 4 from the ITO layer 3, and is accumulated as a trap Hall at the interface to an LiF layer 5.
光照射によりＮＴＣＤＡ層４内で生成したホールは、ＩＴＯ電極３からＮＴＣＤＡ層４内を移動し、ＬｉＦ層５との界面にトラップホールとして蓄積される。 - 特許庁 - The foam molded body is composed of a surface skin layer and an inner foamed layer, and preferably, the skin layer is integrally molded with the foamed layer without interposing a clear interface.
この発泡成形体は、表面のスキン層と内側の発泡層とからなっているが、このスキン層が明確な界面を介さず発泡層と一体に成形されていることが好ましい。 - 特許庁 - The dielectric layer 2 includes a plurality of pore-like pits (recesses) 2a extending in a thickness direction of the dielectric layer 2 towards the anode body 1 from an interface between the dielectric layer 2 and the conductive polymer layer 3.
誘電体層２は、導電性高分子層３との界面から陽極体１に向って誘電体層２の厚さ方向に孔状のピット（凹部）２ａを複数有している。 - 特許庁 - To prevent a phenomenon where the film manufacturing of an alkali barrier layer and a metal back electrode layer is carried out at low cost and in a short time, and a light absorbing layer is peeled from an interface with a metal back electrode layer.
アルカリバリア層と金属裏面電極層の製膜を、低コスト且つ短時間で行い、光吸収層が金属裏面電極層との界面から剥離する現象を防止する。 - 特許庁 - The gas diffusion electrode consists of a gas diffusion layer and the catalyst layer, in which a catalyst having water electrolysis activity is arranged at an interface of the gas diffusion layer and the catalyst layer.
ガス拡散層および触媒層からなるガス拡散電極であって、水電解活性を有する触媒がガス拡散層および触媒層の界面に配置されてなる、ガス拡散電極。 - 特許庁 - A dissolution retardant layer 4 is formed on the interface of a low-molecular hole transport layer 3 and a polymer light-emitting layer 5 by carrying out surface treatment of the low-molecular hole transport layer 3 in organic acid.
低分子ホール輸送層３を有機酸にて表面処理することにより、低分子ホール輸送層３と高分子発光層５との界面に難溶化層４を形成する。 - 特許庁 - The center of the exposed surface of the conductive paste 5 is located at a level closer to the protective layer 2 and lower than the level of the outer surface of the protective layer 2 with respect to an interface between the insulating layer 1 and the protective layer 2.
前記導電性ペースト５の露出面の中央部が、絶縁層１と保護層２の界面より保護層２側であって、かつ、保護層２の外表面より内側に位置する。 - 特許庁 - In the metal layer 6 that is the lowest layer, its end part is pressed by the second insulation layer 8, thus preventing external force from being applied to the interface between the metal layer 6 and the insulation film 4.
最下層の金属層６は、その縁部を第２絶縁層８によって押さえこまれており、外部からの力が金属層６と絶縁膜４との界面に直にかからない。 - 特許庁 - To provide a photocatalyst transfer body which has a photocatalyst layer, a protective layer (primer layer), and an adhesive layer, is high in adhesive force in each interface, and can be produced easily.
光触媒層、保護層（プライマー層）及び接着剤層を備え、各界面における密着力が高く、しかも容易に製造可能な光触媒層転写体を提供する。 - 特許庁 - Further, the translucent substrate and the device forming layer are separated on an interface between the photocatalytic layer and the inorganic compound layer containing carbon or the simple substance layer of carbon.
さらには、光触媒層及び炭素を含む無機化合物層または炭素単体層の界面において分離することで、透光性を有する基板及び素子形成層を分離する。 - 特許庁 - When a Pb raw material becomes aged, an interface layer composed mainly of RuO_2 is generated in an interface, and the residual dielectric polarization value is reduced.
ただし、Ｐｂ原料が旧くなったりすると界面にはＲｕＯ２を主成分とする界面層が発生し、残留分極値も減少した。 - 特許庁 - The antiferromagnetic layer 3 is made of a PtMn type material having a composition of Mn 50 atm.% in the interface with the ferromagnetic layer 5.
反強磁性層３はＰｔＭｎ系材料とし、強磁性層５との界面において、５０原子％Ｍｎの組成とする。 - 特許庁 - Also, an adhesive layer 41 wherein a metal and an inorganic substance are mixed with each other is present in the interface between the metal electrode 11 and the dielectric layer 21.
金属電極１１と誘電体層２１との界面には、金属と無機物とが混在する密着層４１がある。 - 特許庁 - The layer Wa and the layer Wb are integrated by interlacing filaments Fa and Fb at the lamination interface.
そして、層Ｗａと層Ｗｂとは、その積層界面で、長繊維Ｆａ及びＦｂが絡み合うことによって、一体化されている。 - 特許庁 - To provide an organic/inorganic composite material having improved water-proof property at the interface between an organic material layer and an inorganic material layer.
有機材料層及び無機材料層の界面の耐水性を向上させた有機無機複合材料を提供すること。 - 特許庁 - A hydrophilic portion 8a is formed at least at a part of the interface between the gas diffusion layer substrate 8 and the conductive covering layer 6.
ガス拡散層基材８と導電性被覆層６との界面の少なくとも一部に、親水部８ａを有している。 - 特許庁 - The contact hole (282), connecting the first conductive layer and the second conductive layer, is made through the bonding interface (201).
第１導電層と第２導電層とを接続するコンタクトホール（２８２）が、貼り合わせ界面（２０１）を貫通して開孔されている。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescence display device including an organic EL element as improvement of the conventional arrangement in which an interface is generated between a light emitting layer and electron transport layer to result in a deterioration.
有機ＥＬ素子において、発光層と電子輸送層の間に界面が生じ、劣化の一因となっている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a functional component, which can provide good uniformity of a product by controlling the interface between a reinforcement layer and a functional layer.
補強層と機能層の界面が制御され、製品の均一性が良好な機能部品製造方法を提供する。 - 特許庁 - On the other hand, a depletion layer is formed on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and a p-GaN region 4.
一方、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が形成される。 - 特許庁 - Therefore, the misfit dislocation occurs in the vicinity of the interface between the p-type distorted silicon layer 22 and the p-type silicon-germanium layer 24.
したがって、ｐ型歪シリコン層２２とｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４との界面近傍には、ミスフィット転位が発生している。 - 特許庁 - The polycrystalline silicon layer 6 is formed while an interface with the layer 5 is positioned at the upper section of the film 4.
多結晶シリコン層６は、その単結晶シリコン層５との界面がＳｉＯ_２膜４の上方に位置して設けられている。 - 特許庁 - At the interface of the plating layer and base iron, an Fe-Zn intermetallic compound layer is present.
前記めっき鋼材において、めっき層と地鉄界面にFe-Zn金属間化合物層が存在することを特徴とするめっき鋼材。 - 特許庁 - This invention relates to the lithium battery 1 which has a positive electrode layer 12, a negative electrode layer 16, and the solid electrolyte layer (SE layer 14) to mediate conduction of lithium ions between these both layers 12, 16, and includes an interface layer 15 between the negative layer 16 and the SE layer 14.
正極層１２と、負極層１６と、これら両層１２，１６の間でリチウムイオンの伝導を媒介する固体電解質層（ＳＥ層１４）とを有するリチウム電池１であって、負極層１６とＳＥ層１４との間に界面層１５を備える。 - 特許庁 - The copper foil with the carrier foil has the copper foil layer on the surface of the carrier foil through a bonding interface layer and is characterized in that the bonding interface layer is a composite layer composed of an independent carbon layer formed by a physical vapor deposition method or a metal layer and the carbon layer and the copper foil layer is formed by the physical vapor deposition method.
前記課題を解決するために、キャリア箔の表面に接合界面層を介して銅箔層を有するキャリア箔付銅箔であって、当該接合界面層は物理蒸着法で形成した単独の炭素層又は金属層と炭素層とからなる複合層であり、当該銅箔層は物理蒸着法で形成したことを特徴とするキャリア箔付銅箔を採用する。 - 特許庁 - In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified.
コンタクト層６だけをストライプとして形成し、ストライプ幅Ｌ_１、長さＬ_２、コンタクト層と上部クラッド層５界面から活性層４までの厚さＬ_３、活性層の幅Ｌ_４を規定している。 - 特許庁 - By having n-type carriers included in the n-type layer 2b diffuse into the p-type layer 2a, a compensation region 2c is formed in the portion of the p-type layer 2a, which is present in the vicinity of the interface between the p-type layer 2a and the n-type layer 2b.
ｎ型層２ｂ中のｎ型キャリアがｐ型層２ａ中に拡散することにより、ｐ型層２ａとｎ型層２ｂとの界面近傍のｐ型層２ａ中に補償領域２ｃが形成される。 - 特許庁 - An indentation 6 is driven into a part of the intermediate layer, adjacent to the jointing interface.
中間層３のセラミックス部材２との接合界面近傍には圧痕６が打ち込まれている。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board in which a nickel plating layer does not peel off from a solder at an interface therebetween.
ニッケルメッキ層がはんだとの界面で剥離することがないプリント配線板の提供。 - 特許庁 - A micro-lens array is preferred to be fitted at an interface between the light guide plate and the upper layer.
導光板と上部層との間の界面には好ましくはマイクロレンズアレイが設けられている。 - 特許庁 - To suppress flooding of water generated near the interface of an electrolyte layer and a catalyst electrode.
電解質層と触媒電極との界面近傍における生成水のフラッディングを抑制する。 - 特許庁 - The first physical layer processing device is coupled to the first external device through the fist interface.
第一物理層処理装置は第一インターフェイスを通して前記第一外部装置と結合する。 - 特許庁 - An interface of an InGaP layer is formed where the concentration of a level which is re-coupling center is lower.
再結合中心となる準位の濃度が小さいＩｎＧａＰ層の界面が形成される。 - 特許庁 - An identification code pattern 30 is formed in the interface between the bulk silicon layer 23 and silicon oxide film 22.
識別コードパターン３０は、バルクシリコン層２３のシリコン酸化膜２２との界面に形成される。 - 特許庁
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