「layer elements」を含む例文一覧(2250)
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陰極線管ＰＲＴのパネルガラスＰＮＬの電子線照射側に当該電子線の照射により還元され難い元素の透明酸化物薄層ＴＦを設けた。 - 特許庁 - The heterojunction bipolar transistor is formed by arranging a plurality of transistor elements in an array in the long side direction of emitter on a sub-collector layer while spacing apart the collector layers from each other.
サブコレクタ層上に、コレクタ層が互いに分離された複数のトランジスタ要素をエミッタの長辺方向に１列に配置して、ヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する。 - 特許庁 - The thermoelectric conversion element is constituted by interposing an insulating layer 50 between an upper electrode 20 on the upper substrate side and n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18.
熱電変換素子は、上部基板側の上部電極２０とｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８との間に絶縁層５０が介挿されて構成される。 - 特許庁 - A plurality of semiconductor light emitting elements (LED chips) 102 are disposed with a gap L, and the phosphor layer 103 is formed on the upper surface bridging the gap between the LED chips.
複数の半導体発光素子（ＬＥＤチップ）102が間隙Lを有して配置され、その上面にＬＥＤチップ間の間隙を架橋して蛍光体層103が形成されている。 - 特許庁 - A calculation part 20 calculates a distribution of light intensity in a wavelength of a reflected light from a model, based on a plurality of assumed elements in the model comprising the layer and the fine particle.
また、計算部２０は、層および微粒子のモデルの仮定した複数の要素に基づいて、モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算する。 - 特許庁 - Each of semiconductor laser elements is provided with a laser stripe 18 on a mesa 16 and has a p-side electrode 20, on a ridge stripe and an n-side electrode 22 on a contact layer by the side of the mesa.
半導体レーザ素子は、レーザストライプ１８をメサ１６上に備え、リッジストライプ上にｐ側電極２０を、メサ脇のコンタクト層上にｎ側電極２２を有する。 - 特許庁 - The organic electroluminescent device 1 is provided with light-emitting elements 200 having an organic function layer 40 pinched between a cathode 54 and an anode 41 on a substrate P.
陰極５４及び陽極４１間に有機機能層４０が挟持されてなる発光素子２００を基板Ｐ上に有する有機エレクトロルミネッセンス装置１である。 - 特許庁 - This positive electrode active material includes a core including a lithium compound, at least one surface treatment layer formed on the core and including two or more coating elements.
リチウム化合物を含むコアと、このコア上に一つ以上形成された二つ以上のコーティング元素を含む一つ以上の表面処理層とを含む正極活物質。 - 特許庁 - This boron phosphide-based semiconductor element is constituted by utilizing the oxygen-containing boron phosphide-based semiconductor layer containing boron and phosphorus as constituent elements and, in addition, oxygen.
硼素とリンとを構成元素として含み、さらに酸素を含有する含酸素リン化硼素系半導体層を利用してリン化硼素系半導体素子を構成する。 - 特許庁 - By using an epitaxial growth layer of a semiconductor wafer, a plurality of optical semiconductor elements (more specifically, semiconductor lasers) are formed side by side in a surface direction of the semiconductor wafer.
半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate comprising a base 1 and an epitaxial layer 2, first and second variable-capacitance diode elements VCD(A) and VCD(B) are formed.
基材１とエピタキシャル層２からなる半導体基板上に、第１の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ａ）と第２の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ｂ）を形成する。 - 特許庁 - On the laminate surface side of the Si substrate 10, a "minute air bubble layer" is formed by hydrogen ion implantation and bonding state of elements is made fragile locally.
Ｓｉ基板１０の貼り合わせ面側には、水素イオン注入により「微小気泡層」が形成されており、元素の結合状態は局所的に脆弱化されている。 - 特許庁 - In a heat treatment process heating an induction layer (41) and a catalytic section (42) of production processes of gas sensor elements (1), concentration of oxygen is specified to 10 ppm or less.
ガスセンサ素子（１）の製造工程のうち感応層（４１）および触媒部（４２）を加熱する熱処理工程において、酸素濃度が１０ｐｐｍ以下に規定されている。 - 特許庁 - Moreover, the barrier-rib layer inner wall 511 may not greatly project over the forming area of the organic EL elements 80, since the angle Θ1 with respect to the substrate main 10d is large.
また、隔壁層内壁５１１は、基板本体１０ｄに対してなす角度Θ1が大きいため、有機ＥＬ素子８０の形成領域に大きく張り出すことがない。 - 特許庁 - A piezoelectric diaphragm 10 adopts a bimorph structure wherein both sides of diaphragms 12A, 12B also used for leadout electrodes are provided with piezoelectric elements 16, 28, and the piezoelectric element 16 is structured such that an electrode layer 20A is opposed to an electrode layer 24B and an electrode layer 24A is opposed to an 20B by sandwiching a piezoelectric layer 18A.
圧電振動板１０は、引き出し用電極を兼ねた導電性の振動板１２Ａ，１２Ｂの表裏に、圧電素子１６，２８を備えたバイモルフ構造であって、圧電素子１６は、圧電層１８Ａを挟んで、電極層２０Ａと電極層２４Ｂとが対向し、電極層２４Ａと電極層２０Ｂとが対向した構造となっている。 - 特許庁 - A semiconductor crystal structure having a lower In composition than the first semiconductor layer is formed on at least a portion of side walls of the first semiconductor layer in which a plurality of narrow trenches are formed, by forming the plurality of narrow trenches in the second semiconductor layer and the first semiconductor layer and performing heat treatment under an atmosphere containing nitride elements.
第２の半導体層および第１の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、窒素元素を含む雰囲気下で熱処理することにより、複数の細孔が形成された第１の半導体層の側壁の少なくとも一部に、第１の半導体層よりもＩｎ組成が低い半導体結晶構造を形成する。 - 特許庁 - A compound semiconductor element comprises the compound semiconductor layer comprising at least Al as a main constituent element, the compound semiconductor layer comprising at least As and P as main constituent elements, and a compound semiconductor layer, i.e. an intermediate layer, partially or entirely comprising at least As and P with mixed crystal composition varying slantingly or stepwise.
本発明によれば、主構成元素として少なくともＡｌを含む化合物半導体層と主構成元素として少なくともＡｓとＰを含む化合物半導体層の中間層として、その一部、或いは全部に少なくともＡｌとＰが用いられており、尚且つ、混晶組成が傾斜的、或いは段階的に変化している化合物半導体層を設ける。 - 特許庁 - A first protective layer made of metal is provided on the insulating layer 10 facing a substrate 40 for a liquid ejection head including elements 12 used for ejecting liquid, and a supply port penetrating the insulating layer 10 and a substrate 8, and a second protective layer made of metal is provided on a surface of the supply port to which the substrate is exposed.
液体を吐出するために用いられる素子１２と絶縁層１０と基板８を貫通する供給口とを備えた液体吐出ヘッド用基板４０に面する絶縁層の上に、金属からなる第１の保護層が設けられ、かつ供給口の基板が露出する面の上に、金属からなる第２の保護層が設けられている。 - 特許庁 - To provide a submount for mounting an optical semiconductor element which can prevent the breakage of the optical semiconductor element due to conveyance of thermal stress thereto as well as alloying of metallic layer elements in a brazing material layer when the brazing material layer is heated and melted to join the optical semiconductor element, and also prevent an increase in melting point due to compositional change of the brazing material layer.
熱応力が光半導体素子側に伝わり光半導体素子が破損するのを抑え、また光半導体素子を接合するためにロウ材層を加熱溶融させた時に、金属層成分がロウ材層中に融け込んで合金化することがなく、ロウ材層の組成変化による融点上昇が生じず、良好な接合性が得られる。 - 特許庁 - To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.
２種以上のＶ族元素で構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第１の層と第２の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁 - A thin film transistor circuit layer 14 wherein thin film transistors 18 are disposed for every pixel for selecting the pixels and elongating time for applying voltage to the stress imparting elements and active matrix system electric wiring lines 20 selectively driving the respective thin film transistors are formed is provided and the magneto-optical layer, the piezoelectric layer and the thin film transistor circuit layer are layered in this order.
画素の選択及び応力付与要素への電圧印加時間の延長のために各画素毎に薄膜トランジスタ１８を配設すると共に、各薄膜トランジスタを選択駆動するアクティブ・マトリックス式電気配線２０を形成した薄膜トランジスタ回路層１４を具備し、磁気光学層、圧電層、薄膜トランジスタ回路層の順序で積層されている。 - 特許庁 - The strain detector includes a metallic strain body 11, an insulating layer 13 of glass provided on the outer surface side of the strain body 11, at least two strain resisting elements 15 provided on the outer surface of the insulating layer 13, and a cushioning layer 12 provided to be located between the strain body 11 and the insulating layer 13.
歪検出装置は、金属製の起歪体１１と、この起歪体１１の外表面側に設けられたガラスからなる絶縁層１３と、この絶縁層１３の外表面に設けられた少なくとも２つの歪抵抗素子１５とを備え、前記起歪体１１と絶縁層１３との間に位置して緩衝層１２が設けられる。 - 特許庁 - This plasma display panel is provided with a discharge space having a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue phosphor layer on at least a part of its inner wall, and the green phosphor layer is formed by a green phosphor 35a coated with a positively chargeable oxide 35b to which platinum group elements 35c are added.
内壁の少なくとも一部に赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を有する放電空間を備えたプラズマディスプレイパネルであって、緑色蛍光体層を、白金族元素３５ｃを添加したプラス帯電性を有する酸化物３５ｂで皮膜された緑色蛍光体３５ａにより形成している。 - 特許庁 - A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.
含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁 - A plurality of first electrodes corresponding to a plurality of light-emitting elements respectively are formed on an upper surface of the p-type nitride semiconductor layer, a first metal layer is formed so as to cover surfaces of the plurality of first electrodes and the p-type nitride semiconductor layer, and the first substrate and a second substrate are joined each other via a second metal layer formed on an upper surface of the second substrate.
ｐ型窒化物半導体層の上面に、複数の発光素子のそれぞれに対応する複数の第１電極を形成し、複数の第１電極およびｐ型窒化物半導体層の表面を覆うように第１メタル層を形成し、第２基板の上面に形成された第２メタル層を介して、第１基板と第２基板を接合する。 - 特許庁 - A layer attribute table constituting a management data table of this integrated library registration device is composed of respective elements of layer rough classifications 1, layer intermediate classifications 2, layer numbers 3, component arrangement attributes 4, data attribute classifications 5, data item names 6, and data formats 7, covers the data attributes of the individual electric CAD systems, and integrally aggregates them.
統合ライブラリ登録装置の管理データテーブルを構成するレイヤ属性表は、レイヤ大分類１、レイヤ中分類２、レイヤ番号３、部品配置面属性４、データ属性分類５、データ項目名６、データ形式７の各要素より構成されており、個々の電気ＣＡＤシステムの各データ属性を網羅し、統合的に集約したものである。 - 特許庁 - The semiconductor heat processing heater has an aluminium nitride sintered body layer 1 where resistance heat generating elements 2 which resist and generate heat by power feeding from outside, a cooling body layer 3 which is laminated and integrated at the back of the aluminium nitride sintered body layer 1, and cooling medium passages 4 attached in the cooling body layer 3.
外部からの給電で抵抗発熱する抵抗発熱素子２を埋め込み配置した窒化アルミニウム系燒結体層１と、前記窒化アルミニウム系燒結体層１の裏面側に積層一体化された冷却体層３と、前記冷却体層３に付設された冷却用媒体流路４とを有することを特徴とする半導体熱処理用ヒーターである。 - 特許庁 - This organic EL display includes: a substrate 12; the plurality of organic EL elements 16 arranged on the substrate 12; insulation members 14 disposed between the adjacent organic EL elements 16; and a first protection layer 18 which is sequentially formed from a region between the lower layer electrode 24 and the function layer 26 of the organic EL element 16 to the surface of the insulation member 14 and composed by containing fluorine.
基板１２と、基板１２上に配列される複数の有機ＥＬ素子１６と、隣接する有機ＥＬ素子１６間に配置される絶縁部材１４と、有機ＥＬ素子１６が有する下層電極２４と機能層２６との間の領域から絶縁部材１４の表面にかけて連続的に形成され、フッ素を含んで構成される第１保護層１８と、を備えている有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁 - The method includes a process of fusing at least a portion of a semiconductor layer (13) formed on a substrate (11) by irradiating the semiconductor layer with laser light (a), a process of subjecting elements doped in the semiconductor layer to abrasion by irradiating a target material (2) containing the element with laser light (a'), and a process of doping the fused semiconductor laser with the elements subjected to the abrasion.
基板（１１）に形成された半導体層（１３）にレーザ光（ａ）を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融させる工程と、前記半導体層中にドーピングされるべき元素を含むターゲット材（２）にレーザ光（ａ′）を照射して前記元素をアブレーションさせる工程と、前記アブレーションした元素を、溶融した前記半導体層にドーピングさせる工程とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁 - In a multilayer wiring substrate provided with a plurality of wiring layers including a wiring layer with detour-shaped wiring comprising linear elements and bent elements arranged in such a manner as to adjust the length of wiring, wiring arrangement in the wiring layer other than the wiring layer with the detour-shaped wiring arranged is prohibited in a zone corresponding to the bent element and its peripheral vicinity of the detour-shaped wiring.
配線長さを調整すべく直線状要素と屈曲要素から成る迂回形状配線が配置された配線層を含む複数の配線層を備えた多層配線基板において、前記迂回形状配線のうちの屈曲要素及びその周辺近傍に対応する領域では、当該迂回形状配線が配置された配線層以外の配線層での配線配置を禁止したことを特徴とする。 - 特許庁 - An optical printer head comprising a substrate 1 with a large number of light emitting elements 2a mounted, stored in a housing 3 with a lens 6 mounted such that the lens 6 is disposed above the light emitting elements 2a, wherein an optical catalyst layer 8 to be activated by a light beam emitted by the light emitting elements 2a, is provided on the outer surface of the lens 6.
レンズ６が取着されているハウジング３の内部に、多数の発光素子２ａを搭載した基板１を、前記レンズ６が前記発光素子２ａ上に位置するようにして収納させてなる光プリンタヘッドにおいて、前記レンズ６の外表面に、発光素子２ａの発する光により活性化する光触媒層８を被着させる。 - 特許庁 - Red elements 10r, green elements 10g, and blue elements 10b are arranged in order along the width while made to correspond to respective display electrodes 6 to form a color filter layer, and an island-shaped red element 10r' and a blue element 10b' are arranged in one pixel region where a display electrode 6 and a scanning electrode 12 of a green element 10g cross each other.
各表示電極６に対応させて赤色要素１０ｒ、緑色要素１０ｇ及び青色要素１０ｂがそれぞれ幅方向に順次並べてカラーフィルタ層が形成され、緑色要素１０ｇの表示電極６と走査電極１２とが交差する１画素領域内に、島状の赤色要素１０ｒ´と青色要素１０ｂ´が配設されている。 - 特許庁 - A light emitting module 32 includes: a plurality of semiconductor light emitting element 42a to 42d; a substrate 34 supporting the plurality of semiconductor light emitting elements arranged; and a plate-shaped fluorescent layer 44, that is provided facing light emitting surfaces 43a to 43d of the plurality of semiconductor light emitting elements and converts the wavelength of light emitted from the semiconductor light emitting elements.
発光モジュール３２は、複数の半導体発光素子４２ａ〜４２ｄと、配列された複数の半導体発光素子を支持する基板３４と、複数の半導体発光素子の発光面４３ａ〜４３ｄに対向するように設けられ、半導体発光素子が発する光の波長を変換する板状の蛍光体層４４と、を備える。 - 特許庁 - The organic display device is provided with a substrate body, a plurality of organic light-emitting elements formed on the substrate body, a sealing thin film formed on the substrate body and covering the plurality of the organic light-emitting elements, and a parallax barrier rib layer formed on a boundary area between the plurality of the organic light-emitting elements.
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成された複数の有機発光素子と、前記基板本体上に形成され、前記複数の有機発光素子をカバーする封止薄膜と、前記複数の有機発光素子の間の境界領域上に形成された視差隔壁層とを含む。 - 特許庁 - The rare-earth magnet 1 according to a preferable embodiment is provided with a magnet base 2 containing a rare earth element and metal elements other than the rare earth element; and the protective layer 4 formed on the surface of the magnet base 2 and containing inorganic elements and a compound of a metal element same as at least one kind of the metal elements contained in the magnet base.
好適な実施形態の希土類磁石１は、希土類元素及び希土類元素以外の金属元素を含む磁石素体２と、この磁石素体２の表面上に形成された、無機粒子、及び、磁石素体に含まれる金属元素のうちの少なくとも一種と同一の金属元素の化合物を含む保護層４とを備える。 - 特許庁 - A plurality of minute diffraction grating elements 13 having a diffraction gratings that keeps confidential information are disposed on the surface of the information protection layer, and the spacings and the angles of the grating elements are set so that the diffracted light K which is formed by illumination light L from the light source 3 diffracted by the diffraction grating elements 13 can enter the predetermined region 4.
そして、情報保護層の表面に秘匿情報を保持している回折格子を有する微小な複数の回折格子要素１３が配置され、光源３からの照明光Ｌが回折格子要素１３で回折してなる回折光Ｋが、所定領域４に入射するように格子の間隔と角度が設定されている。 - 特許庁 - The liquid drop ejection head comprising a drive circuit section 26, and a plurality of piezoelectric elements 23 driven through the drive circuit section 26 is provided with a flexible substrate 27 for connecting the drive circuit section 26 and the piezoelectric elements 23 electrically, and a thermosetting resin layer 74 is provided on the rear surface side of a terminal portion 73 which is connected electrically with the piezoelectric elements 23 on the flexible substrate 27.
駆動回路部２６と駆動回路部２６によって駆動される複数の圧電素子２３とを備え、駆動回路部２６と圧電素子２３とを電気的に接続するフレキシブル基板２７を有し、フレキシブル基板２７の圧電素子２３と電気的に接続する端子部７３の裏面側に、熱硬化性樹脂層７４が設けられている。 - 特許庁 - An optical film comprises: a light-transmissive base film 1 having first and second principal surfaces facing each other; a deflection element layer 2 having a plurality of deflection elements 3 disposed on the first principal surface, adjacent to each other, and extended in one direction; and a projection layer 4 disposed on the second principal surface and having a plurality of projections 5 and a plurality of optical elements 15.
互いに対向する第１及び第２主面を有する透光性のベースフィルム１と、第１主面に配置され、互いに隣接して一方向に延伸する複数の偏向素子３を有する偏向素子層２と、第２主面に配置され、複数の突起５及び複数の光学要素１５を有する突起層４とを備える。 - 特許庁 - The connection layer 13 has a plurality of stud bumps 130, which are formed in the connection layer 13 on the respective electrodes of the IC, in order to draw out signals detected by the respective sensor elements into the IC, and a plurality of thin film layers 112, which are formed on the tips of the respective stud bumps 130 and are connected electrically with electrodes of the respective sensor elements.
接続層１３は、各センサ素子が検出した信号をＩＣへ引き出すために、各ＩＣの電極上に形成され接続層１３に設けられた複数のスタッドバンプ１３０と、各スタッドバンプ１３０の先端に形成され、各センサ素子の電極１１２と電気的に接続された複数の薄膜層１１２と、を有している。 - 特許庁 - The electromagnetic wave shielding material 1 of frequency selective transmission type is provided, at least on one side of a transparent base 2, with FSS elements 3 of thin line patterns so as to shield electromagnetic waves of a predetermined frequency, wherein a metallization layer of the FSS elements 3 is composed by forming a developed silver layer on the transparent base 2 by a photography process.
透明基材２の少なくとも一方の面に、所定周波数の電磁波を遮蔽するための細線パターンからなるＦＳＳ素子３が配設された周波数選択遮蔽型の電磁波シールド材１であって、透明基材２の上に写真製法により現像銀層を生成することにより前記ＦＳＳ素子３の金属層を構成する。 - 特許庁 - A plurality of Hall elements 22a, 22b embedded with a prescribed distance from each other is provided on a semiconductor substrate 21, a substrate metal layer for electroplating a magnetic convergence plate is provided on the Hall elements 22a, 22b and the semiconductor substrate 21, and the magnetic convergence plate 23, having a magnetic amplification function, is provided on the substrate metal layer.
半導体基板２１上には、互いに所定の距離を隔てて埋め込まれた複数のホール素子２２ａ，２２ｂが設けられ、ホール素子２２ａ，２２ｂ上及び半導体基板２１上には、磁気収束板を電解めっきするための下地金属層が設けられ、下地金属層上には、磁気増幅機能を有する磁気収束板２３が設けられている。 - 特許庁 - A plurality of Hall elements 12a, 12b embedded with a prescribed distance from each other are provided on a semiconductor substrate 11, a substrate metal layer for electroplating a magnetic convergence plate is provided on the Hall elements 12a, 12b and the semiconductor substrate 11, and the magnetic convergence plate 15, having a magnetic amplification function, is provided on the substrate metal layer.
半導体基板１１上には、互いに所定の距離を隔てて埋め込まれた複数のホール素子１２ａ，１２ｂが設けられ、ホール素子１２ａ，１２ｂ上及び半導体基板１１上には、磁気収束板を電解めっきするための下地金属層が設けられ、下地金属層上には、磁気増幅機能を有する磁気収束板１５が設けられている。 - 特許庁 - A first resin layer 50 made of a cured liquid resin is provided at bonding portions of the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R to the substrate 20; and a second resin layer 60 made of a cured soft sheet-shaped resin adhered to a rear surface of the flat yoke 10 is provided around the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R.
フェライト・磁石素子３０及び素子ＣＳ１，Ｒの基板２０に対する接合部には液状樹脂が硬化した第１の樹脂層５０が設けられ、フェライト・磁石素子３０や素子ＣＳ１，Ｒの周囲には平板状ヨーク１０の裏面に貼着された軟質シート状樹脂が硬化した第２の樹脂層６０が設けられている。 - 特許庁 - The liquid crystal display includes a cover bottom, a printed circuit board supported by the cover bottom, light emitting elements positioned on the printed circuit board, an optical film layer positioned above the printed circuit board and supported by the cover bottom, and guides mounted on the surface of the printed circuit board separately from the light emitting elements so as to support the optical film layer.
本発明の液晶表示装置は、カバーボトムと、カバーボトムによって支持される印刷回路基板と印刷回路基板上に位置する発光素子とカバーボトムによって支持されて印刷回路基板上に位置する光学フィルム層と、光学フィルム層を支持するように発光素子と分けられて印刷回路基板の表面に実装されたガイドを含む。 - 特許庁 - The lighting device includes the translucent substrate 2 having a first surface and a second surface, a plurality of semiconductor light emitting elements 7 arranged on the first surface and a phosphor layer 18 provided on the first surface so as to cover the plurality of semiconductor light emitting elements, and a light diffusion layer 50b provided on the other surface.
請求項１の発明は、第１の面及び第２の面を有してなる透光性基板２と；前記第１の面に配設された複数の半導体発光素子７と；前記複数の半導体発光素子を覆うように第１の面に設けられた蛍光体層１８と；前記第２の面に設けられた光拡散層５０ｂと；を具備したことを特徴とする。 - 特許庁 - Resin layers are formed by packing a resin to the circumferences of the elements arranged on the front surface of a release material layer and the elements and the peeling surfaces of the resin layers are formed flush with each other by peeling the resin layers from the release material layer, by which electrode pads and wiring are easily formed while the defect of connection is suppressed.
本発明は、離型材層の表面に配置された素子の周囲に樹脂を充填して樹脂層を形成し、前記樹脂層を前記離型材層より剥離することにより前記素子と前記樹脂層の剥離面を同一平面に形成することにより、接続不良を極力抑えながら電極パッド及び配線を容易に形成することができる。 - 特許庁 - By forming a nitride semiconductor layer 108 containing a plurality of group-III elements on a base body surface having a concave/convex structure, at least one among the composition ratio of the group-III elements, bandgap energy, refractive index, conductivity, and resistivity, of the nitride semiconductor layer 108, is changed in accordance with the concave/convex structure of the base body.
複数のIII族元素を含む窒化物半導体層１０８が凹凸のある基体表面上に形成されてなることにより、上記窒化物半導体層１０８におけるIII族元素の組成比、バンドギャップエネルギ、屈折率、導電性、抵抗率の少なくとも一つが、上記基体の凹凸に対応して、層内で変化するようにする。 - 特許庁 - This radiological image conversion panel is characterized by having a phosphor layer formed by phosphor particles with a crystallite size of 100-1,000 Å including one or more rare earth elements selected from Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb which hare rare earth elements on a support.
支持体上に、希土類元素のＮｄ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂから選ばれる少なくとも一つ以上の希土類元素を含有する結晶子サイズ１００〜１０００Åの蛍光体粒子で形成された蛍光体層を有することを特徴とする放射線像変換パネル。 - 特許庁 - The passivation layer functions (i) to separate the one of the electrically conductive elements from the at least one of the cavities, and (ii) as a dielectric for a capacitor formed between the one of the electrically conductive elements and the switching fluid.
パッシベーション層は、(i)導電性素子のうちの前記１つをキャビティのうちの少なくとも１つから分離する働きをすると共に、(ii)導電性素子のうちの前記１つとスイッチング流体との間に形成されるコンデンサのための誘電体としても機能する。 - 特許庁 - A light dispersion plate 3 is formed on the light emitting side of the chip type light emitting elements 1 through a fixed spacing d from the chip type light emitting elements 1, and a heat sink 4 is formed on the other side of the insulating substrate 2 so as for an air layer not to exist between them.
このチップ型発光素子１の発光面側に、そのチップ型発光素子１から一定間隔ｄを介して光拡散板３が設けられると共に、絶縁性基板２の他面側に放熱板４が空気層が介在しないように設けられている。 - 特許庁
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