「layer elements」を含む例文一覧(2250)

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  • The transparent conductive film with a transparent resin layer on both sides has, on one transparent resin layer, a metal oxide system transparent conductive layer through an under-coat layer made of metal oxide, and, on the other side, a low-reflectance layer consisting of a complex metal oxide layer containing at least two kinds of metal elements and a laminated body of SiO_2 layers.
    両面に透明樹脂層が形成された透明フィルムにおいて、一方の透明樹脂層上には、金属酸化物からなるアンダーコート層を介して金属酸化物系透明導電層を有し、もう一方の透明樹脂層上には、少なくとも2種類以上の金属元素を含んだ複合金属酸化物層とSiO_2層の積層体とからなる低反射層を有する透明導電性フィルムを提供する。 - 特許庁
  • When receiving the image data including a foreground layer 810, a background layer 820 assigned with image elements and a selection layer 830 for selecting either of them, the image processor compares the foreground layer 810 with the background layer 820, specifies image regions whose pixel values are close to each other as image regions to be corrected, and corrects the selection layer 830 as to the particularized image regions.
    画像処理装置は、画像要素が割り当てられる前景レイヤ810及び背景レイヤ820と、これらのレイヤのいずれかを選択する選択レイヤ830とを有する画像データが入力された場合に、前景レイヤ810と背景レイヤ820とを比較して、画素値が互いに近似する画像領域を、修正すべき画像領域として特定し、特定された画像領域について、選択レイヤ830を修正する。 - 特許庁
  • A method for manufacturing a semiconductor layer comprises the steps of: forming a film containing metal elements and a chalcogen element-containing organic compound; heating the film in an atmosphere at higher pressure than atmospheric pressure to pyrolyze organic components in the chalcogen element-containing organic compound; and reacting the metal elements with chalcogen elements of the chalcogen element-containing organic compound to produce a semiconductor layer containing a metallic chalcogenide.
    半導体層の製造方法は、金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を具備する皮膜を形成する工程と、皮膜を大気圧よりも高い圧力雰囲気で加熱してカルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解する工程と、金属元素とカルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素とを反応させて金属カルコゲナイドを含む半導体層を作製する工程とを具備する。 - 特許庁
  • A plurality of magnetic tunnel junction elements is subjected to a first heat treatment, in a strong magnetic field toward the direction of reference axis (X), then they are patterned, such that each of elements has a high aspect ratio and its pinned-synthetic composite layer has a high shape anisotropy.
    複数の磁気トンネル接合素子は、リファレンス軸(X)方向への強磁場中において第1の熱処理が施されたのち、各素子が高アスペクト比を有し、そのピンドシンセティック複合層が高い形状異方性を有するようにパターニングされる。 - 特許庁
  • The interval between a plurality of the LED elements 18 is 1.5 mm or less, and the width W2 of the mounting region 17 of a plurality of the LED elements 18 in a place where the width of the light-emitting part 16 is widest, is 80% or more the width W1 of the formation region of the phosphor layer 19.
    複数のLED素子18間の間隔は1.5mm以下で、かつ発光部16の幅が最も広い箇所での複数のLED素子18の実装領域17の幅W2は蛍光体層19の形成領域の幅W1に対して80%以上である。 - 特許庁
  • As a material of the second or subsequent source or the drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.
    二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁
  • As a material of the second source or subsequent or drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.
    二層目以降のソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁
  • The liquid crystal display is formed by: interposing a liquid crystal layer between an array substrate 2 and a counter substrate 3; forming switching elements corresponding to respective pixels on the array substrate 2; and forming signal lines 12 to be connected to the switching elements.
    アレイ基板2と対向基板3間に液晶層が挟持され、アレイ基板2上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線12が形成されてなる液晶表示装置である。 - 特許庁
  • In the liquid crystal display, a liquid crystal layer is interposed between an array substrate 2 and a counter substrate 3, and switching elements are formed on the array substrate 2 correspondingly to respective pixels, and signal lines connected to the switching elements are formed.
    アレイ基板2と対向基板3間に液晶層が挟持され、アレイ基板2上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線が形成されてなる液晶表示装置である。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of a thermoelectric element which is capable of forming a diffusion preventing layer which has an effect high enough for preventing the diffusion of elements into a thermoelectric material that contains, at least, one of elements, such as bismuth, tellurium, selenium, and antimony, and has also a high peeling strength.
    ビスマスと、テルルと、セレンと、アンチモンとの内の少なくとも1つを含む熱電材料に対して、元素の拡散防止効果が高く、且つ、剥離強度が高い拡散防止層を形成できる熱電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The optical waveguide structure body 1 has: a substrate 2; an optical waveguide 9; an optical path changing part 96; electric elements (a light emitting element 10 and an electric circuit element 12); positioning means 33 and 34 which positions the electric elements; and a conductive layer 5.
    光導波路構造体1は、基板2と、光導波路9と、光路変換部96と、電気素子(発光素子10及び電子回路素子12)と、電気素子の位置決めを行う位置決め手段33、34と、導体層5とを有する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device capable of enhancing the density, while realizing a three-dimensional laminated layer of a plurality of semiconductor elements and improving reliability of connecting of the individual elements to the terminal of a circuit board.
    複数個の半導体素子の三次元積層を実現しつつ高密度化を図ることができ、かつ個々の半導体素子と配線基板の端子との間の電気的接続の信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • The antenna device includes: two radiating elements; a via for grounding the tip of one radiation conductor to the ground of a lower layer; a ground conductor for connecting the respective radiation elements at roots via a resistor; and a feeder to each radiation element.
    アンテナ装置は、2つの放射素子と、一方の放射導体の先端を下層のグランドに接地するビアと、各放射素子をその根元部分で抵抗を介してそれぞれ接続するグランド導体と、各放射導体への給電線で構成される。 - 特許庁
  • This electron barrier layer 16 is composed of group II-VI compound semiconductor including at least beryllium (Be) among group II elements and including at least tellurium (Te) among group VI elements, more specifically, beryllium tellurium (BeTe) or BeZnTe.
    この電子障壁層16を、II族元素のうち少なくともベリリウム(Be)と、VI族元素のうち少なくともテルル(Te)とを含むII−VI族化合物半導体、具体的には、ベリリウムテルル(BeTe)またはBeZnTeにより構成する。 - 特許庁
  • Further, the composition of the plated layer contains one or more kinds of elements selected from 0.2 to 8% Mg and 0.02 to 5% Al in addition to Zn and Sn and moreover contains one or more kinds of elements selected from 0.1 to 5% Ca and 0.1 to 5% Li.
    並びにめっき層の組成がZn,Snに加え、Mg:0.2〜8%,Al:0.02〜5%の1種または2種以上を含有すること、更にCa:0.1〜5%,Li:0.1〜5%の1種または2種以上を含有すること。 - 特許庁
  • The hook-and-loop cloth fastener is characterized in that; a polyurethane adhesive layer surface of the hook-and-loop cloth fastener having a large number of engaging elements on the obverse surface and a polyurethane adhesive layer on the reverse surface, and a polyamide resin layer surface of a hot-melt adhesive lamination film composed of a polyamide resin layer and a polyolefin resin layer, are bonded with a moisture curing type polyurethane adhesive.
    表面に多数の係合素子を有し裏面にポリウレタン系の接着剤層を有する布製の面ファスナーの該ポリウレタン系接着剤層面と、ポリアミド系樹脂層およびポリオレフィン系樹脂層からなる融着用積層フィルムの該ポリアミド系樹脂層面が、ポリウレタン系湿気硬化型接着剤により接着されていることを特徴とする融着用布製面ファスナー。 - 特許庁
  • Of the nonaqueous electrolyte secondary battery equipped with battery elements each containing a unit battery layer made by laminating a cathode with a cathode active material layer formed on the surface of a collector and an anode with an anode active material layer formed on the surface of a collector through an electrolyte layer, the electrolyte of the anode active material layer contains lithium powder.
    集電体の表面に正極活物質層が形成されてなる正極と、集電体の表面に負極活物質層が形成されてなる負極とが電解質層を介して積層されてなる単電池層を含む電池要素を有する非水電解質二次電池であって、前記負極活物質層の電解質がリチウム粉末を含む、非水電解質二次電池。 - 特許庁
  • On a Si substrate 1, an Si-containing first semiconductor layer 2, an SiGe-containing second semiconductor layer 3, and a GaAs-containing third semiconductor layer 4 are successively formed in a laminated state in the order; and then active elements are formed respectively on the first or second semiconductor layer 2 or 3, and on the third semiconductor layer 4.
    Si基板1上に、Siを含む第1の半導体層2と、第1の半導体層2上に形成され、SiGeを含む第2の半導体層3と、第2の半導体層3上に形成され、GaAsを含む第3の半導体層4とを形成し、第1の半導体層2または第2の半導体層3と、第3の半導体層4とにそれぞれ能動素子を形成する。 - 特許庁
  • The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.
    加速度センサが,拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と,拡散層を被覆する第1の絶縁層と,第1の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と,絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と,を有し,かつAlとNdとを含む導体部と,導体部を被覆する第2の絶縁層と,を具備する。 - 特許庁
  • The capacitance element C_1 has a polycide lower electrode layer 24a on a doped polysilicon lower electrode layer 16a through a silicon oxide dielectric layer 18a, and the other capacitance elements C_2-C_4 have the same constitutions as that of the capacitance element C_1.
    容量素子C_1は、ドープトポリシリコンからなる下部電極層16aの上に酸化シリコンからなる誘電体膜18aを介してポリサイドからなる上部電極層24aを形成したもので、他の容量素子C_2〜C_4も容量素子C_1と同様の構成を有する。 - 特許庁
  • To prevent a reactive product at a Schottky junction interface between an electrode and a semiconductor layer, and to prevent component elements of the electrode from diffusing into a semiconductor layer, and a component element of the semiconductor layer from diffusing into the electrode, in a method for manufacturing a compound semiconductor device.
    化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。 - 特許庁
  • The board 10 for mounting the elements includes an insulating resin layer 12, wiring layers 14 provided on one major surface S1 of the insulating resin layer 12, and bump electrodes 16 in electrical connection with the wiring layers 14, protruding toward the insulating resin layer 12 side from the wiring layers 14, respectively.
    素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16とを備える。 - 特許庁
  • A first layer comprised by bonding a surface modification agent having an alkoxy group is provided on a metal surface of the rolling bearing composed by retaining a plurality of rolling elements 13 between an inner ring 10 and an outer ring 11 via a cage 12, and a second layer comprised of a lubricant is formed on the first layer.
    内輪10と外輪11の間に保持器12を介し複数個の転動体13を保持して構成された転がり軸受の金属表面に、アルコキシ基を有する表面改質剤を結合させてなる第1層を設けてその上に潤滑油からなる第2層を形成している。 - 特許庁
  • To provide a solid oxide fuel cell equipped with an air electrode reaction layer, capable of restraining diffusion of Ca into electrolyte, by clarifying states of the air electrode reaction layer in which elements in an air electrode conductive layer material, especially, Ca, tends to diffuse into ZrO_2 series electrolyte.
    空気極導電層材料中の元素、特にCaがZrO_2系電解質に拡散しやすい空気極反応層の状態を明らかにし、Caの電解質への拡散を抑制することができる空気極反応層を備えた固体酸化物型燃料電池を提供する。 - 特許庁
  • Patterns of a shading layer and a phosphor layer are respectively formed on an oblong front substrate arranged oppositely to a back substrate with multiple electron emission elements arranged thereon; and a pattern of the metal back layers vertically and horizontally divided in a matrix-like form are formed on the phosphor layer.
    多数の電子放出素子が配列された背面基板と対向配置される矩形の前面基板上に遮光層および蛍光体層をそれぞれパターン形成し、蛍光体層の上に縦方向と横方向とにマトリックス状に分断されたメタルバック層をパターン形成する。 - 特許庁
  • The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process.
    そして、該オフアングルを有する単結晶基板1上に、2種以上のIII族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部24を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部24の上に電流拡散層7をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁
  • Impurities such as hydrogen, moisture (hydrogen atoms and hydrogen containing compounds such as H_2O ) contained in an oxide semiconductor layer are removed from the oxide semiconductor layer with halogen elements represented by fluorine and chlorine to reduce the impurity concentration in the oxide semiconductor layer.
    フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分(水素原子や、H_2Oなど水素原子を含む化合物)などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 - 特許庁
  • To avoid a minimum spacing rule violation between wiring layer and via layer in wiring processing concerning a wiring information generation technology for connecting a plurality of logical elements arranged on a semiconductor substrate of a semiconductor circuit having a plurality of laminated wiring layers and a via layer connecting the layers.
    積層された複数の配線層とその層間を接続するビア層を有する半導体回路の半導体基板上に配置された複数の論理素子間の接続を行うための配線情報生成技術に関し、配線処理時に配線層−ビア層間の最小スペーシングルール違反を回避する。 - 特許庁
  • The light-reflecting film for solar power generation has a surface layer containing a copolymer comprising polysiloxane, polycaprolactone and a polydimethylsiloxane copolymer as structural elements, at least one layer of a resin substrate and a metal reflecting layer, in an outermost surface where solar light enters.
    太陽光入射側の最表面に、ポリシロキサン、ポリカプロラクトン及びポリジメチルシロキサン系共重合体を構成要素とする共重合体を含有する表面層と、1層以上の樹脂基材と金属反射層を有することを特徴とする太陽熱発電用光反射フィルム。 - 特許庁
  • A seasoning or a processed food containing the seasoning is sealed in an oxygen-absorbing laminated packaging film or sheet composed of an oxygen barrier layer, an oxygen absorbing layer and a sealant layer arranged in this order from the outside as the minimum essential constitution elements and the sealed seasoning, or the like, is heat-treated.
    少なくとも外側から酸素バリア層、酸素吸収層、シーラント層を最小の構成要素とするフィルム状乃至シート状酸素吸収性積層包装材料に調味料類又はそれらの含有加工食品を密封、収納した後、加熱処理を行う。 - 特許庁
  • A photovoltaic layer in a thin film solar-battery module is constituted by serially connecting a plurality of photovolatic elements constituted by sequentially laminating a transparent conductive film 12, a photoelectric conversion layer, and a rear surface electrode 15; and an adhesion layer 16 are sequentially arranged on a transparent substrate 11.
    薄膜系太陽電池モジュールは、透明基板11上に、透明導電膜12と光電変換層と裏面電極15とが順次積層されてなる光起電力素子が複数個直列接続されてなる光起電力層と、接着層16とが順に配置される。 - 特許庁
  • A partial reflecting layer 19 is formed on the side opposite to the side where the luminescent layers 15A and 15B are positioned; and the partial reflecting layer 19 forms an optical resonator 20 for all the organic EL elements 1A and 1B formed in the two tiers between the negative electrode layer 17 and itself.
    また、発光層15A、15Bが位置する側とは反対側に部分反射層19が形成され、この部分反射層19は、陰極層17との間で、2段に形成された有機EL素子1A、1B全体に対する光共振器20を構成している。 - 特許庁
  • The auxiliary capacitance elements 27 are formed by laminating, in the following order, an interlayer insulting layer (2nd insulating layer) 29 formed by laminating a lower electrode 28, an inorganic insulating film 30 and an organic insulating film 31 on the insulating layer 24, and an upper electrode which is a pixel electrode 26.
    補助容量素子27は絶縁層24上に下部電極28、無機絶縁膜30と有機絶縁膜31とを積層して構成される層間絶縁層(第2の絶縁層)29および画素電極26である上部電極をこの順番に積層して構成される。 - 特許庁
  • A fixing unit assembly is composed of a roller 124, which has an exterior layer 202 having heat absorbtive characteristics on an inner part core 201, made of a heat insulating material, and radiation heating elements 210 and 211 which are so disposed that they touch the outer part of the exterior layer of the roller and the exterior layer.
    断熱材料でできた内部コア201の上に熱吸収性の外層202を有するローラ124と、前記ローラの前記外層の外部へと、該外層に隣接するように配置された放射加熱要素210、211とによって、定着器アセンブリは構成される。 - 特許庁
  • The vibration layer 12 has four vibration elements 14, the first sound velocity control layer 40 has 6 first sound velocity control members 44 arranged in a direction x, the second sound velocity control layer 50 has 6 second sound velocity control member 54 arranged in a direction y.
    振動層12は4つの振動素子14によって構成され、第1音速制御層40はx方向に並んだ6つの第1音速制御部44で構成され、第2音速制御層50はy方向に並んだ6つの第2音速制御部54で構成されている。 - 特許庁
  • The organic light emitting elements 10R, 10G, 10B are, for example, composed of an auxiliary wiring layer 11b, a first electrode 13 as a positive electrode, an inter-pixel insulation film 15, an organic layer 16 including a light emitting layer, and a second electrode 20 as a negative electrode arranged in this order on a substrate 10a.
    有機発光素子10R,10G,10Bは、例えば、基板10a上に、補助配線層11b、陽極としての第1電極13、画素間絶縁膜15、発光層を含む有機層16、および陰極としての第2電極20をこの順に形成してなる。 - 特許庁
  • A laminated sheet prepared by successively laminating a reflection layer 33, color filter elements 34 and an adhesive layer 35 on a base film sheet 32 is adhered to the lower face of a liquid crystal cell 21 with the adhesive layer 35 in contact with the lower face, namely, the outer face of the lower transparent substrate 23.
    液晶セル21の下面側にはベースフィルムシート32に反射層33とカラーフィルタ要素34および粘着層35が順次積層されてなる積層体シートが、粘着層35を下透明基板23の下面つまり外面に接着して貼り付けられている。 - 特許庁
  • This garlic-containing food with the suppressed garlic odor is obtained by hermetically sealing the food in a filmlike or a sheetlike oxygen absorbing laminated packaging material in which at least a part comprises an oxygen barrier layer, an oxygen absorbing layer and a sealant layer from the outside as the minimum constituent elements and then carrying out heat treatment.
    少なくとも一部が、外側から酸素バリア層、酸素吸収層、シーラント層を最少の構成要素とするフィルム状乃至シート状酸素吸収性積層包装材料に密封した後加熱処理を行うことによりにんにく臭の抑制されたにんにく含有食品を得る。 - 特許庁
  • To provide a method of growing a semiconductor layer, which suppresses the size of produced voids in the Pendeo growth method and also the inclination of the c-axis of the crystal in the semiconductor layer to reduce defects in this layer, and to provide a method of manufacturing semiconductor light-emitting elements using the same.
    ペンデオ成長法において、発生するボイドの大きさを抑制し、半導体層の結晶のc軸の傾きを抑制し、半導体層中の欠陥を低減できる半導体層の成長方法とこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • A plurality of power generating elements 2A to 2E composed of an oxygen electrode layer 3, a proton conductive layer 5, and a hydrogen electrode layer 4 in a laminated structure are provided in series, of which, one power generating element is arrayed almost on the same plane with another adjacent one orthogonally to the laminated direction.
    酸素電極層3と、プロトン伝導体層5と、水素電極層4とが積層構造をなす発電素子2A〜2Eが複数直列に設けられ、隣り合う1の発電素子の層と他の発電素子の層とが、積層方向と直交する層方向に略同一平面上に配列される。 - 特許庁
  • To provide an optical semiconductor device with high efficiency in current injection and high reliability by improving the crystallinity of a layer for embedding a diffraction grating when forming a semiconductor layer forming the diffraction grating and a semiconductor layer below it by semiconductor materials including different group V elements.
    回折格子を形成する半導体層とその下の半導体層とを、異なるV族元素を含む半導体材料によって形成する場合に、回折格子を埋め込む層の結晶性を向上させ、これにより、高電流注入効率で、高信頼性の光半導体装置を実現する。 - 特許庁
  • Also, since a layer containing an organic material with water permeability is sealed in the display device with a sealant and the sealant is not brought into contact with the layer containing the organic material, the light emitting elements can be prevented from being deteriorated by contaminants such as water.
    また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中にシール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。 - 特許庁
  • A base layer of a metal comprising one or two elements of Co and Ni and unavoidable impurities is provided on the inner surface of the mold made of the copper or copper alloy, and a zinc-resistant metallic film may be provided on the base layer by cold spraying.
    銅又は銅合金の内側表面に、Co、Niの一種または二種の元素および不可避不純物よりなる金属の下地層を設け、その上に、コールドスプレー法による耐亜鉛性の金属皮膜を設けても良い。 - 特許庁
  • A supporting substrate 1 is formed of materials such as resin or ceramic or the like, and provided with a metal wiring layer 9 in which wiring and positive elements are formed and connection pads 4, 4a, and 4b connected to the metal wiring layer 9.
    支持基板1は、樹脂またはセラミック等の材料から形成されており、配線および受動素子が形成された金属配線層9と、金属配線層9に接続された接続パッド4、4aおよび4bを有する。 - 特許庁
  • As shown in Fig.(a), in this semiconductor substrate, a single-crystal silicon layer 30 for forming elements thereon has an SOI structure wherein the layer 30 is provided on a silicon oxide film 20 covering a silicon substrate 10 used as a supporting substrate.
    図1(a)に示すように、この半導体基板においては、素子の形成される単結晶シリコン層30が、支持基板としてのシリコン基板10の上面を覆うシリコン酸化膜20上に設けられるSOI構造を有している。 - 特許庁
  • A barrier coat layer 74 consisting of a material having excellent corrosion resistance to process gas comprising halogen elements is formed between a base material 71 and a sprayed coating 72, and the barrier coat layer 74 is subjected to sealing treatment with a resin or by a sol-gel method.
    基材71と溶射被膜72との間に、ハロゲン元素を含むプロセスガスに対して耐腐食性に優れる材料からなるバリアコート層74を形成し、このバリアコート層74に樹脂またはゾルゲル法で封孔処理する。 - 特許庁
  • The solar cell module 1 has the intermediate layer 2 for the solar cell module, and photoelectric conversion elements 5 which are laminated on the surface of or buried in the intermediate layer 2 for the solar cell module.
    太陽電池モジュール1は、太陽電池モジュール用中間膜2と、太陽電池モジュール用中間膜2の表面に積層されているか、又は太陽電池モジュール用中間膜2内に埋め込まれている光電変換素子5とを備える。 - 特許庁
  • When areas A1, B1 including Cr elements are formed in an antiferromagnetic layer 4 and a fixed magnetic layer 3, an exchange coupling magnetic field (Hex) generated between both the layers 4, 3 is increased.
    反強磁性層4及び固定磁性層3に、Cr元素が含有されている領域A1及びB1を存在させることにより、反強磁性層4と固定磁性層3間で発生する交換結合磁界(Hex)が大きくなる。 - 特許庁
  • To provide a circuit board device and a design-supporting device for inhibiting spurious radiation caused by a power supply and a ground layer with less number of termination elements even if the shape of the power supply and the ground layer of the circuit board is complex.
    回路基板の電源・グランド層の形状が複雑となる場合でも、少ない数の終端素子で電源・グランド層に起因する不要放射を抑制することができる回路基板装置及び設計支援装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a test method for a substrate capable of confirming the connection state of a circuit pattern formed on the substrate by confirming the connection state of an interlocking circuit layer between active elements built in the substrate without providing an additional test circuit layer.
    付加のテスト回路層を備えずに基板に内蔵された能動素子間の連結回路層の接続状態を確認し、基板に形成された回路パターンの接続状態を確認する基板のテスト方法を提供する。 - 特許庁
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