「layer elements」を含む例文一覧(2250)
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最上部の金属層１８０に、スイッチング素子１０１ａの出力端となる反射電極１６１をスリット１８２で区分して配列している。 - 特許庁 - A first dielectric layer (28) is formed, one part is removed, and the region of the semiconductor substrate (16) for first and second low- voltage elements is exposed.
第１の誘電体層（２８）を形成し、一部を除去し、第１および第２の低電圧素子の半導体基板（１６）の領域を露出させる。 - 特許庁 - In the aluminum nitride sintered compact, two or more kinds of lanthanoid elements are contained in an intergranular layer, and dielectric breakdown voltage is ≥20 kV/mm.
粒界層に２種以上のランタノイド元素を含み、絶縁破壊電圧が２０ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium which is constituted based on quite a new concept that a phase change type recording layer is formed of other elements except chalcogen.
カルコゲンを除く他の元素によって相変化型の記録層を形成するという全く新たな概念に基づいて構成した光記録媒体を提供する。 - 特許庁 - At least on the memory cell array 100, the oxides of the elements contained in the ferroelectric layer 14 are formed as hydrogen barrier films 42 and 44.
少なくともメモリセルアレイ１００の上に、水素バリア膜４２，４４として、強誘電体層に含有される元素の酸化物が形成されている。 - 特許庁 - A magnesium alloy having good corrosion resistance is obtained by forming an oxide layer containing both elements of magnesium and a rare earth metal on the surface of a magnesium alloy to be treated.
表面にマグネシウムと希土類金属の両元素を含んだ酸化物層を形成することにより、耐食性の良好なマグネシウム合金を実現する。 - 特許庁 - The second conductive contact layer 23 consists of a group III-V compound semiconductor which contains aluminum and indium as group III elements and arsenic as a group V element.
第２導電型コンタクト層２３は、III族元素としてアルミニウムおよびインジウムを含むと共にＶ族元素としてヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁 - The vibration part is a piezoelectric bimorph element 100 bonded with two piezoelectric elements 102, 103 and having an electrode layer 101 therebetween.
この振動部は、２枚の圧電素子１０２，１０３が貼り合わされて、当該貼り合わせの間に電極層１０１を有する圧電バイモルフ素子１００である。 - 特許庁 - Among other things, this allows the elements to dissipate vibrational forces incurred during use over a larger area, which reduces the likelihood of inter-layer delamination.
とりわけ、この結果、素子が、使用中により受ける振動力を大きな面積にわたって分散できるようになり、層間剥離の可能性が低下する。 - 特許庁 - The side of each thermoelectric element 1 is covered with a cover layer 3 consisting of organic resin, and also space is provided between the adjacent thermoelectric elements 1.
各熱電素子１の側面を有機性樹脂からなる被覆層３で被覆するとともに、隣接する熱電素子１の被覆層３間に空間を設ける。 - 特許庁 - Heating elements 31-33 as heat sources are disposed in the furnace main body 10 in a state of penetrating through the powder and granular material layer 20 and projecting upward.
また、熱源である発熱体３１乃至３３は、粉粒体層２０内を貫き上方に向かって突出するように炉本体１０内に位置している。 - 特許庁 - The light generated by the organic light-emitting elements 10R, 10G, and 10B is reflected with an interface between a side face 24A of the reflecting element 24 and the vacuum layer 40.
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を、反射素子２４の側面２４Ａと真空層４０との界面により反射させる。 - 特許庁 - The optical element loading substrate 10 is provided with a ceramic substrate 11, optical elements 14 and 16, a resin layer 22, and an aligning guide member 24 or the like.
本発明の光学素子搭載基板１０は、セラミック基板１１、光学素子１４，１６、樹脂層２２、位置合わせ用ガイド部材２４等を備える。 - 特許庁 - For example, the basic layer of a direct talk object processing software 330 is maintained, so as to directly control the various hardware elements of a voice processing system and to as to execute basic telephone and data transporting function.
回線オブジェクトは、基礎的な音声処理システム・ソフトウェア３３５と、外部業務用アプリケーション３１０との間の境界の形成を可能にする。 - 特許庁 - Since the net or the porous body is laid on the uppermost face (layer) of the snow melting device, the falling accidents like stumbling over the heating elements are reduced.
融雪装置の最上面（層）にネットあるいは多孔体を載置しているので、発熱体につまずいたりして転倒する事故を減らすことができる。 - 特許庁 - An Al oxide layer (AlO_x) 88 in the thickness of 40 nm is individually provided between the GaAs substrate and the first semiconductor elements 84A, 84B.
ＧａＡｓ基板と第１の半導体素子８４Ａ、Ｂとの間には、膜厚４０ｎｍのＡｌ酸化層（ＡｌＯ_ｘ ）８８が個別に介在している。 - 特許庁 - The first and second semiconductor elements 5 and 8 are adhered together through an insulative resin layer 9 having a viscosity ranging from 1 kPas or more to less than 100 kPas under adhering conditions.
第１および第２の半導体素子５、８間は、接着時粘度が1kPa・s以上100kPa・s以下の絶縁性樹脂層９を介して接着されている。 - 特許庁 - The optical element sub-assembly 24 includes semiconductor optical elements connected to a conductive layer on the circuit board 26 and is packaged on a packaging member 22.
光素子サブアセンブリ２４は、回路基板２６上の導電層に接続された半導体光素子を含み、搭載部材２２上に搭載されている。 - 特許庁 - A plating layer 24 is provided on the surface of the mounting substrate 22 so that it is conducted to the semiconductor light-emitting elements 20 mounted on the mounting substrate 22.
メッキ層２４は、実装基板２２に実装された半導体発光素子２０に導通するよう実装基板２２の表面上に設けられる。 - 特許庁 - A layer formed of at least the same material as that of the diaphragm can be interposed between the piezoelectric elements and electrodes, and the liquid in the discharge chambers.
ここで、圧電素子および電極と吐出室内の液との間に少なくとも振動板と同じ材料で形成された層を介在させることができる。 - 特許庁 - A trench pattern is formed in the element formation area 3 on the surface layer part of the semiconductor substrate 2, so as to isolate areas for forming the respective elements.
素子形成領域３において、半導体基板２の表層部には、各素子が形成される領域を分離するためのトレンチパターンが形成されている。 - 特許庁 - Furthermore, a predetermined color and a predetermined pattern are given in the information support layer 11 in correspondence with the arrangement of the diffraction grating elements 13 that keep confidential information.
更に、秘匿情報を保持する回折格子要素１３の配置に対応して、情報支持層１１に所定の色及び所定の柄を配している。 - 特許庁 - Connection of the upper electrode 20 and the n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18 is made through the conductive part 54 of the insulating layer 50.
上部電極２０とｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８との接続は、絶縁層５０の導電部５４を介して行われる。 - 特許庁 - Further, the antenna apparatus includes a shield member for cutting electromagnetic coupling between neighboring antenna elements and a shield layer for cutting magnetic effects from the outside.
さらに隣接するアンテナ素子同士の電磁結合を遮断するためのシールド部材、外部からの磁気的な影響を遮断するためのシールド層を設ける。 - 特許庁 - To mount a plurality of pieces of active elements having a high withstand voltage and a carrier travelling characteristic on a common substrate by using a compound semiconductor layer.
化合物半導体層を利用して、高い耐圧とキャリア走行特性とを有するの能動素子を複数個共通の基板上に搭載する。 - 特許庁 - The plane heating unit comprises a laminate of plane electric heating elements on a metal base body through an insulating layer made of a resin seat having gaps.
金属基体上に、空隙を有する樹脂製シートからなる絶縁層を介して、電熱面発熱体を積層してなる電熱面発熱ユニット。 - 特許庁 - A thermal oxide layer 2 having a thickness of 10 μm or more is formed in a part A1 in which the passive elements are arranged on the semiconductor substrate 100.
半導体基板１００において、受動素子が配置される部位Ａ１において厚さ１０μｍ以上の熱酸化物層２が形成されている。 - 特許庁 - An element transfer method is provided where elements arrayed on a first substrate are selectively transferred onto a second substrate in which an adhesive resin layer is formed.
第１の基板上に配列された素子を接着樹脂層が形成された第２の基板上に選択的に転写する素子の転写方法である。 - 特許庁 - To provide a penetration type laminated layer capacitor to obtain a circuit where a plurality of electrostatic capacitance elements are connected in parallel with only one element.
１つの素子で複数の静電容量成分を並列接続する回路を実現することが可能な貫通型積層コンデンサを提供すること。 - 特許庁 - To reduce steps formed, when semiconductor elements differing in height from each other, are formed on a substrate and an inter-layer film is formed covering their upper sides.
基板上に、互いに高さの異なる半導体素子が形成され、さらにその上側を覆うように層間膜を形成したときに生じる段差を低減する。 - 特許庁 - A more preferable result can be obtained in case the superconducting oxide layer is made of rare earth elements, barium, or copper group superconducting oxide (RE123, RE=rare earth element, Y).
前記酸化物超電導層が、希土類・バリウム・銅系超電導酸化物（ＲＥ１２３；ＲＥ＝希土類元素、Ｙ）であるとより好ましい結果を得る。 - 特許庁 - Both ends 4A of the carcass layer 4 are extended outward in the tire radial direction toward end portions located in positions corresponding to the pattern elements with short pitch length.
カーカス層４の両端部４Ａが、ピッチ長の短いパターン要素に対応する位置にある端部部分程タイヤ径方向外側に延在している。 - 特許庁 - Ends of the inductance elements are electrically connected with the input and output terminal electrodes 3 and 4, and the other ends are connected with a shield electrodes 21 formed of a conductive layer.
インダクタンス素子の一端は入出力端子電極３、４に電気的に結合し、他端を導体層により形成したシールド電極２１に接続する。 - 特許庁 - Principal constituent elements comprised in the translucent film layer 2 are aluminum and oxygen and the ratio of the number of oxygen atoms is ≤60%.
該半透明膜層２に含まれる主要構成元素がアルミニウムおよび酸素であり、酸素の原子数比が６０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - Then, halogen elements are added near an interface between the luminous layer 108 and the anode 109 through the passivation film 110 and the anode 109.
その後、パッシベーション膜１１０及び陽極１０９を通してハロゲン元素を発光層１０８と陽極１０９との界面近傍に添加する。 - 特許庁 - To a fixed layer of the TMR elements 10, lower wiring 12 extended in the X direction and functioning as a write wiring and a read wiring is connected.
ＴＭＲ素子１０の固定層には、書き込み配線及び読み出し配線として機能するＸ方向に延びる下部配線１２が接続される。 - 特許庁 - The transformer 12, the LC filter circuit 16 and the rectifying elements 21a, 21b are mounted on a heat sink functioning as a GND through an insulating layer.
トランス１２、ＬＣフィルタ回路１６及び整流用素子２１ａ，２１ｂは、ＧＮＤとして機能するヒートシンク上に絶縁層を介して実装されている。 - 特許庁 - In the color filter substrate having a shading layer region forming a shading layer on a transparent substrate, a picture element region forming the coloring layer of a plurality of colors in an opening part divided with the shading layer region, and the spacer, the spacer laminates the coloring layer of the plurality of the colors in a prescribed shape and forms in the shading layer region between picture elements comprising the uppermost coloring layer of the spacer.
透明基板上に、遮光層が形成された遮光層領域と、遮光層領域により区画された開口部に複数色の着色層が形成された絵素領域と、スペーサーと、を備えたカラーフィルタ基板において、 スペーサーは、所定の形状に複数色の着色層が積層されてなり、 スペーサーの最上層の着色層からなる絵素間の遮光層領域に形成されたことを特徴とするカラーフィルタ基板。 - 特許庁 - A gate control type field emission structure comprises an emitter electrode (46), an electric insulating layer (48) to form the upper layer, and one or two or more electron emitting elements (52) installed in one or two or more aperture portions extended penetrating this insulating layer.
ゲート制御式電界放出構造が、エミッタ電極（４６）、上層をなす電気的絶縁性層（４８）、この絶縁性層を貫通して延在する１または２以上の開口部分内に設置された１または２以上の電子放出性素子（５２）を有する。 - 特許庁 - This method of manufacturing a semiconductor device includes: a film formation process of forming an epitaxial layer 2 on a semiconductor substrate 1 by an epitaxial growth method; a process of forming semiconductor elements 3 in the epitaxial layer 2; and a removal process of removing the semiconductor substrate 1 to leave only the epitaxial layer.
エピタキシャル成長法により半導体基板１にエピタキシャル層２を設ける成膜工程と、前記エピタキシャル層２に半導体素子３を設ける工程と、前記半導体基板１を除去して、前記エピタキシャル層のみを残す除去工程とを備える。 - 特許庁 - The elements are made by forming a sandwich of two layers and a sacrificial layer between them, the sacrificial layer having a thickness related to the final resonator dimension, and using chemical (e.g., water) or a process based on plasma to remove the sacrificial layer.
素子は、最終の共振器寸法と関係がある層厚を有している犠牲層と犠牲層をそれら間にてサンドウィッチする２つの層を形成し、化学薬品（例えば、水）を使い又はプラズマに基づいた処理を行い犠牲層を除去することによって形成される。 - 特許庁 - A laminate comprising a first insulation layer 16, a metal layer 17, a second insulation layer 18 and a pad electrode 19 is provided on a side face S1 and an undersurface of at least the light emitting element 10B which emits light of the shortest wavelength among the three light emitting elements 10.
３つの発光素子１０のうち少なくとも最も短波長の光を発する発光素子１０Ｂの側面Ｓ１および下面には、第１絶縁層１６、金属層１７、第２絶縁層１８およびパッド電極１９からなる積層体が設けられている。 - 特許庁 - To prevent display unevenness and image persistence caused by a material directly brought into contact with the liquid crystal layer or the alignment layer such as a coloring layer material in the liquid crystal display device using an array substrate having switching elements, coloring layers and pixel electrodes on the same substrate.
スイッチング素子、着色層および画素電極を同一基板上に有するアレイ基板を用いた液晶表示装置において、着色層材料など液晶層または配向膜と直接接する材料に起因して、表示むら、焼き付きを防止する。 - 特許庁 - A ferromagnetic semiconductor layer 1 formed of a semiconductor and magnetic elements added to it is laminated on an antiferromagnetic layer 2 having a Neel temperature of 0°C or above, and formed adjacent to the ferromagnetic semiconductor layer 1 for the formation of the ferromagnetic semiconductor exchange coupling film.
半導体中に磁性元素が添加された強磁性半導体層１と、この強磁性半導体層１に隣接して形成され０℃以上のネール温度をもつ反強磁性層２とが積層されてなる強磁性半導体交換結合膜である。 - 特許庁 - This light-emitting device 100 is so structured that two luminescent layers 15A and 15B are stacked between a positive electrode layer 11 and a negative electrode layer 17 by interposing an intermediate electrode layer 18 between them; and thus organic EL elements 1A and 1B are formed in two tiers.
発光装置１００において、陽極層１１と陰極層１７との間に２つの発光層１５Ａ、１５Ｂが間に中間電極層１８を挟んで積層されており、有機ＥＬ素子１Ａ、１Ｂが２段に形成された構造になっている。 - 特許庁 - A semiconductor device with several semiconductor elements formed on a semi-insulating compound semiconductor substrate comprises in every element a layer of the reverse conductivity type to that of a bottom layer composing a semiconductor element, between the substrate and the bottom layer.
複数の半導体素子が半絶縁性化合物半導体基板上に形成された半導体装置において、前記基板と半導体素子を構成する最下層の間にこの最下層の導電型とは逆の導電型を有する層を各素子毎に個別に設けた。 - 特許庁 - To solve the problem that in magnetic memory using conventional magnetic tunnel junction(MTJ) elements, a ferro-magnetic layer forming a memory layer is magnetized in the direction of the surface inside, therefore, demagnetizing influence by the magnetic poles at both end parts increases with micronizing of the element and magnetization of the memory layer becomes unstable.
従来の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子を用いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。 - 特許庁 - (2) The phase transition optical recording medium has a lower interface layer consisting of the oxides of the one or more elements (precluding Zr) selected from the groups 2 to 14 of the third period to sixth period of periodic table between the lower protective layer and the recording layer.
（２）下部保護層と記録層との間に、Ｚｒの酸化物と、周期律表の第３周期〜第６周期の２族〜１４族から選ばれる１種以上の元素（但し、Ｚｒは除く）の酸化物からなる下部界面層を有する（１）記載の光記録媒体。 - 特許庁 - To reduce a manufacturing cost by reducing the number of processes without sacrificing a performance by integrally forming a sacrifice layer for forming an MEMS structure and a structural layer provided so as to be in contact with this sacrifice layer, with a manufacturing process of constitutional elements.
ＭＥＭＳ構造体を形成するための犠牲層及びこれに接するように設けられる構造層を半導体素子の構成要素の製造プロセスと一体化することにより、性能を犠牲にせずに、プロセス数の低減により製造コストを削減する。 - 特許庁 - As a result, the N-type clad layer 6, the MQW active layer 7 and the P-type clad layer 8 are grown only on the respective buffer layers 5, and an element isolation groove 4 for separating the respective semiconductor light-emitting elements 3 is of necessity formed between them.
その結果、各バッファ層５上のみに、Ｎ型クラッド層６、ＭＱＷ活性層７およびＰ型クラッド層８を成長させることができ、各半導体発光素子３間に、それらを分離するための素子分離溝４が必然的に形成される。 - 特許庁
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