「light pattern」を含む例文一覧(7056)
＜前へ 1 2 .... 88 89 90 91 92 93 94 95 96 .... 141 142 次へ＞- By pressing this circular arc with a fine pattern 3 formed for the circumstance of the mask substrate 2 to a photosensitive resin layer to which this fine pattern 3 is transferred by exposure, the interval between the fine pattern 3 and photosensitive resin layer can be controlled to be shorter than the wavelength of exposure light so that the fine pattern 3 can be transferred satisfactorily by exposure.
マスク基体２の外周面の微細パターン３が形成された円弧形状部分をこの微細パターン３を露光転写しようとする感光性樹脂層に押し当てることにより、微細パターン３と感光性樹脂層との間隔を露光光の波長以下に抑えることができ、露光光として近接場光を用いた露光転写を行うことができ、微細パターン３の露光転写を良好に行うことができる。 - 特許庁 - The manufacture method of the microstructure, which applies a photosensitive material on a substrate having an electrode for plating, forms a linear pattern of the exposed electrode on the substrate by patterning with exposure light, fill metal on the pattern with plating, to form the microstructure, comprises forming the linear pattern so that an intersecting angle of the linear pattern may exceed 90 degrees.
メッキ用電極を備えた基板上に感光性材料を設け、露光光を用いてパターニングすることで、前記メッキ用電極を前記基板上に露出させて形成された線状パターン上に、金属をメッキによって充填し、マイクロ構造体を形成するようにしたマイクロ構造体の作製方法において、前記線状パターンを形成するに際して、該線状パターンの交差する角度を９０度を超えるように構成する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a semiconductor device, such a region of a substrate on which patterns 30, 40 of a semiconductor integrated circuit are formed as the rate of absorption of light irradiated for annealing is equal to or lower than a fixed value is defined as a sparse pattern region 100, and a thin film 60 for improving the rate of light absorption is formed locally on the sparse pattern region 100.
半導体装置の製造方法であって、半導体集積回路のパターン３０，４０が形成された基板に対し、アニールのために照射される光に対する吸収率が一定以下の領域を疎パターン領域１００と定義し、疎パターン領域１００上に光吸収率を高めるための薄膜６０を局所的に形成する。 - 特許庁 - In the method for checking, by combining line illuminating means 11 to 14 from four directions in the photographing range 5 in the work 1 and illuminating the work 1 so that the intensity of the light input to the one-dimensional CCD 3 of the light diffused in the pattern to be checked on the work 1 becomes uniform, the proper image of the stereoscopic pattern to be checked is made obtainable.
ワーク１上の撮像範囲５に対して４方向からのライン照明手段１１〜１４を組み合わせて照明することによりワーク１上の検査対象パターンで拡散した光が１次元ＣＣＤ３に入力する光の強度が均一になるようにし、立体的な検査対象パターンの適正な画像が得られるようにした。 - 特許庁 - To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.
電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A projector 10 of this invention is provided with a screen projection part 120 which projects projection images, a screen photographing part 150 which photographs projection images, a position detection part 160 which detects position data of pointing light PL, and a command selection part 170 which extracts track pattern of the pointer light PL based on a plurality of position data and selects command data based on the extracted pattern.
プロジェクタ１０は、投影画像を投影するスクリーン投影部１２０と、投影画像を撮影するスクリーン撮影部１５０と、ポインタ光ＰＬの位置データを検出する位置検出部１６０と、複数の位置データに基づいてポインタ光ＰＬの軌跡パターンを抽出し、該抽出パターンに基づいてコマンドデータを選定するコマンド選定部１７０とを備える。 - 特許庁 - A mask is formed on a permeable substrate, a first region having an optically catalytic film on the substrate and the mask is formed, light is allowed to penetrate the substrate to irradiate light to the optically catalytic film, a second region is formed by partially reforming the first region, and a pattern is formed by delivering a composition containing a pattern formation material to the second region.
透光性を有する基板上にマスクを形成し、基板及びマスク上に光触媒膜を有する第１の領域を形成し、基板に光を通過させて光触媒膜に照射し、第１の領域の一部を改質して第２の領域を形成し、第２の領域にパターン形成材料を含む組成物を吐出してパターンを形成する。 - 特許庁 - To form a variable light distribution pattern without causing the driver of a vehicle to feel something wrong with it with a vehicle headlamp of simple structure which can enhance the visibility of the front part of the driver without giving glare to the driver in a vehicle in the front or oncoming vehicle, in a vehicle headlamp constituted so as to form a variable light distribution pattern for a high beam.
ハイビーム用の可変配光パターンを形成するように構成された車両用照明灯具において、簡易な灯具構成で、前走車や対向車のドライバにグレアを与えてしまうことなく自車ドライバの前方視認性を高めることができる可変配光パターンを、自車ドライバに違和感を与えてしまうことなく形成可能とする。 - 特許庁 - The light emitting device includes a resin substrate 14 having thermal conductivity of 1.0-9.0 [W/m K], a white insulating layer 15 formed on the resin substrate, a circuit pattern layer 16 formed on the insulating layer, and a light emitting element 13 which is formed on the insulating layer and is electrically connected with the circuit pattern layer.
請求項１の発明は、熱伝導率１．０〜９．０［Ｗ／ｍ・Ｋ］を有する樹脂基板14と；樹脂基板上に設けられた白色の絶縁層15と；絶縁層上に設けられた回路パターン層16と；絶縁層上に配設されるとともに回路パターン層に電気的に接続された発光素子13と；を具備していることを特徴とする。 - 特許庁 - The vehicle headlight device includes a high beam lamp unit capable of forming a high beam light distribution pattern PH including a region above cut-off lines CL1, CL2, CL3 of a low beam light distribution pattern PL, and having an adjustable optical axis, and a control part for adjusting the optical axis of the high beam lamp unit in accordance with information obtained by a travel environment detecting device.
ロービーム用配光パターンＰＬのカットオフラインＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬ３から上方の領域を含むハイビーム用配光パターンＰＨを形成可能であり、光軸を調整可能に設けられたハイビーム用灯具ユニットと、走行環境検知装置から得られた情報に基づいて、ハイビーム用灯具ユニットの光軸を調整する制御部と、を備える。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an antireflection film made of a two-layer film of a lower layer as a reflection film and an upper layer as an interference film to an exposure light on the substrate, emitting a pattern inspecting light via the antireflection film in the case of exposing a desired pattern on a photosensitive thin film coating the antireflection film, thereby aligning a photomask with the substrate.
露光光に対して下層は反射膜であり、上層は干渉膜である二層膜からなる反射防止膜を基板上に形成し、その反射防止膜上に塗布した感光性薄膜に所望のパターンを露光する際に、反射防止膜を介してパターン検出光を照射することにより、ホトマスクと基板とのアライメントを行う。 - 特許庁 - To provide a photoresist composition having high transparency to exposure light, especially light of ≤300 nm wavelength, capable of obtaining a resist pattern of excellent section rectangularity, and having high storage stability; a low-molecular compound and high-molecular compound for obtaining the photoresist composition; and a resist pattern forming method using the photoresist composition.
露光光、特に３００ｎｍ以下の波長光に対する透明性が高く、かつ断面矩形状の良好なレジストパターンを得ることができ、保存安定性の高いホトレジスト組成物、該ホトレジスト組成物を得るための低分子化合物および高分子化合物、ならびに該ホトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.
特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus having a density adjusting means for detecting light reflected from a reference toner pattern formed on a photoreceptor drum and for adjusting a toner density using an output value corresponding to the reflected light, the apparatus being configured to prevent adverse effect on toner density control by suppressing firm fixing of a sleeve in the position where the reference toner pattern is formed.
感光ドラムに形成した基準トナーパターンの反射光を検知し、その反射光に応じた出力値を用いてトナー濃度調整を行う濃度調整手段を備えた画像形成装置において、基準のトナーパターンの形成位置でのスリーブ固着を抑制してトナーの濃度制御に影響を及ぼさない画像形成装置を提供すること。 - 特許庁 - A photomask is provided in which a light-blocking film pattern 111 is formed on a translucent substrate 100, and by keeping the residue amount of sulfate ions and sulfate on at least a surface of the photomask on the side of which the light-blocking film pattern 111 is formed should be less than 0.30 ppb, a variation in element size can be suppressed.
透光性基板１００上に遮光性膜パターン１１１が形成されたフォトマスクであって、少なくとも遮光性膜パターン１１１が形成された側のフォトマスク表面における硫酸イオンや硫酸塩の残渣量を０．３０ｐｐｂ未満とすることによって素子寸法変動を抑制させられることが確認できた。 - 特許庁 - To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness (LER) and good dependence on a density distribution particularly in lithography using electron beams, X-rays or EUV light as an exposure light source, and a pattern forming method using the same.
特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス（Line edge roughness: LER）、及び良好な疎密依存性を満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a filter for a display, which includes an electromagnetic shield material ensuring low electric resistance even when the line width of a pattern is made narrower, preventing an image from being whitened by external light and image light and preventing reduction in image contrast when the convex-pattern-layer-formed side of the electromagnetic shield material is directed toward the display panel; and to provide an image display device using the filter.
パターンの線幅をより一層微細化しても低い電気抵抗とすることができ、電磁波シールド材の凸状パターン層形成側をディスプレイパネルに向けて設置したときに、外光及び画像光による画像の白化、画像コントラストの低下が防止できる電磁波シールド材を含むディスプレイ用フィルタ及びこれを用いた画像表示装置を提供する。 - 特許庁 - The control part 302 controls the light distribution pattern in a switching system in response to position information on a front vehicle when the information is the content of indicating the presence of the front vehicle, and takes preference of switching to the light distribution pattern for the low beam regardless of the existence of the front vehicle when the information is the content of indicating a steeper curve road state than a reference curve road.
制御部３０２は、情報が前方車の存在を示す内容である場合、前方車の位置情報にしたがって配光パターンを切替制御する一方、情報が基準曲路より急な曲路状態を示す内容である場合、前方車の有無に拘わらずロービーム用配光パターンへの切り替えを優先する。 - 特許庁 - To provide a method for determining a correction pattern capable of correcting periodic unevenness of a rotary polygon mirror with high accuracy and reducing man-hours for selecting an optimum correction value, in determining a periodic unevenness correction pattern of an apparatus for scanning a recording body by deflecting a light beam with the rotary polygon mirror, and to provide a light beam scanner.
光ビームを回転多面鏡によって偏向して記録体上を走査する装置の周期的むら補正パターンを決定する場合、回転多面鏡の周期的むらを高精度に補正できかつ最適な補正値選択のための工数を減らすことができる補正パターンの決定方法及び光ビーム走査装置を提供する。 - 特許庁 - A first region requiring a high driving capacity is irradiated with CW laser light at a low rate under a state where an a-Si film is patterned by lithography and etching into an island pattern 11 (or a ribbon pattern) whereas a second region not requiring a high driving capacity is irradiated with the CW laser light in the form of a solid a-Si film.
高い駆動能力を要する第１の領域には、ａ−Ｓｉ膜をアイランドパターン１１（又はリボンパターン）にリソグラフィー及びエッチングによりパターニングした状態でＣＷレーザ光を低速で照射し、高い駆動能力を要しない第２の領域には、ａ−Ｓｉ膜のベタ膜のままＣＷレーザ光を高速で照射する。 - 特許庁 - Consequently, in the light guide plate 2 formed by the manufacturing method, even if the plate thickness is reduced, progress of light propagating from an incident surface 4 side toward a tip side 21 is hardly disturbed by the minus protrusions 14b of the rough surface pattern 14, and the formation ratio of the rough surface pattern 14 to the rough surface part 15 can be easily adjusted.
その結果、本発明の製造方法によって形成される導光板２は、その板厚を薄くしたとしても、入射面４側から先端側２１へ向かって伝播する光の進行が粗面パターン１４のマイナス突起１４ｂで邪魔されることが少なく、粗面パターン１４と粗面部１５の形成比率を調整することが容易になる。 - 特許庁 - The ink jet head is manufactured through a process for forming a taper in the nozzle hole using the light path of laser beam to be converged optically and dually through a mask having a hole shape pattern at the ink channel side and a mask having a hole shape pattern at the ink ejection side, which are arranged in order from a light source for drilling a nozzle hole into the nozzle plate by means of a laser.
レーザーを用いてノズルプレートにノズル穴を穿孔するにあたり、光源側から順に配置された、インクチャネル側の穴形状パターンを有するマスク及びインク吐出側の穴形状パターンを有するマスクを経て、光学的に２元に収光されるレーザー光の光路によりノズル穴にテーパーを形成する工程を経て製造されたインクジェットヘッド。 - 特許庁 - The position and pointing direction measuring system is provided with a projector 12 for projecting concentric striped pattern light 11, imaging devices 13, 14 for imaging the concentric striped pattern light 11 emitted from the projector, and a calculation device 15 for obtaining the position and the pointing direction of the projector 12, on the basis of a stripe image acquired from the imaging devices.
位置および指示方向計測システムは、同心円状の縞模様光１１を投射する投射装置１２と、投射装置から射出された縞模様光１１を撮像する撮像装置１３，１４と、撮像装置から得られた縞画像に基づいて投射装置１２の位置および指示方向を求める演算装置１５とを備える。 - 特許庁 - A microlouver 1 is provided comprising: a transparent substrate 2; a rugged pattern portion 5 which is formed with a predetermined pattern, and forms a diffraction image on one surface of the transparent substrate 2 by diffracting incident light; and transparent layers 3 and light absorbing layers 4 alternately arranged and disposed on one surface of the transparent substrate 2, extending in a direction intersecting the surface.
マイクロルーバー１は、透明基板２と、透明基板２の一方の面上に、入射光を回折して回折像を形成する所定のパターンで形成された凹凸形状部５と、透明基板２の一方の面上に、この面に交差する方向にそれぞれ延び交互に並んで配置された透明層３および光吸収層４とを有している。 - 特許庁 - The method for producing the printing plate by using the original printing plate having a photocatalyst layer and a water repellent layer includes a process for forming a shade pattern shading active light on the water repellent layer and a process for irradiating the original printing plate with the active light through the shading pattern while treating it with ozone.
本発明に係る印刷版の製造方法は、光触媒層及び撥水性層を備える印刷原版を用いて印刷版を製造する方法であって、撥水性層上に、活性光を遮光する遮光パターンを形成する工程と、印刷原版に、遮光パターンを介して、オゾンで処理しながら活性光を照射する工程と、を含む。 - 特許庁 - To provide a phase inversion mask which can improve the yield and reliability of a semiconductor element by equalizing the limit sizes of a light transmission pattern formed on a wafer in respective directions by using conventional exposure wavelength when the pattern of a light transmission area formed on the phase inversion mask is different in array pitch with the direction and its manufacturing method.
位相反転マスクに形成される透光領域のパターンの各方向の配列ピッチが異なる場合に、従来の露光波長を使用して、ウエハに形成される透過光パターンの限界寸法を各方向に亘って同じにし、半導体素子の歩留まり及び信頼性を向上し得る位相反転マスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - This microscope where observation data are acquired by irradiating an observation object with the deep ultraviolet light has a control part measuring the line width of a pattern provided at the prescribed position of the observation object and stopping the irradiation of the observation object with the deep ultraviolet light when the line width of the pattern attains a prescribed limiting value.
観察対象に深紫外光を照射して観察データを取得する顕微鏡において、該観察対象の所定の位置に設けられたパターンの線幅を測定し、該パターンの線幅が所定の制限値に達した場合に、該観察対象への深紫外光の照射を停止する制御部を有することを特徴とする。 - 特許庁 - A triaxial extrusion molding method is used to adhesively coat the surface of a steel pipe 4 with first resin 5 of light color, to coat the surface of the first resin 5 with wood grain pattern resin 3 as second resin and to extrusion-mold the light storage resin 2 linearly on the first resin 5 at portions which intercept part of the wood grain pattern resin 3.
３軸押し出し成形法により、鋼管４の表面に明るい色の第１樹脂５が接着被覆され、前記第１樹脂５の表面に第２樹脂として木目模様樹脂３が被覆されていると共に同木目模様樹脂３の一部を遮った部位の前記第１樹脂５の上に蓄光樹脂２が線状に押し出し成形されている。 - 特許庁 - This manufacturing method of a semiconductor device includes a step of forming a pattern by using a mask for exposure having a frame-like light shielding film 2 formed on the peripheral portion of the surface of the side, where the pattern is to be formed of a substrate 10, where the film 2 is divided into square light shielding portions by slits 3.
基板１０のパターンが形成されている側の面の面上の周辺部に枠状の遮光膜２を有し、該周辺部の枠状の遮光膜をスリット３によって分割したことにより、該遮光膜を四角形の遮光膜部分に区画してなる露光用マスクを用いてパターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - To attain superior pattern exposure with high throughput when a pattern is exposed on a substrate or the like by a method wherein uniform irradiation is enabled to an object to be irradiated with high efficiency by using a plurality of light sources like semiconductor lasers in which light emission energy per piece is small, so that the illumination of high performance is obtained by energy saving.
半導体レーザ等の１個当りの発光エネルギーが小さな光源を複数用いて、高い効率で、かつ均一に被照射物に照射することができるようにして、省エネルギーで高性能な照明を実現し、その結果、基板等にパターンを露光する際、高スループットで、良好なパターン露光を実現することができる。 - 特許庁 - Part of the array wiring pattern formed in the light emitting element array board 20 is a plurality of data line patterns sequentially alternately drawn out to both ends of the subsidiary scanning direction B of the light emitting elements of a 2^N array from one end of a main scanning direction A every other pattern and a plurality of data line patterns are connected with the first and second flexible boards 60A and 60B.
発光素子アレイ基板２０に形成されたアレイ配線パターンの一部は、主走査方向Ａの一端より順次一つおきに、２^Ｎ列の発光素子の各々から副走査方向Ｂの両端の端部に交互に引き出される複数のデータ線パターンであり、複数のデータ線パターンが第１，第２のフレキシブル基板６０Ａ，６０Ｂに接続される。 - 特許庁 - The optical circuit 10 is constituted such that a light propagation layer with a high refractive index formed in a desired shape is embedded in a low refractive index layer 12 disposed on one side surface of a glass substrate 11 and a metal pattern 15 having the shape reversed to the pattern 14 of the light propagation layer is formed on the surface of the other side of the glass substrate 11.
ガラス基板１１の一方の面上に設けた低屈折率層１２内に、高屈折率の光伝搬層が所望パターン形状で形成されて埋め込まれた光回路１０において、ガラス基板１１の他方の面上に、光伝搬層のパターン１４を反転させた形状のメタルパターン１５が形成されているものである。 - 特許庁 - To provide a photomask blank which is capable of shortening the dry-etching time by increasing the dry-etching speed of a light shielding film, reducing the film reduction of a resist film, improving resolution and pattern accuracy (CD accuracy) by reducing the thickness of the resist film, and forming a light shielding film pattern having a good cross-sectional shape due to the reduction of the dry-etching time.
遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。 - 特許庁 - A vehicular headlight device 10 includes a lighting fixture 20H for high beam which forms a light distribution pattern for high beam including an area above the cut-off line of the light distribution pattern for low beam, and a headlight device control ECU 40 which acquires information from a vehicle detector 150 and a navigation system 144 and controls the irradiation of the lighting fixture 20H for high beam.
車両用前照灯装置１０は、ロービーム用配光パターンのカットオフラインから上方の領域を含むハイビーム用配光パターンを形成するハイビーム用灯具２０Ｈと、車両検出装置１５０およびナビゲーションシステム１４４から情報を取得し、ハイビーム用灯具２０Ｈの照射を制御する前照灯装置制御ＥＣＵ４０と、を備える。 - 特許庁 - The card includes: a card substrate comprising a single layer or comprising one or more layers of core substrates and an exterior substrate; a reflective layer on the card substrate; and a light permeability pattern on the reflective layer, in which the reflective layer has an irregular shape following the light permeability pattern.
上記課題を解決するため、本発明では、単層からなるカード基材又は１層以上のコア基材と外装基材からなるカード基材と、カード基材上に反射層を有し、該反射層上に光透過性パターンを有するカードであって、該反射層が該光透過性パターンに追従する凹凸形状を有することを特徴とするカードとする。 - 特許庁 - To form a variable light distributing pattern that can enhance the front visibility of a driver in an own vehicle without giving a glare to a driver in a front running vehicle or an oncoming vehicle, without giving a sense of discomfort to the driver in the own vehicle, in a simple lamp construction, in a vehicle lighting fixture which is constructed to form a variable light distributing pattern for a high beam.
ハイビーム用の可変配光パターンを形成するように構成された車両用照明灯具において、簡易な灯具構成で、前走車や対向車のドライバにグレアを与えてしまうことなく自車ドライバの前方視認性を高めることができる可変配光パターンを、自車ドライバに違和感を与えてしまうことなく形成可能とする。 - 特許庁 - There is provided a light emitting device package including: a substrate having a circuit pattern formed on at least one surface thereof and including an opening; a wavelength conversion layer formed by filling at least a portion of the opening; and at least one light emitting device disposed on a surface of the wavelength conversion layer and electrically connected to the circuit pattern.
本発明によると、少なくとも一面に回路パターンが形成され、開口部を有する基板と、上記開口部の少なくとも一部を充填するように形成される波長変換層と、上記波長変換層の一面に配置され、上記回路パターンと電気的に連結される少なくとも１つの発光素子とを含む発光素子パッケージを提供する。 - 特許庁 - To provide a polymerizable composition which has high light-shielding properties in an infrared region and high translucency in a visible light region, and with which a pattern having excellent resolution in alkali development can be formed, and which has excellent temporal stability, as well as photosensitive layer, a permanent pattern, a wafer level lens, a solid state imaging element and a pattering method using the composition.
赤外領域における遮光性が高く、可視光領域における透光性が高く、かつ、アルカリ現像による解像性に優れたパターンを形成可能であり、更には、経時安定性に優れた重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - The substrate 11 provided with a transparent electrode pattern 13 arranged in a matrix is irradiated with a band-shaped laser beam from a light projecting part 1 in such a way as to traverse the arrangement of one electrodes 13b between the other electrodes 13a, and diffracted light generated by the pattern arrangement of the electrodes 13b is extracted by a line CCD 10.
マトリクス配列された透明電極パターン１３を具備する基板１１に対し、投光部１より一方の電極間１３ａ，１３ａに他方の電極１３ｂの配列を横切るような帯状のレーザービームを照射するととともに、前記電極１３ｂのパターン配列によって生じた回折光をラインＣＣＤ１０により抽出する。 - 特許庁 - The forgery preventing medium 1 is constituted by forming a round pattern and a character pattern with a light absorption layer 4 showing transmissibility to IR rays and an IR absorption layer 5 of approximately the same color as the color of the light absorption layer 4 on the rear surface of the iris multilayered film 3 alternately laminated with two or more kinds of thin films.
二種またはそれ以上の種類の薄膜が交互に積層された虹彩性多層フィルム３の裏面に、赤外線に対しては透過性を示す光吸収層４と該光吸収層と略同色の赤外線吸収層５とで一つの丸パターンと文字パターンを形成してなる偽造防止媒体１とするものである。 - 特許庁 - The system includes a projection device 12 for projecting concentric striped pattern light 11, imaging apparatus 13, 14 for imaging the striped pattern light projected from the projection device 12, and an operation device 15 for determining the position and the indication direction of the projection device 12 based on a stripe image acquired from the imaging apparatus 13, 14.
本位置および指示方向計測システムは、同心円状の縞模様光１１を投射する投射装置１２と、投射装置１２から投射された縞模様光を撮像する撮像装置１３，１４と、撮像装置１３，１４から得られた縞画像に基づいて投射装置１２の位置および指示方向を求める演算装置１５とを備える。 - 特許庁 - By providing one pattern for generating a Z signal at a location corresponding to a reference location within the range of extent of a light beam with which the surface of a scale 9 to form A-phase and B-phase light is irradiated in the vicinity of a periodic pattern on the scale 9, three signals of A phase, B phase and the Z signal are obtained by one beam.
上記のＡ相、Ｂ相光を形成させるスケール上の周期的パターンの近傍で、かつこのスケール面を照射している光ビームの広がりの範囲内の基準位置に対応した位置にＺ信号発生用のパターンを１箇所設けておくことにより１本のビームでＡ相、Ｂ相およびＺ信号の３信号を得る構成とした。 - 特許庁 - In the method for forming an superfine pattern by using an irregular reflection preventing film containing an acid generator, an organic irregular reflection preventing film with addition of an excess amount of an acid generator is used so that a pattern having a vertical profile can be obtained even when a photoresist resin having rather high absorbance for the light from the light source is used.
本発明は、酸発生剤を含む乱反射防止膜を利用した超微細パターンの形成方法に関し、過量の酸発生剤を添加した有機乱反射防止膜を用いることにより、光源に対する吸光度が多少高めのフォトレジスト樹脂を用いるとしても垂直のパターンを得ることができるパターンの形成方法に関する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2).
マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition for forming a color layer, which forms a fine pattern without causing chipping in a pattern edge or undercut even when the luminous energy of exposure is low, without generating an undissolved substance remaining during development or scum on a pattern edge, and forms a color filter with high color purity and a black matrix having high light-shielding property.
低露光量でもパターンエッジの欠けおよびアンダーカットを生じることがなく、且つ現像時に未溶解物が残存したりパターンエッジにスカムを生じたりすることなく微細パターンの形成が可能であり、色純度の高いカラーフィルタおよび遮光性の高いブラックマトリックスを形成しうる着色層形成用感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁 - A minute pattern resin film 22 is formed on one main surface of a key top body 36 by using a minute pattern forming resin film 20 having properties such that it retains liquid state at ordinary temperature and is cured with light to form a minute pattern (e.g., line width and line interval of 0.1 mm or less) by transfer or others followed by curing by UV irradiation.
常温下で液状を保持し光を受けて硬化する性質の微細模様形成用樹脂膜２０を用い転写その他により微細模様（線幅及び線間例えば０．１ｍｍ以下）を形成し、ＵＶ光照射により硬化させた微細模様樹脂膜２２を、キートップ本体３６の一方の主表面に形成する。 - 特許庁 - This invention includes a step of etching the object to be processed using the resist pattern as a mask, a step of irradiating the resist pattern through a photomask with light within a photosensitive wavelength region of the photosensitizer, and a step of removing the resist pattern on the object to be processed.
また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁 - Second higher harmonics are generated by performing wavelength conversion by a nonlinear effect of a nonlinear element by irradiating an antenna pattern with pulse light at a state wherein bias voltage is applied on the antenna pattern by arranging the nonlinear element on the antenna pattern formed on the surface of a substrate and the terahert waves are generated by operating an optical switch by the second higher harmonics.
基板の表面に形成されたアンテナパターンの上に、非線形素子を配置してバイアス電圧を印加した状態で、アンテナパターンにパルス光を照射することで、非線形素子の非線形効果による波長変換を行なって第２高調波を発生し、その第２高調波で光スイッチを動作させることによってテラヘルツ波を発生させる。 - 特許庁 - To provide a polymeric ultrathin film and a pattern thereof, having little variance in the film thickness and excellent adhesiveness to a substrate, showing sufficient pattern resolution by irradiation exposure to electron beams, short-wavelength exposure light or the like, and having a structure controlled in a nanometer level, and to provide a method for forming a polymeric ultrathin film pattern.
本発明は、膜厚のバラツキが少なく、かつ基板との密着性に優れ、電子線や短波長の露光光などの照射露光によって十分なパターン解像度を示し、ナノメートルレベルで構造制御された高分子超薄膜およびそのパターン、並びに、高分子超薄膜パターンの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide correction methods for a photomask capable of correcting an auxiliary pattern of the photo mask, when the auxiliary pattern is resolved on a surface to be transferred by a reliable and compatibly easy method in the photo mask having an ArF excimer laser as an exposure light source and having the auxiliary pattern used for projection exposure by means of deformation illumination, and to provide a corrected photomask.
ＡｒＦエキシマレーザを露光光源とし、変形照明による投影露光に用いられる補助パターンを有するフォトマスクにおいて、補助パターンが転写対象面に解像されてしまう場合のフォトマスクを、確実で比較的容易な方法により補助パターンを修正するフォトマスクの修正方法および修正されたフォトマスクを提供する。 - 特許庁
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