Disclosed is the electromagnetic wave shield member having the conductor layer formed on the transparent base 1 in a predetermined pattern, and the conductor layer comprises a metal particulate bound body 2 formed by binding metal particulates with a binder resin, and a nickel columnar crystal aggregate 3 covering a surface of the metal particulate bound body 2, an outermost surface of the surface-coated nickel columnar crystal aggregate 3 being a light-diffusive finely uneven surface. 透明基材1上に所定のパターンで形成された導電体層を有する電磁波シールド部材であって、該導電体層は、金属微粒子をバインダー樹脂によって結着した金属微粒子結着体2と、該金属微粒子結着体2の表面を被覆するニッケル柱状結晶集合体3とからなり、表面被覆ニッケル柱状結晶集合体3の最外面は光拡散性の微凹凸面であることを特徴とする電磁波シールド部材。 - 特許庁
The method of forming the conductive pattern includes: a coating step to apply paste containing AlN powder, glass frit and a solvent on a substrate; a drying step to dry the paste applied and to form a dry coating film; a laser drawing step to draw conductive patterns on the dry coating film by irradiation of laser beams; and a development step to remove unirradiated part of laser light out of the dry coating film by using a developer. 本発明の導電パターン形成方法によれば、AlN粉末、ガラスフリット及び溶剤を含むペーストを基板上に塗布する塗布工程と、塗布された前記ペーストを乾燥し、乾燥塗膜を形成する乾燥工程と、レーザー光の照射により、前記乾燥塗膜に導電パターンを描画するレーザー描画工程と、前記乾燥塗膜のうち、前記レーザー光の未照射部分を、現像液を用いて除去する現像工程とを含むことを特徴とする - 特許庁
The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers. 基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第1のレジスト層と、前記第1のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第2のレジスト層と、前記第2のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第3のレジスト層と、の少なくとも3層を有してなる。 - 特許庁
The manufacturing method of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element includes a first process for forming a dielectric film on a SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor in a pattern shape and a second process for causing the group III nitride semiconductor layer to selectively grow on the SiC substrate or the group III nitride compound semiconductor by an organic metal chemical vapor growth method, after a reactor is substituted for hydrogen atmosphere. 本発明のIII族窒化物系半化合物半導体発光素子の製造方法は、SiC基板上またはIII族窒化物系化合物半導体上に誘電体膜をパターン状に形成する第1工程と、リアクターを水素雰囲気に置換した後、有機金属化学的気相成長法により上記SiC基板または上記III族窒化物系化合物半導体の上にIII族窒化物系半導体層を選択成長する第2工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁
Similarity or correction values over the entire part of the two different time series light signals are determined from the distribution pattern or integrated value thereof. 非線形光学効果を発生する非線形媒質を含んだ光ファイバまたは光導波路の両端から2つの異なる時系列光信号を対向的に導入し、これらの2つの異なる時系列信号が光ファイバまたは光導波路内を伝播して中間で重なったときの光信号強度の変化に基づく非線形光学効果で各部分に生じる透過率の変化の分布状態を別の光で読み出して,その分布パターンあるいは積分値から2つの異なる時系列光信号全体の類似度あるいは相関値を求めるようにする。 - 特許庁
The image forming system and improvement therein for edge blending a composite image displayed by a plurality of configurable display devices in a tiled display system or between the display devices and the surrounding environments, by either modifying one or more light emission characteristics in regions of the composite image adjacent to the gaps, or generating a pattern in the composite image that coincides with the spaces of the gaps so that the visual seam is camouflaged when viewed from a distance. 離れた所から視聴した場合に視覚的な継ぎ目がカムフラージュされるように、合成画像のうちギャップに隣接する領域の1つ以上の発光特性を修正する、またはギャップの間隔に一致するパターンを合成画像中に生成する、ことの少なくとも1つによって、タイル状ディスプレイシステムにおける複数の構成可能なディスプレイデバイスにより、もしくはディスプレイデバイスおよび周辺環境との間により表示される合成画像のエッジ混合のための画像形成システムとその改善方法を提供する。 - 特許庁